説明

Fターム[3C058CA05]の内容

仕上研磨、刃砥ぎ、特定研削機構による研削 (42,632) | 課題(ワーク種別) (3,461) | 材質 (2,114) | セラミックス (1,818)

Fターム[3C058CA05]の下位に属するFターム

ガラス (625)

Fターム[3C058CA05]に分類される特許

1,181 - 1,193 / 1,193


提供されているのは基体の研磨・平坦化用新規水性スラリー組成物である。該組成物は二酸化珪素研磨粒子を含み、該研磨粒子はアルミン酸アニオン、スズ酸アニオン、亜鉛酸アニオン及び鉛酸アニオンから成る群から選択されるメタレートアニオンでアニオン的に変性・ドープ処理され、それにより該研磨粒子に高い負の表面電荷を提供し該スラリー組成物の安定性を向上させている。
(もっと読む)


【解決手段】 可撓性を有する合成樹脂成形体で形成されたワーク載置台と、このワーク載置台上に載置されたワークを上記ワーク載置台に押圧して固定する可撓性を有する合成樹脂成形体で形成された押さえ部材とを備え、上記ワーク載置台と上記押さえ部材との間にワークを挟持してワークを押圧することにより生ずる上記ワーク載置台及び押さえ部材の弾発力によってワークを固定するワーク切断用固定冶具、及びこのワーク切断用固定冶具によりワークを固定して、このワークを切断加工することを特徴とする切断加工方法。
【効果】 極めて簡素な固定機構によって、切断後に得られる切断片の寸法精度を損なわない程度に十分に、ワークをしっかりと固定することが可能であり、ワークの取り付け、取り外し作業が簡素化されるので、切断加工の作業効率が向上する。 (もっと読む)


【課題】 半導体基板の周縁部に対して研磨不足や研磨過剰を招くことなく、適切な研磨量で研磨を行う。
【解決手段】 半導体基板13の周縁部を研磨するための基板処理方法であって、基板13の周縁部の主面に研磨機構20の研磨面を接触・加圧させ、基板13をモータ12により回転させることにより主面を研磨しながら、主面の研磨状態をモニタすることにより該主面の研磨終点を検出し、研磨終点が検出されたら、主面の研磨を終了すると共に、該研磨終了時点で決まる主面の研磨時間に基づいて、次に研磨すべき主面以外の面に対する研磨時間を設定し、設定された研磨時間に応じて主面以外の面を研磨する。 (もっと読む)


【課題】従来の加工では真球化に長時間を要したガラスのような脆性材料からなる素球に対し、欠け,割れを生じることなく直径の相互差が小さく、真球度の高い球体への加工を容易にする。
【解決手段】対面する回転円盤2と固定円盤1の対合面に夫々同心円状に溝4を設け、該溝の間に素球Bを挟み込み、円盤2を回転させることにより素球Bを研磨する装置において、前記回転円盤2と固定円盤1の何れか一方の対合面を弾性体として回転に伴い素球Bにかかる強弱変動荷重を適度に吸収,緩和せしめ、一定の荷重がかかるようにした。
なお、弾性体としては通常、ゴム,プラスチックを用いる。 (もっと読む)


本実施形態は、ウエハのような対象物を処理するのに使用するための方法及びシステム(120)を提供し、ウエハの研磨及び/又は研削を含む。フロントエンドモジュール(124)は、保管装置(126)を連結し、処理のための対象物を保管する。フロントエンドモジュール(124)は、単一のロボット、搬送ステーション、及び複数のエンドエフェクタを備えることができる。処理モジュール(122)は、単一のロボットが対象物を保管装置から処理モジュール(122)へ供給するように、フロントエンドモジュール(124)と連結される。処理モジュール(122)は、回転テーブル、及び、供給された対象物を取り出しそして対象物を回転テーブル上で処理するキャリアをもつスピンドルを備える。
(もっと読む)


本発明は砥材(abrasive)、ハロゲン化物塩、及び水を含む化学−機械研磨組成物を提供する。本発明は基材を化学−機械研磨組成物及び研磨パッドで化学−機械研磨する方法をさらに提供する。 (もっと読む)


【課題】目詰まり防止剤が塗布された表面の微細構造をどのようにすれば、目詰まり防止剤の機能が充分に発揮されるかをつきとめること。
【解決手段】最外側面に目詰まり防止被膜を有する研磨材において、該目詰まり防止被膜は、目詰まり防止剤および結合樹脂を含有し、該結合樹脂はひび割れを伴って膜化されており、該ひび割れによって該目詰まり防止被膜の表面全体に網目状の微細構造が形成されている、研磨材。 (もっと読む)


本発明は、(a)α−アルミナを含む研磨材、(b)研磨組成物の総質量に対して、カルシウム、ストロンチウム、バリウム及びこれらの混合物からなる群から選択される少なくとも1種の金属のイオン0.05〜50mmol/kg、及び(c)水を含む液体キャリアを含んでなる、化学機械研磨組成物を提供する。また本発明は、(a)α−アルミナ、γ−アルミナ、δ−アルミナ、θ−アルミナ、ダイヤモンド、ボロンカーバイド、シリコンカーバイド、タングステンカーバイド、窒化チタン及びこれらの混合物からなる群から選択される研磨材、(b)研磨組成物の総質量に対して、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、マグネシウム、亜鉛及びこれらの混合物からなる群から選択される少なくとも1種の金属のイオン0.05〜3.5mmol/kg、及び(c)水を含む液体キャリアを含んでなる、化学機械研磨組成物を提供する。さらに本発明は、上述の化学機械研磨組成物のそれぞれを用いた、基板の研磨方法を提供する。 (もっと読む)


ワイヤソーとウェハの安定化システムが、ソーイング工程中の振動及び好ましくない移動に対してウェハの区画(112)を一様に保持するために提供されている。安定化手段(114)は、ウェハの部分がシリコン材料のインゴットまたはブロックから部分的に切り出されるときの初期段階で、部分的に形成されたウェハの区画の端部に適用される。安定化手段は、後続のソーイング工程中の振動、揺動、又は好ましくない接触に対してウェハの区画を安定化するように働く。また、安定化手段は、スライスが完了した後のウェハの処理を加速し、洗浄工程を容易化し、カセットの中へのウェハのより迅速な、若しくは自動化された収容を可能とする。安定化システムによって生産されたウェハは、最小化された全体的な厚みのばらつき、実質的に均一な平面度、及び実質的に曲がりまたは撓みがないことによって特徴付けられる。
(もっと読む)


本発明の実施形態は概して、電気化学機械的研磨システムにおいて基板を処理するための方法および装置を提供する。一実施形態において、基板を研磨するためのセルは、プラテンアセンブリの最上面に配置された研磨パッドを含む。複数の導電素子が上部研磨表面にわたって間隔をあけて配列されており、また該パッドと該プラテンアセンブリ間に配置された電極に対して該基板をバイアスするように適合される。複数の通路が、該最上面と該プラテンアセンブリ内に画成されたプレナムとの間に該プラテンアセンブリを介して形成される。別の実施形態において、バルク研磨セルおよび残渣研磨セルを有するシステムが提供される。該残渣研磨セルはバイアスされた導電性研磨表面を含む。更なる実施形態において、該導電素子はプロセス化学による攻撃から保護される。 (もっと読む)


空気式制御システムは、空気作動式機械の流体ラインに連結できる連結ラインを持つ少なくとも一つの流れ制御ライン、負圧源に連結できる負圧ライン、連結ラインと負圧ラインとの間の流れを制御する負圧バルブ、加圧流体源に連結できる圧力ライン、及び連結ラインと圧力ラインとの間の流れを制御する圧力バルブを含む。圧力マニホールドが圧力ライン及び連結ラインの第1部分を画成し、圧力バルブを支持し、負圧マニホールドが負圧ライン及び連結ラインの第2部分を画成し、負圧バルブを支持する。負圧マニホールドは、圧力マニホールドとは別個に交換されるようになっている。

(もっと読む)


導電性材料層が配置された基板を処理する方法であって、基板を処理装置に位置させるステップと、基板に第1の研磨組成物を供給するステップとを備えた方法が提供される。研磨組成物は、燐酸、少なくとも1つのキレート化剤、腐食防止剤、塩、酸化剤、磨き剤粒状物、約4から約7のpHを与えるための少なくとも1つのpH調整剤、及び溶媒を含む。この方法は、更に、導電性材料層に不動態化層を形成するステップと、この不動態化層を除去して、導電性材料層の一部分を露出させるステップと、基板に第1バイアスを印加するステップと、導電性材料層の少なくとも約50%を除去するステップとを備えている。この方法は、更に、第1研磨組成物から基板を分離するステップと、基板を第2研磨組成物及び第2バイアスに露出させるステップと、導電性材料層を除去し続けるステップとを備えている。 (もっと読む)


【課題】ソーマークの発生を抑えることのできるワイヤソーの切断方法及び装置を提供すること。
【解決手段】制御装置32は、固定砥粒付ワイヤ14の走行方向の切り換えの際に、圧電素子88に電圧を印加し、インゴット26を所定量変位させる。この変位量は、固定砥粒付ワイヤ14の走行方向の切り換えの際の固定砥粒付ワイヤ14変位量に等しく設定される。これにより、固定砥粒付ワイヤ14とインゴット26との位置関係は、常に等しくなり、ソーマークの発生が抑制される。 (もっと読む)


1,181 - 1,193 / 1,193