【課題】シリンダライナの内面にウェーブカットパターンを容易に形成する方法及び装置を提供する。
【解決手段】ライナ（１）の長手方向に沿って回転運動する内部燃焼エンジン（Ｅ）内でシリンダライナ（１）の内部を機械加工する方法において、ライナ（１）の一側開放端（１Ａ）に取り外し可能な状態で連結された研磨／フライス器具（４０）と、機械加工する間、研磨／フライス器具（４０）をコントロールする駆動部（３０）とを備えた装置（１０）を使用する。 （もっと読む）

【課題】加工傷が浅く、高速に安定した表面をもつ炭化シリコン結晶基板を研磨加工することのできる方法を提供する。
【解決手段】ダイヤモンド砥粒を主成分とする研磨剤を用いて回転する研磨定盤１に当該研磨剤を滴下し、被研磨材である炭化シリコン結晶基板を研磨定盤１に所定の圧力で押圧し研磨する炭化シリコン結晶基板２の研磨方法において、表面粗さＲｚが１μｍより大きく５０μｍ以下の炭化シリコン結晶基板２の研磨であって、前記ダイヤモンド砥粒の平均粒径より小さい炭化ボロン砥粒を第２の研磨剤とし、前記ダイヤモンド砥粒の平均粒径に応じて所定の重量比で混合し、前記炭化シリコン結晶基板の加工傷深さを０．６μｍより小さく研磨する。 （もっと読む）

【課題】 エッジでの塗膜付着が良好な車両ホイールを製造する。
【解決手段】 鋳造工程で、飾り穴を有するディスク部１０とリム部２０とを一体に鋳造する。加工工程では、ディスク部１０にハブ穴１２とボルト穴１３を明けるとともに、リム部２０の内外周面およびディスク部１０裏面を切削する。面取り工程では、鋳肌面からなる飾り穴１１の内周面と切削面からなるディスク部１０裏面との境のエッジＥ１の面取りを行なう。さらにバレル研磨を行なって意匠面側のエッジＥ２〜Ｅ５の処理を行なう。また、回転ブラシ５４によりブラシ研磨を行ない、エッジＥ１を研磨する。最後に塗装を行なう。 （もっと読む）

【課題】装置を大型化させることなく大型のワークの研磨を行うことができる両面研磨装置を提供する。
【解決手段】回転駆動される平坦な研磨上面２ａを有する下定盤２と、前記下定盤２に対向して配置され回転駆動される平坦な研磨下面４ａを有する上定盤４と、前記下定盤２と前記上定盤４により挟持される板状のワークを保持するワーク保持孔を有するキャリアと、前記キャリアを前記下定盤２と前記上定盤４との間に保持するキャリア保持部材１６と、前記キャリア保持部材１６を前記下定盤２と前記上定盤４との間で揺動させる揺動機構２４とを備える。 （もっと読む）

【課題】 熟練した技能者を必要とすることなく、少ない加工工数で、切削条痕等に起因する虹目の発生を防止して滑らかな鏡面を得る。
【解決手段】 超音波洗浄槽２に、研磨材３ａを含む研磨材溶液３を貯留して超音波発生器４から超音波４ａを印加し、この研磨材溶液３の内部にワーク１を浸漬して超音波４ａのエネルギーによるキャビテーション５ａにて研磨材３ａを活性化してワーク１の研磨面９の研磨を行う。微細なナノメータレベルの微細な研磨材３ａを用いることで研磨面９を損傷することなく、切削条痕等を効果的に除去して、切削条痕に起因する虹目（虹色の干渉光）等の欠陥を防止できる。 （もっと読む）

【課題】パターン上への膜堆積・エッチングなどのプロセスによる形状変化や、デバイス上に混在する異なる段差のパターンを考慮した具体的なＣＭＰシミュレーション方法を提供する。
【解決手段】半導体デバイスの表面をＣＭＰにより研磨した後の表面形状を予測するシミュレーション方法において、デバイスの設計ＣＡＤパターンからパターン密度を計算する際に、パターンＣＡＤデータを予め加工するかもしくは計算したパターン密度データを加工することにより、表面形状をより正確に考慮したＣＭＰシミュレーションを実施する。これにより、パターン形成後のプロセス（膜堆積、エッチングなど）によって変化したデバイス表面上の凹凸形状を考慮でき、また、複数の高さの異なる段差を含むデバイスについてＣＭＰシミュレーションが可能となる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ガラス基板の端面研磨において、研磨レートを安定させるとともに、回転ブラシの長寿命化を図り、かつガラス基板主表面への研磨剤等の付着を効果的に防止することのできる磁気ディスク用ガラス基板および磁気ディスクの製造方法を提案することを目的としている。
【解決手段】円盤状のガラス基板１を積層して円柱を構成し、該ガラス基板１の端面に回転ブラシ２を接触させ、研磨液１５を供給しながらガラス基板１と回転ブラシ２を各々平行な軸心で同方向に回転させてガラス基板１の端面の研磨を行う工程を有する磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、研磨液温度制御手段３３を備え、研磨液１５の温度を調節しながら研磨を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板の上に設けられたポリシリコン膜を好適に研磨することができる研磨方法及びそれに使用されるキットを提供する。
【解決手段】分離領域１２を備えるシリコン基板１１の上に設けられたポリシリコン膜１３を研磨する本発明の研磨方法は、分離領域１２の上面の一部が露出するまで、砥粒とアルカリと水溶性高分子と水とを含有する予備研磨用組成物を用いてポリシリコン膜１３を予備研磨する工程と、分離領域１２の上面の全部が露出するまで、砥粒とアルカリと水溶性高分子と水とを含有する仕上げ研磨用組成物を用いて、予備研磨後のポリシリコン膜１３を仕上げ研磨する工程とを備える。予備研磨用組成物中の水溶性高分子の含有量は０．００７５〜０．０５質量％であり、仕上げ研磨用組成物中の水溶性高分子の含有量は０．００２〜０．０１質量％である。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物結晶に潜傷が少なく平滑な表面が効率よく形成することができるポリシングスラリー、かかるポリシングスラリーを用いたＩＩＩ族窒化物結晶の表面処理方法などを提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物結晶の表面を化学機械的にポリシングするためのポリシングスラリーであって、ポリシングスラリーはＩＩＩ族窒化物結晶の硬度以下の硬度を有する砥粒を含み、砥粒は１次粒子が会合した２次粒子であり、１次粒子の平均粒径ｄ₁に対する２次粒子の平均粒径ｄ₂の比ｄ₂／ｄ₁が１．６以上であることを特徴とするポリシングスラリー。 （もっと読む）

【課題】 微小な曲面の研磨を高精度に行えるようにする。
【解決手段】 研磨工具３が有している球形状の永久磁石５に、研磨砥粒と磁性粉と分散媒とからなる磁性流体６を磁力により保持させておき、ワークＷと永久磁石５の表面との隙間に磁性流体６を介在させて磁性流体６をワークＷの表面に当接させる。そして、この隙間の間隔を一定に保ちつつ、回転している永久磁石５とワークＷとを相対移動させる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハの裏面品質を維持しながら高平坦度加工することができる半導体ウェハの研磨装置を提供すること。
【解決手段】半導体ウェハＷを水の表面張力により保持するチャック４２６に、ナップの気孔のサイズが１０μｍ以下で変形１０％時の圧縮応力が３００ｋＰａ以下のバッキングパッド４２７を設けている。このため、ナップの気孔のサイズが１０μｍ以下のバッキングパッド４２７を適用しているので、加工圧が付与されたとしても、含浸された水の染み出しを抑えることができ、半導体ウェハＷに加わる圧力分布が略一定となり、取り代分布を略均一にすることができる。また、変形１０％時の圧縮応力が３００ｋＰａ以下のバッキングパッド４２７を適用しているので、貼り付けむらの転写が低減されて取り代分布を良好にできる。 （もっと読む）

【課題】従来技術では加工困難な狭い内面等の微細加工を可能とする新規な加工方法並びにこれに用いられる装置及び工具を提供する。
【解決手段】電流Ｉを流した加工工具１を磁場中に配してその加工工具１にフレミングの法則に従う電磁力Ｆを与え、その電磁力を変動させて加工工具１に運動を与え、その運動を利用して工作物２の加工を行う電気・磁気複合加工方法により、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】研磨パッドの長寿命化及び面内均一性の向上を図るとともに、被研磨物の研磨パッドヘの張り付きを防止することができる研磨パッド及び研磨装置を提供すること。
【解決手段】一方の面を研磨面２２、他方の面を支持面２３とした板状のパッド本体２１と、このパッド本体２１を研磨面２２から支持面２３まで貫通し、研磨面２２の面方向における相異なる複数の方向に沿って延設された長孔３１が複数組合せて形成された孔部３０を複数備えている。 （もっと読む）

【課題】研磨キズ発生を抑制し、研磨粒子の濃度を低く抑えた場合も、バリア層を構成するバリア金属を高い研磨速度で研磨することができ、信頼性の高い金属膜の埋め込みパターン形成を可能とする研磨液および、該研磨液を用いた、研磨パッドのドレッシング工程を必要とせず、研磨レートを高く安定して維持できる研磨装置、該研磨装置を用いた平坦な表面を有する被研磨体の研磨方法を提供する。
【解決手段】 ポリエステル繊維を、硬質樹脂を含有するポリウレタンに含浸し、該ポリウレタンを湿式凝固、発泡させて得られた不織布よりなる研磨パッドを用い、酸化剤と、金属表面に対する保護膜形成剤と、酸と、水と、平均粒径が７０ｎｍ以下であり、一次粒子及び平均２粒子未満凝集体である２次粒子を含む研磨粒子とを含有する研磨液を供給しながら被研磨体を研磨することを特徴とする研磨方法である。 （もっと読む）

本発明は、表面を平坦化又は研磨するための組成物及び方法を提供する。一方の組成物には、０．０１重量％〜２０重量％のα−アルミナ粒子（当該α−アルミナ粒子は、２００ｎｍ以下の平均直径を有し、そして上記α−アルミナ粒子の８０％は、５００ｎｍ以下の直径を有する）と、有機酸と、腐食抑制剤と、水とが含まれる。他方の組成物には、α−アルミナ粒子と、有機酸と、トリアゾール及びベンゾトリアゾールの２成分の腐食抑制剤（トリアゾールのベンゾトリアゾールに対する重量％比が、０．１〜４．８である）と、水とが含まれる。
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【目的】 基板上の膜に対し、膜の膜剥れを防止する研磨方法、或いは半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【構成】 本発明の一態様の半導体装置の製造方法は、基板２００の表面にＣｕ薄膜を形成するめっき工程（Ｓ１１６）と、研磨布５２５上にＣｕ錯体を形成する研磨前処理工程（Ｓ１１８）と、研磨布５２５上にＣｕ錯体が形成された後、前記研磨布５２５を用いてＣｕ薄膜を研磨する研磨工程（Ｓ１２０）と、を備えたことを特徴とする。本発明の一態様の半導体装置の製造方法によれば、Ｃｕ研磨の際の基板２００の膜剥れを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板の主表面を簡易に、かつ、極めて平滑な面に研磨することができる磁気ディスク用ガラス基板の製造方法を提供し、安定した品質の磁気ディスク用ガラス基板及び磁気ディスクを廉価に大量に提供することを可能にする。
【解決手段】遊星歯車機構を用いて研削処理を行うにあたり、キャリア１３に保持されたガラスディスク７の一部は、下側定盤３及び上側定盤４に対する相対移動の過程において、少なくとも表面の一部をこれら各定盤３，４の外縁部よりも外周側を通過させるようにした。 （もっと読む）

本発明の研磨スラリーは、液状媒体及び微粒子研磨剤を含む。上記微粒子研磨剤は、軟質研磨粒子、硬質研磨粒子及びコロイダルシリカ粒子を含み、上記軟質研磨粒子は、８以下のモース硬度を有し、上記硬質研磨粒子は、８以上のモース硬度を有し、そして上記軟質研磨粒子及び上記硬質研磨粒子は、２：１以上の重量比において存在する。
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【課題】ウェハを研磨する際に、高研磨速度でウェハ面内での均一性の高い研磨が可能な化学的機械的研磨方法を提供する。
【解決手段】複素環化合物を含有する金属用研磨液を研磨定盤上の研磨パッドに供給し、前記研磨パッドをウェハの被研磨面と接触させ相対運動させて研磨する半導体デバイスの化学的機械的平坦化方法であって、研磨中における前記研磨パッドの最高温度が３０℃以上４０℃未満であり、かつ前記最高温度と研磨終了後の前記研磨パッドの温度との差が１０℃未満であることを特徴とする化学的機械的平坦化方法である。 （もっと読む）

【課題】 本発明の課題は、バリア層金属膜を速い研磨速度を達成しつつ、ディッシングも低減できるバリア層用研磨液を提供すること。
【解決手段】 半導体集積回路のバリア層を研磨する為の研磨液であって、過硫酸塩とコロイダルシリカと、アミン誘導体とを含むバリア層用研磨液。 （もっと読む）