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Fターム[3C081BA52]の内容

マイクロマシン (28,028) | 形状、構成 (11,743) | 可動部 (6,256) | 駆動手段 (1,714)

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【課題】製造時の断線の発生を抑制可能であり且つ発電出力の向上を図ることが可能な発電デバイスを提供する。
【解決手段】発電デバイス1は、デバイス基板10の一表面上に形成された第1導電層22のうちカンチレバー部12に重なる第1電極22aと、圧電材料層23のうち第1電極22aに重なる部分からなる圧電体層23aと、第2導電層24のうち圧電体層23aに重なる第2電極24aとで、発電部20を構成する。第2導電層24のうちデバイス基板10の厚み方向において支持部11に重なる部分の一部からなる第2パッド24cと、第2導電層24のうち第2電極24aと第2パッド24cとを繋いでいる部分からなる第2配線24bとを備える。第2導電層24と圧電材料層23との接触領域を規定する絶縁層25の一部が、デバイス基板10の厚み方向において第2パッド24cと圧電材料層23との間に介在している。 (もっと読む)


【課題】溶融接合により作製される静電容量型電気機械変換装置において、接合面積などの境界条件が異なる箇所で生じる振動膜の初期変位のバラツキを低減して性能を高めることができる構成を有する装置を提供する。
【解決手段】静電容量型電気機械変換装置は、シリコン基板1と、振動膜7と、シリコン基板1の一方の表面と振動膜7との間に間隙3が形成されるように振動膜7を支持する振動膜支持部17と、で形成されるセル構造102を、少なくとも一つ以上含む素子101を有する。素子101の周囲に、振動膜支持部17と共通の層2に形成された溝103が配されている。 (もっと読む)


【課題】MEMSトランスデューサの製造工程において、アニール処理によって生じる絶縁層の内部応力による基板の反りや破損を、新たに工程を増やすことなく防止する。
【解決手段】第一絶縁層と第一導電層と第二絶縁層と第二導電層とが形成された後に、第一導電層に到達するコンタクトホールを形成するとともに溝部H3を形成するために、第一絶縁層と第二絶縁層とをエッチングした後、第一導電層または第二導電層の応力を緩和するためのアニール処理を施す。 (もっと読む)


【課題】ダイアフラムのスティックを防止することができ、しかも、センサ落下時の衝撃によってダイアフラムが破損しにくい音響センサを提供する。
【解決手段】音圧に感応するダイアフラム33が、プレート部39と固定電極膜40からなるバックプレート34に対向し、静電容量型の音響センサ31を構成する。バックプレート34には、振動を通過させるためのアコースティックホール38が開口し、またダイアフラム33と対向する面には複数のストッパ42a、42bが突設している。バックプレート34の外周エリアに設けたストッパ42bは直径が小さく、内部エリアに設けたストッパ42aは直径が大きくなっている。 (もっと読む)


【課題】初期の製造工程において、電気的な接触なくとも機械的励起の試験を行う。
【解決手段】微細構造の共鳴エレメント(14)を励起する方法に関し、このエレメントは1つの自由度に従って可動する。その方法は、当該微細構造に荷電粒子ビーム(51)を作用する工程を備えており、そのビームは、エレメントの自由度に依存して交互運動に当該エレメントを動かすように構成されている。
1つの変形では、粒子ビームは前記自由度と平行な成分を持つ入射角で前記エレメントに作用される。 (もっと読む)


【課題】微小凹凸形状が外場に応じて可逆的にスイッチできる微小構造を提供する。
【解決手段】伸縮可能な支持体に密着した表面薄膜の微小領域での座屈変形に基づいて特性空間周波数を有する微細凹凸構造を備えた微小形状スイッチアレイであって、前記薄膜が微細加工パターンを有する2以上の固定化領域と該固定化領域間に挟まれた1以上の可変領域を有し、外部応力により離散的な複数の形状状態を取り得、その状態間のスイッチングが外部応力の変化で制御できることを特徴とする、微小形状スイッチアレイ。 (もっと読む)


複数の低次元構造体を有する構造体を製造する方法であって、2つ以上の低次元構造体を基板に接続させるフレキシブル素子(1b、14)を設けるステップを含む。フレキシブル素子によって、低次元構造体は、例えば、基板に対して略平行になるように再配向する。それに加えて、またはそれの代わりに、フレキシブル素子によって、互いに並んでいない低次元構造体は、同じ方向に配列する。
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【課題】流路からの漏れを軽減し、コンタミネーションの発生を抑制できる簡素な構造のマイクロ流体装置を提供する。
【解決手段】マイクロ流体装置は、マイクロ流体チップ11と超音波ステータ14とを有し、マイクロ流体チップ11は超音波ステータ14に形成された保持部15に保持される。マイクロ流体チップ11は、微小な流路12を有する基板18からなる。流路12の内部には、弁体13が移動可能に設置されている。上流側の流路12の断面積は下流側の断面積よりも大きく、弁体13が流路12の下流側へ移動した場合、下流側の流路12が塞がれ、流路12が分断される。弁体13が流路12の上流側へ移動した場合、流路12が連結された状態となる。弁体13の移動は、超音波ステータ14が発振する進行波によって行われる。進行波は保持部15を介してマイクロ流体チップ11の基板18に伝えられ、弁体13はその進行波の進行方向に応じて移動する。 (もっと読む)


薄膜バルブ装置の本体のホールまたはチャンネルを、熱発生装置から発生する熱及び遠心力によって開閉する薄膜バルブ装置及び薄膜バルブ制御装置が提供される。該薄膜バルブ装置及び薄膜バルブ制御装置は、例えば、流体中の微量の物質を検出できる診断ラボオンチップと、蛋白質チップ及びDNAチップのようなバイオチップが集積されている回転可能なバイオディスクなどに適用可能である。
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本発明は、マイクロマシニング型の装置であって、少なくとも1つの駆動フレーム(10,15,17)及び少なくとも1つの振動子(20,25,27)を備え、前記振動子(20,25,27)が、前記駆動フレーム(10,15,17)によって包囲される領域(50)内に配置されており、前記振動子(20,25,27)が、前記駆動フレーム(10,15,17)に機械的に連結されている形式のものに関する。本発明の核心は、前記駆動フレーム(10,15,17)が曲げ振動(100)するように励振可能である点にある。
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【課題】簡単な構造で、入力される音波の共振を抑制することができるMEMSセンサおよび製造工程の簡素化を図ることができるMEMSセンサを提供すること。
【解決手段】Siマイク1は、センサ部3を有している。センサ部3は、Si基板2の上面29に接触して設けられた下薄膜5と、下薄膜5に対して間隔L1を空けて対向配置された上薄膜6とを備えている。下薄膜5は、下部電極8と、下部電極8を被覆する下薄膜絶縁層7とを備えている。下薄膜絶縁層7には、その厚さ方向に下薄膜絶縁層7を貫通する複数の下貫通孔12が形成されている。また、上薄膜6は、上部電極14と、上部電極14を被覆する上薄膜絶縁層13とを備えている。上薄膜絶縁層13には、その厚さ方向に上薄膜絶縁層13を貫通する複数の上貫通孔18が形成されている。 (もっと読む)


【課題】コンデンサマイク装置のSN比を改善する。
【解決手段】シリコンマイク10の音響穴24が形成されたマイクパッケージ12の内部空間26にマイクチップ14を収容配置する。外部からの音を音響穴24から取り込みマイクパッケージ12の内部空間26を経てマイクチップ14で受音する。音響穴24とマイクパッケージ12の内部空間26によるヘルムホルツ共鳴の共鳴周波数を可聴周波数帯域内に設定する。シリコンマイク10を携帯電話機40に搭載する場合は、音響穴の長さが機器筐体42とガスケット48の厚さ分(またはさらに基板43とシール材54の厚さを加えた分)長くなるのでヘルムホルツ共鳴周波数は低下する。マイクチップ14の出力信号をインピーダンス変換器30に入力する。インピーダンス変換器30の出力信号のヘルムホルツ共鳴周波数を含む帯域を減衰手段28,36,38で選択的に減衰させて該出力信号の周波数特性を平坦化する。 (もっと読む)


マイクロ流体装置は、多重液圧バルブ作動装置を含む。マイクロ流体装置のアクチュエータは、不揮発性で物質透過性の低い液体をもたらす制御チャネル、およびアクチュエータを収容する。アクチュエータは制御チャネルと作用し合う。制御チャネルは、流体が制御チャネルを通って移動し流体チャネルを圧縮するように、流体チャネルと作用し合う。流体チャネルを圧縮する作用が、流体チャネルを通して流体を移動させ得る。装置はまた、制御チャネルおよびアクチュエータと作用し合うピストンを含んでもよい。装置を、コンピューターシステム、制御ソフトウェア、撮像装置、インキュベーターまたは細胞操作システムに連結することができる。

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メモリ装置は、区別可能な双安定状態を振幅変調下で呈するメカニカル素子を備える。これらの状態は、所定周波数の駆動信号の適用によって、動的に双安定性となるか多安定性となる。ヒステリシス効果に関連した素子の固有共振は、区別可能な複数の状態を特定の周波数範囲に亘って生じる。共通コンタクト上に設けられた異なる周波数範囲に対応する多様な素子を持つ複数の装置は、改良された密度で形成される。これらの装置は、起磁式、容量式、圧電式及び/又は光学式方法によって励起され、そして読み取られる。これらの装置は、平面方位付けされるか面外方位付けされて、3次元メモリ構造を可能にする。DCバイアスが、周波数応答をシフトして、素子の状態を弁別するための代替法を可能にすることに使用される。 (もっと読む)


本発明の第1の課題は、エレクトロウェッティング平面による移動における液滴の取り扱いに関する装置であって、少なくとも一つの移動経路を含む。経路は、その表面上に二つ以上の交互嵌合導電性電極を配置する電気的に絶縁性の基板を含む。これらの電極は、電気的に絶縁性の層によって覆われ、それ自身は部分的に濡れ性の層で覆われる。
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