【課題】断線の無い良好な配線パターンを形成することにより安価で信頼性の高い半導体容量式加速度センサ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による半導体容量式加速度センサの製造方法は、ガラス板２の接続孔３の加工をサンドブラスト法で行った上でガラス板２を半導体基板１に接合し、その後、ガラス板２の表面上に金属膜３３を形成して配線する半導体容量式加速度センサの製造方法であって、接続孔３のオーバハング部２８があるガラス板２の第２面２７とは反対側の第１面２６を半導体基板１に接合することを特徴とする。 （もっと読む）

応力分離部を有する微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイス２０は、第１の構造層２４に形成された要素２８，３０，３２、第２の構造層２６に形成された要素６８，７０、第１の構造層２４から離間された層２６を含む。製造方法は、層２４と２６との間に接合部７２，７４を形成する工程９２，９４，１０４を含む。接合部７２，７４は、第１層２４の相当する要素３０，３２を第２層２６の要素６８，７０に接続される。製造方法８０は、すべての要素３０，３２，６８，７０がＭＥＭＳデバイス２０の基板２２上に吊らされるように下にある基板２２から構造層２４，２６を解放する工程をさらに含む。ここで、要素３０，３２，６８，７０と基板２２との取付は基板２２の中央領域４６のみに起こる。
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【課題】正確で信頼性が高く広範囲の開発に適した、マイクロエレクトロメカニカルジャイロスコープ及びマイクロエレクトロメカニカルジャイロスコープの制御方法を提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳジャイロスコープは、固定構造体６と、駆動軸Ｘに従って前記固定構造体６に関して可動な駆動質量体７と、前記駆動軸Ｘに従って運動状態になるように駆動質量体７に機械的に連結され、且つ、微細構造体２の回転に応答して、駆動軸Ｙに従って前記駆動質量体７に関して可動な検出質量体８とを有する微細構造体２、及び、駆動周波数で前記駆動質量体７を振動状態に維持するための駆動装置３を備える。前記駆動装置３は、前記駆動軸Ｘに関して駆動質量体７の位置を検出するための離散時間検出インタフェース２０と、前記駆動子質量体７の位置に基づいて駆動周波数を制御するための制御手段２１、２３、２４、２５とを備える。 （もっと読む）

【課題】対称性を向上させた微細電子機械素子を提供する。
【解決手段】可動電極１０８，１０９は、絶縁連結部材１１０により物理的に連結されている。これにより、第１の端子１１１および第２の端子１１２に対する駆動信号を印加すると、可動電極１０８，１０９が同様に変位するので、従来の二つのＭＥＭＳバラクタを単純に組み合わせた従来の場合と比較して、より高い対称性を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】性能が改善された面内微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）加速度計デバイスを提供する。
【解決手段】一実施例のＭＥＭＳデバイスは、主要面に対して垂直な磁束場を生成するための１つまたは複数の構成要素を含む。このデバイスは、また、基板と、プルーフマス（４４）と、プルーフマスを基板に曲げやすく結合する蝶番要素（４８−１、４８−２）であって、主要面がプルーフマスの主要面に一致する蝶番要素と、磁束場に近接したプルーフマス上の位置に配置された複数の導電性リード（４６−１、４６−２、４６−３）と、それぞれが、対応する１つの導電性リードに電気的に接続された複数の導電性ばね（５０−１、５０−２、５０−３）と、基板および導電性ばねのうちの１つに接続された複数のアンカーパッド（６０−１、６０−２、６０−３）とを備える。分離トレンチは、他のリードに隣接したリードの外端またはプルーフマス材料に直接結合される。リードおよびばねは複数の溝（８６、９０）を含む。 （もっと読む）

【課題】単結晶シリコン基板を用いた半導体装置を製造する際に、エッチング速度を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】単結晶シリコン基板１１０に対してレーザー光Ｌを照射して、そのレーザー光Ｌの焦点を移動させることによって、少なくとも一部が単結晶シリコン基板１１０の表面に露出するように単結晶シリコン基板１１０の内部を部分的に多結晶化して改質部１５０を形成する改質工程と、改質工程にて単結晶シリコン基板１１０を多結晶化した部位をエッチャントにて連続的にエッチングするエッチング工程とを備える半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】基板と蓋との位置合わせを高い精度で行うことが可能な、可動部を有する半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】外力により変位する、少なくとも上面及び側面に絶縁膜が形成された半導体からなる第１の可動部２１及び第２の可動部２２が表面に形成された基板１０と、封止された貫通孔８１を有し、第１の可動部２１及び第２の可動部２２との間に空間３００を形成するように基板１０上に配置された絶縁膜からなる蓋８０とを備える。 （もっと読む）

駆動信号および／または駆動信号の加速度計感知電子部品への電子パススルーに関連する同相オフセット誤差等の、慣性センサの共振器に印加される駆動信号に関連する誤差源は、駆動信号を変調し、変調した駆動信号によって誘発される加速度計信号を感知することによって検出される。慣性センサ共振器の空気力学に関連する誤差源は、共振器と下側の基板との間の距離を変調し、そのような変調によって誘発される加速度計信号を感知することによって検出される。そのような誤差源によって引き起こされる誤差を実質的に相殺するために、補償信号が提供され得る。
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【課題】メンブレン部と梁部の下部のＳｉ（１００）基板そのものを除去してブリッジ構造を形成するためのＳｉ異方性ウェットエッチングの処理時間を短縮できる半導体装置技術を提供すること。
【解決手段】メンブレン部５１と梁部５２〜５５は、Ｓｉ（１００）基板の＜１００＞方向に形成され、梁部５２〜５５はメンブレン部５１の対向する二辺上でのみメンブレン部５１を支持し、梁部５２〜５５の最短部分の長さが幅よりも長い構成となっている。メンブレン部５１上には赤外線を検出するための感熱部９０（赤外線センサーの場合）と赤外線吸収膜９１が形成され、検出した赤外線によって発生される信号を、配線９２、９３が感熱部９０からメンブレン部５１、梁部５３、５５を通って外部へと導いている。メンブレン部５１は底面保護層９４、層間膜９５、上面保護層９６によってエッチング溶液から保護されている。 （もっと読む）

【課題】 少ない工程で製造できる１軸加速度センサを提供する。
【解決手段】 支持部（Ｓ）と、平行する二つの面に内周面が開口している凹部（５０）が形成され前記凹部内に重心を有する錘部（Ｍ）と、一端が前記支持部と結合し他端が前記凹部の底面に結合している板ばね形の可撓部（Ｆ）と、前記可撓部の長手方向の両端近傍でかつ前記可撓部の短手方向の両端近傍に少なくとも２つずつ互いに前記可撓部の厚さ方向に離間して設けられる歪み検出素子（Ｐ１〜Ｐ４）と、を備える。 （もっと読む）

直交誤差に対する感度および微細加工の不正確さを低減した慣性センサは、デバイス面における２つの直交軸（感度軸）周りの回転を感知するための２つの特別に構成された１軸ジャイロスコープを組み込んだ、ジャイロスコープを含み、各１軸ジャイロスコープは、フォークによって相互接続された２つの回転可能にディザリングされたシャトルを含み、各シャトルは、感度軸に垂直な傾斜軸に沿って面外に傾斜するように構成され、かつ傾斜軸に垂直な（すなわち、感度軸に平行な）軸に沿って位置付けられる対応するコリオリ検出電極を含む。２つの１軸ジャイロスコープは、例えば、フォークおよび／またはシャトルを相互接続する１つ以上の同相または逆相カップリングによって相互接続され得る。
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【課題】振動子と半導体基板間の短絡が防止され、且つ製造工程の増大を抑制できる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】上面に凹部１００が形成され、凹部１００の底面１０１に半導体層が露出した半導体基板１０と、凹部１００内に配置され、且つ側面及び下面に絶縁膜が配置された梁型の可動電極２１を有し、可動電極２１より離間した位置において半導体基板１０に固定された振動子２０と、可動電極２１に対向して凹部１００内に配置され、可動電極２１と電気的に分離されて半導体基板１０に固定された梁型の固定電極３０とを備える。 （もっと読む）

【課題】高い感度で外力を検出することができるＭＥＭＳ装置を提供する。
【解決手段】基板５０と、基板５０上に配置された第１の支持部５１及び第２の支持部５２と、第１可動電極１１を有し、第１可動電極１１から離間した位置において第１の支持部５１に固定され、外力により変位する第１の可動部１０と、第１可動電極１１と対向して配置された第２可動電極２１を有し、第２可動電極２１から離間した位置において第２の支持部５２に固定され、外力により変位する第２の可動部２０とを備え、第１可動電極１１と第２可動電極２１との対向位置Ａと第１の可動部１０の重心位置Ｃ１との間において第１の可動部１０が第１の支持部５１に固定され、第２の可動部２０の重心位置Ｃ２を挟んで対向位置Ａと対向する位置において第２の可動部２０が第２の支持部５２に固定されている。 （もっと読む）

【課題】絶縁層に達する溝により、半導体層に可動部が区画されるとともに、溝を通じて可動部直下の絶縁層が除去されてなる半導体力学量センサにおいて、可動部直下に設ける突起部の突起先端と可動部との厚み方向の間隔ばらつきを抑制すること。
【解決手段】単結晶シリコンからなり、表面が（１００）面の半導体基板の表面上に、絶縁層を介して、半導体基板よりも不純物濃度の高いＰ導電型のシリコンからなる半導体層が配置された基板を準備する。半導体層を異方性エッチングし、絶縁層に達する溝を形成して可動部を区画する。溝を通じて絶縁層をエッチングし、溝を半導体基板に達するものとするとともに、横方向において可動部直下における絶縁層の幅を可動部の幅よりも狭くする。上記溝を通じて半導体基板をアルカリエッチングし、突起先端が絶縁層と接する突起部を、可動部直下における半導体基板の表面に形成する。可動部直下に位置する絶縁層を除去する。 （もっと読む）

【課題】線形性および応答範囲を改善するために、２つのステータ歯のセットを備える二方向性平面外静電櫛駆動装置を提供する。
【解決手段】電気的に独立した、ステータ櫛歯の第１のセット（１３２）は、ステータ櫛歯の第２セット（１３６）からずれている。ローター櫛歯（１２４）のセットが、ステータ櫛歯の両方のセットに挟み込まれる。ステータ櫛歯の第１セットに付与される第１電圧は、ローター櫛歯をステータ櫛歯の第１セットに方に向けて引くように作用する。ステータ櫛歯の第２セットに付与される第２電圧は、ローター櫛歯をステータ櫛歯の第２セットの方に向けて引くように作用する。これにより、二方向動作が可能になる。機械的および電気的に独立であり、ローター櫛歯にはさみこまれるステータ歯の第１セットおよび第２セットの製造を可能にする製造方法が開示される。 （もっと読む）

【課題】集積化センサ装置を提供すること。
【解決手段】集積化センサ装置は、表面部分を含む第１の基板および積層構成で第１の基板の表面部分に結合される第２の基板を備え、そこでは空洞が、第１の基板と第２の基板との間に規定される。集積化センサ装置はまた、第１の基板内に少なくとも部分的に設置される１つまたは複数の微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）センサを備え、そこではＭＥＭＳセンサは空洞と連通する。集積化センサ装置はさらに、１つまたは複数のセンサを備える。 （もっと読む）

【課題】電子構成部材作製方法を提供して、マイクロ構成素子、殊に加速度センサをその被覆部ないしはカバーに対して精確な位置でオーバーモールドできるようにすること。
【解決手段】本発明の電子構成部材（１）を作製する方法はつぎのステップ、すなわち、
− 成形型枠に対して相対的にマイクロ構成素子（２）を固定する支持装置（１６）に、このマイクロ構成素子（２）を入れるステップと、
− マイクロ構成素子（２）を第１被覆（３）によってオーバーモールドするステップと、
− 第２被覆（４）によって第１被覆（３）をオーバーモールドして、第１被覆（３）および第２被覆（４）とによってケーシング（１１）が構成されるようにするステップと、
− 第２被覆（４）が凝固する前および／または成形型枠を第２被覆（４）によって完全に充填する前にケーシング（１１）から支持装置（１６）を引き出すステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】フィルム状接着材の未硬化領域の発生を抑制し、センサ製作後の硬化反応の進行によるセンサ特性の低下を防止できるＭＥＭＳセンサを提供する。
【解決手段】制御ＩＣ１に樹脂製保護膜２が被着され、この保護膜２とＭＥＭＳ素子３との間にフィルム状接着材４を介装させ、この接着材４の加熱加圧による硬化よって制御ＩＣ１上にＭＥＭＳ素子３を接合固定させてなるＭＥＭＳセンサにおいて、樹脂製保護膜２に、その制御ＩＣ１とＭＥＭＳ素子３との重畳面の中央部対応位置から四隅部対応位置に向かって放射状に溝５を延出形成する。またこの溝５の延出先端部に、一部がセンサ外部に露出する開口部６を形成し、樹脂製保護膜２中に残留してフィルム状接着材４の硬化反応を阻害するアミン系物質をその開口部６からセンサ外部に揮発拡散して排出させる。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】水平駆動ミラーを形成すると共に、少なくとも１つの支持要素（２）、好ましくは２つ以上の支持要素を介してフレーム構造（３）に接続し、このフレーム構造に対して水平方向に動作するミラープレート（１）を含むマイクロメカニカルミラー構造であって、少なくとも１つの支持要素（２）、好ましくは全ての支持要素（２）とミラープレート（１）との接続領域（４）を、ミラープレートの外側縁（５）からミラープレートの中心（６）の方へと内側にオフセットさせて配置することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電極へのウェハ溶着を無くして、ウェハ搬入・搬出時におけるウェハ破損を防止する。
【解決手段】例えば、ＭＥＭＳデバイスにおけるウェハの裏面エッチング方法では、加工されたウェハ２０の表面の全面にポジ形ホトレジストからなる保護膜（保護レジスト）２５を形成する保護膜形成工程と、前記保護レジスト２５をポストベークにより乾燥させて前記保護レジスト２５の表面を硬化する保護膜硬化工程と、前記ウェハ２０の表面側を下部電極３０上に載置し、プラズマエッチング法により、前記ウェハ２０の裏面を所定のパターンにエッチングするエッチング工程と、前記ウェハ２０の表面側を前記下部電極３０から剥がして前記ウェハ２０を回収するウェハ回収工程とを有している。 （もっと読む）