【課題】可動状態に形成した可動部に、破損を抑制した状態で様々な処理が行えるようにする。
【解決手段】デバイスウエハ１０１とマスクウエハ１０３とを位置合わせして貼り合わせた後、ＭＥＭＳ素子１０２に対してマスクウエハ１０３の開口部１０４を介した選択的なドライ処理を行う。例えば、ＭＥＭＳ素子１０２の可動部（不図示）に対し、物理的気相堆積または化学的気相堆積などのドライ処理により金属などの膜を選択的に形成する。一例として、ＭＥＭＳ素子１０２に対して選択的に金からなる金属膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】熱応力や外部応力によって、力学量の検出精度が低下することが抑制された半導体装置を提供する。
【解決手段】バンプを介して、センサチップと基体とが接続された半導体装置であって、センサチップは、基板と、絶縁層と、半導体層と、が順次積層されて成る半導体基板を有し、半導体基板に形成されたセンシング部は、絶縁層と半導体層から成る、基板に固定されたアンカ部と、絶縁層が除去されて、半導体層から成る、基板に対して浮いた遊動部と、を有し、アンカ部は、固定アンカ部と、可動アンカ部と、を有し、遊動部は、固定アンカ部に支持された固定電極と、可動アンカ部に支持された可動部と、該可動部に設けられた可動電極と、バンプが接続される接続部と、を有し、接続部は、固定アンカ部を介して、固定電極と接続された固定接続部と、可動アンカ部を介して、可動部と接続された可動接続部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】外力の大きさ及び方向、並びに加速度を検出することができ、低コストに製造することのできる力学量センサ及び力学量センサの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る力学量センサは、基板と、前記基板上に配置された複数の固定部と、前記複数の固定部にそれぞれ一端部が支持されて前記基板から離隔して各々が所定の間隙を空けて配置された複数の可動電極と、前記複数の可動電極の他端部に各々隣接して力学量の検出方向に配置された固定電極と、前記複数の固定部に各々電気的に接続された複数の第１端子と、前記固定電極に電気的に接続された第２端子と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】層がその上に作製される基板に対して実質的に垂直な側面を有するＡｌＮ層を作製する方法を提案する。
【解決手段】基板（２）の表面（２’）に対して実質的に垂直な側面を有するＡｌＮ層を作製する方法において、基板（２）上にＡｌＮ成長層（４，４’）を形成する段階と、少なくとも前記成長層上にＡｌＮ層（３１）を堆積する段階と、その少なくとも１つの縁部が、前記基板（２）の表面（２’）または前記成長層（４）の表面（４’）に実質的に垂直な平面において少なくとも１つの縁部（１０，１２，１４）または前記成長層（４，４’）の側面（１０ａ，１０ｂ）と整列されるように、ＡｌＮ層を覆ってマスク層（４０，４０’）を形成する段階と、を有する方法が開示される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、封止枠と本体素子との間に生じる応力を分散させ、本体素子の変形を防止することができるマイクロパッケージを提供することを目的とする。
【解決手段】構造体１４が形成された多角形の本体素子１０と、該本体素子を覆う封止部３０と、該本体素子と該封止部とを接合する封止枠２０を有するマイクロパッケージであって、
前記封止枠は、前記本体素子の外縁よりも内側に、前記構造体を囲むように枠状に設けられ、前記多角形の各辺に対向した各範囲において、前記各辺よりも短い短辺２０ａ、２０ｂ、２０ｃが連結された連続線で構成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＰＮ接合部によって容量検出特性が不安定にならないようにすることができる力学量検出装置を提供する。
【解決手段】絶縁層２００の一面２０１に、対向配置された２つのダイヤフラム３４１、３４２を含む中空筒状の第１壁部３４０と第１壁部３４０の開口部３４６を閉じる第１蓋部３２１とを有する第１電極３０１を設ける。また、絶縁層２００の一面２０１に、対向配置された２つのダイヤフラム３５１、３５２を含む中空筒状の第２壁部３５０と第２壁部３５０の開口部３５６を閉じる第２蓋部３２２とを有する第２電極３０２を設ける。そして、第１壁部３４０の一方のダイヤフラム３４１と第２壁部３５０の一方のダイヤフラム３５１とを対向配置させる。これにより、各電極３０１、３０２が絶縁層２００の上で電気的に分離されるので、各壁部３４０、３５０の各ダイヤフラムに電極として機能させるための半導体領域が不要となる。 （もっと読む）

【課題】特性の良い機能素子を有する電子装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る電子装置１００の製造方法は、基板１０の上方に機能素子２０を形成する工程と、機能素子２０を覆う絶縁層３０，３２，３４を形成する工程と、絶縁層３０，３２，３４をエッチングして、機能素子２０の周囲に空洞部１を形成する工程と、空洞部１を封止するように、空洞部１の上方に封止層５０，５４を形成する工程と、絶縁層３０，３２，３４の上方に樹脂層６０を形成する工程と、基板１０の下方側から基板１０をエッチングして、空洞部１と連通する開口部３を形成する工程と、空洞部１を封止するように、気相成長法によって、開口部３の内面に被覆層８０を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】センサを密封する、MEMSセンサ・パッケージを提供する。
【解決手段】MEMSセンサ・パッケージは、MEMSセンサと、第1のリーク・レートでガスリークに浸透するセンサボディと、埋め戻し圧力までセンサボディに加圧する埋め戻しガスと、を有し、埋め戻し圧力は、MEMSセンサの減衰を提供し、埋め戻し圧力は、ガスリークのためのセンサボディ内の圧力の増加が、MEMSセンサ・パッケージに関する少なくとも特定の設計サービス寿命に関する所定の範囲を越えて、MEMSセンサのQ値の偏差に生じさせないようにセットされる。 （もっと読む）

【課題】構造的制限を設けることなく、Ｘ、Ｙ、Ｚ軸の検出感度の差を小さくし、且つ、ドリフトが小さく、３軸間の信号出力の変動を低減する半導体加速度センサを提供すること。
【解決手段】本発明によると、半導体基板に、枠部と、錘部と、前記枠部と前記錘部との間に配置される可撓部と、前記可撓部に第１の方向に配置される複数のピエゾ抵抗素子と、前記第１の方向と直交する第２の方向に配置される複数のピエゾ抵抗素子と、前記複数のピエゾ抵抗素子をそれぞれ含む複数のブリッジ回路とを有し、前記ブリッジ回路に電圧を印加する高電位端及び低電位端のうちの何れか一方と、前記ブリッジ回路との間に第１の抵抗体を有する少なくとも１つの前記ブリッジ回路を備えることを特徴とする半導体加速度センサが提供される。 （もっと読む）

【課題】めっき反応速度を調整することでめっき未着を防ぐことが可能な貫通孔配線基板の製造方法を提供することである。
【解決手段】微小デバイスを構成する貫通孔配線基板の製造方法であって、基板４０の両表面を貫通する貫通孔４１を形成する工程と、貫通孔４１の少なくとも内表面にＮｉめっきを成長させる工程と、を備え、貫通孔４１の少なくとも内表面にＮｉめっきを成長させる工程では、Ｎｉめっきの析出レートを５０ｎｍ／ｍｉｎ未満にしてめっきを成長させる。 （もっと読む）

【課題】加速度センサの体格の増大が抑制され、加速度センサにおける電気的な接続部材の配置やその形状が変更されない加速度センサ、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】加速度を電気信号に変換するセンシング部が形成されたセンサ基板と、センシング部を気密封止するための凹部が形成されたパッケージ基板と、が接合されて成るセンサ部を有し、センサ基板におけるパッケージ基板との対向面側に、配線パターンを介してセンシング部と電気的に接続された内部電極が複数形成され、パッケージ基板の内部に、内部電極と同数の貫通電極が形成され、パッケージ基板におけるセンサ基板との対向面の裏面に、外部電極と補助配線が複数形成されている。そして、外部電極は、内部電極と同数の電極が一方向に並んで成る第１外部電極群及び第２外部電極群を有し、これら電極群の並ぶ方向が直交している。 （もっと読む）

【課題】外力の大きさ及び方向並びに加速度を検出することができ、低コストに製造することのできる力学量センサ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る力学量センサは、第１基板と、前記第１基板上に配置された固定部と、前記固定部に一端部が支持されて前記第１基板から離隔して配置された可動電極と、前記可動電極の周囲に位置し力学量の検出方向に配置された固定電極と、前記固定部に電気的に接続された第１端子と、前記固定電極に電気的に接続された第２端子と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】外力の大きさ及び方向並びに加速度を検出することができ、低コストに製造することのできる力学量センサ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る力学量センサは、第１基板と、前記第１基板上に配置された固定部と、前記固定部に一端部が支持されて前記第１基板から離隔して配置された渦巻き状の可動電極と、前記可動電極の周囲に位置し力学量の検出方向に配置された固定電極と、前記固定部に電気的に接続された第１端子と、前記固定電極に電気的に接続された第２端子と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】抵抗値が低く、且つデバイスの小型化に貢献する金属埋込ガラス基板及びその製造方法、及びこの金属埋込ガラス基板を用いたＭＥＭＳデバイスを提供する。
【解決手段】金属埋込ガラス基板は、対向する第１の主面ＳＦ１及び第２の主面ＳＦ２を有するガラス基板５４と、ガラス基板５４の第１の主面ＳＦ１と第２の主面ＳＦ２の間を貫通する金属からなる貫通金属部材５５とを備える。貫通金属部材５５の径は１００μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】変位測定範囲を増加させた可動ゲート型加速度センサを提供することにある。
【解決手段】複数のソース電極１７ａ，１７ｂとドレイン電極１８ａ，１８ｂの組みを設け、ソース電極１７ａ，１７ｂそれぞれにソース配線部１９ａ，１９ｂを接続し、ドレイン電極１８ａ，１８ｂそれぞれにドレイン配線部２０ａ，２０ｂを接続し、それぞれの組のチャネル形成領域２１の上方に矩形状の可動ゲート１５が共通に配置される可動ゲート型加速度センサとした。 （もっと読む）

【課題】 検出電極を基板に固定せずに可動できるようにした高感度（＝狭ギャップ）な静電容量型の慣性センサにおいて、外乱振動や衝撃などで可動質量体の変位量を正しく測定できない虞がある。
【解決手段】 可動検出電極（２１Ａ）に対向して固定部（２５Ａ）を設け、可動検出電極（２１Ａ）を変位させた後、機械的に固定する。 （もっと読む）

【課題】固定部と該固定部の外径側を囲むように配設された錘とを複数の梁で連結してなる振動体を備えたセンサ素子を例えばＳＯＩウェハを用いたＳｉウェハ一括プロセス処理で形成できるようにした振動体型力学量センサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】振動体１１を備えたセンサ素子よりなる振動体型力学量センサにおいて、前記センサ素子は半導体部材から形成されたものであるとともに、振動体１１は固定部１２と固定部１２の外径側を囲むように配設された錘１４とを複数の梁１３で連結したものであり、さらに、前記センサ素子の一方の面にガラス基板１０１が接合され、固定部１２がガラス基板１０１側と接合されることにより振動体１１がガラス基板１０１で機械的に支持されてなる構成としている。 （もっと読む）

【課題】２つの基板が貼り合わされて構成された半導体力学量センサにおいて、製造工程の短縮化を図ると共に積層構造の簡素化を図る。
【解決手段】第１半導体基板１２０に配線部パターン１３３および周辺部パターン１３４を含んだパターン部１３０を形成したものを用意し、第２半導体基板１４２上に第１絶縁層１４４を形成した支持基板１４０を用意する。そして、配線部パターン１３３および周辺部パターン１３４を第１絶縁層１４４に直接接合することにより、第１半導体基板１２０と支持基板１４０とを貼り合わせる。この後、第１半導体基板１２０にセンサ構造体１１０を形成し、周辺部１５０にキャップ２００を接合する。そして、キャップ２００に第１〜第４貫通電極部３００〜３３０を形成することにより半導体力学量センサが完成する。 （もっと読む）

【課題】可動ゲート電極の変位を制御可能な可動ゲート型電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】ソース電極１７とドレイン電極１８との上に導電シールド電極２０が配置される可動ゲート型電界効果トランジスタ１とした。そして導電シールド電極２０の電位を固定することとした。導電シールド電極２０が配置されることにより、可動ゲート１５とドレイン電極１８またはソース電極１７との間に発生する静電力を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】 支持基板に反りが発生したとしても、可動電極部と固定電極部の相対的な位置関係が維持されるＭＥＭＳ構造体を提供すること。
【解決手段】加速度センサ１０は、支持基板２１と、変位部４１と、可動電極部５１と、固定電極部５２と、第１梁部４２と、第１固定部４３と、第２梁部５３と、第２固定部５４とを備えている。固定電極部５２は、第２梁部５３を介して支持基板２１に支持されている。第１固定部４３と第２固定部５４の間の距離は、第１固定部４３と固定電極部５２の間の距離よりも短い。 （もっと読む）