【課題】低コストで簡単な方法により、固定電極および可動電極を保護する層を形成できるＭＥＭＳセンサの製造方法およびこの製造方法で得られるＭＥＭＳセンサを提供する。
【解決手段】センサ領域１０およびパッド領域を有するベース基板９をエッチングすることにより、露出空間３８を形成し、同時にＺ固定電極８１およびＺ可動電極８２を形成する。次に、センサ領域１０を覆うように第１犠牲層３９および第２犠牲層４０を形成する。次に、底部がパッド領域に対して接着するように、かつ頂部１８が第２犠牲層４０を覆うようにＳｉＯ_２からなる保護層１６を形成する。次に、保護層１６の直下の犠牲層３９，４０を除去して、保護層１６とセンサ領域１０との間に空間を形成する。犠牲層３９，４０の除去後、等方性エッチングにより、Ｚ固定電極８１およびＺ可動電極８２の下方部を連続させて空洞を形成する。 （もっと読む）

【課題】素子面積を減少させることができるとともに、製造コストを低減することができるＭＥＭＳ素子を提供する。
【解決手段】半導体基板２０と、半導体基板２０の主面２０ａに、半導体基板２０と相対変位可能に設けられた可動部３３と、半導体基板２０の主面２０ａ上に、可動部３３を覆うように設けられた蓋部５０と、半導体基板２０の主面２０ａであって、かつ、蓋部５０の外側の領域に設けられた第１の電極端子４１と、蓋部５０の半導体基板２０と対向する面に形成されており、第１の電極端子４１と可動部３３とを電気的に接続する第１の配線５１とを有する。 （もっと読む）

【課題】高感度を維持しつつエアダンピング効果を低減することのできる物理量センサを提供する。
【解決手段】加速度センサは、外部から与えられた物理量に応じて可動する可動電極４と、可動電極４の上面に対向して配置された上部固定板２ａと、可動電極４の下面に対向して配置された下部固定板２ｂとを備え、可動電極４の下面に形成された凹部１１ｂ，１１ｄ，１２を塞いだことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】揺動部の揺動動作に係る固有振動数を調整するのに適したマイクロ揺動素子を提供する。
【解決手段】マイクロ揺動素子Ｘ２は、揺動部２１０と、フレーム２２０と、前記揺動部および前記フレームを連結し、揺動軸心Ａ２を規定する連結部２３０と、を備え、前記連結部は、並列する複数のトーションバー２３１，２３２，２３３を含み、当該複数のトーションバーから選択される二本のトーションバーは相対的に近接離反可能であり、前記揺動部は、揺動主部２１１と、当該揺動主部２１１に取り付けられ且つ前記揺動軸心と交差する方向に変移可能な第１可動部２１２Ａ，２１２Ｂとを有し、前記フレームは、フレーム主部と、当該フレーム主部に取り付けられ且つ前記第１可動部２１２Ａ，２１２Ａと同方向に変移可能な第２可動部２２３Ａ，２２３Ｂとを有し、前記連結部に含まれる一のトーションバー２３２，２３３は、当該第１および第２可動部を連結する。 （もっと読む）

【課題】半導体リソグラフィにおいて、シリコンウェハに同一パターンを複数形成するときに破断を起こしにくいパターン配置方法及びパターニングされたシリコンウェハを提供すること。また、そのパターン配置方法が用いられた半導体デバイスを提供すること。
【解決手段】本発明によると、シリコンウェハに、第１の方向及び前記第１の方向に直交する第２の方向に平行に配置された複数のチップパターンを有し、前記複数のチップパターンは、前記第１の方向及び前記第２の方向に配置され、直線状に配置された一つ以上のパターンを含み、前記シリコンウェハのへき開面と前記シリコンウェハの前記パターンを配置する面とが直交する軸と、前記第１の方向とが、異なるように前記複数のチップパターンを配置することを特徴とするシリコンウェハが提供される。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ素子の耐衝撃性、気密性、信頼性を向上させ、低背化することができるＭＥＭＳデバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】固定部、固定部に対して変位する可動部、及び固定部に配置された端子を有するＭＥＭＳ素子と、可動部に対向して配置され、貫通電極を有する貫通電極基板と、端子及び貫通電極との間に配置され、端子及び貫通電極を電気的に接続する導電性部材と、少なくとも導電性部材の配置位置の周囲の一部に導電性部材と接して配置された樹脂層、を備え、導電性部材及び樹脂層の高さは、それぞれ、可動部の変位を貫通電極基板で規制する高さであり、導電性部材及び／又は樹脂層は、可動部と前記貫通電極基板とを封止することを特徴とするＭＥＭＳデバイス。 （もっと読む）

【課題】振動させたＭＥＭＳの多数の箇所に同時にレーザ光を照射して、ＭＥＭＳの多数の測定点における所定時点の振動状態を同様に測定できると共に、ＭＥＭＳに対する起振部側の影響を排除して、ＭＥＭＳ各部の振動状態を正確に把握できるＭＥＭＳ測定方法を提供する。
【解決手段】それぞれ周波数の異なる多数のレーザ光を、振動しているＭＥＭＳ８０の可動部８１と固定部８２に対し同時に照射し、ＭＥＭＳ８０の各照射位置からの反射光を干渉光として光検出部で検出し、検出信号より取出せる情報から、ＭＥＭＳ８０の各照射位置での振動状態を求め、さらに可動部８１における振動状態の固定部振動状態に対する差分を求めることから、起振部の不要な振動成分が合成された結果から可動部８１の振動成分のみを取出して、正しい可動部８１の振動特性を取得でき、ＭＥＭＳ８０の構造に基づいてあらわれる振動の特徴を確実に把握できる。 （もっと読む）

【課題】パッケージング応力特性が改善され、基材へのエネルギ損失を低減し、振動中の重心の安定性を改良し最適にする、マイクロ電気機械的共振器構造を提供する。
【解決手段】細長いビーム区分１０２の各々は、先端が、湾曲区分１０４を介して別の細長いビーム区分に連結されており、これによって、湾曲区分によって相互連結された少なくとも二つの細長いビーム区分を持つ幾何学的形状（丸みのある三角形形状、正方形又は矩形形状）を形成する。構造は、一つ又はそれ以上の節点又は節領域を、構造の湾曲区分の一つ又はそれ以上の部分又は領域に含む。これらの節点は、共振器構造を基材に固定するのに適した及び／又は好ましい位置である。作動では、共振器構造は、伸長（即ちブリージング）モード及びベンディングモードの組み合わせで振動する。即ち、ビーム区分（同じ周波数で振動する）は、伸長様（即ちベンディング様）動作及びベンディング様動作を行う。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い電子装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る電子装置１００は、基板１０と、基板１０の上方に形成されたＭＥＭＳ構造体２０と、ＭＥＭＳ構造体２０が配置された空洞部１を画成する被覆構造体３０と、を含み、被覆構造体３０は、空洞部１を上方から覆い、空洞部１に連通する貫通孔３７を有する第１被覆層３６と、第１被覆層３６の上方に形成され、貫通孔３７を閉鎖する第２被覆層３８と、を有し、第１被覆層３６は、少なくともＭＥＭＳ構造体２０の上方に位置する第１領域１３６と、第１領域１３６の周囲に位置する第２領域２３６と、を有し、第１領域１３６の第１被覆層３６は、第２領域２３６の第１被覆層３６より薄く、第１領域１３６の第１被覆層３６と基板１０との間の距離Ｌ１は、第２領域２３６の第１被覆層３６と基板１０との間の距離Ｌ２より長い。 （もっと読む）

【課題】高感度化、製造効率の改善、低コスト化、高信頼性化の少なくとも１つを実現した機能素子、機能素子の製造方法、物理量センサー、および、この物理量センサーを備える電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の機能素子１は、絶縁基板２と、可動部３３と、可動部３３に設けられた可動電極指３６１〜３６５と、絶縁基板２上に設けられ、且つ、可動電極指３６１〜３６５に対向して配置された固定電極指３８１〜３８８と、を含み、固定電極指３８１〜３８８は、可動電極指３６１〜３６５の一方の側に配置された第１固定電極指３８２、３８４、３８６、３８８と、他方の側に配置された第２固定電極指３８１、３８３、３８５、３８７と、を含み、第１固定電極指と第２固定電極指とは、互いに離間して配置されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＭＥＭＳ素子をパッケージ化する際、パッケージ全体の厚さを小さくし、ＭＥＭＳ素子に及ぼされる基板とＩＣとの熱膨張係数の違いによる反りによって生じる応力の影響を緩和するＭＥＭＳデバイス及びその製造方法を提供する。
【手段】本発明のＭＥＭＳデバイスは、開口を有する配線基板と、配線基板の前記開口内に配置された制御素子と、制御素子の一方の面上に配置された少なくとも１つのＭＥＭＳ素子と、を具備し、制御素子は、他方の面が露出するとともに、樹脂を介して配線基板に固定されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高感度化を図ることができる物理量センサー素子および物理量センサー、および、この物理量センサーを備える電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の物理量センサー素子１は、支持基板３と、支持基板３上に互いに離間して設けられた第１固定電極４１および第２固定電極４２と、第１固定電極４１に対して第１間隙を介して対向するとともに、第２固定電極４２に対して第２間隙を介して対向する可動電極２２と、支持基板３に対して固定的に設けられた固定部２１と、固定部２１に対して可動電極２２を回動可能に連結する連結部２３、２４とを有し、可動電極２２には、可動電極２２の回動に際し第１間隙および第２間隙のうちの少なくとも一方の間隙に存在する気体の流動抵抗を低減する複数の流路が形成されている。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ素子への応力を緩和しながらＭＥＭＳデバイスのパッケージ全体の厚さを低背化できるＭＥＭＳデバイス、その製造方法、及びそれを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】少なくとも一方の面側に第１電極部を有する基板１０２と、基板の第１電極部１０８ａが配置された側に配置された制御素子であるＩＣ１１０と、可動部１３３と、基板の第１電極部に対向し、可動部の変位を検出又は制御するための電極パッド１３６とを備え、電極パッドを露出させて制御素子上に配置されたＭＥＭＳ素子と、基板の第１電極部とＭＥＭＳ素子の電極パッドとを電気的に接続する接続部材１４２と、を具備し、可動部は、制御素子に覆われたＭＥＭＳデバイス。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体センサに係り、複数のセンサ基板を精度良く位置決めしつつセンサ基板全体の面積をできるだけ抑制することにある。
【解決手段】センサ面に溝又は突部が形成された第１のセンサ基板と、センサ面に溝又は突部が形成された第２のセンサ基板と、一方の面に第１のセンサ基板の溝又は突部に嵌合可能な第１の突部又は溝が形成され、かつ、他方の面に第２のセンサ基板の溝又は突部に嵌合可能な第２の突部又は溝が形成されたキャップ基板を備え、第１のセンサ基板を、溝又は突部が第１の突部又は溝に嵌合した状態でキャップ基板の一方の面側に接合し、かつ、第２のセンサ基板を、溝又は突部が第２の突部又は溝に嵌合した状態でキャップ基板の他方の面側に接合する。 （もっと読む）

【課題】簡単な構造で、かつ検出感度に優れる静電容量型加速度センサを提供すること。
【解決手段】内部に空洞１０を有する半導体基板２の表面部（上壁１１）に、互いに間隔を空けて噛み合うＺ固定電極６１とＺ可動電極６２とを形成する。そして、各Ｚ可動電極６２の電極部６６において、半導体基板２の表面から空洞１０へ向かう厚さ方向途中部まで、誘電層７０を埋め込む。これにより、Ｚ固定電極６１の電極部６４とＺ可動電極６２の電極部６６とが対向することによって構成されるキャパシタに、電極間距離ｄ１に基づく容量と、電極間距離ｄ２に基づく容量とを付与することによって、同一キャパシタ内において、静電容量の差を設けることができる。 （もっと読む）

【課題】保護カバーウェーハを破損させることなく、容易に保護カバー付きデバイスを製造する。
【解決手段】ボンディングパッド１３に隣接したデバイス中央側に対応する保護カバーウェーハ上の領域に溝２２を形成するとともに、その裏面の中央を研削して凹部を形成して環状凸部に囲繞された状態とし、ボンディングパッド１３のデバイス中央側に溝２２を対応させてデバイス形成面１０と溝２２が形成された面２０とを貼り合わせ、保護カバーウェーハ１を溝２２に沿って切削してボンディングパッド１３を露出させ、分割予定ライン１１に沿ってデバイスウェーハ１を分割し、保護カバー付きデバイスを製造する。エッチングをすることがないためエッチャントの管理などの煩わしさが解消される。また、保護カバーウェーハ２に環状凸部を形成して強度を高めることにより、保護カバーウェーハ２の破損を防止して保護カバーウェーハ２を薄化することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】エアダンピング効果の影響を低減でき、さらに効率よく製造することができるＭＥＭＳセンサおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】表面２１および裏面２２を有し、振動膜７と、当該振動膜７を支持し、当該振動膜７の直下に空間６を区画するフレーム部８と、振動膜７に保持された錘９とを有するＳＯＩ基板２において、フレーム部８の底面（底壁）８３に、そのフレーム部８の内側面８２から外側面８１に至る溝１０を形成する。 （もっと読む）

【課題】保護カバーウェーハを破損させることなく、容易に保護カバー付きデバイスを製造する。
【解決手段】ボンディングパッド１３に対応した保護カバーウェーハ２上の領域に溝２２を形成するとともに、その裏面の中央を研削して凹部を形成して環状凸部に囲繞された状態とし、デバイスウェーハ１のボンディングパッド１３に溝２２を対応させてデバイスウェーハ１のデバイス形成面と保護カバーの溝形成面とを貼り合わせ、保護カバーウェーハ１を溝２２に沿って切削してボンディングパッド１３を露出させ、分割予定ライン１１に沿ってデバイスウェーハ１を分割し、保護カバー付きデバイスを製造する。エッチングをすることがないためエッチャントの管理などの煩わしさが解消される。また、保護カバーウェーハ２に環状凸部を形成して強度を高めることにより、保護カバーウェーハ２の破損を防止して保護カバーウェーハ２を薄化することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】製造コストの増加を抑制しながら、互いに絶縁すべき複数の配線を交差させることができ、しかも物理量検出を良好に維持することができるＭＥＭＳセンサを提供する。
【解決手段】表面２１に一対のＸ−検出素子Ｄ_Ｘが設けられたＳＯＩ基板２上の第２層間膜２０上に、これらＸ−検出素子Ｄ_Ｘ間を接続する素子間配線４３を敷設する。一方、第２層間膜２０上において、素子間配線４３を横切る方向にＸ−ブリッジ配線３１の主配線３６およびＺ−検出上部電極配線３３の主配線３６が敷設されている。これらの主配線３６との接触を避けるために、Ｘ−検出素子Ｄ_Ｘの下部電極２５と同一層に中継配線４５を形成し、この中継配線４５を利用して素子間配線４３が構成する回路を第２層間膜２０内に迂回させる。 （もっと読む）

【課題】エッチャントを用いることなく保護カバー付きデバイスを製造する保護カバー付きデバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】第一分割予定ライン１１ａと第二分割予定ラインとで区画された領域にデバイス１２が形成されたデバイス領域とデバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを備え、デバイス１２上に一方向に並んだ複数のボンディングパッド１３に対応し、かつ、外周余剰領域に対応する外周縁を除いた保護カバーウェーハ２上の領域に貫通溝２２ａ、２２ｂを形成し、ボンディングパッド１３に貫通溝を対応させてデバイスウェーハ１のデバイス形成面１０と保護カバーウェーハ２を貼り合わせて貫通溝２２ａ、２２ｂを介してボンディングパッド１３を露出させ、第一分割予定ライン１１ａ及び第二分割予定ラインに沿って分割する。 （もっと読む）