【課題】プロセス数を増大させることなく、応力を緩和できる構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】一方の面に埋め込み酸化層と半導体層がこの順で積層される半導体基板１０を加工して作製され、前記一方の面側で他の基板に接合される半導体装置であって、前記埋め込み酸化層及び前記半導体層を加工して形成される半導体素子２０と、前記埋め込み酸化層及び前記半導体層を加工して形成され、前記半導体素子に接続される配線部と、前記配線部の端部に連続する前記半導体層によって構成され、当該半導体層の下側の埋め込み酸化層が除去されて前記半導体基板との間に空隙が形成されるパッド部４０と、前記パッド部と前記他の基板を接合する接合部とを含む。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能な加速度センサーを提供する。
【解決手段】基板と、基板上に位置する第１の電極層と、第１の電極層の第１の面と対向して位置する第２の電極層と、第２の電極層を基板に支持する支持部と、を含み、第２の電極層は、上記第１の面に沿った方向に動くことができ、支持部は、第２の電極層が上記第１の面に沿った方向に動くことができるように第２の電極層を基板に支持する。これにより、感度と精度を確保しつつ、基板の面に垂直な方向における加速度センサーの厚みを低減し、加速度センサーを小型化することができる。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて高精度での製作及び組み立てが不要である加速度センサを提供する。
【解決手段】基板１と、変位可能に基板に支持され可動電極１２を有する変位部材３，７と、可動電極との間に静電力を発生させる第１固定電極１１とを備えた加速度センサであって、上記第１固定電極は、基板の厚み方向に直交する方向において可動電極に対向して基板に支持され、加速度の作用により可動電極に対向する面積が変化する。 （もっと読む）

【課題】端面実装センサを提供すること。
【解決手段】回路基板上に側面実装するためのセンサデバイス・パッケージを作るセンサパッケージおよび方法。シリコンの機械層（２５）中のセンサデバイスは、第１と第２のガラス層（２４、２６）の間にサンドイッチ状に挟まれてウェーハを作る。シリコンの機械層の予め定められた領域を露出させるために、第１のビア（３０）が第１または第２の層に作られる。第２のビア（１０２）が、第１または第２の層に作られる。少なくとも１つの第２のビアは、第１のビアの深さ寸法よりも小さな深さ寸法を有する。機械層の露出領域と第２のビアの一部の間に金属トレース（７０、７２）が付けられる。ウェーハは、第２のビアが２つの部分に分けられるようにスライスされ、それによってセンサダイが作られる。次に、センサダイは、スライスされた第２のビアのところで回路基板に電気的かつ機械的に結合される。 （もっと読む）

【課題】 基板に沿った方向に相対的に移動可能な一対の対向電極を有するＭＥＭＳデバイスにおいて、他方の対向電極の下端部を削ることなく、一方の対向電極の下端部を短く削ることが可能な技術を提供する。
【解決手段】 本発明の製造方法は、半導体ウェハを準備する工程と、半導体ウェハの下側表面から第１導電体層と絶縁体層を貫通して第２導電体層に達する第１溝部を形成する工程と、前記第１溝部に導電体からなる保護部を形成する工程と、半導体ウェハの上側表面にレジストパターンを形成する工程と、反応性イオンエッチング法により第２導電体層に一対の対向電極を形成する工程と、反応性イオンエッチング法を継続して一方の対向電極の下端部を削る工程と、絶縁体層を選択的に除去する工程を備えている。その製造方法では、前記第１溝部は一対の対向電極が対向する方向に関して他方の対向電極の両側面の外側に配置されている。 （もっと読む）

【課題】簡便な方法でありながら狭間隔へもガラスが埋め込まれやすくなるガラス埋込シリコン基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ガラス埋込シリコン基板の製造方法は、シリコン基板１０に凹部１１を形成する工程と、凹部１１に粉末状、ペースト状または前駆体溶液であるガラス材料２０ａを充填する工程と、ガラス材料２０ａを加熱して軟化させる工程と、軟化させたガラス材料２０ａを焼結させる工程と、凹部１１にガラス材料２０ａが充填されたシリコン基板１０の表裏面においてガラス材料２０ａとシリコン基板１０とを露出させる工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】熱により誘起された高ひずみおよび測定精度の低下を生じないＭＥＭＳセンサを提供する。
【解決手段】
微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）センサ２０は、基板２６と、基板２６の平坦面２８に形成されたサスペンションアンカー３４、３６とを備える。ＭＥＭＳセンサ２０は、基板２６上に吊らされる、第１可動素子および第２可動素子をさらに備える。可撓性部材４２、４４が第１可動素子３８をサスペンションアンカー３４に相互接続し、可撓性部材４６、４８が第２可動素子４０をサスペンションアンカー３６に相互接続する。可動素子３８、４０は同一の形状を有する。可動素子は矩形または入れ子構成におけるＬ形状可動素子１０８、１１０であってよい。可動素子３８、４０は、基板２６における点位置９４の周りに互いに回転対称に配向される。 （もっと読む）

【課題】デバイス特性に影響を与えてしまうのを抑制することのできる静電容量式デバイスの製造方法および静電容量式デバイスを得る。
【解決手段】固定側基板２ａの両面に露出するようにシリコンを貫通させて形成した貫通シリコン２３ａ、２３ｂ、２４ａ、２４ｂを固定電極２０ａ、２０ｂ、２１ａ、２１ｂとし、貫通シリコン２３ａ、２３ｂ、２４ａ、２４ｂの外側露出面に金属膜２５を成膜するとともに、固定側基板２ａの表面における貫通シリコン２３ａ、２３ｂ、２４ａ、２４ｂの外側露出面以外の部位に金属膜２５と離間するように金属膜２６を成膜する。そして、可動体基板１と固定側基板２ａとを陽極接合する際に、金属膜２５，２６を用いて、固定側基板２ａと可動体基板１との間に電位差を設ける一方、貫通シリコン２３ａ、２３ｂ、２４ａ、２４ｂと可動体基板１とが同電位となるようにした。 （もっと読む）

【課題】精度、小寸法、及びコスト効率的な製造を可能とするＭＥＭＳセンサ設計を提供する。
【解決手段】一態様では、微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）センサは、複数のセグメントを有するジグザグ形のねじりばね（トーションばね）を備え、該ねじりばねは、可動要素すなわちプルーフマスを、その下にある基板の上に懸架している。さらなる一態様では、この複数のセグメントを有するジグザグ形のねじりばねは、熱によって誘起される応力による測定誤差を最小化するべく配向される。係るジグザグ形のねじりばねを有するＭＥＭＳセンサは、既存のＭＥＭＳ製法を用いて製造可能である。 （もっと読む）

【課題】機械的構造体の適切な、向上した及び／又は最適な動作のための制御された又は制御可能な環境を含むＭＥＭＳを提供する。
【解決手段】機械的構造体の少なくとも一部の上に犠牲層を堆積させ、該犠牲層の上に第１の封止層を堆積させ、犠牲層の少なくとも一部を露出させるように第１の封止層を貫通して少なくとも１つのベントを形成し、犠牲層の少なくとも一部を除去してチャンバを形成し、少なくとも１つの比較的安定したガスをチャンバに導入し、少なくとも１つのベント上又は少なくとも１つのベント内に第２の封止層を堆積させ、これにより、チャンバをシールし、この場合、前記第２の封止層が、半導体材料である。 （もっと読む）

【課題】微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）装置のためのシステムおよび方法を提供すること。
【解決手段】一実施形態では、第１の基層と、第１の基層に接合される第１のデバイス層であり、第１の組のＭＥＭＳデバイスを含む、第１のデバイス層と、第１のデバイス層に接合される第１の上部層であり、第１の組のＭＥＭＳデバイスが密閉して分離される、第１の上部層とを含む第１の二重チップをシステムは備える。第２の基層と、第２の基層に接合される第２のデバイス層であり、第２の組のＭＥＭＳデバイスを含む、第２のデバイス層と、第２のデバイス層に接合される第２の上部層であり、第２の組のＭＥＭＳデバイスが密閉して分離され、第１の上部層の第１の上部表面が第２の上部層の第２の上部表面に接合される、第２の上部層とを含む第２の二重チップをシステムはさらに備える。 （もっと読む）

【課題】３層チップスケールＭＥＭＳデバイスのためのシステムおよび方法を提供すること。
【解決手段】微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスのためのシステムおよび方法が提供される。一実施形態では、システムは、第１の外側層と、第１の組のＭＥＭＳデバイスを含む第１のデバイス層とを備え、第１のデバイス層は第１の外側層に接合される。システムは、第２の外側層と、第２の組のＭＥＭＳデバイスを含む第２のデバイス層とをさらに備え、第２のデバイス層は第２の外側層に接合される。さらに、システムは、第１の側と、第１の側と反対側の第２の側とを有する中央層を備え、第１の側は第１のデバイス層に接合され、第２の側は第２のデバイス層に接合される。 （もっと読む）

【課題】部品を合わせて封止するための冷間圧接法、ジョイント構造、及び気密封止された封じ込め装置を提供する。
【解決手段】第１の金属を含む第１の接合面１８を含む少なくとも１つの第１のジョイント構造１６を有する第１の基材１２を提供すること、第２の金属を含む第２の接合面２２を含む少なくとも１つの第２のジョイント構造を有する第２の基材１４を提供すること、及び前記接合面を、一以上の界面で、前記接合面の前記第１の金属と前記第２の金属の間に金属−金属結合を形成するのに有効な量だけ、局所的に変形させ、剪断するために、前記少なくとも１つの第１のジョイント構造と前記少なくとも１つの第２のジョイント構造とを合わせて圧縮することを含む。接合面のオーバラップ部分は、表面汚染物を置換し、接合面間の密接を入熱なしに促進するのに有効である。気密封止された装置は、薬物製剤、バイオセンサ又はＭＥＭＳ装置を含むことができる。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ製造技術を用いた単一チップ上に作られた面内加速度計と面外加速度計の両方を含む超頑強、かつ、高性能な、３軸加速度計を提供する。
【解決手段】物体に堅固に取り付けられた基板付きの面内加速度計及び一体成形の材料からなる、基板１０４の上方に可動自在に所定の距離を離間される、プルーフマス１０２を含む。プルーフマスは１０２、プルーフマスと基板との間に異なる高さの隙間を形成するためにプルーフマスから下に伸びる複数の電極突部１１６を含む。プルーフマス１０２は、物体が加速しているときに、複数の基板電極１０８，１１０の各々の上面に平行な方向に動く構成で、隙間の領域の変化及び基板とプルーフマスとの間の容量の変更をもたらす。面内加速度計は面外加速度計の製造に使用される技術と同じ技術を用いて製造可能で高い衝撃用に適する。 （もっと読む）

【課題】製造効率の低下を抑制した機能素子、機能素子の製造方法、物理量センサー及び電子機器を提供する。
【解決手段】第１基板１２と、前記第１基板１２上に設けられ、且つ、素子部を有する第２基板５０と、を備え、前記第１基板１２と前記第２基板５０との間には内部空間６８が設けられ、前記第１基板１２および前記第２基板５０の互いに対向する面の少なくとも一方には、前記内部空間６８と外部とを連通する排気溝２４が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 基板と可動構造体を備えるＭＥＭＳデバイスにおいて、長期間にわたってスティッキングを確実に防止することが可能な技術を提供する。
【解決手段】 本発明は、基板と可動構造体を備えるＭＥＭＳデバイスとして具現化される。その可動構造体は、基板の上方に間隙を隔てて配置される可動部と、絶縁膜を介して基板に固定される固定部と、可動部と固定部を連結する支持梁を備えている。そのＭＥＭＳデバイスは、可動構造体の下面側に、可動構造体から連続的に形成された第１凸部を有している。そのＭＥＭＳデバイスは、基板の上面側に、基板から連続的に形成された第２凸部を有している。そのＭＥＭＳデバイスでは、第１凸部と第２凸部がほぼ同じ大きさで、互いに対向して配置されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、１つの加速度センサ素子で広範囲の加速度を検出できる加速度センサを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る加速度センサは、第一の梁３１で保持され加速度により変位可能な第一の質量体２１と、第一の質量体２１の変位を電気量に変換可能に配置された固定電極５１，５２と、第一の質量体２１の変位が所定の範囲を超えたときに、第一の質量体２１の変位容易度に変化をもたらす変位容易度変化部材２２，３２，８，９とを、備えている。 （もっと読む）

【課題】互いに噛み合う櫛歯状の第１電極および第２電極の大きさのばらつきを少なくでき、センサの検出精度を向上できるＭＥＭＳセンサおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】ベース基板７をエッチングすることにより、柱状部２９およびベース部３０を形成する。次に、当該柱状部２９およびベース部３０を熱酸化することにより、これらを絶縁膜に変質させる。これにより、柱状部２９からなる絶縁層８５およびベース部３０の表層部からなるベース絶縁層２１を形成する。次に、ベース絶縁層２１上にポリシリコン層２２を形成し、当該ポリシリコン層２２およびベース絶縁層２１の積層構造をエッチングして、Ｚ固定電極７１およびＺ可動電極７２の形状に成形する。同時に、それらの間にトレンチ５０を形成する。そして、当該トレンチ５０の底部を等方性エッチングすることにより、ベース絶縁層２１直下に凹部２０（空洞２３）を形成する。 （もっと読む）

【課題】上部電極の直下に下部電極を簡単に形成でき、上部電極と下部電極との短絡を防止し、センサの検出精度を向上できるＭＥＭＳセンサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ベース基板７上に駆動用電極２２を選択的に形成し、駆動用電極２２を被覆するように、ＳｉＯ_２からなる電極被覆膜２３を形成する。次に、電極被覆膜２３上に、犠牲ポリシリコン層５２および犠牲酸化膜５３を順に形成する。次に、犠牲酸化膜５３上に、ポリシリコン層２６を形成し、エッチングにより、固定電極２７、可動電極２８およびコンタクト電極２９の形状に成形する。同時に、それらの間にトレンチ５６を形成する。次に、トレンチ５６の底部をさらに掘り下げて、犠牲酸化膜５３から犠牲ポリシリコン層５２を露出させる。そして、犠牲ポリシリコン層５２を完全に除去することにより、固定電極２７の櫛歯部３２および可動電極２８の櫛歯部３９の直下に空洞３７を形成する。 （もっと読む）

【課題】低コスト、高信頼性、および小さなセンサを可能とする、ウェハレベルパッケージプロセスを提供する。
【解決手段】下カバーウェハ２１０および上カバーウェハ２３０を提供するステップと、基板層上に複数のＭＥＭＳ装置を含む半導体ウェハを提供するステップと、半導体ウェハを下カバーウェハの第１表面に接合するステップと、上カバーウェハの第２表面を半導体ウェハに接合するステップと、を有する。下カバーウェハの第１表面および上カバーウェハの第２表面は、半導体ウェハに接合されたときに、複数の密封シールされるキャビティ区域を画定し、ＭＥＭＳ装置の各々は、シールされるキャビティ区域の１つの内側に配置される。上カバーが半導体ウェハに接合された後に、上カバーウェハの第１表面から上カバーウェハの第２表面まで延びる複数の穴が形成される。その後、各穴に金属リード層が堆積され、ＭＥＭＳ装置に電気的接続を提供する。 （もっと読む）