【課題】 特に、高さ方向（Ｚ軸方向）への検出レンジを広げることができ、さらに安定したセンサ感度を得ることが可能な薄型の物理量センサを提供することを目的としている。
【解決手段】 固定支持されるアンカ部と、高さ方向に変位する可動部２と、弾性変形可能な連結部を介して回動自在に連結された支持部３，４と、可動部２の変位を検知するための検知部３６とを有している。支持部には、可動部２が高さ方向に変位したときに可動部２の変位方向に対し逆方向に変位する脚部３ｂ，４ｂが設けられている。脚部３ｂ，４ｂが前記可動部と高さ方向にて対向する対向部３０の表面３０ａに当接した状態から撓んで、可動部２が対向部の表面から更に離れる方向に変位可能なように、脚部３ｂ，４ｂが弾性変形可能に形成されている。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて出力精度の向上を図ることのできる加速度センサ、及び該加速度センサを備えた加速度センサシステムを提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳ技術で形成される静電容量型の加速度センサであって、基板１と、基板に対向して配置された検出フレーム２１，２２と、基板に対向して配置された慣性質量体５と、検出フレームに対向し基板に配置される検出電極４１、４２とを備え、さらに、検出電極に隣接して基板上に設けられ検出電極の出力値を補正するための補正電極１０１，１０２を備えた。 （もっと読む）

【課題】揺動部の揺動動作に係る固有振動数を調整するのに適したマイクロ揺動素子を提供する。
【解決手段】本発明のマイクロ揺動素子Ｘ３は、揺動部３１０と、フレーム３２０と、揺動部３１０およびフレーム３２０を連結してフレーム３２０に対する揺動部３１０の揺動動作における揺動軸心Ａ３を規定する連結部３３０と、揺動部３１０について第１揺動方向に回転トルクを発生可能であり、且つ、当該回転トルクの大きさ及び／又は発生期間を制御可能な、第１駆動機構（３４１，３６１）と、揺動部について第１揺動方向とは反対の第２揺動方向に回転トルクを発生可能であり、且つ、当該回転トルクの大きさ及び／又は発生期間を制御可能な、第２駆動機構（３５１，３８１）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】寄生容量や入力容量の影響が低減された高感度なセンサを提供する。
【解決手段】センサは、可動部分を含む第１の電極１０１と、第１の電極１０１に対向して配置された第２の電極１０２とを有し、容量変化により物理量を検知する第１の容量変化検出部１００と、反転入力端子１２１を有する増幅器１２０と、第１の容量素子２０とを備えている。第１の容量変化検出部１００と第１の容量素子２０とは、増幅器１２０の反転入力端子１２１と出力端子１２３との間で互いに直列に接続されて増幅器１２０の帰還容量を構成する。 （もっと読む）

【課題】外力の大きさ及び方向、並びに加速度を検出することができ、簡易な構造で、製造を容易にすることのできる力学量センサ及び力学量センサの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る力学量センサは、基板と、前記基板上に配置された固定部と、前記固定部に一端部が支持されて前記基板から離隔して配置された可動部を含む複数の可動電極と、前記複数の可動電極の他端部にそれぞれ隣接して力学量の検出方向に配置された固定電極と、前記可動電極に電気的に接続された第１端子と、前記固定電極に電気的に接続された第２端子と、を備え、前記複数の可動電極は、それぞれ内部応力を有する薄膜を含み、前記複数の可動電極の前記他端部は、それぞれ対向する前記固定電極と電気的に接触し、前記複数の可動電極の前記他端部は、印加される外力に応じて変位し、前記固定電極と電気的に非接触となることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】トランスデューサーの製造コストを低減する。
【解決手段】ナノシートトランスデューサ（１）は、溝（１００ａ）と前記溝によって互いに隔てられた電極支持部（１０１）と厚さ１μｍ未満のシート状の可撓電極（１０４）とが形成されたシリコンからなる基板（１００）と、前記電極支持部上に形成された導電膜からなる固定電極（１０３）と、前記固定電極と前記電極支持部との間に形成された絶縁層（１０２）と、を備え、前記可撓電極は前記基板の主面に対して垂直である。 （もっと読む）

【課題】板上に慣性センサを取り付けるシステムおよび方法を提供する。
【解決手段】センサパッケージは基板層３２、３４、センサ層２４、およびセンサ層２４と基板層３２、３４との間に配置される絶縁層２６、２８を有し、基板層３２、３４の１つにＶ溝が非等方性エッチングにより形成される。基板層３２、３４は１００結晶面方位にある。センサパッケージは、その後、ウェハから分離され、エッチングにより形成された基板層３２または３４の表面は、板に取り付けられる。一例において、検出軸が互いに垂直になるように３つのセンサパッケージが板に取り付けられる。 （もっと読む）

【課題】パッケージング応力による基板変形が無く、かつ安価なパッケージングが可能なＭＥＭＳデバイスアセンブリを提供する。
【解決手段】ＭＥＭＳデバイスアセンブリ２０は、ＭＥＭＳダイ２２と、集積回路ダイ２４とを備える。また、ＭＥＭＳダイは、基板３８に形成されたＭＥＭＳデバイス３６とキャップ層３４とを備える。パッケージング処理は、基板３８にＭＥＭＳデバイス３６を形成することとＭＥＭＳデバイスが存在するカンチレバー基板台を形成するためにＭＥＭＳデバイスを包囲する基板の一部分を除去することを含み、キャップ層３４は基板に接続される。ＭＥＭＳダイは集積回路ダイに電気接続され、ＭＥＭＳダイ、集積回路ダイ、およびそれらを電気的に相互接続する相互接続部３０を実質的に封止するためにモールド成形化合物３２が施される。キャップ層はモールド成形化合物がＭＥＭＳデバイスと接触することを防止する。 （もっと読む）

【課題】耐荷重性をより一層向上させることのできる静電容量式センサを得る。
【解決手段】静電容量式センサ１は、絶縁基板２、３と、この絶縁基板２，３に接合されたシリコン基板と、を備えている。このシリコン基板には、絶縁基板２，３に接合されるフレーム部４０と、一面に可動電極５ａ，６ａが形成された錘部５，６と、当該錘部５，６を回動自在に支持する１対のビーム部７ａ，７ｂ、８ａ，８ｂと、が形成されている。そして、１対のビーム部７ａ，７ｂ、８ａ，８ｂのうちいずれか一方のビーム部７ｂ，８ｂが他方のビーム部７ａ，８ａよりも太さが太く長さが長くなるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】 電極を保護しながら、可動部の形状精度を向上することができる製造方法を提供する。
【解決手段】 本願の半導体装置の製造方法は、まず、第３層１６の一部を除去して可動部１６ｂを形成し、次いで、可動部１６ｂを形成するために除去された部位の下方に位置する第２層と、形成された可動部１６ｂの下方に位置する第２層１４を除去する。次いで、可動部１６ｂを形成する際に除去された部位に充填材２４を埋め込む。次いで、充填材２４を埋め込んだ状態で、半導体装置の表面に電極１８を形成する。電極１８を形成した後、埋め込んだ充填材２４を除去する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、する封止型デバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の封止型デバイスは、固定部と前記固定部の内側に位置する可動部を有する第１基板と、前記第１基板の前記固定部及び前記可動部の上方を覆う第２基板と、前記第１基板の前記固定部と前記第２基板との間に配置され、前記第１基板と前記第２基板との間を封止する第１封止部材と、前記第１基板の前記固定部と前記第２基板との間に配置され、前記第１封止部材の外周部において前記第１基板と前記第２基板との間を封止する第２封止部材と、を備える。 （もっと読む）

【課題】導通不良を起こしてしまうのを抑制することのできる静電容量式センサを得る。
【解決手段】静電容量式センサは、固定板２と半導体基板とを接合した際に、固定電極に形成された固定電極側金属接触部２５と、半導体基板に形成された半導体基板側金属接触部１３とが接触するようになっている。そして、固定電極側金属接触部２５および半導体基板側金属接触部１３の少なくとも互いに接触する部位をバリアメタル１４で被覆するようにした。 （もっと読む）

【課題】 ＳＯＩ層のシリコンウエハで形成された枠体部と対向基板とが金属結合部を介して固定されたＭＥＭＳセンサにおいて、金属結合部を覆う保護絶縁層を欠陥無く形成できるようにしたＭＥＭＳセンサを提供する。
【解決手段】 対向絶縁層２２に第１の金属層３１ａが形成され、機能層のシリコンウエハから分離された枠体部１４に第２の金属層３２ａが形成され、第１の金属層３１ａと第２の金属層３２ａとが共晶接合または拡散接合で結合されている。第１の金属層３１ａのはみ出し部３１ｃと対向する部分で、枠体部１４に凹部１８が形成され、はみ出し部３１ｃと凹部１８の底表面１８ｂとの間に空隙部１９ａが形成される。ＣＶＤ法などで成膜される保護絶縁層４１が空隙部１９ａを経て金属結合部３０ａの外側部に欠陥なく成膜されるようになり、第１の金属層３１ａまたは第２の金属層３２ａの腐食を防止しやすくなる。 （もっと読む）

【課題】湿気や温度等の外部環境の影響を受けにくく、ＭＥＭＳ素子の特性への影響を低減することのできるＭＥＭＳデバイスを提供すること。
【解決手段】基板と、前記基板上に配置され、支持部と、前記支持部に対して変位する可動部と、前記可動部を覆い、前記支持部に固定された蓋部材と、を有するＭＥＭＳ素子と、少なくとも前記ＭＥＭＳ素子の周囲を覆う発泡体と、を備えることを特徴とするＭＥＭＳデバイスを提供する。また、支持部と、前記支持部に対して変位する可動部と、前記可動部を覆い、前記支持部に固定された蓋部材とを有するＭＥＭＳ素子を基板上に配置し、前記ＭＥＭＳ素子上に発泡性の樹脂を滴下し、前記発泡性の樹脂を発泡させることを特徴とするＭＥＭＳデバイスの製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】簡易な製造方法により製造することができ、ＭＥＭＳ素子の特性への影響を低減できるＭＥＭＳデバイス及びＭＥＭＳデバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】基板と、前記基板上に配置されたＭＥＭＳ素子と、前記ＭＥＭＳ素子を覆い、前記ＭＥＭＳ素子との間に空間を確保するケースと、前記基板と前記ケースとが接触又は近接する位置に前記ケースの上面の少なくとも一部を露出させて配置される封止材と、を含むことを特徴とするＭＥＭＳデバイスを提供する。また、ＭＥＭＳ素子を基板上に配置し、ケースにより前記ＭＥＭＳ素子を覆い、前記ＭＥＭＳ素子と前記ケースとの間に空間を確保し、前記基板と前記ケースとが接触又は近接する位置に、前記ケースの上面の少なくとも一部を露出させて封止材を形成することを特徴とするＭＥＭＳデバイスの製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】固定個所の変形などの影響を支持部は受けない構成とでき、デバイス部をホルダ部に固定する位置精度を向上させつつ固定強度を良好にすることができる構造体及びその固定方法を提供する。
【解決手段】構造体はホルダ部１とデバイス部２と、を有する。デバイス部２は、一体的に形成された接着部３と弾性部４と支持部５とを備え、支持部５は弾性部４で接着部３に対して弾性支持される。ホルダ部１は、周辺部より高い段差部６を有する。接着部３は、ホルダ部１の周辺部に固定され、支持部５は、弾性変形した弾性部４の復元力により段差部６に当接させられている。 （もっと読む）

【課題】製造コストを抑制できる簡素な構成で、可動部を有する半導体素子を配線基板に対して高い密度で配置するとともに電気的に接続することを実現する。
【解決手段】可動部（１１２ｂ、１１２ｃ）を有し主面の縁領域に端子（１１６ａ）が形成された半導体素子（１１）と、半導体素子の主面に主面が対向するカバー（１１１ａ、１１１ｂ）と、半導体素子の端子よりも内側に位置し半導体素子とカバーとの間に空隙を形成する封止部（１１８、１１９）と、を備え、半導体素子の端面が配線基板（１３）の主面に対向した状態において配線基板の主面に形成された端子（１３２，１３３）と半導体素子の端子（１１６ａ）とが接合されることによって、半導体素子が配線基板に固定されるとともに配線基板の主面に形成された端子と半導体素子の端子とが電気的に接続される、ＭＥＭＳパッケージ（１）。 （もっと読む）

【課題】流体を封入する膜を備える装置の製造方法を提供する。
【解決手段】空洞内に収容される流体を封入するために使用される膜を備える装置の製造方法であって、２つの基板を提供する段階と、膜を基板上に配置する段階と、空洞を横方向に画定するように作用する１つまたは複数の壁を形成する段階と、空洞を完成させるように、互いに重ね合わせることによって２つの基板を一体に組立てる段階と、流体を基板の間の空洞内に封入し、流体によって膜を浸す段階と、基板に膜が設けられている場合に、少なくとも膜の中心部を解放するために、基板の少なくとも一部を除去する段階と、を含む方法に関する。 （もっと読む）

【課題】エッチングパターンの形状または大きさによらずに、正確に制御された深さの凹部を形成することができる半導体基板のエッチング方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板３をエッチングするに際し、まず、それぞれ独立に区画されたエッチング領域８７に対向する位置に同一パターンの開口８８を多数有するレジスト５９をマスクとして、異方性の深掘り反応性イオンエッチングする。これにより、半導体基板３の表面部に、深さがほぼ等しく揃った凹部８９が多数形成される。次いで、多数の凹部８９を区画する半導体基板３の側壁９０を、半導体基板３の表面に平行な横方向にエッチングして除去する。 （もっと読む）

【課題】２方向の加速度を精度よく感知することができ、小型化及び製造コストの低減化を可能とする２軸加速度センサを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、平板状の錘部、この錘部の側面を囲う枠部、上記錘部の側面と枠部の内面とを連結する１又は複数の梁部、及び上記梁部に付設される歪み感知手段を備える平板状の２軸加速度センサであって、上記梁部の厚さが幅より大きく、上記１又は複数の梁部が、厚さ方向と垂直な直交２方向の正負それぞれの加速度に対する撓みパターンの組合せが異なる少なくとも２つの変形領域を有し、上記歪み感知手段として、上記各変形領域の両端側かつその幅方向両側近傍に二対のピエゾ抵抗素子が配設されていることを特徴とする。 （もっと読む）