【課題】 有機樹脂中から発光部である有機ＥＬ層中への水分の拡散を抑止し、特性が劣化しない長期信頼性に優れた有機ＥＬ素子を用いた表示装置を得る。
【解決手段】 有機平坦化層７上に平滑な陽極１０を形成するとともに、この陽極１０上に発光部である有機ＥＬ層１４を形成し、上記有機平坦化層７から有機ＥＬ層１４中に拡散する水分を遮蔽するため、上記陽極１０上の上記有機ＥＬ層１４の周囲に設けた無機絶縁層からなる水分遮蔽層１１と金属陽極層１０、有機ＥＬ層１４上部を覆う陰極層１５とにより、有機ＥＬ層１４の周囲全体を無機材料で囲う。 （もっと読む）

【課題】キャパシタ（画素容量）の容量と駆動トランジスタのゲート・ソース間容量との和がスイッチングトランジスタの寄生容量よりも小さいと、駆動トランジスタのソース電位の変化量により当該駆動トランジスタのゲート・ソース間電位の値が変化してしまい、所望の発光が望めない。
【解決手段】駆動トランジスタであるＴＦＴ３２のゲート・ソース間にキャパシタ３３を接続し、ＴＦＴ３２のソースをスイッチングトランジスタであるＴＦＴ３６を介して接地電位ＧＮＤに選択的に接続するとともに、キャパシタ３４およびＴＦＴ３７〜３９の作用によってＴＦＴ３２の閾値電圧Ｖｔｈのバラツキをキャンセルする構成の画素回路１１において、最終行の画素回路１１に対するオートゼロ信号ＡＺ−ｎの発生直後から第１行の画素回路１１に対するオートゼロ信号ＡＺ−１の発生前までの期間において画素回路１１内の電源電位Ｖｃｃをフローティング状態し、当該電源電位Ｖｃｃの揺れをなくす。 （もっと読む）

【課題】エレクトロルミネセンスラミネートの誘電層を改善する。
【解決手段】誘電層は厚膜層としてセラミック材料から生成される。この場合、約１．０×１０⁶ Ｖ／ｍの絶縁耐力と、誘電材料の誘電率と燐光層の誘電率との比が約５０：１よりも大きくなるような誘電率を有する。また、誘電層の厚さと燐光層の厚さの比が約２０：１〜５００：１の範囲内になるような厚さを有する。さらに、燐光層と両立性があり、この燐光層が所定の励起電圧で全体的に均一に発光するのに十分に滑らかである、燐光層と隣接する表面を有する。 （もっと読む）

【課題】 回路的な手段で画像表示装置の画面内における信頼性むらを抑制する。
【解決手段】画素アレイ部１２は、行状の走査線ＤＳＬと、列状のデータ線ＤＴＬと、両者が交差する部分に配された行列状の画素１１とを備えている。データ線駆動回路１４は、システム回路１６から供給されたデータ信号を各データ線ＤＴＬに分配する。走査線駆動回路１３は、各走査線ＤＳＬに順次駆動パルスＤＳを出力して画素１１を線順次で選択し、以って該分配されたデータ信号に基き駆動パルスＤＳの時間幅だけ画素１１を駆動して画素アレイ部１２に画像を表示する。走査線駆動回路１３は、各走査線ＤＳＬに順次出力する駆動パルスＤＳの時間幅を各走査線ＤＳＬごと独立に可変制御可能であり、以って走査線単位で各画素１１の駆動時間を制御する。 （もっと読む）

【課題】 高精細なフルカラー表示のためのカラーフィルタや色変換層を低コストで製作する。
【解決手段】 基板ＳＵＢの主面上に、画素毎に成膜された第１電極ＣＤと、該各第１電極上を共通に覆って形成された白色発光能を有する有機ＥＬ層ＯＬＥ（Ｗ）と、該有機ＥＬ層を共通に覆って形成された第２電極ＡＤとをこの順で積層した有機ＥＬ発光層を有し、有機ＥＬ層ＯＬＥ（Ｗ）の発光々を第２電極ＡＤ側に出射するごとく構成し、第２電極ＡＤの上層で、有機ＥＬ発光層からの白色光を所定の色に変換する湿式工程で塗布されたカラーフィルタＦＩＬを画素毎に有し、当該第２電極ＡＤとカラーフィルタＦＩＬとの間に、該カラーフィルタの塗布材料による前記発光層の劣化を防止するための保護層ＰＡＳを設けた。 （もっと読む）

【課題】 発光装置、特に発光装置が有する画素部の高精細化、高開口率化が進むにつれて、より幅の小さい配線を形成することが要求されている。しかしインクジェット法を用いて配線を形成する場合、配線形成表面でドットが広がってしまい、配線の幅を小さくすることが難しかった。
【解決手段】 本発明は、配線形成表面に光触媒物質を形成し、該光触媒物質の光触媒活性を利用して配線を形成することを特徴とする発光装置の作製方法である。インクジェット法により、光触媒物質上に、溶媒に導電体が混入された組成物を吐出することにより、ドットの径より狭い、つまり幅の小さい配線を有する発光装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】 表示画像が明るく、表示色彩が鮮明な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 少なくとも表示画素を形成するための電極５、９を有する一対の基板１、６を間隙を設けて対向して配置し、該間隙に液晶１６を封止した構成を有する液晶表示装置において、前記の対向する一対の基板１、６の少なくとも一方側の基板と該基板上に設けた配向膜との間に、少なくとも１個の開口部３１ａを形成したカラーフィルタ３１を設け、該カラーフィルタ３１の開口部３１ａに、透明樹脂３５ａに光散乱粒子３５ｂを分散した光散乱樹脂３５を配設する。光散乱樹脂３５の部分を透過する光に散乱が生じ、その散乱光がカラーフィルタ３１内に入射する。カラーフィルタから放射される光に散乱光が混ざり合うことから、表示画像に明るさと色彩の鮮明さが現れる。 （もっと読む）

【課題】 有機ＥＬディスプレイパネルの電極構造及びその製造方法の提供。
【解決手段】 ガラス基板、ガラス基板上に成長させたＩＴＯ導線パターン層、該ＩＴＯ導線パターン層上に成長させた少なくとも一つの補助金属導電パターン層、該補助金属導電パターン層上に位置して隔離を形成する絶縁領域、該絶縁領域上に設けられ且つ突出する所定の高さを具えて電気的干渉を隔離する隔離領域、及び該ガラス基板と該隔離領域上に設けられた少なくとも一つの金属導電層、を包含し、隔離領域が所定高さを有して該隔離領域と補助金属導電パターン層上に位置する該金属導電層と分離状態を呈して電気的に隔離され、該隔離領域の少なくとも一つの金属導電層と該補助金属導電パターン層上の該金属導電層、該補助金属導電パターン層、ＩＴＯ導線パターン層は共同で並列接続状態を呈して電気抵抗を減らす。 （もっと読む）

【課題】 ＬＣＤや有機ＥＬ表示装置は表示部全体の輝度が均一であることが望ましいが、特に有機ＥＬ表示装置は、画素毎の輝度ムラが大きく問題である。また有機ＥＬ素子は輝度半減期があり、長寿命化も課題であった。
【解決手段】 画素毎にフォトセンサを配置し、有機ＥＬ素子の発光量に応じて画素毎に輝度を調整する。輝度の調整は発光量の小さい画素に合わせて輝度の大きい画素の電流量を小さくすることにより実現する。これにより低消費電力化を図り輝度ムラを補正できる。また受光回路で構成されるフォトセンサを画素毎に配置することにより、輝度ムラの補正を行い、更に、輝度半減期における輝度補正が可能となり、長寿命化が図れる。 （もっと読む）

【課題】 低消費電力で、電磁ノイズ、不要輻射の小さい半導体表示装置を提供する。
【解決手段】 周辺駆動回路において、レベルシフタ回路によって電圧レベルが上げられたクロック信号を、シフトレジスタ回路に入力する。そしてシフトレジスタ回路からのタイミング信号をレベルシフタ回路に入力し、２段階で電圧レベルを上げてやる。これによって、駆動回路の消費電力を小さくし、電磁ノイズを抑え、不要輻射を小さくすることを実現した。 （もっと読む）

【課題】 優れた特性を有し，常温で製造可能であり，活性層とソースおよびドレイン電極間のコンタクト抵抗が改善され，多数の異種ＴＦＴの同時形成工程を簡単にする薄膜トランジスタおよびこれを備えたフラットパネルディスプレイ装置を提供する。
【解決手段】 少なくとも一つのナノ粒子１２を有する少なくとも２層のナノ粒子層１１ａ，１１ｂを含む活性層１１と，活性層１１から絶縁されるゲート電極１４と，活性層１１のいずれか１層のナノ粒子層１１ａまたは１１ｂとコンタクトされるソースおよびドレイン電極１６と，を含み，ナノ粒子層１１ａ，１１ｂ間には絶縁層１１ｃが介在される。 （もっと読む）

【課題】 例えば携帯型のデータ端末機などにおいて、待ち受け時などにおいて消費電力を低減させることができる表示パネルを備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】 ディスプレイモジュールＡには、ドライバ部２および表示制御部Ｂが搭載されており、表示制御部Ｂからの画像信号によって、ＥＬディスプレイ１が発光駆動される。表示制御部Ｂにおける画像生成部５は、キー入力などの操作が一定時間なされない待ち受け状態において、時刻を示す静止画をスクロール表示する画像信号を生成する。この場合、一つの静止画のスクロール表示の終了から次の静止画のスクロール表示の開始の間に、前記静止画が表示パネルに表示されない無表示期間が設定される。この無表示期間においては、特にドライバ部２を駆動するクロック信号発生部３からのクロック信号の供給が停止され、この間において消費される電力を低減させるように動作する。 （もっと読む）

【課題】マイクロキャビティを利用しつつ、視野角依存性を改善する。
【解決手段】各画素にエレクトロルミネッセンス素子３０を有するエレクトロルミネッセンスパネルであり、エレクトロルミネッセンス素子は、反射膜とこれに対向する半透過膜との間に少なくとも発光機能を備えた発光素子層を有し、１画素内において、反射膜と半透過膜との層間距離であるキャビティ長の異なる部分を有する。これは、例えば、素子の下部電極である透明電極の厚みを変更することで実現できる。１画素内でキャビティ長が異なる領域でそれぞれ増強できるピーク波長を変えることができるため、視野角依存性が改善される。 （もっと読む）

【課題】 十分な電流量を確保し、電源電圧の変動による発光素子の輝度の変動を抑制、狭額縁化を可能とすることができる発光装置および電子機器を提供する。
【解決手段】 有効領域の外側に設けられた複数の電源線１０３Ｒ,１０３Ｇ,及び１０３Ｂのうちの最も外側に位置する前記電源線１０３Ｂが第１配線層１３５に設けられた導電膜と第２配線層１３６に設けられた導電膜の双方により構成することにより、電源線の線幅を狭くすることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、少ないフォトマスク数で、しきい値のずれが生じにくく、高速動作が可能なＴＦＴを有する半導体装置の作製方法を提供する。また、スイッチング特性が高く、コントラストがすぐれた表示が可能な半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、非晶質半導体膜に触媒元素を添加し加熱して結晶性半導体膜を形成し、該結晶性半導体膜に５族元素（１５族元素）を有する半導体膜または希ガス元素
を有する半導体膜を形成し加熱して、触媒元素を結晶性半導体膜から除去した後、逆スタガ型ＴＦＴを形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 薄膜トランジスタのフォトセンサは、光量は非常に微小なものであり、フィードバックが困難である。
【解決手段】 薄膜トランジスタのフォトセンサに、出力電流を電圧に変換する検出回路を付加する。これにより微小な電流をフィードバックが可能な所望の範囲の電圧に変換できる。また、回路は３つのＴＦＴおよび１つの容量、または２つのＴＦＴと１つの容量、１つの抵抗で構成されるので部品点数が削減できる。また動作もＨレベルのパルスの入力のみでよく、簡易な光量検出回路を実現できる。 （もっと読む）

【課題】 発光時間のデューティ比によって表示輝度を制御するデューティ駆動の場合に生じるフリッカを抑制する。
【解決手段】 データ線駆動回路１４はシステム回路１６からフレーム単位で供給される映像データ信号を各画素１１に供給する。走査線駆動回路１３はシステム回路１６から供給される発光制御信号ＤＳに応じて動作し、フレーム毎に画素１１を線順次選択して映像データ信号に応じた輝度で各発光素子１７を発光させる。システム回路１６は、発光制御手段Ｚを備えており、画面輝度情報に応じて１フレーム内における発光時間と非発光時間とのデューティ比を設定し、該デューティ比に応じて各発光素子１７を発光させるとともに、１フレームを複数のサブフレームに分割し各サブフレームで該デューティ比に応じた発光時間だけ各発光素子１７を発光させてフリッカを抑制する。 （もっと読む）

【課題】 基体上を平面的に区画する隔壁部材を具備した隔壁構造体であって、前記隔壁部材により区画される領域内に良好に液体材料を保持することができ、もって機能材料の正確なパターニングを可能とした隔壁構造体、及び隔壁部材により正確にパターニングされた発光素子等を具備した電気光学装置等を提供する。
【解決手段】 本発明に係る電気光学装置は、基板Ｐ上に立設してなる隔壁部材（第１隔壁層１４９、第２隔壁層１５０）を具備し、該隔壁部材に囲まれてなる区画領域１５１に発光素子たる有機ＥＬ素子２００が形成されており、前記第２隔壁層１５０の上面に、第２隔壁層１５０の延在方向に沿って延びる溝部１５０ｂを備えている。 （もっと読む）

【課題】キャパシタの容量と駆動トランジスタのゲート・ソース間容量との和がスイッチングトランジスタの寄生容量より小さいと、駆動トランジスタのソース電位の変化量により当該駆動トランジスタのゲート・ソース間電位が変化し、所望の発光が望めない。
【解決手段】ＴＦＴ３２のゲート・ソース間にキャパシタ３３を接続し、ＴＦＴ３２のソースをスイッチングトランジスタであるＴＦＴ３６を介して接地電位ＧＮＤに選択的に接続するとともに、キャパシタ３４およびＴＦＴ３７〜３９の作用によってＴＦＴ３２の閾値電圧Ｖｔｈのバラツキをキャンセルする構成の画素回路１１が行列状に配置されてなるアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置において、第１行目から閾値キャンセル動作開始から書き込み動作開始までの期間に相当する行数Ｍ＋１だけ最終行ｎよりも手前の第Ｎ行目までの各画素の領域を有効画素領域１２Ａとして用いる。 （もっと読む）

【課題】表示装置の画素用ＴＦＴ、駆動回路用高速動作ＴＦＴに適した特性の異なるＴＦＴを有す半導体装置の提供。
【解決手段】 前記絶縁性基板２１上方に配置され、アモルファスシリコン層を出発材料とし、エキシマレーザ照射で多結晶化した第１の多結晶シリコン層２４ｂと、ＣＷレーザ照射で多結晶化した第２の多結晶シリコン層２４ｃと、第１の島状多結晶シリコン層２４ｂ上に形成され、第１および第２の絶縁層２５，２７を含む積層の第１のゲート絶縁膜と、第２の島状多結晶シリコン層２４ｃの少なくとも一部の上に形成され、前記第１および第２の絶縁層２５、２７のいずれか一方を含んで形成された第２のゲート絶縁膜、ゲート絶縁膜上に形成された第１及び第２のゲート電極２８、２６と、を有し、第１及び第２のチャネル領域は、異なる不純物ドーピング濃度を有する半導体装置。 （もっと読む）