【課題】 パルス駆動、ＤＣ駆動あるいは急速昇温等の際に抵抗体に大電流が流れても抵抗体とリードとの接合部へのマイクロクラックの発生や製品抵抗の変化が抑制された高い信頼性および耐久性を有するヒータおよびこれを備えたグロープラグを提供する。
【解決手段】 本発明は、絶縁基体９と、絶縁基体９に埋設され、折返し形状をなしている抵抗体３と、絶縁基体９に埋設され、先端側で抵抗体３に接続されるとともに後端側で絶縁基体９の表面に導出された一対のリード８とを備えたヒータ１であって、抵抗体３と一対のリード８とは軸方向に垂直な方向に重なって接続されていて、抵抗体３と一対のリード８との二つの境界面のうちの少なくとも一方が、一対のリード８のそれぞれの軸の両方を含む平面に垂直な方向に対して傾いている。 （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、多種多様な幅や厚みを有する被加熱体に応じて発熱部を制御することが可能である定着装置を提供することにある。
【解決手段】必要な回路に電力を供給する制御装置と、前記制御装置より供給される電力により発熱する発熱体を備えた定着装置であって、前記発熱体が少なくともポリイミドを含んでなる独立した複数の発熱部からなり、それぞれの発熱部に被加熱体の大きさに応じて制御装置より個別に備えられた発熱部の電極へ電力を供給されることで、被加熱体の大きさに応じて発熱する範囲を制御する。 （もっと読む）

【課題】 パルス駆動、ＤＣ駆動あるいは急速昇温等の際に抵抗体に大電流が流れても抵抗体とリードとの接合部へのマイクロクラックの発生や製品抵抗の変化が抑制された高い信頼性および耐久性を有するヒータおよびこれを備えたグロープラグを提供する。
【解決手段】 本発明は、絶縁基体９と、絶縁基体９に埋設され、折返し形状をなしている抵抗体３と、絶縁基体９に埋設され、先端側で抵抗体３に接続されるとともに後端側で絶縁基体９の表面に導出された一対のリード８とを備えたヒータ１であって、一対のリード８を軸方向に垂直な断面で見たとき、互いに対向して近接する対向領域が直線で構成され、非対向領域に円弧状部を有する。 （もっと読む）

導電性のコア部分が加熱素子の遠位端にある抵抗性の高温領域内まで延在し、それによって導電性のコア部分と抵抗性の高温領域との間の境界面が加熱素子の遠位先端から離れた、新規の同軸セラミック加熱素子及び製造方法。方法は、予成形するか、又は固化させた材料の領域を、１つ又は複数の流動性を有する材料の領域と一体に合わせるステップと、流動性を有する材料を硬化させるか、ゲル化させるか、乾燥させるか、又はその他の方法で凝固若しくは固化させるステップと、焼結することによって一体化した同軸加熱素子を形成するステップとを含む。
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【課題】熱応力に起因する亀裂等の不具合を防止するとともに、カルシウム成分による腐食を防止することのできるセラミックヒータを提供することを目的とする。
【手段】セラミックヒータは、モリブデンの珪化物、窒化物及び炭化物、並びに、タングステンの珪化物、窒化物及び炭化物のうち、少なくとも１つを主成分とする発熱体が、窒化珪素を主成分とする基体中に埋設されてなるセラミックヒータであって、前記基体は、希土類元素を酸化物換算で４〜２５質量％、クロムの珪化物をシリサイド換算で１〜８質量％含有するとともに、アルミニウム成分を窒化アルミニウム換算で０．０２〜１．０質量％含有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】亀裂、折損、腐食、強度低下の抑制されたセラミックヒータの提供。
【解決手段】Moの珪化物、窒化物及び炭化物、並びに、Wの珪化物、窒化物及び炭化物のうち、少なくとも1種を主成分とする発熱体を窒化珪素を主成分とする基体に埋設し、前記基体は、前記基体は、気孔率が5%以下であり、希土類元素を酸化物換算で4〜25質量%含有し、以下の条件下に、珪化物及び/又は炭化珪素を含有し、かつ前記基体の表層部に炭化珪素が存在せずに珪化物が存在する場合、前記基体の表層部に珪化物が存在せずに炭化珪素が存在する場合及び前記基体の表層部に珪化物と炭化珪素とが存在する場合のいずれにおいても珪化物及び炭化珪素の最大粒径が15μｍ以下であることを特徴とするセラミックヒータ。条件：珪化物含有量をA体積%、炭化珪素含有量をB体積%のとき、(1)0.6≦A≦10、かつ0≦B≦10、又は(2)2≦B≦10、かつ0≦A≦10 （もっと読む）

【課題】
Ｂを０．２％以上含有するSi合金の被膜を窒化アルミニウムに融着させた時、被膜が剥離する、あるいは剥がれ易い、あるいは被膜そのものの強度が弱い問題がある。
本発明は、Ｂを０．２％以上含有するSi合金の被膜を窒化アルミニウムに融着させる時、窒化アルミニウム基材に対して密着性に優れ、剥がれのない、強度の強い電熱被膜融着体を提供する。そしてその電熱被膜融着方法を提供する。
【解決方法】
希土類元素化合物の焼結助剤を酸化物換算で１重量％以上含む窒化アルミニウムセラミックス基材の表面に、０．２重量％以上のＢを含むSi合金からなる電熱被膜が融着した構造の電熱被膜の融着体であって、該被膜中に、該セラミックス基材の焼結助剤の希土類元素化合物を供給源とする希土類元素が０．１重量％以上含まれてなることを特徴とする。
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【課題】高温環境下で粒界相中の金属イオンの移動を防ぐことができ、かつ耐腐食性及び高温特性に優れているセラミックヒータを提供すること。
【解決手段】モリブデンの珪化物、窒化物及び炭化物、並びに、タングステンの珪化物、窒化物及び炭化物のうち、少なくとも１種を主成分とする発熱体と、窒化珪素を主成分とし、かつ希土類元素を酸化物換算で４〜２５質量％含有し、かつアルミニウム成分を窒化アルミニウム換算で０．０２〜１質量％含有し、かつ全酸素量に対する希土類元素の酸素量の比が０．３〜０．６であり、かつモリブデン、バナジウム、タングステン及びクロムから成る群より選ばれる少なくとも１種の珪化物を１〜８体積％含有する基体とを備え、前記基体の表面には、希土類元素のモノシリケート及び／又はダイシリケートが主結晶相であり、前記発熱体が前記基体に埋設されて成ることを特徴とするセラミックヒータ。 （もっと読む）

【課題】二酸化バナジウム系サーモクロミック薄膜及びその機能性製品を効率良く形成できる基板加熱方法、及び建築物や移動体の窓に使用する多機能自動調熱ガラスの製造法を提供する。
【解決手段】二酸化バナジウム系薄膜及び／又は二酸化バナジウム系薄膜を含む機能性製品を製造する方法において、耐熱基板に透明導電性薄膜を配設した、透明導電性薄膜付きの耐熱基板を使用すること、二酸化バナジウム系薄膜形成時に、基板の加熱を上記透明導電性薄膜の通電加熱によって行うこと、を特徴とする二酸化バナジウム系薄膜及び／又は二酸化バナジウム系薄膜を含む機能性製品の製造方法。
【効果】基板構造に導入した透明導電性薄膜を活用し、通電加熱により効率的に基板を加熱できる。また、通電可能な基板構造を利用し、調熱ガラスの光学特性を制御する方法を提供できる。 （もっと読む）

【課題】熱応力に起因する亀裂等の不具合を防止するとともに、カルシウム成分による腐食を防止することのできるセラミックヒータを提供する。
【解決手段】グロープラグは、主体金具２、セラミックヒータ４等を備える。セラミックヒータ４は、軸線方向に延びる丸棒状の基体２１を有し、その内部に細長いＵ字状をなす発熱体２２が埋設状態で保持されている。発熱体２２は、モリブデンの珪化物、窒化物及び炭化物、並びに、タングステンの珪化物、窒化物及び炭化物のうち、少なくとも１つを主成分としている。基体２１は、窒化珪素を主成分としており、希土類成分を酸化物換算で４〜２５質量％、クロムの珪化物をクロムシリサイド換算で１〜８質量％含有するとともに、アルミニウム成分を窒化アルミニウム換算で０．０２〜１．０質量％含有している。アルミニウム成分により、エンジンオイル中に含まれるカルシウム成分等による基体の腐食が抑制される。 （もっと読む）

【課題】半導体設置面の均熱性を向上させ、ヒーターの端子部が半導体製造装置内部の雰囲気への暴露を防止できるようにした半導体加熱装置を提供する。
【解決手段】加熱装置１０Ａは、半導体設置面２ａを備えるヒーター１Ａ、およびヒーターの背面２ｂに対して固定される中空の支持部材１１を備え、支持部材１１の外周面間寸法よりも、支持部材長寸法のほうが大きく、ヒーターが、板状の基体２、抵抗発熱体からなる第一の加熱素子３、第一の加熱素子３とは独立して制御される第二の加熱素子４、第一の加熱素子３に接続された第一の端子部６Ａ、および第二の加熱素子４に接続された第二の端子部７を備え、支持部材の内側空間１２に、第一の端子部６Ａに接続された第一の電力供給手段１５と、第二の端子部７に接続された第二の電力供給手段１４と、第一の加熱素子３と第二の加熱素子４とが互いに電気的に接続しないように略同一の平面Ａ内とした構成である。 （もっと読む）

【課題】 ヒーター全体を均一に加熱することができ、昇温速度を増大させることができるとともに、トナー画像の定着性に優れたヒーターの構造を提供する。
【解決手段】 セラミックヒーター１０は用紙９の表面上に形成されたトナー画像を定着させる。セラミック基板１は、トナー画像が形成された用紙９の一方の表面に対向するように配設される。発熱体２は、用紙９の一方の表面に対向するセラミック基板１の表面と反対側の表面に形成されている。 （もっと読む）

【課題】溶融金属による浸食を軽減することにより長寿命化を達成することができるセラミックス焼結体及びこのセラミックス焼結体で構成された金属蒸着発熱体（ボート）を提供する。また、溶融金属のスプラッシュを低減させることができるセラミックス焼結体及びこのセラミックス焼結体で構成された金属蒸着発熱体（ボート）を提供する。
【解決手段】二硼化チタン（ＴｉＢ_２）及び／又は二硼化ジルコニウム（ＺｒＢ_２）と、窒化硼素（ＢＮ）と、必要に応じて窒化アルミニウム（ＡｌＮ）とを含有してなるセラミックス焼結体であって、これらの成分から選ばれた少なくとも一種の成分の濃度が、厚み方向において、有位に異なっている部分があることを特徴とするセラミックス焼結体。このセラミックス焼結体からなる金属蒸着発熱体（ボート）。 （もっと読む）

細線状抵抗体３０の各側にそれに沿って正電極１０と負電極２０を配置する。正電極１０は、抵抗体３０に沿って間隔を置いて配置された複数の枝部１３、１４によって接続点Ｐ２、Ｐ３で抵抗体３０に接続される。負電極２０は、抵抗体３０に沿って間隔を置いて配置された枝部２３、２４によって接続点Ｐ１、Ｐ４で抵抗体３０に接続された抵抗発熱体である。接続点Ｐ１〜Ｐ４は、抵抗体３０に沿って互いにずれた位置にある。接続点Ｐ１とＰ２並びに接続点Ｐ３とＰ４の間にある抵抗体３０の部分３１と３２は、抵抗体３０の有効領域として機能する。
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【課題】
静電チャックなどの半導体ウェーハプロセス機器において、被覆材料内の電気的／機械的応力の集中を緩和し、被覆材料の剥離および／または割れを防止する。
【解決手段】
グラファイトなどの基材と少なくとも一つの電極パターンを有し、当該パターンの溝をＢ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇａ、高融点金属、遷移金属および希土類金属の群から選択される元素の窒化物、炭化物、窒化物、炭化物または酸窒化物、またはこれらの錯体および／またはこれらの混合体から選択される少なくとも一つの材料を含む絶縁性または半導体材料で充填して実質的に平坦な面を形成し、さらに当該実質的に平坦な面をＢ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｇａ、高融点金属、遷移金属および希土類金属の群から選択される元素の窒化物、炭化物、窒化物、炭化物または酸窒化物、またはこれらの錯体および／またはこれらの混合体から選択される少なくとも一つの材料を含む少なくとも一層の半導体層で被覆する。 （もっと読む）

【課題】溶融金属に対する濡れ性を改善し、長寿命化を達成することができる金属蒸発ボートを提供する。
【解決手段】二硼化チタン（ＴｉＢ_２）及び／又は二硼化ジルコニウム（ＺｒＢ_２ ）と窒化硼素（ＢＮ）を含有してなるセラミックス焼結体の上面に、通電方向と平行でない方向に、溝の深さに有位差をつけて複数の溝を設けてなることを特徴とする金属蒸発発熱体。この場合において、（１）一つの溝において、又は溝と溝同士間において、溝の深さの有意差があること、（２）溝の深さの有意差が、溝の最深部の深さに対して１０％以上、特に３０％以上であること、（３）複数の溝のうち、最深部を有する溝を、セラミックス焼結体の長手方向に対して中心部又はその近傍に設けること、（４）複数の溝のうち、最浅部を有する溝を、セラミックス焼結体の長手方向に対して一端又は両端に設けること、（５）溝の数が１０以上であること、などが好ましい。 （もっと読む）

腐食的な製造環境での製作中に、半導体ウェハーを加熱するための改良された加熱システム（１０）が開示されている。前記システム（１０）は、新規なセラミックヒータ（１２）を備えており、前記セラミックヒータ（１２）は、該セラミックヒータ（１２）のセラミック基板（１６）内部に完全に直接埋め込まれている多数の加熱素子（４４）と温度センサ配置（３８）を有している層状のセラミック基板（１６）から作成されている。前記複数の加熱素子（４４）と温度センサ配置（３８）は、前記セラミックヒータ（１２）の作動効率を改良する低い温度抵抗係数を備えているモリブデンと窒化アルミニウムの複合物から構成されている。作動時に、前記温度センサ配置（３８）は、前記半導体ウェハーの全表面に渡って一定で一様な温度分布を供給するような方法で前記加熱素子（４４）を制御すること可能であるマイクロプロセッサー（１４）に温度示度を伝達する。 （もっと読む）