【課題】金属成形体と樹脂成形体との接合強度が高められた複合成形体が得られる製造方法の提供。
【解決手段】金属成形体１０の接合面に対して、ドット状の独立した複数の孔１１を形成するようにレーザー照射する工程と、ドット状の独立した複数の孔１１を形成した金属成形体１０の接合面を含む部分を金型内に配置して、前記樹脂成形体となる樹脂をインサート成形する工程を有する複合成形体の製造方法であって、レーザース照射工程において１つの孔１１を形成するとき、前記孔の開口部径（Ｄ）と前記孔の深さ（dep）との比（dep／Ｄ）が１．０〜１０の範囲になるようにする、複合成形体の製造方法。 （もっと読む）

【目的】この発明の目的は、前記の課題を解決して、スパッタ発生の防止や溶接面積の拡大ができるレーザ溶接部材およびレーザ溶接方法を提供する。
【解決手段】電解ニッケル膜８が被覆された銅の下側金属板１の上面に、無電解ニッケル−リンめっき膜９が被覆された銅の上側金属板３を重ね合わせ、所定圧力を負荷した状態で図示しないレーザ光を無電解ニッケル−リンめっき膜９が被覆された上側金属板３の上面より照射する。銅より融点の低い無電解ニッケル−リンめっき膜９にレーザ光を照射することで、スパッタの発生と溶接面積の拡大を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】溶接信頼性を高める。
【解決手段】 母材Ｍ中で、溶接エネルギーを受けて溶融している溶融プールＰに隣接し、且つ溶融プールＰに対して溶接方向前側の領域を含む前側除去領域Ｆｆに、レーザ光を照射して、母材表面の酸化皮膜を形成する粒子を飛散させる。 （もっと読む）

複数のワイヤ（２）を溶接するための方法が提供される。レーザ光源（１）によって、少なくとも２本のワイヤ（２）を互いに溶接し、レーザ光源（１）によって、少なくとも２本のワイヤ（２）を互いに溶接し、溶接前に、溶接される少なくとも1本のワイヤ（２）を、高温ガス流によって、アニーリングに晒し、および／または、溶接中に、少なくとも１つの生じる溶接箇所（３）を、高温ガス流（４）によって、アニーリングに晒し、および／または、このことに続いて、生じる溶接箇所を、高温ガス流によって、アニーリングに晒す。 （もっと読む）

【課題】種々の材料品質および／または厚さを有する少なくとも２つのシート状金属ストリップを長手方向縁部に沿って連続プロセスで互いに溶接する方法を、比較的高レベルの溶接シーム強度が得られるように改善することにある。
【解決手段】本発明は、種々の材料品質および／または厚さを有する少なくとも２つのシート状金属ストリップが、長手方向縁部に沿って連続プロセスで互いに溶接される構成の注文仕様のシート状金属ストリップの製造方法に関する。この方法により製造されるシート状金属ストリップが比較的高レベルの溶接シーム強度が得られるようにするため、溶接すべきシート状金属ストリップとして、未コーティングのシート状金属ストリップが使用されること、および溶接により未コーティングのシート状金属ストリップから形成された注文仕様のシート状金属ストリップが次にコーティングされることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シールガスを使用することなく酸化皮膜を減少し得るレーザ溶接技術に関し、シールガスの使用によって生じるコストアップおよび溶接作業の作業効率の低下を防止し得るレーザ溶接方法、レーザ溶接装置、および溶接部材を提供する。
【解決手段】レーザ溶接方法は、シールガスを使用せずにレーザ溶接を行うレーザ溶接方法であって、鋼板３００、３１０の溶接軌跡に沿ってレーザを照射することによって鋼板を溶融させて溶接部を形成する第１の照射工程と、第１の照射工程において鋼板に付与された熱量より小さい熱量を付与するレーザを溶接部に対して照射し、溶接部に形成された酸化皮膜を減少させる第２の照射工程と、を有している。 （もっと読む）

【課題】本発明は、施工装置を交換することなく表面処理、熱加工処理の工程を行うことが可能なレーザ加工装置及びレーザ加工方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るレーザ加工装置１は、連続波またはパルス波の熱加工用レーザ光、またはパルス波の表面処理用レーザ光を射出するレーザ発振器３と、前記レーザ発振器３から射出されるレーザ光を光ファイバ５に入射させる入射光学系４と、光ファイバ５から射出されるレーザ光を集光させる集光レンズ６と、集光レンズ６を搭載して処理対象物Ｂの近傍に移動して、処理対象物Ｂの表面にレーザ光を照射する施工装置７と、を備え、前記レーザ発振器３は、熱加工を行う際には前記熱加工用レーザ光を射出し、この熱加工の前処理または後処理を行う際には表面処理用レーザ光を射出することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】貼合せ型の被割断基板のスクライブ予定線に沿って、スクライブ処理を実施した位置の基板の端面近傍の一部分が、スクライブ処理スクライブ処理部分を超えて割断されてしまう事が防止できるスクライブ処理の方法及び装置を提供する。
【解決手段】被割断基板１０の第１面にレーザスクライブ処理をおこなった後、被割断基板の端面近傍の一部分にレーザビームを再照射し、該レーザスクライブ処理領域の端面近傍の一部分を再溶着する。 被割断基板の表面の第１の方向と第２の方向とが交差した部分１１６にレーザビームに再照射し、第１の方向と第２の方向とが交差したスクライブ領域部分を再溶着する。 （もっと読む）

【課題】ニッケル、コバルト系超合金を溶接するＳＷＥＴ溶接に先立って工作物を加熱する装置を提供する。
【解決手段】加熱装置５０は、溶接格納箱の内部に配置された４つのヒータ５２を含む。各ヒータ５２は、溶接位置２６に向けられたランプ５４と、ランプ５４が装着されたヒータ支持体８０とを有する。ヒータ支持体８０は、ランプ５４を溶接位置２６に対して制御自在に接離させるスライダ８２を含む。各ランプ５４は、光出力を有する光源５６と、光源５６の光出力の入射部分を溶接位置２６に向かって反射するように配置された反射面を有する反射鏡６０とを含むのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】誘電体セラミックの表面に形成された導体膜の一部をレーザ加工して除去することにより誘電体セラミックが変質・劣化して低下した特性を、導体膜の酸化や導体膜材料の誘電体セラミックへの拡散などを引き起こすことなく回復させて、所望の特性を備えたセラミック電子部品を効率よく製造できるようにする。
【解決手段】誘電体セラミック（誘電体ブロック）１の表面に形成された導体膜（内導体４の一部領域４ａ）（場合によっては内導体４および／または外導体３の一部）をレーザ加工により除去した後、
酸素濃度：１．０×１０^-15ppm〜１．０×１０²ppm、
熱処理のピーク温度：導体膜に用いられる導電性材料の融点をＡ(Ｋ)とした場合において０．５１Ａ(Ｋ)〜０．８５Ａ(Ｋ)の範囲の温度条件
で熱処理を行い、レーザ加工することによって誘電体セラミック（誘電体ブロック）１が還元されることにより低下した誘電体セラミックの特性を回復させる。 （もっと読む）