【課題】導電性、緻密性及び平滑性に優れた銅層の製造方法及び該製造方法に用いられる還元ガスを提供する。
【解決手段】還元ガスを、ギ酸と、少なくとも１種の多価アルコールとを含んで構成する。また銅層を、絶縁層上に銅酸化物堆積層を形成する工程と、前記銅酸化物堆積層を前記還元ガスを含むガス雰囲気中で加熱処理する工程とを有する製造方法で製造する。 （もっと読む）

【課題】被記録媒体上に、厚膜でも膜割れの発生が抑制された表面抵抗値の低い銅微粒子焼結膜からなる銅パターン膜を形成することができ、かつ分散性が高く、インクジェット印刷適性が良好である上、焼成温度及び／又は焼成時間の低減が可能な銅微粒子分散体を提供する。
【解決手段】平均一次粒径が１〜２００ｎｍの銅微粒子、ポリエーテル構造を有し、重量平均分子量が５００〜５０，０００の範囲にある分散剤、及び分散媒を含有し、かつ、シリコーン系添加剤及び／又はフッ素含有添加剤を０．１〜１．０質量％含有する銅微粒子分散体である。 （もっと読む）

【課題】 表面保護剤や分散剤を含有せず低温で銅配線層を形成できる導電性ペースト用酸化銅粉末と、それを用いた導電性ペースト、その導電性ペーストにより形成される低抵抗の銅配線層を提供する。
【解決手段】 導電性ペースト用酸化銅粉末であって、略針状形状の酸化銅が集まり略毬栗（いがぐり）状、または、放射状に配列した形態を有する導電性ペースト用酸化銅粉末。略針状形状の酸化銅の長辺が２００〜７００ｎｍ、短辺が１０〜１５０ｎｍ、アスペクト比が１．３〜７０であると好ましい。前記導電性ペースト用酸化銅粉末と、有機溶剤を含んで成る導電性ペースト。前記導電性ペーストを用いてパターン印刷し、還元処理することで導体化して得られる銅配線層。 （もっと読む）

【課題】高精度で密着性の高い回路パターン時を有する回路基板を提供する。
【解決手段】窒化物セラミックスからなる基材（セラミックス基板）１１上に第１の金属を析出させ金属富化層１２を形成する工程と、金属富化層１２上に第２の金属を含む金属ナノ粒子１３を供給する工程と、金属ナノ粒子１３を焼成する工程とを含む回路基板の製造方法であって、金属ナノ粒子１３をバルク化する第１の焼成工程と、バルク化された金属ナノ粒子を合金化し合金層１４を形成する第２の焼成工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】ＤＮＡ又はＤＮＡ−脂質複合体を用いた簡易な方法により、基板上に導電性パターンを、画像流れを抑制しながら安定して形成できる電子回路付き基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、ＤＮＡ又はＤＮＡ−脂質複合体を含む溶液を描画することによって電子回路パターンを形成する工程と、前記電子回路パターンが形成された基板を多価金属イオン溶液に浸漬することによって、前記電子回路パターンにおいて、前記ＤＮＡ又は前記ＤＮＡ−脂質複合体と前記多価金属イオンとの錯体を形成する工程と、形成された錯体中の金属イオンを還元することによって、前記電子回路パターンを導電性パターンとする工程と、を有する電子回路付き基板の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】導電性を低下させることなく、基板との密着性が高い導電層を形成可能な銅導体インク、及び導電層と基板との密着性が高く、該導電層の導電性が高い導電性基板を製造し得る製造方法を提供することにある。
【解決手段】銅系ナノ粒子と、熱硬化前の熱硬化性樹脂とを含有する銅導体インクであって、前記熱硬化性樹脂の含有体積が、銅系ナノ粒子を最密充填したときの空隙体積の１／４の体積より大きく、該空隙体積よりも小さい体積である銅導体インクである。また、前記銅導体インクを基板上に塗布し塗布層を形成し、乾燥する工程Ａと、乾燥した塗布層に導体化処理を施し導電層へと変化させる工程Ｂと、前記工程Ａと前記工程Ｂとの間に、又は前記工程Ｂの後に、前記熱硬化性樹脂を熱硬化する工程Ｃと、を含む導電性基板の製造方法である。 （もっと読む）

低温基板上の薄膜を反応性雰囲気中で反応させる方法が開示される。薄膜は、還元性の金属酸化物を含み、反応性雰囲気は、水素またはメタンのような還元性ガスを含む。低温基板は、ポリマー、プラスチックまたは紙であり得る。金属酸化物を金属に還元し、適用可能であれば上記金属を焼結するために高強度ストロボシステムからの複数の光パルスが用いられる。本発明の好ましい実施形態に従って、ガス雰囲気が初めに提供される。次に、低温基板の上部に位置する薄膜の層がガス雰囲気中を通って運ばれる。薄膜の層がガス雰囲気中を移動するときに、上記薄膜の層が複数のパルス電磁放射線に曝露されて、薄膜の層がガス雰囲気と化学的に反応することを可能にする。
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【課題】ビアの開口部から露出する高融点金属からなる導体層に対して銅を主成分とする導体パッドの密着強度を高め、導体パッドの剥離に伴う導通不良等のトラブルが発生し難い信頼性の高いセラミック多層配線基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】セラミック多層配線基板１は、セラミックを主成分とする絶縁層６とタングステン又はモリブデンなどの高融点金属を主成分とする導体層７が交互に積層された積層セラミック基板２と、絶縁層６に形成されるとともに内部に高融点金属からなる導体層７を有するビア８と、絶縁層６の最外層に形成される導体パッド３，４と、積層セラミック基板２の表面に露出するビア８の開口部９を覆うように形成されるニッケルと銅からなる固溶体１１とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 回路基板上の配線溝、ビアホール、コンタクトホール、貫通孔等の凹部又は孔内に容易かつ安価に金属配線を形成する。
【解決手段】 回路基板内の配線溝、ビアホール、コンタクトホール及び貫通孔から選ばれる凹部又は孔に、加熱処理によって金属に還元することができ、還元された金属は導電性を有する金属酸化物からなり、かつ平均１次粒径が２００ｎｍ以下の微粒子を含有する分散体を付与し、次いで、加熱処理することによって凹部又は孔内の金属酸化物を金属に還元することを特徴とする配線回路板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ディジタル動作する電子部品と接続される電源層やグラウンド層で発生する電源電圧変動を防止し不要放射ノイズを広い周波数範囲で抑制する。
【解決手段】絶縁基板２の表面および／または内部に基板のほぼ全面にわたり、絶縁層２ｂを介して電源層５とグランド層６とを形成し、電源層５および／またはグラウンド層６を低抵抗導体層５ａ、６ａと高抵抗導体層５ｂ、６ｂを積層した２層以上の積層体からなり、電源層５とグラウンド層６の少なくとも一方の対向面側に高抵抗導体層５ｂ、６ｂを形成したセラミック配線基板において、低抵抗導体層５ａ、６ａを３０乃至１００質量％のＭｏと、０乃至７０質量％のＷとからなる導体材料にて、高抵抗導体層５ｂ、６ｂを１０乃至７０質量％のＷと、３０乃至９０質量％のＲｅとからなる金属１００質量部に対して、１０乃至４０質量部の絶縁物を含有した導体材料によってそれぞれ形成する。 （もっと読む）

【課題】電源層とグラウンド層間で発生する電源電圧及び不要放射ノイズを広い周波数範囲にわたって簡単な構造で容易に抑制することができる配線基板を提供する。
【解決手段】絶縁基板２の表面に半導体素子４を搭載する搭載面を有し、且つ絶縁基板２の裏面または内部にＣｕ、Ｗ、Ｍｏのうち少なくとも１種を主成分とする導体材料によって形成された電源層５とグランウド層６とが形成されてなる配線基板１であって、電源層５とグラウンド層６のうち少なくとも一方の層の周縁にその内部領域５ａ、６ａよりも高いシート抵抗を有するシート抵抗が０．１Ω／ｓｑ〜１０００Ω／ｓｑであり、内部領域５ａ、６ａよりも高抵抗の導体材料によって形成するか、または孔８、溝９を形成してなる高抵抗領域５ｂ、６ｂを設ける。 （もっと読む）

【課題】銅を含む低抵抗且つ良熱伝導導体からなる大孔径並びに狭間隔のサーマルビアを絶縁基板との同時焼成により形成可能な安価な配線基板を作製する。
【解決手段】酸化アルミニウムを主成分としＭｎをＭｎ₂ Ｏ₃ 換算で２．０〜１０．０重量％の割合で含有する相対密度９５％以上のセラミックスからなる絶縁基板１と、絶縁基板１の表面に搭載される発熱性素子から発生した熱を放熱するために絶縁基板１表面から裏面に貫通するように形成された複数のサーマルビア２を具備する配線基板において、サーマルビア２を銅１０〜６０体積％、タングステン及び／もしくはモリブデンを４０〜９０体積％の割合で含有してなる良熱伝導体によって形成し、且つサーマルビアの最大径を２００μｍ以上、隣接するサーマルビア間の間隔を５０〜３００μｍとする。 （もっと読む）