導電性粉末（Ａ）、有機バインダー（Ｂ）、光重合性モノマー（Ｃ）、光重合開始剤（Ｄ）、及び溶剤（Ｅ）を含有する組成物であって、導電性粉末（Ａ）の配合率が溶剤（Ｅ）を除く組成物中において７５〜９０質量％であり、導電性粉末（Ａ）及び溶剤（Ｅ）を除く組成物のアクリル（メタクリル）当量が８００以下であることを特徴とする、導電回路形成用の光硬化性熱硬化性導電組成物。 （もっと読む）

【課題】基板の反りやうねり等の変形が極めて小さく、銅配線層の接着強度を高く維持すると共に、導体抵抗の上昇が抑制され、めっき性が良好なガラスセラミック配線基板を提供する。
【解決手段】少なくとも、亜酸化銅粉末と、樹脂とを含有する導体ペーストであり、前記亜酸化銅粉末が球状であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 基板であるポリイミドに対して高い密着性を有し、しかも、耐折り曲げ性、耐溶剤性の良好な導電性ペーストを提供すること。
【解決手段】 導電性粉末とバインダー樹脂とを含んだ導電性ペーストにおいて、前記バインダー樹脂がアルミニウム化合物及びシランカップリング剤を含むエポキシ樹脂組成物であることを特徴とする導電性ペーストを採用する。そして、前記エポキシ樹脂組成物は、上記エポキシ樹脂を２重量部〜２０重量部、アルミニウム化合物０．０１重量部〜３．０重量部、上記シランカップリング剤０．０１重量部〜３．０重量部含む樹脂組成物等を用いることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 基板にタングステンもしくはモリブデンを主成分とする配線を形成し、この配線の表面にＣｕメッキを施すようにしたセラミック配線板の製造方法において、配線原料中の金属粉のサイズを大きくすることなく、配線上のＣｕメッキのアンカー効果を大きくする。
【解決手段】 基板１０にタングステンもしくはモリブデンを主成分とする配線１５、１６を形成し、この配線１５、１６の表面にＣｕメッキを施すようにしたセラミック配線板の製造方法において、配線１５、１６の原料として、タングステンもしくはモリブデンからなる金属粉Ｗと無機材料粉Ｍとが混合された混合材料を用意し、この混合材料を基板１０に配設した後、混合材料のうち無機材料粉Ｍをエッチングにより除去することにより、残った金属粉Ｗにより配線１５、１６を形成する。 （もっと読む）

【課題】ウィスカ形成のない、または少ないプリント配線基板用の保護層を提供する。
【解決手段】 （ｉ）少なくとも１つの非導電性基層、（ii）少なくとも１つの銅および／または銅合金層、および（iii）スズ含有層を持つ被覆品において、層（ii）は層（ｉ）と層（iii）との間に位置する被覆品。この被覆品は、スズ含有層（iii）が、少なくとも１種の他の金属を含有する。 （もっと読む）

【課題】銅導体部の欠陥がなく、かつ絶縁体フィルムと下地金属層との密着性に優れ、絶縁信頼性の高い銅皮膜層を形成した２層フレキシブル基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁体フィルム上に乾式めっき法により形成されたクロムの割合が１２〜２２原子％で残部がニッケルのニッケル−クロム合金を主として含有する層厚５〜５０ｎｍの下地金属層と、前記下地金属層上に形成された層厚１０ｎｍ〜１２μｍの銅皮膜層とからなり、その製造方法は、絶縁体フィルムの少なくとも片面に、接着剤を介さずに直接下地金属層を形成し、該下地金属層上に所望の層厚の銅導体層を形成する２層フレキシブル基板の製造方法において、前記絶縁体フィルム上に乾式めっき法によりニッケル−クロム合金を主として含有する下地金属層を形成し、更に、前記下地金属層上に乾式めっき法により銅皮膜層を形成する。 （もっと読む）

【課題】AlN基板を850℃以上の高い温度に曝すこと無くビアを形成する方法及び該方法で使用する金属ペーストを提供する。
【解決手段】窒化アルミニウム基板１に、サンドブラストによって、ビア用の孔４を形成する工程、該孔内に金属ペースト３をスクリーン印刷する工程、次いで、充填された金属ペーストをピーク温度350〜750℃で焼成する工程、を含むことを特徴とするビアの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 セラミックグリーンシートと同時に焼成しても、ビアホール部にクラックなどの構造欠陥が発生することを抑制できる多層セラミック電子部品用導電性ペーストを提供する。
【解決手段】 導電性粉末と、導電性粉末を分散して保持する有機ビヒクルとを含有し、上記導電性粉末は、平均粒径が３μｍ〜２０μｍであり、最大粒径が１００μｍ以下である、Ｎｉ粉末またはＮｉ成分量が５０重量％を超えるＮｉ−卑金属合金粉末である。 （もっと読む）

【課題】誘電損失が低く、高強度、高熱伝導率で、誘電率および熱膨張係数の調整が容易にできるガラスセラミックスを提供する。
【解決手段】ガラスおよび／またはそれが結晶化したマトリックス中に特定の結晶面方向に配向したセラミックフィラーを分散し、該フィラーの配向方向と垂直な面と平行な面で測定されるＸ線回折ピークを比較して、前記フィラーに基づく（ｈｋ０）面および（００ｌ）面（ただし、ｈ≧０、ｋ≧０で、ｈ、ｋの一方が１以上の整数、ｌは１以上の整数）のピークのうち、２つの測定面でのピーク強度の変化が最も大きい特定結晶面のピーク強度Ｉ_(hk0)、Ｉ_(00l)から、ｐ＝Ｉ_(00l)／（Ｉ_(hk0)＋Ｉ_(00l)）で求められる２つの測定面でのｐ₁、ｐ₂の比（ｐ₁／ｐ₂、但しｐ₁＞ｐ₂）が２以上、かつ一方の測定面から０．１ｍｍ研磨した研磨面でのｐ’値との比（ｐ’／ｐ）が０．８以上のガラスセラミックスを配線基板１の絶縁基板２とする。 （もっと読む）