積層板の減少したカールを有する銅張り積層板は４７ｋｓｉ（約３３０４．１ｋｇ／ｃｍ^２）未満の引っ張り強さを有する銅箔を包含する。 （もっと読む）

【課題】 微細配線形成や電気特性、製造コストの上で有利な配線板を提供するものであり、尚且つ信頼性が高く、高周波特性が良好な配線板を提供する
【解決手段】 エポキシ樹脂を必須成分とする接着補助剤の層を金属上に有し、接着補助剤の厚みが0.1〜5μｍである接着補助剤付金属箔である。 （もっと読む）

【課題】近年、高周波対応プリント配線板の配線は低粗度が求められている。しかし、低粗度の金属箔を使用した場合、絶縁樹脂層との密着低下を招き剥離や信頼性低下の要因となる。
また、樹脂と密着性のよい金属で表面処理をすることで密着を高められる。しかし所望の密着強度を得るために処理層を厚くすると電気的接合不良の原因となる。
【解決手段】第一金属層上に、上記金属層の防錆及び絶縁樹脂層との密着を高める少なくとも１層以上の第二金属層をもち、さらに上位に突き出した第一の金属と同種の突起を持つプリント配線板用金属箔を提供する。このプリント配線板用金属箔を用いることで表面粗度が小さくても金属箔と絶縁樹脂層との密着がよく、層間接続時に良好な接続信頼性を実現できる。 （もっと読む）

多層セラミック基板（１１）に備えるビアホール導体（１５）のような配線導体を形成するために用いられる導電性ペーストであって、焼成工程において焼結が生じる温度域を比較的任意に制御することができる導電性ペーストを提供する。金属粉末とガラスフリットと有機ビヒクルとを含有し、金属粉末の粒子表面上には、焼成工程において、多層セラミック基板（１１）に備えるセラミック層（１２）を焼結させ得る焼結温度では焼結しない無機成分が配置され、ガラスフリットは、上記焼結温度より１５０〜３００℃低い軟化点を有する。 （もっと読む）

【課題】誘電体材料の金属層への密着性を改善するプロセスを提供することに関するさらに、本発明は、回路パターン素子からの金属損失を防ぐことに関する。
【解決手段】
（ａ）第１主面を有しパターン形成されていない金属層を提供すること；
（ｂ）該第１主面に微細粗面化を施し、微細粗面化された表面を形成すること；および、
（ｅ）該金属層をエッチングし、該金属層に回路パターンを形成することを含み、
該微細粗面化がエッチングの前に行われ、該微細粗面化された表面が、粗面計の測定で約０．３〜約０．６ミクロンの表面粗さｒ_ａを有する、誘電体材料の金属層への密着性を改善するプロセス。 （もっと読む）

【課題】プリント配線板の総数の削減による薄型化および軽量化を図ったプリント配線板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁層を挟み上下の配線とその配線同士を電気的に接続するビアで形成されるインダクタを内蔵するプリント配線板において、インダクタが存在する部分とその周辺部が異なる樹脂で構成されており、その製造方法は（ａ）インダクタとなる下部配線が形成された第１の絶縁層上に第２の絶縁層を形成する工程（ｂ）インダクタとなる部分の第２の絶縁層をレーザーにより溝を形成し、下部配線を露出させる工程（ｃ）穴開けした部分に、磁性材を含有させた絶縁樹脂を埋め込む工程（ｄ）表面を研磨し、平坦化する工程（ｅ）レーザーにより、ビアを形成する工程（ｆ）上部配線を形成し、ビアで下部配線と電気的接続を施す工程よりなる。 （もっと読む）

【課題】誘電損失が低く、高強度、高熱伝導率で、誘電率および熱膨張係数の調整が容易にできるガラスセラミックスを提供する。
【解決手段】ガラスおよび／またはそれが結晶化したマトリックス中に特定の結晶面方向に配向したセラミックフィラーを分散し、該フィラーの配向方向と垂直な面と平行な面で測定されるＸ線回折ピークを比較して、前記フィラーに基づく（ｈｋ０）面および（００ｌ）面（ただし、ｈ≧０、ｋ≧０で、ｈ、ｋの一方が１以上の整数、ｌは１以上の整数）のピークのうち、２つの測定面でのピーク強度の変化が最も大きい特定結晶面のピーク強度Ｉ_(hk0)、Ｉ_(00l)から、ｐ＝Ｉ_(00l)／（Ｉ_(hk0)＋Ｉ_(00l)）で求められる２つの測定面でのｐ₁、ｐ₂の比（ｐ₁／ｐ₂、但しｐ₁＞ｐ₂）が２以上、かつ一方の測定面から０．１ｍｍ研磨した研磨面でのｐ’値との比（ｐ’／ｐ）が０．８以上のガラスセラミックスを配線基板１の絶縁基板２とする。 （もっと読む）

【課題】 高精度、高機能で薄型化され、パッケージの小型化、低価格を図るようにする。
【解決手段】 耐熱特性や高周波特性を有する有機基材により成形したコア基材５の第１の主面５ａ上にパターン配線層６を形成するとともに最上層に平坦化処理を施して高周波素子層形成面３を形成してなるベース基板部２と、高周波素子層形成面３上に、薄膜技術或いは厚膜技術によって形成され、誘電絶縁層３０を介してベース基板部２側から電源或いは信号の供給を受ける抵抗体２７、キャパシタ２６からなる受動素子を層内に構成した高周波素子層部４とからなる。 （もっと読む）