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Fターム[4E351GG02]の内容

Fターム[4E351GG02]に分類される特許

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【課題】マスクを必要とせず、基板との密着性を有し、かつ、所定の電気的性能を有する導電性パターンを形成しうる、導電性パターン形成方法及び導電性パターン形成システムを提供する。
【解決手段】少なくとも、導電性ポリマーを含有する第1パターン、導電性ポリマー及び金属ナノ粒子を含有し、第1パターンに対して導電性ポリマーの含有比率を減少させ、金属ナノ粒子の含有比率を増加させた第2パターン及び第2パターンに対して導電性ポリマーの含有比率を減少させ、金属ナノ粒子の含有比率を増加させた第3パターンを含み、厚み方向について、基材(1)から導電性ポリマーの含有比率を減少させつつ、金属ナノ粒子の含有比率を増加させた傾斜組成を有する導電性パターン(3,4)を形成する。 (もっと読む)


【課題】配線パターン間にある第一金属層3のエッチング除去の際に発生する第一金属層3のサイドエッチングを防止し、第二金属層のエッチングによる細りに起因する、電気特性の低下およびイオン残渣による信頼性低下を抑えることを可能としたプリント配線板およびその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】
絶縁性基板表面に第一金属層を形成し、形成する配線パターンのネガパターンのレジストパターンを形成し、レジストパターンが無い部分に第二金属層を形成したあと、レジストパターンを除去し、第一金属層と第二金属層を同時にエッチングすることにより、第一金属層を除去する。その様にして形成した配線パターンの側面部を含む全体に第三金属層で被覆してから、絶縁性基板の露出している樹脂部を除去する。 (もっと読む)


【課題】再結晶前後の寸法変化が小さく、かつ寸法変化の異方性が小さい圧延銅箔を提供する。
【解決手段】圧延平行断面から見て、好ましくは、350℃で30分焼鈍前の圧延平行断面から見て、或いは最終冷間圧延後において、圧延平行断面から見て、銅箔表面から厚み方向に1μmの深さの線Cを横切って該表面に到達するせん断帯の本数が、表裏面の合計値で0.1本/μm以下である圧延銅箔である。350℃で30分間焼鈍前、或いは焼鈍後において、再結晶組織の面積率が50%未満(0%を含む)である。最終冷間圧延において、最終5パスの中で前のパスより加工度が高いパスが存在し、当該5パス中のいずれかのパスの最大加工度が40%を超え、かつ最終パスでの加工度が前記5パス中で最小となり、鋳塊を熱間圧延後、冷間圧延と焼鈍とを繰り返し、最後に最終冷間圧延を行って製造され、当該最終冷間圧延の総加工度が98.5%以下である圧延銅箔である。 (もっと読む)


【課題】プリント配線板の配線として用いられたときに、長期の使用によっても配線にクラックが発生しない圧延銅箔、及び、それを用いた銅張積層板、フレキシブルプリント配線板及び電子機器を提供する。
【解決手段】結晶の金属組織の測定点に電子線を照射して得られた結晶方位と、前記測定点の周囲に0.5μm離間して位置する複数の隣接測定点に電子線を照射して得られた結晶方位との方位角度差が2°以上の部位を結晶粒界として前記結晶粒界のΣ値を決定したとき、400℃で1時間の焼鈍後に測定したΣ19以上の結晶粒界の長さの合計が8cm/mm2以下である圧延銅箔。 (もっと読む)


【課題】生産性が高く、且つ、厚み方向への収縮が大きな場合でも、層間接続導体の突き上げを抑制して、基板内部で変形や断線等の発生を低減できる多層セラミック基板及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】平面視で層間接続導体部13と同じ位置であって、且つ、層間接続導体部13の厚み方向の少なくとも一方に、層間接続導体部13と直接に又は第1内部配線層9を介して接触するように、導体と結晶化ガラスとムライトとを含み導電性を有する第2内部配線層11を備える。この結晶化ガラスは、ガラス転移点(Tg)が焼成収縮開始温度より低く、しかも、結晶化温度(Tc)が焼成収縮開始温度より高く且つ焼成収縮開始温度+150℃より低い。 (もっと読む)


【課題】配線板や電池の製造工程における熱履歴において再結晶(結晶成長)が抑制され、抗張力や耐力が過度に低下することなく、配線板や電池用製造工程で必要とする剛性・耐折性を保つ電解銅箔を提供すること。
【解決手段】300μm四方の範囲で、粒径2μm以下の結晶粒個数が20000個以上であり、且つ粒径10μm以上の結晶粒個数が10個未満であり、且つ常態での抗張力が300MPa以上400MPa未満である電解銅箔とする。
この電解銅箔は配線板用、電池用に最適な電解銅箔である。 (もっと読む)


【課題】優れた耐屈曲性を有するフレキシブルプリント基板及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】絶縁基板10と、絶縁基板10の少なくとも一方の主面10a側に設けられる配線回路30とを備えるフレキシブルプリント基板100において、配線回路30は、第1金属結晶粒36を含む第1金属層33と、第1金属層33に隣接し、第2金属結晶粒37を含む第2金属層34とを有し、第1金属層33及び第2金属層34が、絶縁基板10の主面10aに直交する方向に沿って積層される積層体35を備えており、第1金属結晶粒36の平均粒径が第2金属結晶粒37の平均粒径より小さいフレキシブルプリント基板100。 (もっと読む)


【課題】銅箔表面を適度に粗くして取り扱い性を向上し、さらに屈曲性に優れるとともに、表面エッチング特性が良好な圧延銅箔を提供する。
【解決手段】銅箔表面で圧延平行方向に長さ175μmで測定した表面粗さRaと、前記銅箔の厚みtとの比率Ra/tが0.004以上0.007以下であり、200℃で30分間加熱して再結晶組織に調質した状態において、圧延面のX線回折で求めた200回折強度(I)が、微粉末銅のX線回折で求めた200回折強度(I0)に対し、20≦I/I0≦40であり、銅箔表面で圧延平行方向に長さ175μmで、かつ圧延直角方向にそれぞれ50μm以上離間する3本の直線上で、オイルピットの最大深さに相当する各直線の厚み方向の最大高さと最小高さの差の平均値dと、銅箔の厚みtとの比率d/tが0.1以下であり、コンフォーカル顕微鏡で測定したときのオイルピットの面積率が6%以上15%以下である圧延銅箔である。 (もっと読む)


【課題】屈曲性を安定して得られる圧延銅箔を提供する。
【解決手段】200℃0.5時間焼鈍後の (200)面のX線回折ピークの積分強度I(200)と、 (311)面のX線回折ピークの積分強度I(311)との比I(311)/I(200)が0.001以上0.01以下である圧延銅箔である。 (もっと読む)


【課題】折り曲げ加工性に優れたフレキシブルプリント配線板用銅箔、及び、それを用いた銅張積層板、フレキシブルプリント配線板及び電子機器を提供する。
【解決手段】結晶方位が001方位を中心に10°の範囲にある面積Aの割合が10%以上である断面を有するフレキシブルプリント配線板用銅箔。 (もっと読む)


【課題】両面銅張積層板を製造する際に、折れを抑制することができる両面銅張積層板用圧延銅合金箔、及びそれを用いた両面銅張積層板の製造方法を提供する。
【解決手段】添加元素としてAgを50〜300質量ppm含み、残部がJIS−H3100-C1100に規定するタフピッチ銅、又はJIS−H3100-C1020に規格する無酸素銅からなる銅合金箔であって、150℃で30分間の焼鈍を施したときに圧延方向のヤング率が90〜120GPaとなり、350℃で30分間焼鈍を施したときに圧延方向のヤング率が60〜75GPaとなる両面銅張積層板用圧延銅合金箔4である。アプリケーションロール10、11等を用いて、片面にワニス状の樹脂組成物2aを塗布し、乾燥装置15で硬化させた、両面銅張積層板用圧延銅合金箔4に対し、コイル状の第2の銅箔6を連続的に巻出し、加熱されたラミネートロール20、21の間に連続的に通箔し製造する。 (もっと読む)


【課題】ダンピング抵抗に破断が発生することがなく、搭載する半導体素子を常に正常に作動させることが可能な配線基板を提供すること。
【解決手段】絶縁層1bの表面に、半導体素子の電極または電気回路基板が接続される接続面3dを有する複数の接続パッド3を具備して成る配線基板であって、接続パッド3の一部は、絶縁層1bの側に配置された体積抵抗率が100μΩ・cm以下の低抵抗材料から成る主導体層3aと接続面3dの側に配置された体積抵抗率が10Ω・cm以上の高抵抗材料から成る抵抗体層3bとが積層されて成り、抵抗体層3bが接続面3dと主導体層3aとの間に電気的に直列に接続されている。 (もっと読む)


【課題】セラミック、ガラス、樹脂などの素体に対し、金属膜を接合形成する際、簡便さと接合信頼性とを両立させることが問題となっていた。
【解決手段】多数の孔部を有する多孔質金属めっき膜と、前記孔部に充填されたガラス成分と、を備える金属膜を用意し、これを素体に加熱接着すればよい。 (もっと読む)


【課題】 セラミック焼結体と金属配線層とを強固に接合することができるとともに、電子部品の動作によって生じる熱や動作の繰り返しによる冷熱サイクルによって、セラミック焼結体と金属配線層とが剥離することが少なく、長期間にわたって使用可能な信頼性の高い回路基板およびこの回路基板に電子部品を搭載してなる電子装置を提供する。
【解決手段】 セラミック焼結体11の少なくとも一方主面に金属配線層12を備えた回路基板10であって、金属配線層12の任意の断面において、空孔の平均径が2μm以上10μm以下であり、空孔の平均面積占有率が1面積%以上4面積%以下であり、空孔の平均重心間距離が7μm以上15μm以下の回路基板10である。 (もっと読む)


【課題】半導体素子の接合強度の低下が抑制されたセラミックス配線基板を提供する。
【解決手段】セラミックス配線基板10は、セラミックス基板11とその上に形成された配線層12とを具備する。配線層12は、セラミックス基板11の表面に順に積層された下地金属層15、第1の拡散防止層16および第1のAu層17を有する配線部13と、配線部13上の所望の位置に順に積層された第2の拡散防止層19、空孔抑制層20および半田層18を有する接続部14とを備える。空孔抑制層20はAuやAuを85質量%以上含むAu−Sn合金により構成される。 (もっと読む)


【課題】銅−コバルト−ニッケル合金めっきからなる粗化処理を施した銅箔と液晶ポリマーを貼り合わせた銅張積層板において、銅箔回路エッチング後に液晶ポリマー樹脂表面上の粗化粒子残渣のない、銅張積層板を提供する。
【解決手段】銅箔と液晶ポリマーを貼り合わせた銅張積層板であって、当該銅箔は液晶ポリマーとの接着面に、銅の一次粒子層と、該一次粒子層の上に、銅、コバルト及びニッケルからなる3元系合金からなる二次粒子層とが形成されており、該一次粒子層の平均粒子径が0.25−0.45μmであり、該二次粒子層の平均粒子径が0.05−0.25μmである銅張積層板。 (もっと読む)


【課題】金属粒子を含む導電層を有すものであって高温放置後の剥離強度の低下が小さいプリント配線板用基板、およびそのプリント配線板用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】このプリント配線板用基板は、絶縁性基材10と、この絶縁性基材10に金属粒子22Aを積層して形成された第1導電層と、この第1導電層に積層された第2導電層とを含む。第1導電層の金属粒子22Aは、この金属粒子22Aの酸化を抑制する酸化抑制剤30により被覆されている。 (もっと読む)


【課題】本発明は、接合材料を微細ピッチで供給し電気的な接続が可能な電子部材を提供することを目的とする。
【解決手段】回路基板に設けられた一つ以上の接続端子に対して、電子部材に設けられた一つ以上の電極が接合層を介して電気的に接合され、前記接合層は焼結銀を主体として構成され、前記接合層と接していない電極表面の全面あるいは一部が酸化銀の粗化層であり、当該酸化銀の粗化層の厚さは400nm以上5μm以下であり、前記酸化銀の層の最表面は1μmより小さい曲率半径となっていることを特徴とする電子部品。 (もっと読む)


【課題】銅張積層板に用いたときに曲げ性に優れた銅箔及びそれを用いた銅張積層板を提供する。
【解決手段】厚み5〜30μm、350℃で0.5時間焼鈍後のI(220)/I(200)が0.11以下で、かつ350℃で0.5時間焼鈍後の加工硬化指数が0.3以上0.45以下の銅箔である。 (もっと読む)


【課題】電子部品の損傷を防止することができ、電子部品と配線との接続部位における電気抵抗を軽減して導電特性を改善することが可能であり、さらにはIC端子と樹脂絶縁層との密着性をも高め得る、電子部品内蔵基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板20の上に、電子部品1等を載置し、その上に絶縁層31を設けた後、電子部品1の端子2上の絶縁層31にビアホールVを穿設する。電子部品1の端子2は、例えば、第1金属層201、第2金属層202、及び第3金属層203の積層構造を有している。ビアホールVの形成時には、電気抵抗が比較的高い第3金属層203の一部を除去し、その部位にビア導体を含む配線層を接続する。また、第3金属層203は、絶縁層31との密着性に優れるものを用いることが好ましい。 (もっと読む)


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