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Fターム[4E351GG03]の内容

Fターム[4E351GG03]に分類される特許

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【課題】導電材の分散性が良好で、柔軟性および導電性に優れた柔軟導電材料の提供。
【解決手段】柔軟導電材料は、マトリクスと、該マトリクス中に分散される導電材と、を有する。該マトリクスは、第二ポリマーと架橋可能な置換基X、導電材と親和性を有する官能基Yを有し、アクリル酸、メタクリル酸、およびこれらの塩、エステル、ポリブタジエン、ポリイソプレン、ウレタンプレポリマー、ポリエーテル、ポリエーテルアミン、ポリアミン、ポリオール、ポリチオールから選ばれる一種の構成単位A,Cを含む下記式で表されるポリマーから選ばれる一種以上であり、該導電材の分散機能を有する第一ポリマーと、該第一ポリマーと架橋可能な第二ポリマーと、が架橋されてなる。


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【課題】銅箔表面を適度に粗くして取り扱い性を向上し、さらに屈曲性に優れるとともに、銅箔の取り扱い時に表面にキズが生じ難く、表面エッチング特性が良好な圧延銅箔を提供する。
【解決手段】表面粗さRaと、銅箔の厚みtとの比率Ra/tが0.004以上0.007以下であり、集束イオンビームを用い、銅箔の圧延平行方向に沿う長さ25μmの断面を作製し、該断面の走査イオン顕微鏡像を観察したとき、銅箔の厚み方向へのせん断帯の到達深さのLsの平均値Lsaが、銅箔の厚みtに対し、0.01≦Lsa/t≦0.4の関係を満たす圧延銅箔である。 (もっと読む)


【課題】高い信頼性を実現し得る半導体装置、及び、半導体素子が搭載される配線基板を提供する。
【解決手段】半導体装置は10、絶縁性基板121と、縁性基板121の第1の主面121a上に形成される配線層122と、配線層122上に搭載される半導体素子14と、を備える。この半導体装置10において、配線層122は、銅と、銅より熱膨張係数が小さい金属とを含む第1の銅含有材料から構成されており、第1の銅含有材料の熱膨張係数は、銅の熱膨張係数より小さい。また、絶縁性基板121の第1の主面121aと反対側の第2の主面121b上に形成される放熱層123と、放熱層123を介して絶縁性基板121と接合されるヒートシンク16とを備える。この放熱層123は、銅を含む第2の銅含有材料から構成される。 (もっと読む)


【課題】貫通孔と貫通導体との間の隙間を抑制することができる配線基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】上面から下面にかけて貫通する貫通孔2を有する絶縁板1と、貫通孔2内に配置され、側面が貫通孔2の内側面に接している貫通導体3とを備え、貫通導体3は、金属粒子が焼結して形成されているとともに、その焼結の温度で収縮しない導電性粒子4を含有している配線基板である。導電性粒子4によって焼結時の貫通導体3(金属ペースト)の収縮量を抑制し、貫通導体3と貫通孔2との間に隙間が生じることを抑制できる。 (もっと読む)


【課題】可撓性回路基板において配線を形成した場合にも、曲率半径の小さな繰り返し屈曲を伴うような過酷な使用条件下で優れた耐久性を示す銅箔、銅張積層板、可撓性回路基板、及び銅張積層板の製造方法を提供する。
【解決手段】Mnを0.001質量%以上0.4質量%以下含有し、不可避不純物と残部のCuとを有した銅箔であり、銅の単位格子の基本結晶軸<100>が、該銅箔の厚さ方向と箔面内に存在するある一方向との2つの直交軸に対して、それぞれ方位差15°以内の優先配向領域が面積率で60%以上を占める銅箔、これを用いた銅張積層板及び可撓性回路基板、並びに銅張積層板の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】クラック、断線、短絡等の発生が防止された、信頼性の高い導体パターンを備えた信頼性の高い配線基板を効率よく製造することのできる製造方法を提供すること。
【解決手段】セラミックス材料とバインダーとを含む材料で構成され、少なくとも表面付近の一部に酸または塩基を含むシート状のセラミックス成形体15を用意するセラミックス成形体用意工程と、前記セラミックス成形体15の酸または塩基を含む領域に、金属粒子と有機成分とを含む導体パターン形成用インク200を液滴吐出法により吐出して、導体パターン前駆体10を形成する導体パターン前駆体形成工程と、複数の前記セラミックス成形体15を積層して積層体17を得る積層工程と、前記積層体17を焼結して、導体パターン20およびセラミックス基板31とを有する配線基板32を得る焼成工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】フレキシブル回路基板において、屈曲させられる部分における柔軟性および耐屈曲特性を高くしながら、フレキシブル回路基板の製造に用いられる積層体のハンドリング性を向上させる。
【解決手段】フレキシブル回路基板の製造方法では、始めに、絶縁層2と、配線層を構成する金属の多結晶体よりなり絶縁層2の第1の面2a上に配置された導体層とを含む積層体を作製する。次に、導体層をパターニングして予備配線層31を形成する。次に、予備配線層31の少なくとも一部を加熱する。これにより、予備配線層31の少なくとも一部における金属の結晶粒の、予備配線層31の厚み方向についての最大長の平均値が、加熱前よりも大きくなって予備配線層31が配線層になる。 (もっと読む)


【課題】コイルの磁気特性を改善し効率を向上することができるコイル内蔵基板を提供する。
【解決手段】積層方向から透視すると、第1のコイル要素32a〜32dが互いに重なり合う外コイル領域32の内周より内側において、第2のコイル要素34a〜34dが互いに重なり合う。空隙部40は、積層方向に透視すると第2のコイル要素34a〜34dが互いに重なり合う内コイル領域34の内周と外コイル領域32の外周との間に環状に延在し、コイル要素34b,34cの一部が露出するように形成される。第1及び第2のコイル要素32a〜32d,34a〜34dが有する一定の線幅をA、空隙部40の幅をBとすると、1.5≦B/A≦2.0である。空隙部40の個数は、第1のコイル要素32a〜32dと第2のコイル要素34a〜34dの合計個数の半分より少ない。 (もっと読む)


【課題】従来の回路基板では、品質を向上させることが困難である。
【解決手段】金属粒子を含む液状体をグリーンシートに塗布することによって、前記グリーンシートに前記液状体で回路パターンを描画する描画工程S1と、前記描画工程S1の後に、前記回路パターンに光を照射する光照射工程S2と、前記光照射工程S2の後に、前記回路パターンに他の前記グリーンシートを重ねて積層体を形成する積層工程S3と、前記積層工程S3の後に、前記積層体を加圧する加圧工程S4と、前記加圧工程S4の後に、前記積層体を焼成する焼成工程S5と、を有する、ことを特徴とする回路基板の製造方法。 (もっと読む)


【課題】 基板の接続面に垂直及び水平方向の衝撃が加えられても、十分に優れた落下強度を実現することが可能な端子構造及び電子デバイスを提供すること。
【解決手段】 金、銀及び銅から選ばれる少なくとも一種の金属を含む導体層40、導体層の上にニッケル及びリンを含む第一の層52、第一の層の上に第一の層よりもリンに対するニッケルの原子比が小さく、かつNiPを含む第二の層54、第二の層の上にNi−P−Sn系の第一の金属間化合物を含む第三の層56、並びに第三の層の上にNi−Cu−Sn系の第二の金属間化合物を含む第四の層58、が積層された端子12と、端子の第四の層の上にはんだ層75と、を備える端子構造14であって、第三の層の第二の層側の表面粗さをRa1とし、第三の層の第四の層側の表面粗さをRa2とするときに、Ra2がRa1よりも大きい端子構造14、及び当該端子構造を備える電子デバイス300。 (もっと読む)


【課題】熱や経時による回路配線の軟化現象を抑え、耐久性を高めるとともに、脆性を改善し、クラックの発生を抑えた配線回路基板を提供する。
【解決手段】基板の絶縁層1上に、金属皮膜からなる回路配線2を備えた配線回路基板であって、上記回路配線2が、三層以上の銅系金属皮膜の積層体からなり、その最下層2aおよび最上層2cを構成する銅系金属皮膜の常温での抗張力が100〜400MPaであり、最下層2aと最上層2cとの間に介在する層(中間層2b)を構成する銅系金属皮膜内の常温での抗張力が700〜1500MPaである。 (もっと読む)


【課題】 BaTiを主結晶相とするセラミック体に対する、導電層の接合強度が比較的高い、導電層付きセラミック体を提供する。
【解決手段】 セラミック体の表面に導電層が接合された、導電層付きセラミック体であって、前記セラミック体は、BaTiを主結晶相とし、前記導電層は、AgまたはCuを主成分とし、ガラス成分にSiおよびBiを含み、前記導電層と前記セラミック体との境界部分に、Biを主成分として含むとともに、TiおよびOを含有する接合領域が形成されていることを特徴とする導電層付きセラミック体を提供する。 (もっと読む)


【課題】 伸縮可能であって、伸長時にも電気抵抗が増加しにくいことに加えて、配線の酸化等による劣化が少なく耐久性に優れた柔軟配線体を提供する。
【解決手段】 柔軟配線体1は、エラストマー製の基材10と、基材10に配置されエラストマーおよび金属フィラーを含む配線11と、を備える。基材10の該エラストマーおよび配線11の該エラストマーは、硫黄、硫黄化合物、有機過酸化物のいずれも含まない。柔軟配線体1は、さらに、エラストマー製のカバーフィルム12を備えてもよい。カバーフィルム12は、配線11を覆うように配置される。カバーフィルム12の該エラストマーは、硫黄、硫黄化合物、有機過酸化物のいずれも含まない。 (もっと読む)


【課題】FCCL製造時の取扱いが容易で、FCCLに加工後の屈曲特性および取り扱い性にも優れるFCCLの製造に適した銅箔を提供する。
【解決手段】フレキシブル銅張積層板用の銅箔において、圧延方向に対して、0度方向(度は銅箔の長さ方向と成す角度、以下同様)のヤング率が80〜150GPaであり、360℃×6分間の熱処理を行った後の0度および90度方向のヤング率が25〜80GPa、該熱処理後の45度方向のヤング率が80〜150GPaである銅箔。 (もっと読む)


【課題】環境負荷が小さく低コストで、150℃以上の高温下で長時間使用しても接続信頼性を維持できる電子装置の製造方法を提供する。
【解決手段】電子装置のはんだ接続部1において、基板5の電極となるCu層上にNiめっき層3が形成され、はんだボールを構成し、かつ室温から200℃においてCu6Sn5相を含有するSn系はんだ8との間に化合物層2を有する。化合物層2はCu6Sn5相がNiめっき上に析出あるいは移動してバリア層を形成し、界面反応を抑制する。 (もっと読む)


【課題】導電性ペースト内の導体粉末の二次粒子の直径に影響を受けることなく高精細な印刷が可能であり、かつ焼成時の基板反りを小さく抑えたセラミック多層回路基板を得ることのできる導電性ペーストおよびセラミック多層回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のセラミック多層回路基板の製造方法は、導電性ペーストを焼成して配線を形成する工程を含むセラミック多層回路基板の製造方法であって、配線を形成する工程に用いられる導電性ペーストは導体と分散剤とを含み、導体の含有量は、導電性ペースト全重量に対して60重量%以上90重量%以下であり、導体に対する分散剤の含有量が0.1重量%以上3.0重量%以下であって、上記導体は、電性ペーストにおいて二次凝集体を形成していることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】電子部品の構造欠陥を抑えることが可能な導電性ペーストおよびこの導電性ペーストから形成される内部電極層を有する電子部品の製造方法を提供すること。
【解決手段】金属粒子と、溶剤と、樹脂と、第1共材と、第2共材と、第3共材と、を含み、前記第1共材、第2共材および第3共材の焼結開始温度が前記金属粒子の焼結開始温度よりも高く、前記第1共材の平均粒径をa、第2共材の平均粒径をb、第3共材の平均粒径をcとした場合、a、bおよびcは所定の関係式を満たすことを特徴とする導電性ペースト。 (もっと読む)


【課題】ヒートサイクルを繰り返しても、基板の割れや、配線パターンの剥離を生じない大電力用銅配線パターンの形成されたセラミック配線基板を提供することを目的とする。
【解決手段】セラミック基板と前記セラミック基板上に形成された銅層とを含み、前記銅層における銅の平均粒子半径が10μm以上であるセラミック配線基板。 (もっと読む)


【課題】複合箔に発生したカールを油分の付着や擦り傷等のダメージを与えずに矯正する方法とカールが矯正された複合箔を提供することを目的とする。
【解決手段】上記課題の解決を目的として、当該複合箔がキャリア銅箔/有機剥離層/極薄電解銅箔の3層構造を有するキャリア銅箔付極薄電解銅箔であり、当該複合箔を加熱処理することを特徴とする複合箔のカール矯正方法と、この方法により得られた複合箔及び複合箔積層板を採用した。 (もっと読む)


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