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Fターム[4G001BA09]の内容

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Fターム[4G001BA09]に分類される特許

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【課題】安価でありながら、十分な耐久性を安定して確保することができるスターター用転がり軸受を提供する。
【解決手段】スターターのピニオン軸6を支持する転がり軸受1は、内輪21と、外輪22と、内輪21と外輪22との間の環状領域に配置された転動体23とを備え、内輪21、外輪22および転動体23のうちの少なくとも一つの軸受要素は、Si6−ZAl8−Zの組成式で表され、0.1≦Z≦3.5を満たすβサイアロンを主成分とし、残部不純物からなる焼結体から構成される。 (もっと読む)


【課題】高周波領域における低い誘電損失と高い熱伝導率を有する低損失緻密質誘電体材料、その製造方法及び部材を提供する。
【解決手段】窒化ケイ素を主体とし、アルカリ土類金属元素化合物、周期律表第3a族化合物、及び不純物的酸素を含有する窒化ケイ素質焼結体からなり、該焼結体の粒界が結晶化され、かつ2GHzと3GHzにおける誘電損失が5×10−4以下であり、熱伝導率が50W・m−1・K−1以上であり、気孔率が3%未満の高周波用低損失緻密質誘電体材料、その製造方法及び部材。
【効果】半導体ないし液晶製造装置において、主にマイクロ波などの高周波を使用してプラズマを発生させる装置に用いられる高熱伝導・低誘電損失の高周波用緻密質誘電体材料及び部材を提供することができる。 (もっと読む)


【課題】必ずしも接触部を熱処理にて硬度を高める必要が無く、摩擦抵抗を減らすことで、金属同士の凝着、摩耗を抑制し、さらに継手効率の向上を図ることができ摺動型等速自在継手を提供する。
【解決手段】円筒状の内径面に複数の直線状のトラック溝を軸方向に形成した外側継手部材と、球面状の外径面に複数の直線状のトラック溝を軸方向に形成した内側継手部材と、外側継手部材のトラック溝と内側継手部材のトラック溝との間に介在してトルクを伝達するボールと、外側継手部材の内径面と内側継手部材の外径面との間に介在してボールを保持するケージとを備えた摺動型等速自在継手である。ケージを、Si6−ZAl8−Zの組成式で表され、0.1≦z≦3.5を満たすβサイアロンを主成分とする焼結体にて構成した。 (もっと読む)


【課題】安価でありながら、十分な耐久性を安定して確保することができるファンクラッチ用転がり軸受を提供する。
【解決手段】入力側回転部材に相当するドライブディスク18は、粘性流体を介して出力側回転部材に相当するケース10にトルクを伝達する。このドライブディスク18を回転自在に支持するファンクラッチ用転がり軸受1であって、内輪21と、外輪22と、内輪21と外輪22との間の環状領域に配置された転動体23とを備え、内輪21、外輪22および転動体23のうちの少なくとも一つの軸受要素は、Si6−ZAl8−Zの組成式で表され、0.1≦Z≦3.5を満たすβサイアロンを主成分とし、残部不純物からなる焼結体から構成される。 (もっと読む)


【課題】窒化けい素セラミックス基板を用い、パワーモジュールのリーク電流の発生を抑制し、大電力化、大容量化した場合でも絶縁性、動作の信頼性を大幅に向上させることのできるパワーモジュールを提供する。
【解決手段】厚さ1.5mm以下の窒化けい素焼結体表面に幅が1μm以上のマイクロクラックがなく、幅が1μm未満のサブミクロンクラックが単位面積100μm当たりに0〜2個である窒化けい素焼結体から成り、一定条件下での電流リーク値が420nA以下、熱伝導率が50W/m・K以上、3点曲げ強度が500MPa以上、残留炭素含有量が500ppm以下である窒化けい素セラミックス基板2に金属回路板を設け、半導体素子を搭載してなるパワーモジュールであり、窒化けい素セラミックス基板2は、粒界相中における結晶化合物相の割合が20%以上であり、MgをMgOに換算して0.5〜3.0質量%含有する。 (もっと読む)


【課題】 高い熱伝導率を有し、しかも切削加工性の良い窒化アルミニウム焼結体を提供する。
【解決手段】 硬度が21000Pa、平均粒径が4〜9μmの窒化アルミニウム結晶粒を有する窒化アルミニウム焼結体であり、上記焼結体は、窒化アルミニウム結晶粒の三重点に、平均粒径が0.5〜2μmであり、好ましくは、Yを単一化合物として有する焼結助剤含有相を、焼結体中におけるYの割合が 1.4〜3.5質量%となる割合で有する。 (もっと読む)


【課題】窒化アルミニウム系焼結体の表面に、高い密着強度を有する酸化アルミニウム層を高い酸化レートで形成するための方法を提供することを目的とする。
【解決手段】酸素分圧が0.0001〜0.01MPa、水蒸気分圧が0.001MPa以上の雰囲気に調整された条件下において、窒化アルミニウム系焼結体を1000〜1500℃の温度範囲で熱処理することにより、その表層を酸化させて酸化アルミニウム層を形成させるための熱処理工程を備える製造方法を用いる。 (もっと読む)


【課題】耐摩耗性が高く、かつ耐欠損性を改善した窒化珪素質焼結体を提供する。
【解決手段】窒化珪素を主体として、RE元素化合物(ただし、REはイットリウムまたは希土類元素の少なくとも一方の元素)とマグネシウム化合物とを含む窒化珪素質焼結体の表面に、前記RE元素の含有比率は前記窒化珪素質焼結体の内部における含有比率に対して5%の範囲内で一定であり、かつ前記マグネシウム元素の含有比率は前記窒化珪素質焼結体の内部における含有比率に対して5%よりも少ない表面領域が存在する窒化珪素質焼結体である。 (もっと読む)


【課題】高強度で反りが適正に調整された窒化珪素基板及びその製造方法並びにそれを使用した窒化珪素回路基板及び半導体モジュールを提供する。
【解決手段】窒化珪素原料粉に、酸化マグネシウムを3〜4重量%、少なくとも1種の希土類元素の酸化物を2〜5重量%を合計5〜8wt%になるように配合し、シート成形体とし、焼結した後、複数枚重ねた状態で0.5〜6.0kPaの荷重を印加しながら1550〜1700℃で熱処理することにより、β型窒化珪素と、イットリウム(Y)と、マグネシウム(Mg)を含有し、表面におけるMg量の分布を示す変動係数が0.20以下であり、反りが2.0μm/mm以下の窒化珪素基板を製造する。 (もっと読む)


【課題】塗着効率を損なうことなく、火花放電や絶縁破壊を抑制することが可能な静電塗装用回転霧化頭及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】以下の構成を備えた静電塗装用回転霧化頭及びその製造方法。(イ)少なくとも放出端は、焼結温度T1、電気比抵抗ρ1の絶縁性セラミックスと、焼結温度T2(T1<T2)、電気比抵抗ρ2(ρ1>ρ2)の導電性セラミックスとの複合体からなる。(ロ)導電性セラミックス含有量は、9〜11wt%である。(ハ)絶縁性セラミックスの平均粒径(D1)は、0.5〜10μmである。(ニ)導電性セラミックス/絶縁性セラミックスの粒径比(D2/D1)は、1/800〜1/5である。(ホ)静電塗装用回転霧化頭は、抵抗値が106〜1012Ωである。(ヘ)絶縁性セラミックス粒子の周囲に、導電性セラミックス粒子が0.1〜2.0μmの間隔で不連続に分散し、導電パスを形成している。 (もっと読む)


【課題】焼結体の粒子体積とアスペクト比を最適化することで耐摩耗性に優れた窒化けい素セラミックスを提供する。
【解決手段】窒化けい素の粒子に焼結助剤を加えて成型体とし、その成型体を焼結して得られる窒化けい素系セラミックスにおいて、焼結後の窒化けい素の粒子のアスペクト比を1.8以上、かつ粒子体積を0.1μm3以下としたものである。 (もっと読む)


【課題】 高熱伝導性で、優れた精密加工性を持ち、シリコンに近い熱膨張を示す半導体素子の検査に用いるプローブ案内部材を提供する。
【解決手段】 窒化ホウ素37〜44質量%、窒化アルミニウム54〜60質量%、イットリアを含む焼結助剤1〜4質量%かつ相対密度92%以上のBN−AlN複合焼結体を用いるプローブ案内部材。熱伝導率70W/mK以上、熱膨張係数2.5〜3.5ppm/K、ショア硬度45〜58であるプローブ案内部材。 最大粒径10μm以下の窒化アルミニウム、GI値3〜10の窒化ホウ素、イットリア1〜3質量%及びアルミナ3質量%以下(0質量%を含む)の原料を用いて、圧力10〜30MPa、温度1,750〜1,900℃、保持時間1〜3時間のホットプレス焼成を用いるプローブ案内部材の製造方法。 (もっと読む)


【課題】銃弾,砲弾等の飛翔体の貫通性能が飛躍的に高くなっているが、それらに対して、十分に防護できる防護部材を提供する。
【解決手段】受衝部2をセラミックスで構成し、受衝部2の裏面側に位置する基部3を受衝部2より熱膨張係数の低い材質で構成した防護部材1とすることにより、基部3には圧縮力がかかった状態が維持されるため、着弾した銃弾や砲弾の貫通を阻止する性能が向上する。また、受衝面2aで発生したクラックの進行は、基部3との境界で止められるため、前記両材質の特性が十分に発揮され、相乗効果により防護性能を高くすることができる。 (もっと読む)


【課題】表面積が広く薄肉の窒化アルミニウム成形体、あるいは複雑形状の窒化アルミニウム成形体を製造する場合であっても、流動性が高く、脱脂性に優れ、グリーン成形体を作製した場合に保形性が良好である射出成形用窒化アルミニウム組成物を提供すること。
【解決手段】下記条件(1)および(2)を満たす窒化アルミニウム粉末100重量部、エチレン・酢酸ビニル共重合体3〜15重量部、ワックス3〜12重量部、および高級脂肪酸0.5〜5重量部を含有することを特徴とする射出成形用窒化アルミニウム組成物。
(1)D90/D10≦3.5
(2)D50≦1.0μm
〔D90は、窒化アルミニウム粒子の粒度分布における累積体積%が90%のときの粒子径であり、D10は、窒化アルミニウム粒子の粒度分布における累積体積%が10%のときの粒子径であり、D50は、窒化アルミニウム粒子の粒度分布における累積体積%が50%のときの粒子径である。〕。 (もっと読む)


【課題】炭化珪素焼結体本来の優れた特性を保持しながら炭化珪素単相の焼結体よりも良好な加工性を示し、優れたセラミックス構造材料となりうる炭化珪素/窒化硼素複合材料焼結体、および炭化珪素/窒化硼素複合材料焼結体の新たな製造方法を提供する。
【解決手段】上記焼結体は、炭化珪素55〜92質量%、六方晶窒化硼素5〜35質量%ならびに焼結助剤等を3〜25質量%の割合で含有し、酸素不純物含有量が0.2質量%以下であり、曲げ強度が400MPa以上である。上記製造方法は、炭化珪素粉末および六方晶窒化硼素粉末を含む混合粉末を焼成する前に真空または不活性雰囲気中1450〜1650℃の温度で熱処理する工程を備える。 (もっと読む)


【課題】窒化アルミニウムからなる物体の体積比抵抗を低減する方法及び静電チャックを提供する。
【解決手段】窒化アルミニウムからなる物体の体積比抵抗を、アルゴンからなる雰囲気のような、窒素が不足している雰囲気中で少なくとも約1000℃の浸漬温度にその物体を曝すことにより低減される。物体は、多結晶質体のような緻密化された物である。静電チャックはチャック体内に電極12を有する。電極12の第1の面14における、チャック体の第1の部分20は約23℃で約1×1013ohm・cmより小さい体積比抵抗を有する。電極12の第2の面16における、物体の第2の部分22は、第1の部分20と1桁違う大きさの範囲内の体積比抵抗を有する。 (もっと読む)


【課題】 高い耐欠損性と耐摩耗性を有する切削工具を提供する。
【解決手段】 希土類金属(RE)をRE換算量で0.1〜3質量%、アルミニウム(Al)をAl換算量で0〜0.6質量%、マグネシウム(Mg)をMgO換算量で0〜1質量%、酸素を0〜2.5質量%の割合で含有する窒化珪素質焼結体からなる基体の表面に、Ti1−a−b−c−dAlSi(C1−x)(ただし、MはNb、Mo、Ta、Hf、Yから選ばれる1種以上であり、0.45≦a≦0.55、0.01≦b≦0.1、0≦c≦0.05、0.01≦d≦0.1、0≦x≦1である。)の被覆層が被着形成されている切削工具である。 (もっと読む)


【課題】 高強度高靱性化を図ることができるとともに、放熱性を向上することができる窒化珪素質焼結体およびその製法ならびに回路基板を提供する。
【解決手段】 β−Siおよびβ−サイアロンのうち少なくとも1種の結晶粒子1と粒界相3とからなる窒化珪素質焼結体であって、結晶粒子1内に、該結晶粒子1の他の部分よりもAl存在量が多いAl多領域5を有するとともに、Al多領域の平均径が2μm以上であり、かつAlを全量中0.053〜0.422質量%含有すること、望ましくは0.159〜0.238質量%含有することを特徴とする。これにより、焼結体の強度と靱性を向上できるとともに、焼結体の熱伝導率を高くすることができ、放熱性を向上できる。 (もっと読む)


【課題】焼結条件を変更することなく炭化ケイ素焼結体の高密度化を実現する。
【解決手段】本願発明の発明者は、鋭意研究を重ねた結果、炭化ケイ素粉末と燃結助剤を含むスラリーにフェノールを添加することにより、焼結条件を変更することなく炭化ケイ素焼結体の高密度化を実現できることを知見した。具体的には、発明者は、炭化ケイ素粉末重量の8〜16%の範囲内のフェノールを添加することにより、炭化ケイ素焼結体の密度が上がり、プラズマ耐性が10〜80%の範囲内向上することを知見した。これは、スラリーにフェノールを添加することにより、焼結性が向上し、燃結助剤によってガラス相が生成されることにより、炭化ケイ素焼結体中の気孔率が減少したためであると推察される。 (もっと読む)


【課題】窒化けい素セラミックス基板を用いて各種パワーモジュールを構成した際にリーク電流の発生を効果的に抑制することができ、大電力化および大容量化したパワーモジュールにおいても絶縁性および動作の信頼性を大幅に向上させることが可能な半導体モジュールおよびそれを用いた電子機器を提供する。
【解決手段】気孔率が容量比で2.5%以下であり、粒界相中の最大気孔径が0.3μm以下であり、厚さが1.5mm以下である窒化けい素焼結体から成り、温度25℃,湿度70%の条件下で上記窒化けい素焼結体の表裏間に1.5Kv−100Hzの交流電圧を印加したときの電流リーク値が1000nA以下であり、熱伝導率が50W/m・K以上、3点曲げ強度が500MPa以上である窒化けい素セラミックス基板2と、この窒化けい素セラミックス基板2に接合された金属回路板3と、この金属回路板上に搭載された半導体素子と、を備えることを特徴とする半導体モジュールである。 (もっと読む)


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