【課題】面積の大きいディスクを作製する際、曲げ強度と破壊エネルギーがともに増大した炭素繊維強化シリコン含浸炭化珪素セラミックスを得ることできる製造方法を提供する。
【解決手段】炭素繊維と、炭素粉と、炭化ケイ素粉と、ゲル化能を有する有機物と、揮散性液体とを含む原料を混合してスラリーを調製する工程と、前記工程により得られたスラリーを型に鋳込み、加圧または減圧下でゲル化または硬化させて成形する工程と、前記工程により得られた成形体を焼成する工程と、前記工程により得られた焼成体にシリコンを含浸させる工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】ヒータとしての発熱量を確保しつつ、部位毎の発熱量の差をさらに抑制させたヒータ、ヒータに用いられる発熱体、及び発熱体の製造方法を提供すること。
【解決手段】電力の供給に伴って発熱する発熱体１０と、発熱体１０の両端部に接続され、電源からの電力を供給する端子２０と、を備えたヒータ１００であって、発熱体１０は、純度が、９９．９９％以上の炭化珪素の粉末を成型するステップと、粉末を窒素雰囲気において、１７００℃以上で１時間以上焼成するステップとにより製造されること。 （もっと読む）

【課題】水蒸気の電気分解で発生した水素を貯蔵した上で発電に利用する水素電力貯蔵システムにおいて、発電時に発生する熱を有効に利用して総合効率を向上させる。
【解決手段】水素電力貯蔵システム３０は、水素と酸化剤ガスとを用いて発電する発電部および水蒸気を電気分解する電解部（電力／水素変換装置１１）を具備する。水素電力貯蔵システム３０は、電気分解により生成された水素を貯蔵し、当該水素を発電時に発電部に供給する水素貯蔵部１２と、発電に伴って発生する高温の熱を貯蔵し、当該熱を電気分解時に電解部に供給する高温蓄熱部１３と、高温蓄熱部１３で熱交換された後の低温の熱を貯蔵し、当該熱で電解部に供給する水蒸気を発生させる低温蓄熱部３１とを具備する。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素質焼結体のクラックやメタルベインを解消し、欠陥のない緻密な炭化珪素質焼結体を提供できる。
【解決手段】金属珪素を含む炭化珪素質焼結体であって、該炭化珪素焼結体は珪素スポットを有し、前記炭化珪素質焼結体の断面より求めた前記珪素スポットの平均等価円直径Ｄ１と炭化珪素粒子の平均粒子間距離Ｄ２との比Ｄ１／Ｄ２が４以上であることを特徴とする炭化珪素質焼結体。前記珪素スポットは、真円度０．６〜１．０である。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素質焼結体のクラックやメタルベインを解消し、欠陥のない緻密な炭化珪素質焼結体を提供できる。
【解決手段】炭化珪素、または炭化珪素と炭素からなる多孔体中に、非酸化雰囲気下で、珪素の融点以上の温度で珪素を含浸させてなる炭化珪素質焼結体において、前記多孔体は、気孔径分布のピーク値に対し、４倍以上の径を有する気孔の体積割合が全気孔の体積に対して２〜２０％である炭化珪素質焼結体。前記多孔体の気孔径分布のピーク値は、０．４〜５０μｍである。 （もっと読む）

【課題】短時間で製造可能でありかつ特性に優れたセラミックス基複合材料を製造する。
【解決手段】所定の繊維束からなる繊維織物と、該繊維織物の上記繊維束に対して付着形成されるマトリックスとを備える連続繊維強化型複合材料の製造方法であって、上記マトリックスを形成する工程は、上記マトリックスの原料粉末中に上記繊維織物を配置した状態で上記原料粉末を加圧することによって上記繊維織物の内部に上記原料粉末を含浸させる含浸工程と、上記含浸工程後の上記繊維織物に対して熱処理を行うことによって上記マトリックスを形成する熱処理工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明の態様は、かかる課題の認識に基づいてなされたものであり、炭化硼素の有する高い比剛性率を持ちながら、炭化硼素とシリコンを反応させ表層部の状態を変化させることで研削性に優れた構造部材の作製を可能とした複合材料を提供する。
【解決手段】炭化硼素、炭化珪素、シリコンを主成分とする複合材料であって、前記炭化硼素の粒子にシリコンを含んでいることを特徴とする炭化硼素・炭化珪素・シリコン複合材料が提供される。 （もっと読む）

【課題】炭化硼素の持つ高い比剛性率を利用した高比剛性率を持つ複合材料でありながら、研削性に優れた構造部材の作製を可能とする複合材料を提供する。
【解決手段】炭化硼素、炭化珪素、シリコンを主成分とする複合材料であって、Ｘ線回折により測定した炭化硼素の（０２１）面に帰属するピーク強度をＸ、炭化珪素の（００６）面に帰属するピーク強度をＹ、シリコンの（１１１）面に帰属するピーク強度をＺ、としたときに、各ピーク強度の総和（Ｘ＋Ｙ＋Ｚ）に対するピーク強度Ｘの比（％）である炭化硼素のピーク強度比ｘが、５＜x＜３０となることを特徴とする炭化硼素・炭化珪素・シリコン複合材料。 （もっと読む）

【課題】単体で熱容量が低く、良好な触媒作用を有する炭化ケイ素多孔体を製造する。
【解決手段】炭化ケイ素と炭素とを混合し、混合液（以下、スラリーという）を形成するスラリー形成工程（工程Ｓ２）と、スラリー含浸工程の後に、余剰スラリーを除去するスラリー除去工程Ｓ２ａと、スラリーを含浸させたポリウレタンフォームを乾燥する乾燥工程（工程Ｓ３）と、乾燥後の成形体をケイ素溶融液に浸漬した状態で反応焼結する焼結工程（工程Ｓ４）とを有する。 （もっと読む）

【課題】 耐熱部材として高温での揮発分が少なく、不純物の混入が少なく、機械部品としての寸法精度を確保出来、高温での半導体製造装置に好適な部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 １７００℃の窒素ガス中で１２時間加熱した後のＳｉ、Ｃ、Ｂ、Ｎの合計含有量が９９．９質量％以上、且つ波長１μｍにおける放射率が８０％以上のＳｉＣ−ＢＮ複合焼結体を用いる合成装置用耐熱性黒色部材。相対密度９８％以上かつＳｉＣ粒子の最大粒子径が４．０μｍ以下であることが好ましい。ＳｉＣが６０．０質量％以上８３．５質量％以下、ＢＮが１５．０質量％以上３５．０質量％以下、Ｂ_４Ｃが０．５質量％以上２．０質量％以下、カーボンが１．０質量％以上４．０質量％以下の原料組成を２０００〜２２００℃、圧力１５〜４０ＭＰａでホットプレス焼結する合成装置用耐熱性黒色部材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】強誘電性を示し、圧電特性の良好な酸窒化物圧電材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表される正方晶ペロブスカイト型酸窒化物からなり、窒素原子がｃ軸方向に配向している酸窒化物圧電材料。
【化１】


（式中、Ａは２価の元素、ＢおよびＢ’は４価の元素を表す。ｘは０．３５以上０．６以下、ｙは０．３５以上０．６以下、ｚは０．３５以上０．６以下、δ１およびδ２は−０．２以上０．２以下の数値を表す。）前記ＡはＢａ，Ｓｒ，Ｃａから選ばれた少なくとも１種であり、ＢおよびＢ’はＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎから選ばれた少なくとも１種である。 （もっと読む）

【課題】従来よりも製造が容易な炭化ケイ素多孔質体と、従来よりも炭化ケイ素多孔質体の製造が容易な炭化ケイ素多孔質体の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素粉末と炭素粉末とを含む水性スラリーを用いて、前記炭化ケイ素粉末と前記炭素粉末とを含む中間多孔質体を生成し、この中間多孔質体を乾燥させ、乾燥した中間多孔質体にシリコン蒸気を用いてシリコンを含浸させることにより形成する。 （もっと読む）

【課題】潤滑性材料の包含物（インクルージョン）を有するセラミック体とその形成方法の提供。
【解決手段】セラミック要素は、第１セラミック材料を含む組成物から形成される焼結セラミック体と、該セラミック体中の複数の包含物であって、各包含物がグラファイト及び第２セラミック材料を含む包含物とを含む。特に潤滑性及び（又は）グラファイト含有のセラミック体を形成するための種々の技術、ならびにそれらによって形成されるセラミック体。 （もっと読む）

【課題】抵抗値が低く、炭化珪素発熱体の電力損出を少なくすることができて、省エネルギーを可能とし、製造コストの面でも有利な炭化珪素発熱体端部の製造方法を提供する。
【解決手段】発熱部と端部を接合してなる炭化珪素発熱体の端部を製造する方法において、炭化珪素、炭素および窒化珪素の混合粉末の成形体を、珪素の存在下で、且つ圧力が１５０〜１５００Ｐａの減圧下で、１４５０〜１７００℃の温度に加熱して反応焼結することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高気孔率でありながらも高強度であり、熱伝導率が高く耐熱衝撃性に優れ、比較的低温で焼結させることで製造可能な炭化珪素質多孔体を提供する。
【解決手段】金属珪化物を１〜３５質量％含有し、気孔率が３８〜８０％であり、気孔径が１０〜６０μｍである炭化珪素質多孔体。 （もっと読む）

【課題】高気孔率でありながらも高強度であり、熱伝導率が高く耐熱衝撃性に優れ、比較的低温で焼結させることで製造可能な炭化珪素質多孔体を提供する。
【解決手段】金属珪化物を１〜３５質量％、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）を０．５〜１０質量％それぞれ含有し、気孔率が３８〜８０％である炭化珪素質多孔体。 （もっと読む）

【課題】加圧浸透法により金属−セラミックス複合材料を得るための高強度の多孔体を提供し、クラックやメタルリッチ層、浸透不良が生じず、低コストで剛性の高い金属-セラミックス複合材料の作製を可能とする。
【解決手段】加圧浸透法によりアルミニウムまたはアルミニウム合金を浸透させて金属−セラミックス複合材料を得るための炭化ケイ素を主成分とする多孔体であって、炭化ケイ素の充填率が６０％以上であり、Ｓｉとカーボンが反応してなる反応焼結炭化ケイ素が、炭化ケイ素全体の５〜１０質量％を占めることを特徴とする多孔体。 （もっと読む）

【課題】 三族元素の有機化合物やアンモニア等の反応活性な雰囲気下、１，２００〜１，４００℃に達する高温で、Ｉｎ_ｘＧａ_ｙＮＡｌ_ｚ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表される３−５族化合物半導体を有機金属気相成長法により製造する装置において、安定して使用可能なサセプタやその周辺部材を提供する。
【解決手段】 Ｉｎ_ｘＧａ_ｙＮＡｌ_ｚ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表される３−５族化合物半導体を有機金属気相成長法により製造する装置において、ＡｌＮ６０質量％以上８５質量％以下、ＢＮ１５質量％以上４０質量％以下かつ１，４００℃のＮ_２中で６時間加熱した後の減量が０．１％以下のＡｌＮ−ＢＮ複合焼結体を用いる３−５族化合物半導体の製造装置用サセプタ部材。好ましくは、相対密度９８％以上かつＡlＮの最大粒径が４μｍ以下である３−５族化合物半導体の製造装置用サセプタ部材。 （もっと読む）

本発明は、酸化ケイ素と、炭水化物を有する炭素源との高めた温度での反応による炭化ケイ素の製造方法、特に炭化ケイ素の製造のため又は炭化ケイ素を含有する組成物の製造のための工業的方法に関する。更に、本発明は、高純度の炭化ケイ素、これを含有する組成物、触媒としての使用並びに電極及び他の物品の製造の際の使用に関する。 （もっと読む）

【課題】気孔径が５００μｍ未満で、かつ気孔径の大きさおよび分布が比較的均一な炭化ケイ素系セラミックス多孔質材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ポリウレタン、ポリエチレンまたはゴムからなるスポンジを一軸圧縮成形されてなり、かつ上記スポンジに、樹脂類およびシリコン粉末を含むスラリー、または樹脂類、シリコン粉末および炭化ケイ素粉末を含むスラリーが含浸されてなるスポンジ状多孔質体を焼成および炭素化して形成される炭素化多孔質体に、シリコンを反応焼結させ、あるいはシリコンを反応焼結させた後にシリコンを溶融含浸させて形成されており、気孔径が０．１μｍ以上、５００μｍ未満の範囲内である連続気孔を有している。 （もっと読む）