【課題】高温雰囲気下において静電チャックの基体材料に利用して好適な体積抵抗率を示し、且つ、体積抵抗率の温度依存性が小さい窒化アルミニウム焼結体を提供する。
【解決手段】窒化アルミニウム（ＡｌＮ）粒子１の粒界に体積抵抗率の温度依存性が低い（Ｓｍ，Ｃｅ）Ａｌ_１１Ｏ_１８粉末を連続的に形成して導電経路２を形成することによって、粒界相の体積抵抗率の温度依存性を小さくすると共に、ＡｌＮ粒子１内にＣとＭｇの少なくとも一方を固溶させ、導電経路２がＡｌＮ粒子１内に移行しないようにすることによって、高温雰囲気下においてもＡｌＮ粒子１内の体積抵抗率を高い値に維持させる。 （もっと読む）

【課題】高い信頼性を持つ高熱伝導窒化ケイ素セラミックス、その製造方法及びその応用製品を提供する。
【解決手段】ケイ素粉末の反応焼結を利用して合成した反応焼結窒化ケイ素焼結体であって、β相窒化ケイ素を主成分とし、Ｙ、Ｙｂ、Ｎｄ、Ｓｍの少なくとも一種を酸化物に換算して０．５〜７ｍｏｌ％含有し、Ｍｇの存在量が酸化物に換算して２ｍｏｌ％以下であり、１００Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率、６００ＭＰａ以上の３点曲げ強度、及び予き裂導入破壊試験法で測定した破壊靱性が７ＭＰａｍ^１／２以上であることを特徴とする窒化ケイ素焼結体、その製造方法、及びその応用製品。
【効果】低品位のＳｉ原料を含む多様なＳｉ原料粉末を出発原料として用いることが可能で、しかも優れた特性を有する窒化ケイ素焼結体を低コストで合成できる。 （もっと読む）

【課題】 耐摩耗性や潤滑性に優れ、かつ高い硬度を有し、高速度の切削に好適に使用される切削工具を、被膜形成等を要することなく提供することができる立方晶窒化硼素焼結体を得ること。
【解決手段】 立方晶窒化硼素及び、結合材からなる立方晶窒化硼素焼結体であって、前記結合材中における炭素の含有量が、立方晶窒化硼素焼結体全体に対して、０．０１〜３質量％であることを特徴とする立方晶窒化硼素焼結体とする。前記炭素がグラファイトとして含有されている場合には、その粒径が３０ｎｍ以下であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】熱衝撃・繰り返し熱疲労や腐食に対する耐久性を大幅に向上させ、周辺鋼製部材との施工性を改善した溶融金属めっき浴用浸漬部材を提供すること。
【解決手段】本発明は、溶融金属めっき浴４に浸漬される装置２，３に付設された浸漬部材であって、該浸漬部材が、実質的に主相はβ-Ｓｉ_３Ｎ_４および粒界相はＳｉ₂Ｎ₂Ｏ、ＭｇＹ₂Ｏ₄、Ｙ₂Ｓｉ₂Ｏ₇、Ｙ₂ＳｉＯ₅の1種以上から構成される複合酸化物相で、平均粒径３μｍ以上１０μｍ以下のホウ化チタン（ＴｉＢ_２ ）粒子を質量分率３５〜８０％の範囲で分散させた焼結体を成形加工してなる溶融金属めっき浴用浸漬部材及びその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】酸素濃度が１０００ｐｐｍ以下の非酸化性雰囲気であっても強度の著しい劣化や破損を防止することができるとともに、実使用できる寿命を大幅に向上させることができる非酸化性雰囲気用窯道具を提供する。
【解決手段】主成分としてＳｉＣとＳｉ₃Ｎ₄及び／又はＳｉ₂Ｎ₂Ｏを含んで構成され、酸窒化珪素と酸化珪素以外の無機酸化物を０．１２〜３．０質量％含有する非酸化性雰囲気用窯道具である。 （もっと読む）

【課題】従来の六方晶窒化ホウ素焼成体の製造方法の問題点を解決し、ホットプレス等の
加圧装置を用いず、かつ非酸化性雰囲気とすることなく、大気中で常圧でｈＢＮを焼成す
る方法とその焼成体を提供すること。
【解決手段】本発明は、六方晶窒化ホウ素と、焼成温度において液相を形成し六方晶窒化
ホウ素と濡れる性質を有する焼成用助剤とを混合し、大気中、無加圧で焼成することを特
徴とする窒化ホウ素焼成体の製造方法と、このようにして得られた六方晶窒化ホウ素とガ
ラス質物質からなる窒化ホウ素焼成体である。焼成用助剤としては、曹長石、ＮａＡｌＳ
ｉ₃Ｏ₈、カリ長石、ＫＡｌＳｉ₃Ｏ₈などのアルミノケイ酸塩が好ましい。 （もっと読む）

【課題】熱伝導率が高く放熱性が優れた半導体装置用基板を提供する。
【解決手段】窒化アルミニウム（１０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌＮに対するＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９（２０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９の比（ＩＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９／ＩＡｌＮ）が０．００２〜０．０３であり、熱伝導率が２２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、三点曲げ強度が２５０ＭＰａ以上である窒化アルミニウム焼結体から成ることを特徴とする半導体装置用基板である。 （もっと読む）

【課題】窒化けい素焼結体本来の特性である高強度、耐摩耗性、耐熱性等を損なうことなく、さらに酸やアルカリ等の化学薬品に対しても優れた耐薬品性（耐腐食性）を示す窒化けい素焼結体の製造方法、それを用いた耐薬品性部材の製造方法および軸受部材の製造方法を提供する。
【解決手段】ＭｇＯ・Ａｌ_２Ｏ_３スピネル構造体を０．５〜６重量％、炭化けい素を０．１〜２０重量％、酸化けい素を１重量％以下、酸化アルミニウムを０．５〜３重量％含み、残部が実質的に窒化けい素から成るセラミックス混合体を調製し、得られたセラミックス混合体を成形後、焼成することを特徴とする窒化けい素焼結体の製造方法である。得られる窒化けい素焼結体は、耐薬品性部材や軸受部材１，２，３として使用される。 （もっと読む）

【課題】
半導体製造工程あるいは液晶パネル製造工程で用いられる基板処理装置用部材等を構成する窒化珪素質焼結体を提供する。
【解決手段】
β−Ｓｉ_３Ｎ_４を主成分とし、β−ＲＥ_２Ｓｉ_２Ｏ_７（ＲＥは周期律表第３族元素）を３体積％以上、２０体積％以下の範囲で含有してなり、室温における熱膨張係数が１．４×１０^−６／Ｋ以下、室温における熱伝導率が２５Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の窒化珪素質焼結体を提供することができ、特に半導体製造装置用部材・液晶製造装置用部材として用いた際に、温度変化が生じた際においても熱膨張の非常に小さい焼結体であるため、位置精度を高いものとすることができる。 （もっと読む）

【課題】熱伝導率が高く放熱性が優れた半導体装置用放熱板を提供する。
【解決手段】窒化アルミニウム（１０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌＮに対するＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９（２０１面）のＸ線回折強度ＩＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９の比（ＩＡｌ_２Ｙ_４Ｏ_９／ＩＡｌＮ）が０．００２〜０．０３であり、熱伝導率が２２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、三点曲げ強度が２５０ＭＰａ以上である窒化アルミニウム焼結体から成ることを特徴とする半導体装置用放熱板である。 （もっと読む）

【課題】現在、主に使用されている高強度セラミックス材料（例えば、アルミナ、Ｓｉ含浸型ＳｉＣや再結晶型ＳｉＣ質耐火物）と遜色無い強度を有するとともに、量産性の向上と大型品の製造を容易にし、複雑形状の製品も容易に作製することができるだけでなく、製造コストを大幅に軽減することができる酸化物結合炭化珪素質材料を提供する。
【解決手段】炭化珪素から実質的に構成され、炭化珪素の結晶粒子とその粒界部及び気孔とを有し、且つ炭化珪素の結晶粒子を、二酸化珪素を主成分とする酸化物で結合した構造を有する酸化物結合炭化珪素質材料である。常温及び高温時における曲げ強度が１００ＭＰａ以上であり、且つ嵩比重が２．６５以上である。 （もっと読む）

【課題】発光効率に優れた発光素子などの半導体素子製造用基板として使用され、窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化アルミニウムを主成分とする単結晶薄膜基板を提供する。
【解決手段】セラミック材料を主成分とする焼結体、特に光透過性の焼結体を用いることにより、窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化アルミニウムのうちから選ばれた少なくとも１種以上を主成分とする結晶性の高い単結晶薄膜が形成される。該単結晶薄膜と焼結体との接合体を用いて、電子素子および電子部品を製造する。 （もっと読む）

【課題】高い耐食性を有する窒化アルミニウム質セラミックスを提供する。
【解決手段】希土類元素又はアルカリ土類元素の少なくとも１つを含有する結晶相を含む粒界相２を備える窒化アルミニウム質セラミックスであって、粒界相２の中心線３の長さの総和が５×１０⁴μｍ／ｍｍ²以上であり、中心線３の分岐点４の数が１×１０²個／ｍｍ²以上である粒界連続層を備える。 （もっと読む）

【課題】 高硬度と高靭性とを両立できる複合焼結体を提供する。
【解決手段】Ａｌ_２Ｏ_３と、ＴｉＣ、ＴｉＮまたはＴｉＣＮの群から選ばれる少なくとも１種の化合物とで構成された長尺状の芯材４の外周を、Ｍｇを含有したＳｉ_３Ｎ_４質焼結体からなる表皮材８にて被覆した繊維状構造からなる複合焼結体１である。
（もっと読む）

【課題】より低誘電率を有する絶縁層を形成可能にする絶縁ペーストを提供する。
【解決手段】窒化窒化硼素化合物、ガラス粉末および有機ビヒクルを含むことを特徴とする絶縁ペーストとする。窒化硼素化合物は黒鉛化指数3.5以下の窒化硼素であることが好ましく、ガラス粉末の非誘電率が7以下であることが好ましい。 （もっと読む）

本発明は、窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化アルミニウムを主成分とする薄膜を形成するための、セラミック材料を主成分とする焼結体からなる基板及び該薄膜が形成されている薄膜基板に関する。
基板としてセラミック材料を主成分とする焼結体、特に光透過性の焼結体を用いることでその上に窒化ガリウム、窒化インジウム、窒化アルミニウムのうちから選ばれた少なくとも１種以上を主成分とする結晶性の高い単結晶薄膜が形成できる。
また、結晶性の高い単結晶薄膜が形成された薄膜基板を提供できる。
さらに、このようなセラミック材料を主成分とする焼結体を用いることで発光効率に優れた発光素子を提供できる。 （もっと読む）

【課題】
セラミックス材料を低反射材料として用いる場合、素材自体の反射率は低くても、加工によって高くなることがある。この加工によって高くなった反射率を素材のもつ反射率に戻した露光処理用基板保持盤を提供する。
【解決手段】
少なくとも基板保持側表面がセラミックスからなり、その基板保持側表面の彩度指数ｂ＊がプラスであり、明度指数Ｌ＊が７０以下で、かつ面粗度Ｒａが０．６μｍ以下である露光処理用基板保持盤であり、好ましい態様において、基板保持側表面の光波長２５０〜５５０ｎｍの範囲における全反射率は１３％以下であり、また、基板保持側表面の彩度指数ｂ＊はプラスであり、セラミックスの主成分は、炭化硅素またはアルミナである。
（もっと読む）

【課題】 電子部品の製造、組付に用いられる治具において、摩耗粉末による汚染低減、加工コストの低減、熱膨張係数を有する被処理材に適合できるよう熱膨張係数をコントロールすることが課題である。
【解決手段】 珪素を含む混合粉末でなる成形体を素材として、最終形状に近い形状、寸法に生加工する工程と、窒素雰囲気中での加熱により実質的に寸法変化を生じることなく、前記珪素を窒化珪素に転化せしめるとともに焼結する工程と、必要に応じて最終加工工程を行う。 （もっと読む）

【課題】窒化けい素セラミックス基板を用いて各種パワーモジュールを構成した際にリーク電流の発生を効果的に抑制することができ、大電力化および大容量化したパワーモジュールにおいても絶縁性および動作の信頼性を大幅に向上させることが可能な窒化けい素セラミックス回路基板を提供する。
【解決手段】気孔率が容量比で２．５％以下であり、粒界相中の最大気孔径が０．３μｍ以下の窒化けい素焼結体から成り、温度２５℃，湿度７０％の条件下で上記窒化けい素焼結体の表裏間に１．５ｋＶ−１００Ｈｚの交流電圧を印加したときの電流リーク値が１０００ｎＡ以下であり、熱伝導率が５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、３点曲げ強度が５００ＭＰａ以上である窒化けい素セラミックス基板２上に複数の金属回路板３，３を設けると共に、該金属回路板３，３の間隔が０．１〜２．０ｍｍの範囲である箇所を具備していることを特徴とする窒化けい素セラミックス回路基板１である。 （もっと読む）

【課題】肉厚が一定でなく、また、厚肉部位を有する大型セラミックス構造体について、原料ロスが少なく、有機バインダー成分を最小限にとどめ、更に、大掛かりな設備を使用することなく、成形、製造する方法及びそのセラミックス構造体等を提供する。
【解決手段】型内に、反応焼結窒化ケイ素の多孔質の小片と、ケイ素を主成分として酸化物を含有してなるスラリーを充填し、前記多孔質の小片の気孔部にスラリー中の水分を吸収させる、あるいは固化材の作用、冷却により、前記スラリーを固化させた後、必要に応じて脱脂し、窒素気流、あるいは雰囲気中で加熱し、前記ケイ素を窒化ケイ素に転化させた後、前記酸化物が窒化ケイ素と液相を形成する温度以上に更に加熱することで緻密化することによるセラミックス構造体の製造方法、そのセラミックス構造体、及び大型のセラミックス部材。 （もっと読む）