【課題】アルカリ性溶液と酸性溶液とに対する耐食性に優れ、それら溶液に頻繁に晒されるような過酷な環境下でも強度が低下しにくいセラミック多孔体を提供する。
【解決手段】１０〜２０質量％のＺｒＯ_２を含むガラス相と、ＺｒＯ_２粒子及びＳｉＣ粒子からなる群より選択される何れか一種の骨材粒子とを含むセラミック多孔体。 （もっと読む）

【課題】低熱膨張性及び高熱伝導性に優れた光学装置の部品に好適なセラミックス部材を提供する。
【解決手段】窒化珪素焼結体からなり、室温の熱伝導率が６０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上、室温から１０００℃までの熱膨張係数が３．４×１０^−６／Ｋ以下、L＊ａ＊ｂ＊表色系における明度L＊が０〜８０の範囲であることを特徴とするセラミックス部材。Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系における色度ａ＊が−３〜３、色度ｂが−３〜３である。露光装置用ステージ機構において、例えば、ステージ部品１や、位置測定用のミラー部品４、５等に用いることができる。 （もっと読む）

【課題】特に金属溶湯に接触する溶湯部材に好適な耐熱衝撃性に優れた窒化珪素焼結体を提供する。
【解決手段】窒化珪素を主成分とし、マグネシウム及びイットリウムを酸化物換算で合計０．１〜１０質量％、鉄を酸化第二鉄換算で０．１〜０．５質量％含み、Ｙ_２Ｏ_３／ＭｇＯで表されるモル比が０．０１〜０．１０であって、室温の熱伝導率が７０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上、３点曲げ強度が７００ＭＰａ以上であることを特徴とする窒化珪素焼結体。室温から１０００℃までの熱膨張係数が３．４×１０^−６／Ｋ以下である。 （もっと読む）

【課題】酸素存在下で焼結が可能であって、焼結体の相対密度が高く、機械的強度の優れた六方晶系窒化ホウ素焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】六方晶系窒化ホウ素とアルミノケイ酸塩とをあらかじめ混合粉砕して焼結用混合粉とし（混合粉砕工程）、該焼結用混合粉を圧力成形してプレ成形体とし（プレ成形工程）、プレ成形体を酸素が存在する雰囲気下において焼結する（焼結工程）。六方晶系窒化ホウ素からなる粉体粒子は、表面のみならず内部にも酸素が含まれている。 （もっと読む）

【課題】塗着効率を損なうことなく、火花放電や絶縁破壊を抑制することが可能な静電塗装用回転霧化頭及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】以下の構成を備えた静電塗装用回転霧化頭及びその製造方法。（イ）少なくとも放出端は、焼結温度Ｔ₁、電気比抵抗ρ₁の絶縁性セラミックスと、焼結温度Ｔ₂（Ｔ₁＜Ｔ₂）、電気比抵抗ρ₂（ρ₁＞ρ₂）の導電性セラミックスとの複合体からなる。（ロ）導電性セラミックス含有量は、９〜１１ｗｔ％である。（ハ）絶縁性セラミックスの平均粒径（Ｄ₁）は、０．５〜１０μｍである。（ニ）導電性セラミックス／絶縁性セラミックスの粒径比（Ｄ₂／Ｄ₁）は、１／８００〜１／５である。（ホ）静電塗装用回転霧化頭は、抵抗値が１０⁶〜１０¹²Ωである。（ヘ）絶縁性セラミックス粒子の周囲に、導電性セラミックス粒子が０．１〜２．０μｍの間隔で不連続に分散し、導電パスを形成している。 （もっと読む）

【課題】生産安定性が高く、緻密でガスバリア性の高いガスバリア膜を成膜できるイオンプレーティング用蒸発源材料の原料粉末等を提供する。より具体的には、イオンプレーティング法に適したイオンプレーティング用蒸発源材料の原料粉末、イオンプレーティング用蒸発源材料及びその製造方法、ガスバリア性シート及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】平均粒径が５μｍ以下の窒化ケイ素又は酸窒化ケイ素１００重量部に対して、平均粒径が５μｍ以下の導電性材料を５重量部以上１００重量部以下含有する原料粉末により、上記課題を解決する。導電性材料が、導電性を有する、金属酸化物、金属窒化物、及び金属酸窒化物から選ばれる少なくとも１つであることが好ましい。本発明のイオンプレーティング用蒸発源材料は、上記の原料粉末を焼結又は造粒させて平均粒径が２ｍｍ以上の塊状粒子又は塊状物に加工したものである。 （もっと読む）

【課題】窒化けい素セラミックス基板を用いて各種パワーモジュールを構成した際にリーク電流の発生を効果的に抑制することができ、大電力化および大容量化したパワーモジュールにおいても絶縁性および動作の信頼性を大幅に向上させることが可能な半導体モジュールおよびそれを用いた電子機器を提供する。
【解決手段】気孔率が容量比で２．５％以下であり、粒界相中の最大気孔径が０．３μｍ以下であり、厚さが１．５ｍｍ以下である窒化けい素焼結体から成り、温度２５℃，湿度７０％の条件下で上記窒化けい素焼結体の表裏間に１．５Ｋｖ−１００Ｈｚの交流電圧を印加したときの電流リーク値が１０００ｎＡ以下であり、熱伝導率が５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、３点曲げ強度が５００ＭＰａ以上である窒化けい素セラミックス基板２と、この窒化けい素セラミックス基板２に接合された金属回路板３と、この金属回路板上に搭載された半導体素子と、を備えることを特徴とする半導体モジュールである。 （もっと読む）

【課題】 圧力損失が低く、高い強度を有するハニカムを製造することができるハニカム構造体の製造方法を提供すること。
【解決手段】 炭化ケイ素粉末、バインダ及び添加材を含む原料組成物を成形することにより、多数のセルがセル壁を隔てて長手方向に並設された柱状のハニカム成形体を作製した後、上記ハニカム成形体を脱脂処理することによりハニカム脱脂体を作製し、さらに、上記ハニカム脱脂体を焼成処理することによりハニカム焼成体からなるハニカム構造体を製造するハニカム構造体の製造方法であって、上記原料組成物は、上記炭化ケイ素粉末として、炭化ケイ素粗粉末と上記炭化ケイ素粗粉末より平均粒子径（Ｄ５０）の小さい炭化ケイ素微粉末とを含むとともに、上記添加材として、金属酸化物粉末を含み、上記金属酸化物粉末の上記原料組成物中の配合量は、０．８〜４．０重量％であることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、基本的に、組成物Ｍ_１−ｙＡ_２−ｘＢ_ｘＯ_２−２ｘＮ_２＋ｘ：Ｅｕ_ｙから成り、ここで、Ｍは、Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ又はそれらの混合物を含むグループから選択され、Ａは、Ｓｉ、Ｇｅ又はそれらの混合物を含むグループから選択され、Ｂは、Ａｌ、Ｂ、Ｇａ又はそれらの混合物を含むグループから選択され、ｘ及びｙは、＞０から≦１までで別々に選択されるセラミック複合材料を備える発光装置、特にＬＥＤに関する。この材料は、一方の相がアンバー乃至赤色放射相であり、他方の相がシアン乃至緑色放射相である２相組成物であることが分かった。
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【課題】ボートの製造工程で発生した加工屑を有効利用し、ボートの製造に好適なセラミックス焼結体を製造する。
【解決手段】ＴｉＢ_２（二硼化チタン）と、ＢＮ（窒化硼素）と、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）と、Ｓｒ（ストロンチウム）化合物と、Ｆｅ（鉄）又はＦｅ化合物と、Ｏ（酸素）を含む原料粉末を成型後、非酸化性雰囲気下、ホットプレス焼結するセラミックス焼結体の製造方法において、上記原料粉末の一部としてセラミックス焼結体の粉砕物を用い、そのセラミックス焼結体の粉砕物の組成が、ＴｉＢ_２が４０〜６０質量％、ＢＮが３０〜５５質量％、ＡｌＮが０．３〜２．０質量％、Ｓｒ化合物が０．３〜３．０質量％、Ｆｅ又はＦｅ化合物が０．５〜８．０質量％及びＯが１．０〜４．０質量％を含み、しかもこれらの成分の合計が９５質量％以上（１００％を含む）であることを特徴とするセラミックス焼結体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 母基板の熱伝導率を向上できる回路基板およびその製法を提供する。
【解決手段】 窒化珪素質焼結体からなる母基板に導体層を形成してなる回路基板であって、基板が、Ｌｉを全量中０．００９〜０．０４６質量％含有することを特徴とする。このような回路基板の母基板は、窒化珪素粉末にＬｉ化合物をＬｉ_２Ｏ換算で全量中０．３〜１．５質量％添加した混合粉末を成形し、焼成し、Ｌｉを全量中０．００９〜０．０４６質量％含有せしめて作製される。 （もっと読む）

【課題】多孔質炭化ケイ素焼結体の作製に適した炭化ケイ素焼成用原料であって、鉄化合物粉末が均一に分散した炭化ケイ素焼成用原料を提供する。
【解決手段】少なくとも炭化ケイ素粉末と鉄化合物粉末とを湿式混合又は湿式粉砕混合する工程を含むことを特徴とする製造方法により炭化ケイ素焼成用原料を製造する。このような炭化ケイ素焼成用原料を用いることにより、炭化ケイ素の焼結が確実に進行することとなり、製造したハニカム構造体の気孔径及び気孔率のバラツキを少なくすることができる。 （もっと読む）

【課題】希土類窒化物は、イットリア以上の耐蝕性を持つ半導体製造装置用部材を作製できると期待されるが、希土類窒化物単体では酸化しやすい性質であり、例えば大気中では希土類酸化物に変化してしまう問題があった。
【解決手段】希土類窒化物からなるプラズマ耐蝕性材料であって、金属元素としてＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎの中から少なくとも１種類の元素を金属元素の割合として０．１〜２０原子％含有することを特徴とするプラズマ耐蝕性材料は、プラズマに対する耐性が高く、このようなプラズマ耐蝕性材料は、希土類窒化物粉末に金属を混合した粉末を使用して溶射膜を形成することで製造することが出来る。 （もっと読む）

【課題】金属好ましくは耐熱超合金を機械加工するのに最適な組成を有し、良好な境界摩耗、許容できる逃げ面摩耗および十分な靭性を有する、金属切削工具用の窒化ケイ素系セラミック材料を提供する。
【解決手段】β−サイアロン（Ｓｉ_６−ＺＡｌ_ＺＯ_ＺＮ_８−Ｚ）と、結晶多形１２Ｈの相と、非晶質または部分的に結晶質の粒界相とから成り、イットリウムを含むセラミック材料であって、
ＳＥＭ写真の全面積に対する粒界相の面積の割合として測定される粒界相の量が５〜１５％であり、
Ｚ値が０．７以上で１．５未満であり、
Ｃｕ−ＫαＸ線回折図形中の２θ値＝３４°での結晶多形１２Ｈの相のピーク高さと、同じ回折図形中の２θ値＝３３°でのβ−サイアロンのピーク高さの比として測定される結晶多形１２Ｈの相の量が２〜２０％であり、
イットリウム含有量が３．５〜５重量％、好ましくは３．９〜４．５重量％であることを特徴とするセラミック材料。 （もっと読む）

【課題】バーナーの小型化、少台数化、短時間の熱交換を図ることができ、しかも熱膨張、酸化、腐食等により損耗し難い蓄熱部材及び熱交換器を提供する。
【解決手段】理論密度比で９５％以上の緻密質セラミックスからなる蓄熱部材であって、緻密質セラミックスが、平均結晶粒径２〜５０μｍ、平均アスペクト比１０未満、純度８５質量％以上のアルミナ質セラミックス、平均結晶粒径２〜５０μｍ、平均アスペクト比１０未満、純度９０質量%以上のムライト質セラミックス、平均結晶粒径１〜２０μｍ、平均アスペクト比１５未満、純度８５質量%以上の窒化珪素質セラミックス、又は、平均結晶粒径０．５〜１０μｍ、平均アスペクト比１２未満、純度９０質量%以上の炭化珪素質セラミックスから選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする蓄熱部材、及び、この蓄熱部材を少なくとも用いてなる熱交換器である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、立方晶窒化硼素（ｃＢＮ）砥粒製造時に導入された欠陥及び微視的亀裂を解消し、耐磨耗性、耐欠損性が原料砥粒よりも高い立方晶窒化硼素粒子を含んだ立方晶窒化硼素焼結体を提供することを目的とする。
【解決手段】立方晶窒化硼素及び、結合材からなる立方晶窒化硼素焼結体であって、該立方晶窒化硼素焼結体の断面において、立方晶窒化硼素が二以上の角部を有し、該角部のうち二以上の角度が９０°以下であることを特徴とする立方晶窒化硼素焼結体により解決される。 （もっと読む）

【課題】加熱バーナー周囲の炉壁等の亀裂や剥落を防止でき、かつ、熱処理炉の立ち上げ、休止の時間を短縮できる鋼材の加熱式熱処理炉の提供。
【解決手段】熱処理炉は、少なくとも炉壁内側にセラミックファイバー３が配設された炉壁構造を具備し、炉壁に設けられた挿入孔にバーナー２が設置され、該バーナー２の炉内側に、Ｙ_２Ｓｉ_２Ｏ_７相とＥｒ_２Ｓｉ_２Ｏ_７相とＹｂ_２Ｓｉ_２Ｏ_７相の少なくとも１相を２．５〜４．８質量％、Ｓｉ_２Ｎ_２Ｏ相を２〜６．５質量％、平均粒径０．１μｍ以上０．７μｍ以下のＳｉＣ質粒子を２〜５質量％、及び、β-Ｓｉ_３Ｎ_４及び不可避的不純物を残部とする組成である窒化珪素質セラミックス焼結体で構成されたバーナーポート４が隣接して配置され、かつ、該バーナーポートの先端が炉内壁面より炉内側に突出して配置されている。 （もっと読む）

【課題】高強度、高靭性特性に加えて、特に転がり特性が優れた耐摩耗性部材の製造方法を提供する。
【解決手段】酸素を１．５質量％以下、α相型窒化けい素を９０質量％以上含有し、平均粒径が１．０μｍ以下の窒化けい素粉末に、希土類元素を酸化物に換算して２〜１０質量％，ＭｇＡｌ_２Ｏ_４スピネルを２〜７質量％，炭化けい素を１〜７質量％，Ｔｉ，Ｈｆ，Ｚｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｃｒからなる群より選択される少なくとも１種を酸化物に換算して５質量％以下添加した原料混合体を成形して成形体を調製し、得られた成形体を非酸化性雰囲気中で温度１６００℃以下で焼結することにより粒界相に存在する凝集偏析の幅の最大値を５μｍ以下にすることを特徴とする窒化けい素製耐摩耗性部材の製造方法である。なお上記ＭｇＡｌ_２Ｏ_４スピネルに代えて、ＭｇＯとＡｌ_２Ｏ_３との混合物を用いても同様な作用効果が得られる。 （もっと読む）

【課題】有用な透明酸化物薄膜を安定且つ高速に製造するためのスパッタリングターゲット用焼結体、透明酸化物薄膜、及びガスバリア性透明樹脂基板を提供すること。
【解決手段】焼結体は、導電性酸化物と炭化シリコンで構成されている。焼結体中のシリコン含有量が、焼結体中の全金属元素含有量に対して０．５〜９９．５原子％の割合であることを特徴とする。透明酸化物薄膜は、前記焼結体を原料として用いて、スパッタリング法で製造され、シリコンを含むことを特徴とする。ガスバリア性透明樹脂基板は、樹脂フィルム基材の少なくとも一方の面側に前記透明酸化物薄膜を形成することにより得られる。 （もっと読む）

【課題】高温雰囲気下において静電チャックの基体材料に利用して好適な体積抵抗率を示し、且つ、体積抵抗率の温度依存性が小さい窒化アルミニウム焼結体を提供する。
【解決手段】窒化アルミニウム（ＡｌＮ）粒子１の粒界に体積抵抗率の温度依存性が低い（Ｓｍ，Ｃｅ）Ａｌ_１１Ｏ_１８粉末を連続的に形成して導電経路２を形成することによって、粒界相の体積抵抗率の温度依存性を小さくすると共に、ＡｌＮ粒子１内にＣとＭｇの少なくとも一方を固溶させ、導電経路２がＡｌＮ粒子１内に移行しないようにすることによって、高温雰囲気下においてもＡｌＮ粒子１内の体積抵抗率を高い値に維持させる。 （もっと読む）