【課題】セラミックス回路基板と金属ベース板の放熱性が高く信頼性に優れた、安価なパワーモジュール構造体と、その製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス回路基板１の熱膨張係数をα（×１０^−６／Ｋ）、応力緩和板２の熱膨張係数をβ（×１０^−６／Ｋ）、金属ベース板３の熱膨張係数をγ（×１０^−６／Ｋ）とした時、（α＋γ）／２−４＜β＜（α＋γ）／２＋４を満たす熱膨張係数を有し、板厚が０．５〜３．０ｍｍで温度２５℃の熱伝導率が１００Ｗ／(ｍ・Ｋ)以上、３点曲げ強度が５０ＭＰａ以上の応力緩和板２の表面に金属層を形成した後、セラミックス回路基板１と金属ベース板３との間にはんだ付け又はロウ付けしてなるパワーモジュール構造体。 （もっと読む）

基材１３０と、該基材１３０に結合したＰＣＤ構造体１２０と、該ＰＣＤ構造体１２０を該基材１３０に結合させる結合層１４０の形態の結合材料と、を含んでなる多結晶ダイヤモンド（ＰＣＤ）複合成形体部材１００であって、該ＰＣＤ構造体１２０は熱的に安定であり、少なくとも約８００ＧＰａの平均ヤング率を有し、該ＰＣＤ構造体１２０は、少なくとも約０．０５ミクロンで多くとも約１．５ミクロンの隙間平均自由行程を有し、該平均自由行程の標準偏差は、少なくとも約０．０５ミクロンで多くとも約１．５ミクロンである。該ＰＣＤ複合成形体部材の実施形態は、切断、フライス削り、粉砕、掘削、地面穿孔、削岩、または金属の切断および機械加工のような他の研磨用途用の手段であってもよい。
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【課題】捕集した粒子状物質を燃焼する操作（再生）を繰り返したときに、ハニカム構造体が分断されることを防止でき、更にアイソスタティック強度を向上させ及び再生時の最高温度を抑制できるハニカム構造体を提供する。
【解決手段】複数のセル１を区画形成する多孔質の隔壁２及び最外周に位置し隔壁２より厚い外周壁３を有し、一方の端部が開口され且つ他方の端部が目封止された第１のセル１ａと、一方の端部が目封止され且つ他方の端部が開口された第２のセル１ｂとが交互に配設され、中心軸方向に直交する断面において第１のセル１ａの面積が第２のセル１ｂの面積より大きく、外周壁３が、第１のセル１ａの外形に沿う部分が凸状に形成されると共に第２のセル１ｂの外形に沿う部分が凹状に形成されたハニカムセグメント４を、複数個備え、複数個のハニカムセグメント４が接合部により接合されたハニカム構造体１００。 （もっと読む）

【課題】温度変化があっても割れ等が生じ難い複合部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】セラミック焼結体で形成されたセラミック部２と金属のマトリックスにセラミックスの強化材が分布してなる金属基複合材料で形成され、金属層を介することなくセラミック部に直接に結合する複合材料部３と、を備える。従来両者の間にあった金属層の膨張や収縮による応力が生じないため、たとえばセラミックス部２と複合材料部３との熱膨張率の差を低く設計しておけば、セラミックス部２の割れ等を防止することができる。また、ろう材による接合等では、用途によりろう材の成分が不純物となり拡散しうるが、本発明の複合部材１では、このような汚染が生じ難い。 （もっと読む）

【課題】 吸着部材と支持部材がガラスを主成分とする結合層を介して接合される真空吸着装置を作製する場合、酸化雰囲気にてガラス層を形成するための熱処理を行なうと、支持部材を形成する炭化珪素結晶粒子の表面が酸化されて、二酸化炭素が多量に発生し、その気泡によってガラス層の支持部材側内部に隙間が生じる場合、結合層および支持部材間の接合強度が弱くなることが考えられる。
【解決手段】 複数の珪素化合物相３どうしが珪素相４ａを介して接続された多孔質複合体からなる第１基体を、珪素化合物焼結体からなる第２基体に珪素相を介して接合されている接合体を吸着部材とし、この吸着部材を吸着手段として用い、支持部に吸着部に連通する通気路を設けてなる吸着装置とする。 （もっと読む）

【課題】切削中に、ロウ材が液相を生成する温度を越える高温となっても、接合層の接合強度が低下することのない、高速切削やＣＶＤコーティング処理等に適した切削工具として好適な接合体を提供する。
【解決手段】相互に異なる材料からなる複数の被接合材１，３が、１０００℃未満では液相を生成しない接合層により接合る。この場合通電加圧によって、被接合材よりも優先的に発熱すると共に、変形を伴う接合材２を用いて、前記複数の被接合材が通電加圧接合により接合される。さらに前記接合材が、内部に空間を有しており、前記複数の被接合材の少なくとも一方よりも、大きな電気抵抗を有していることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、タングステンカーバイド（ＷＣ）に代表される高融点および高硬度を有する難加工性の炭化物系材料と金属材料とを一体的に成形する方法を提供すること、及びその一体成形部材を提供することを目的とする。
【解決手段】炭化物系材料の結晶粒を微細化することによって、粉末冶金における焼結温度の低温度化、加圧力の低応力化、および緻密化速度の高速化を達成する。すなわち、結晶粒を微細化に伴う超塑性現象を利用することによって、金属母材の表面に圧縮成形されたタングステンカーバイド（ＷＣ）などの難加工性の炭化物系材料からなる圧縮成形体の緻密化を従来よりも５００℃以上低い焼結温度で実現し、母材側に塑性変形を生じさせることなく精度の高い金属炭化物−金属の一体成形品を製造することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】
回路基板のベース板として好適な半田濡れ性を有するアルミニウム合金-炭化珪素質複合体を提供する。
【解決手段】
アルミニウム合金-炭化珪素質複合体の表面にニッケルめっきを施し、さらにその上に、炭素数が１０〜２０の高級脂肪酸をコーティングしてなることを特徴とするアルミニウム合金-炭化珪素質複合体であり、高級脂肪酸のコーティング量が、０．０１〜３．０ｇ／ｍ²であることを特徴とするアルミニウム合金-炭化珪素質複合体である。 （もっと読む）

【課題】二つ以上の被接合物が、接合材組成物によって形成される接合材層を介して一体化されてなる接合体であって、熱歪による被接合物の変形を接合材層で抑え込むことができるとともに、応力による接合材層の破断が生じにくく、優れた耐熱衝撃性を有するものを提供する。
【解決手段】二つ以上の被接合物が、接合材組成物によって形成される接合材層９を介して一体化されてなる接合体であって、前記接合材組成物が、板状粒子、非板状粒子及び無機接着剤を主成分とするものであるとともに、前記接合材層９のヤング率が３ＧＰａ以上である接合体。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの製造装置の処理室内を高真空に保つことができる基板載置台を提供する。
【解決手段】基板載置台１は、一つの面が基板載置面１１ａである板状のセラミックス基体１１と、基板載置面１１ａとは反対の面で接合材２２を介してセラミックス基体１１と接合され、多孔質セラミックスの気孔内に金属が充填された気孔率が０％を超え５％未満の板状の複合材料基体２１と、複合材料基体２１の、セラミックス基体１１と接合される面とは反対の面で接合材３２を介して複合材料基体２１と接合される金属板３１とを備えている。 （もっと読む）

【課題】パワーモジュール用ベース板として好適なアルミニウム−炭化珪素質複合体を提供すること。
【解決手段】平板状の炭化珪素質多孔体にアルミニウムを主成分とする金属を含浸してなり、両主面に平均厚みが１０〜１５０μｍのアルミニウムを主成分とする金属からなるアルミニウム合金層を有するアルミニウム−炭化珪素質複合体を、（１）応力を掛けながら、温度４００〜５００℃で３０秒間以上加熱処理することにより、クリープ変形させて所定の反り量を付与し、（２）凹型方向の反り付けを行った面を、平面研削加工してアルミニウム−炭化珪素質複合体を露出させ、（３）温度５００〜５６０℃で１分間以上加熱処理することにより、反り付け時のクリープ変形を除去して、アルミニウム−炭化珪素質複合体を露出させた面に凸型の反りを形成させることを特徴とするアルミニウム−炭化珪素質複合体の製造方法。 （もっと読む）

接合部材の少なくとも１つがセラミックを含んだ（即ち、セラミックまたはサーメット）気密性のある強力な接合部を製造するのに利用することができるＣＴＥ改良ロウ組成物。ロウ組成物は、セラミック接合部材とロウまたは他の接合部材との間の熱膨張係数の不適合による熱応力を低下させるような配合になっている。ロウ組成物は、熱膨張係数が低い（即ち、６ｐｐｍ／Ｋ以下）か、あるいは負である一以上の粒状または繊維状充填材を混合した粉末、ペーストまたはバルク形態のロウ合金を含む。ロウ組成物は、少なくとも１つがセラミックを含んだ部材を接合するのに使用することができるほか、二以上の部材を接合することにより製造される複合部材に使用することができる。
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本発明は、固体セラミック部品と、少なくとも1つの他の固体部品とを接合する際に有用なガラスセラミック材料およびその製造方法である。この材料は、M1-M2-M3-M4を配合したもので、M1は、BaO、SrO、CaO、MgO、またはそれらの組み合わせであり、M2は、Al₂O₃であり、配合物中に2〜15 mol%の量で存在し、M3は、50 mol%以下のB₂O₃を有するSiO₂であり、かつLa₂O₃、Y₂O₃、Nd₂O₃、もしくはその組み合わせからなる群より選択される金属酸化物、または0.1〜7.5 mol%のK₂Oである。La₂O₃、Y₂O₃、Nd₂O₃またはそれらの組み合わせの群からの金属酸化物の場合には、組成物は、0.1〜3 mol%のCuOをさらに含有することが好ましい。全ての場合において、結晶相のガラスセラミック材料は、25℃〜1000℃で測定した時に、熱膨張係数が12 x 10^-6℃^-1である固体電解質の熱膨張係数と実質的に一致し、この熱膨張係数は、熱サイクルを繰り返しても低下しない。本発明に従って、M1-Al₂O₃-M3-M4系の一連のガラスセラミックを、筒状および平面状両方の固体酸化物燃料電池、酸素電気分解装置、および合成ガス、汎用化学製品および他の製品を製造するための膜反応装置を接合またはシールする際に使用することができる。 （もっと読む）

本発明は、金属マトリックス複合材料（ＭＭＣ）から形成される成形体（１）、特にヒートシンクまたは銅から形成される成形体（１）をセラミック成形体（２）、特にセラミックプリント基板と結合する方法に関する。本発明により、ＭＭＣ成形体（１）または銅成形体（１）に隣接するセラミック成形体（２）の表面に第１金属（４）が被覆され、これによりセラミック成形体（２）をＭＭＣ成形体または銅成形体（１）に載置する。更に２つの成形体（１、２）をＭＭＣ成形体（１）のマトリックス金属または銅成形体（１）の銅またはセラミック成形体（１）の表面に被覆された第１金属（４）から形成される系の共融温度より高い温度に加熱し、引き続き室温に冷却させる。 （もっと読む）