【課題】結晶の配向性を高めるに際して、シート部同士をできるだけ接しないようにし、体積効率を高めて焼成する。
【解決手段】無機粒子をシート厚さが１０μｍ以下のシート状に形成した複数のシート部３２に成形し、このシート部３２の間に上部スペーサ３４及び下部スペーサ３５を入れて積層した積層体に貫通孔２６を設け、この貫通孔２６に吊棒２８を挿入し吊した状態で焼成し、積層焼成体２０を作製する。シート部３２は、シート厚さ方向に存在する材料が限られているため、焼成などにより粒成長すると、シート面方向に結晶粒子が成長する。また、シート部３２の間にはスペーサ３４，３５により空間が形成されているからシート部同士が接しにくい。また、シート部３２を積層し吊した状態で焼成するから、強度が必要な載置部材を省略可能であり、より体積効率を高めた状態で焼成することができる。 （もっと読む）

【課題】電気的特性をさらに向上させた圧電材料、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の（Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ）（Ｎｂ，Ｔａ，Ｓｂ）Ｏ_３系圧電材料は、焼結体の表面微構造が、粒径５μｍ未満の微細粒、粒径５μｍ以上１５μｍ未満の中間粒、粒径１５μｍ以上５０μｍ以下の粗大粒からなり、面積基準で粗大粒を３％以上含むことにより、高い電気的特性（比誘電率、圧電定数、誘電損失、電界誘起歪）が得られる。微細粒、中間粒、粗大粒で構成され、粗大粒を３％以上含む圧電材料とするために、（Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ）（Ｎｂ，Ｔａ，Ｓｂ）Ｏ_３で表される組成となるように金属元素を含有する化合物を混合して仮焼した後に粉砕して仮焼／粉砕粉を得、昇温過程において、８００〜９５０℃の範囲の一定温度で一定時間維持するキープ工程で処理した後、さらに昇温して焼結温度にて焼結して製造する。 （もっと読む）

【課題】安定した一定量の酸素欠陥を導入することができ、光透過率が良好であり、低い電気抵抗及び良好な導電性を有する透明導電膜を形成するスパッタリング複合ターゲット及びこれを用いた透明導電膜の製造方法を提供する。
【解決手段】スパッタリング複合ターゲット１は、酸化亜鉛を含む酸化物系成分２と、炭素系成分３ａ〜３ｄとを有し、酸化物系成分２と炭素系成分３ａ〜３ｄが各々別体の場合は、酸化物系成分２の表面の少なくとも一部に炭素系成分３ａ〜３ｄを積層して用いる。
透明導電膜の製造方法は、酸化亜鉛を含む酸化物系成分と、炭素系成分とを有するスパッタリング複合ターゲットを用いて、基板上に透明導電膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】圧電／電歪特性をより高めることができる結晶配向セラミックスを提供する。
【解決手段】結晶核が残存し特定元素を所定濃度範囲で含む結晶面に沿って少なくとも一部が層状である第１領域と、この第１領域と異なる濃度範囲でこの特定元素を含む結晶面に沿って少なくとも一部が層状である第２領域とが交互に繰り返されることにより、結晶面に対して直交する方向に組成分布を有しており、この組成分布が、Ｎａの濃度が第２領域よりも高くＫの濃度が第２領域よりも低くＮｂの濃度が第２領域よりも低くＴａの濃度が第２領域よりも高い領域である第１領域と、Ｎａの濃度が第１領域よりも低くＫの濃度が第１領域よりも高くＮｂの濃度が第１領域よりも高くＴａの濃度が第１領域よりも低い領域である第２領域と、が交互に繰り返されることにより形成されている。 （もっと読む）

【課題】基板の表面における可視光領域の光の反射率が高く、低抵抗性金属から成る導電体層をポストファイヤ法により形成することのできる高反射性セラミックス焼結体を用いた発光素子搭載用基板を提供する。
【解決手段】原料粉体と、有機質バインダーとを混合したものを成形した後、焼成して成るセラミックス焼結体から成る基体を有する発光素子搭載用基板であって、原料粉体は、セラミックス原料と、セラミックス焼結体の内部において可視光領域の光の散乱を促進する散乱体とを含有し、セラミックス原料は、ホウ珪酸ガラス原料と、アルミナとを含有し、散乱体は、五酸化ニオビウム，酸化ジルコニウム，五酸化タンタル，酸化亜鉛から選択される少なくとも１種であり、発光素子搭載用基板は、その表面にセラミックス焼結体を焼成した後に形成した導電体層を備えることを特徴とする発光素子搭載用基板による。 （もっと読む）

【課題】基板の表面における可視光領域の光の反射率が高く、低抵抗性金属から成る導電体層をポストファイヤ法により形成することのできる高反射性セラミックス焼結体を用いた発光素子搭載用基板を提供する。
【解決手段】原料粉体と、有機質バインダーとを混合したものを成形した後、焼成して成るセラミックス焼結体から成る基体を有する発光素子搭載用基板であって、原料粉体は、セラミックス原料と、セラミックス焼結体の内部において可視光領域の光の散乱を促進する散乱体とを含有し、セラミックス原料は、ホウ珪酸ガラス原料と、アルミナとを含有し、散乱体は、五酸化ニオビウム，酸化ジルコニウム，五酸化タンタル，酸化亜鉛から選択される少なくとも１種であり、セラミックス焼結体は、同時焼成された第１の導電体層と、ポストファイヤ法により形成された第２の導電体層とを備えることを特徴とする発光素子搭載用基板による。 （もっと読む）

【課題】紫外光から赤外光（２５０〜２５００ｎｍにピーク波長を有する光）を良好に反射することができ、しかも、紫外線による劣化や、酸化による変色が生じない反射材を提供する。
【解決手段】原料粉体と、有機質バインダーとを混合したものを成形した後、焼成して成るセラミックス焼結体から成る反射材であって、原料粉体は、セラミックス原料と、セラミックス焼結体の内部において可視光領域の光の散乱を促進する散乱体とを含有し、セラミックス原料は、ホウ珪酸ガラス原料と、アルミナとを含有し、散乱体は、五酸化ニオビウム，酸化ジルコニウム，五酸化タンタル，酸化亜鉛から選択される少なくとも１種であり、原料粉体の総重量を１００wt％とした場合に、散乱体を５wt％以上含有し、反射材は、その内部にホウ珪酸ガラス原料から析出したアノーサイトを含有することを特徴とする反射材による。 （もっと読む）

【課題】セラミックス膜の表面モフォロジを改善することができる、セラミックス膜の製造方法を提供する。このセラミックス膜の製造方法により得られたセラミックス膜を提供する。このセラミックス膜が適用された半導体装置および圧電素子を提供する。
【解決手段】セラミックス膜の製造方法は、原材料体２０を結晶化することにより、セラミックス膜３０を形成する工程を含み、原材料体２０は、種類が異なる原料を混在した状態で含み、種類が異なる原料同士は、原料の結晶化における結晶成長条件および結晶成長機構の少なくとも一方が相互に異なる関係にある。 （もっと読む）

【課題】時効処理等の長時間の処理を必要とせずに、歪率が増大した圧電／電歪体、及び圧電／電歪素子を提供する。
【解決手段】圧電／電歪体は、組成式ＡＢＯ_３（Ａは、少なくともＬｉ、Ｎａ、Ｋから選択される１つ以上の元素、Ｂは、少なくともＮｂ、Ｔａ、Ｓｂ、Ｍｎから選択される１つ以上の元素を含む）で表されて主相が正方晶であり、分極処理を施すために印加した電界の印加方向と垂直な面において、分極処理後の（００ｌ）面の配向度が（ｌ００）面の配向度よりも小さくなるように形成する。また、本発明の圧電／電歪体は、分極処理後の、電界の印加方向と垂直な面におけるＸ線回折パターンにおいて、（００ｌ）面の回折ピーク強度Ｉ_００ｌと（ｌ００）面の回折ピーク強度Ｉ_ｌ００との比がＩ_００ｌ／Ｉ_ｌ００≦１である。 （もっと読む）

【課題】電気的特性を向上させた圧電材料、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】焼結体の微構造を粒径５μｍ未満の微細粒、粒径５μｍ以上１５μｍ未満の中間粒と１５μｍ以上１００μｍ以下の粗大粒で構成させることにより、高い電気的特性（比誘電率、圧電定数、誘電損失、電界誘起歪）が得られる。微細粒、中間粒、粗大粒で構成された圧電材料とするために、（Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ）（Ｎｂ，Ｔａ）Ｏ_３で表される組成となるように金属元素を含有する化合物を混合して仮焼した後に粉砕して仮焼／粉砕粉を得、昇温過程において、８００〜９００℃の範囲の一定温度で一定時間維持するキープ工程で処理した後、さらに昇温して焼結温度にて焼結して製造する。 （もっと読む）

【課題】スパッタ膜の膜応力を絶対値で小さくし、スパッタカソードの周辺構造物からの膜剥離が少ないＳｎＯ_２系焼結体ターゲットの提供。
【解決手段】本発明のＳｎＯ_２系スパッタリングターゲットは、１０ｐｐｍを越え１質量％未満のＳｂ_２Ｏ_３と、合計質量が２０質量％以下であるＴａ_２Ｏ_５および／またはＮｂ_２Ｏ_５と、残部としてのＳｎＯ_２および不可避不純物とからなる焼結体からなる。 （もっと読む）

【課題】優れた圧電特性を発揮できる結晶配向セラミックスを安定的に製造できる結晶配向セラミックスの製造方法を提供すること。
【解決手段】多結晶体の結晶粒の特定の結晶面Ａが配向する結晶配向セラミックスの製造方法であり、準備工程と混合工程と成形工程と焼成工程とを行う。準備工程においては、異方形状の配向粒子からなり、ロッキングカーブ法による配向面の半値幅が１０°以下の異方形状粉末１と、その１／３以下の平均粒径を有する微細粉末２とを準備する。混合工程においてはこれらを混合する。成形工程においては、異方形状粉末１の配向面が略同一の方向に配向するように原料混合物を成形する。焼成工程においては、成形体を焼成して結晶配向セラミックスを得る。 （もっと読む）

【課題】セラミックス膜の表面モフォロジを改善することができる、セラミックス膜の製造方法を提供する。このセラミックス膜の製造方法により得られたセラミックス膜を提供する。このセラミックス膜が適用された半導体装置および圧電素子を提供する。
【解決手段】セラミックス膜の製造方法は、原材料体２０を結晶化することにより、セラミックス膜３０を形成する工程を含み、原材料体２０は、種類が異なる原料を混在した状態で含み、種類が異なる原料同士は、原料の結晶化における結晶成長条件および結晶成長機構の少なくとも一方が相互に異なる関係にある。 （もっと読む）

【課題】低温焼結が可能であって実使用温度における高電界印加時の電界誘起歪が良好な(Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ）（Ｎｂ，Ｔａ）Ｏ₃系の圧電／電歪磁器組成物を提供する。
【解決手段】圧電／電歪アクチュエータ１の圧電／電歪体膜１２２は、圧電／電歪磁器組成物の焼結体である。当該圧電／電歪磁器組成物は、第１の元素としてリチウム（Ｌｉ），ナトリウム（Ｎａ）及びカリウム（Ｋ）を含み、第２の元素としてニオブ（Ｎｂ）及びタンタル（Ｔａ）を含み、第３の元素としてＯを含むＡＢＯ₃型の組成式を有する組成物であって、第２の元素の総原子数に対する第１の元素の総原子数の比（いわゆるＡ／Ｂ比）が１より大きく、第２の元素の総原子数に占めるＴａの原子数が１０ｍｏｌ％以上５０ｍｏｌ％以下である組成を有し、第１の元素をＡサイト構成元素、第２の元素をＢサイト構成元素とするペロブスカイト型酸化物を含む。 （もっと読む）

【課題】配向度の高い結晶配向セラミックスを安定的に製造できる結晶配向セラミックスの製造方法を提供すること。
【解決手段】多結晶体の結晶粒の特定の結晶面Ａが配向する結晶配向セラミックスの製造方法であり、準備工程と混合工程と成形工程と評価工程と焼成工程とを行う。準備工程においては、異方形状の配向粒子からなる異方形状粉末と、その１／３以下の平均粒径を有する微細粉末とを準備する。混合工程においてはこれらを混合する。成形工程においては、異方形状粉末の配向面が略同一の方向に配向するように原料混合物を成形する。評価工程においては、成形体内における配向粒子の配向面について、ロットゲーリング法による配向度及びロッキングカーブ法による半値幅（ＦＷＨＭ）を測定し、配向度８０％以上かつ半値幅１５°以下である成形体を選択する。焼成工程においては、成形体を焼成して結晶配向セラミックスを得る。 （もっと読む）

【課題】セラミックス膜の表面モフォロジを改善することができる、セラミックス膜の製造方法を提供する。このセラミックス膜の製造方法により得られたセラミックス膜を提供する。このセラミックス膜が適用された半導体装置および圧電素子を提供する。
【解決手段】セラミックス膜の製造方法は、原材料体２０を結晶化することにより、セラミックス膜３０を形成する工程を含み、原材料体２０は、種類が異なる原料を混在した状態で含み、種類が異なる原料同士は、原料の結晶化における結晶成長条件および結晶成長機構の少なくとも一方が相互に異なる関係にある。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、セラミックス膜の表面モフォロジを改善することができる、セラミックス膜の製造方法を提供することにある。
【解決手段】セラミックス膜の製造方法は、第１の原料液と、第２の原料液とを含むセラミックスの原料液を結晶化することにより、セラミックス膜を形成する工程を含む。前記第１の原料液と前記第２の原料液とは、種類が異なる関係にあり、前記第１の原料液は、強誘電体を生成するための原料液であり、前記第２の原料液は、ＡＢＯ系などの酸化物を生成するための原料液であり、前記第１の原料液が含む溶媒と第２の原料液が含む溶媒とは、極性の異なる関係にあり、前記第１の原料液と前記第２の原料液が相分離した状態で成膜することにより、前記セラミックス膜の平面方向において、前記第１の原料液からなる第１の結晶が断続して形成され、前記第２の原料液からなる第２の結晶が前記第１の結晶相互間に介在するように形成される。 （もっと読む）

【課題】セラミックス膜の表面モフォロジを改善することができる、セラミックス膜の製造方法を提供する。このセラミックス膜の製造方法により得られたセラミックス膜を提供する。このセラミックス膜が適用された半導体装置および圧電素子を提供する。
【解決手段】セラミックス膜の製造方法は、原材料体２０を結晶化することにより、セラミックス膜３０を形成する工程を含み、原材料体２０は、種類が異なる原料を混在した状態で含み、種類が異なる原料同士は、原料の結晶化における結晶成長条件および結晶成長機構の少なくとも一方が相互に異なる関係にある。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、セラミックスの結晶化温度を低減させることができ、セラミックスの表面モフォロジを改善することができる、セラミックスの製造方法を提供することにある。
【解決手段】セラミックスの製造方法は、酸素八面体構造を有する複合酸化物材料と、該複合酸化物材料に対して触媒作用を有する常誘電体材料とが混在した膜を形成し、その後該膜を熱処理することを含み、前記常誘電体材料は、構成元素中にSiを含む層状触媒物質、または構成元素中にSi及びGeを含む層状触媒物質からなる。前記熱処理は焼成及びポストアニールを含み、少なくとも該ポストアニールは、加圧された、酸素及びオゾンの少なくとも一方を含む雰囲気中で行われることが望ましい。セラミックスは、酸素八面体構造を有する複合酸化物であって、該酸素八面体構造中にSi及びGeを含む。 （もっと読む）

【課題】高電界印加時の電界誘起歪が良好な（Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ）（Ｎｂ，Ｔａ，Ｓｂ）Ｏ₃系の圧電／電歪磁器組成物を提供する。
【解決手段】圧電／電歪アクチュエータ１の圧電／電歪体膜１２２は、圧電／電歪磁器組成物の焼結体である。当該圧電／電歪磁器組成物は、Ａサイト元素としてＬｉ，Ｎａ及びＫを含み、Ｂサイト元素としてＮｂ及びＳｂを含み、Ｂサイト元素の総原子数に対するＡサイト元素の総原子数の比が１より大きく、Ｂサイト元素の総原子数に占めるＳｂの原子数が１ｍｏｌ％以上１０ｍｏｌ％以下であるペロブスカイト型酸化物に微量のＭｎ化合物を添加したものである。 （もっと読む）