【課題】ｎ型熱電変換材料として優れた性能を有し、高い耐久性を有する材料を提供する。
【解決手段】下記組成式で表される酸化物からなる焼結体であって、該焼結体を構成する結晶粒子の５０％以上が１μｍ未満の粒径を有することを特徴とする酸化物焼結体：組成式：Ca_1-xM¹_xMn_1-yM²_yO_z(式中、M^１は、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Yb、Dy、Ho、Er、Tm、Tb、Lu、Sr、Ba、Al、Bi、Y及びLaからなる群から選ばれた少なくとも一種の元素であり、M²は、Ta、Nb、W及びMoからなる群から選ばれた少なくとも一種の元素である。また、ｘ、ｙ及びｚはそれぞれ次の範囲である：0≦x≦0.5、0≦y≦0.2、2.7≦ｚ≦3.3)で表される酸化物。 （もっと読む）

【課題】絶縁性の高い、正方晶構造を有するペロブスカイト酸化物からなる圧電材料を提供する。
【解決手段】正方晶構造を有する、一般式Ａ（１）Ｍ（１）Ｏ_３（式中、Ａ（１）はＢｉを表し、Ｍ（１）はｄ^０またはｄ^１０である元素から選ばれる２種類以上の元素を表す。）で表されるペロブスカイト酸化物からなり、前記酸化物の構成元素のＢｉ、Ｍ（１）及びＯのイオン半径をＳｈａｎｎｏｎのイオン半径で定義したときの下記数式（１）で表される寛容因子（ｔｏｌｅｒａｎｃｅ ｆａｃｔｏｒ）ｔの値が１．００６以上である圧電材料。


（式中、ｒ_Ｂｉ、ｒ_Ｍ及びｒ_Ｏは、それぞれＢｉ、Ｍ（１）及びＯのイオン半径を表す。） （もっと読む）

【課題】特性向上の要因となりうる新たな指標ないし項目を見出し、それを正確に評価する方法を提案し、それらの結果に基づいて、電気的特性を向上させたニオブ酸アルカリ系の圧電／電歪セラミックス焼結体を提供すること。
【解決手段】正方晶ペロブスカイト型酸化物が主結晶相であり、正方晶（００２）面の回折ピークの非対称度が、１以上、３．３以下であるニオブ酸アルカリ系の圧電／電歪セラミックス焼結体の提供による。 （もっと読む）

【課題】高電界印加時の電界誘起歪が大きい(Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ）（Ｎｂ，Ｔａ）Ｏ₃系の圧電／電歪磁器組成物を提供する。
【解決手段】Ａサイト元素としてＬｉ（リチウム），Ｎａ（ナトリウム）及びＫ（カリウム）を含み、Ｂサイト元素としてＮｂ（ニオブ），Ｔａ（タンタル）及びＳｂ（アンチモン）のうちの少なくともＮｂ及びＳｂを含み、Ｂサイト元素の総原子数に対するＡサイト元素の総原子数の比が１より大きいペロブスカイト型酸化物を合成した後にＢｉ（ビスマス）化合物を添加して反応させる。ペロブスカイト型酸化物１００モル部に対するＢｉ化合物の添加量は、Ｂｉ原子換算で０．０２モル部以上０．１モル部以下であることが望ましい。 （もっと読む）

【課題】電気的特性を向上させた圧電材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】焼結体の表面微構造が、粒径５μｍ未満の微細粒と、粒径５μｍ以上１５μｍ未満の中間粒と、粒径１５μｍ以上１００μｍ以下の粗大粒とからなる（Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｂｉ）（Ｎｂ，Ｔａ）Ｏ_３系圧電材料であり、該組成となる化合物を混合、仮焼、粉砕、成形したものを焼結する際に、昇温途中の８００〜９００℃の範囲の熱面積が８００〜２００００（℃＊ｈ）となるようにする。 （もっと読む）

【課題】高温域の検出を可能にする複合温度センサ素子、及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体酸化物ＡＯxと絶縁体酸化物ＢＯxとにより構成される複合焼結体ＡＯx・ＢＯxからなる複合温度センサ素子１である。絶縁体酸化物ＢＯxの焼結体の結晶粒内及び／又は結晶粒界中には焼結助材が分散している。焼結助材は、平均結晶粒径が１．０μｍ以下であることが好ましい。焼結助材は、ＣａＣＯ₃、ＣａＺｒＯ₃、及びＣａＳｉＯ₃のうち少なくとも１種以上であることが好ましい。焼結助材の添加量は、半導体酸化物ＡＯxとマトリックス酸化物ＢＯxとの合計に対して、０．２モル％〜５モル％であることが好ましい。半導体酸化物ＡＯxは、Ａが元素周期律表第２Ａ族及びＬａを除く第３Ａ族、第２Ｂ族、第３Ｂ族、第４Ａ族、第５Ａ族、第６Ａ族、第７Ａ族、及び第８Ａ族の元素から選択される少なくとも１種以上の元素であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】環境に優しく、諸特性に優れた新規な圧電材料を提供する。
【解決手段】圧電材料として、一般式ＡＢＯ₃で示されるペロブスカイト型酸化物を含み、Ａは、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）、およびリチウム（Ｌｉ）を含み、Ｂは、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ），およびアンチモン（Ｓｂ）を含む。また、酸化クロムおよび酸化鉄カルシウムのうちの少なくとも１つを含むことができる。上記組成の仮焼成物を得る仮焼成工程と、少なくとも前記仮焼成物を粉砕し、該仮焼成物および酸化銀又は銀からなる第２原料が混合された混合物を得る工程と、前記混合物をドクターブレード法またはエアゾール法により成形して成形物を得る工程と、前記成形物を本焼成する工程と、を含み、前記第２原料を構成する粒子の平均粒径は、前記混合物の平均粒径よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】セラミックス焼成基体に形成されるものにおいて、圧電／電歪特性をより高めた圧電／電歪膜型素子を提供する。
【解決手段】アクチュエータ１０は、下方に向かって開口した空間部１４が形成されたセラミックス焼成基体１２と、空間部１４の上方側のセラミックス焼成基体１２の上面に形成された第１電極２２と、第１電極２２状に形成され電力の入出力に伴い体積変化する圧電／電歪体３０と、圧電／電歪体３０の上方に形成された第２電極２４と、を備えている。圧電／電歪体３０は、主成分がＰｂ（Ｚｒ_1-xＴｉ_x）Ｏ₃や、（Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ）（Ｎｂ，Ｔａ）Ｏ₃であり、電界方向に沿って結晶体が配向している。このアクチュエータ１０では、圧電／電歪体が形成される基体の配向性などにかかわらず、圧電／電歪体３０の配向度を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】圧電セラミック層における結晶配向セラミクスの配向度が高く、優れた変位性能を示すことができ、内部電極の形成率の低下を抑制できる積層型圧電素子及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】等方性ペロブスカイト型化合物を主相とする多結晶体からなり、これを構成する結晶粒の結晶面｛１００｝面が配向する結晶配向セラミックスよりなる圧電セラミック層と、内部電極を構成する電極部を含む電極配設層とを複数交互に積層してなる積層型圧電素子及びその製造方法である。圧電セラミック層は、一般式（１）[Ａｇ_h{Ｌｉ_x(Ｋ_1-yＮａ_y)_1-x}_1-h]_j(Ｎｂ_1-z-wＴａ_zＳｂ_w)Ｏ_3-k（但し、０≦ｘ≦０．２、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦０．４、０≦ｗ≦０．２、ｘ＋ｚ＋ｗ＞０、０＜ｈ≦０．０５、０．９４≦ｊ≦１、０≦ｋ≦０．５）で表される上記等方性ペロブスカイト型化合物を主相とする上記結晶配向セラミックスからなる。 （もっと読む）

【課題】緻密性に優れ、配向度が高く、位相及びボイドの発生を抑制することができる結晶配向セラミックスの製造方法を提供すること。
【解決手段】混合工程と成形工程と焼成工程とを行うことにより、結晶配向セラミックスの製造方法である。混合工程においては、異方形状粉末と反応原料粉末とを混合することにより原料混合物を作製する。成形工程においては、原料混合物を成形して成形体を作製する。焼成工程においては、成形体を加熱することにより、結晶配向セラミックスを得る。異方形状粉末としては、特定組成のビスマス層状ペロブスカイト型化合物粉末の酸処理体を採用する。反応原料粉末は、一般式（３）{Ｌｉ_s(Ｋ_1-tＮａ_t)_1-s}_b(Ｎｂ_1-u-vＴａ_uＳｂ_v)Ｏ₃（但し、０≦ｓ≦１、０≦ｔ≦１、０≦ｕ≦１、０≦ｖ≦１、ｕ＋ｖ＜１、１．００７≦ｂ≦１．１）で表される等方性ペロブスカイト型化合物からなる。 （もっと読む）

本発明は、酸化物基準の質量パーセントで７５−９９％のジルコンを含む開始チャージ材から構成され、酸化物基準の質量パーセントで、合計１００％に対して、６０％≦ＺｒＯ_２≦７２．８％，２７％≦ＳｉＯ_２≦３６％，０．１％≦Ｂ_２Ｏ_３＋ＧｅＯ_２＋Ｐ_２Ｏ_５＋Ｓｂ_２Ｏ_３＋Ｎｂ_２Ｏ_５＋Ｔａ_２Ｏ_５＋Ｖ_２Ｏ_５，０．１％≦ＺｎＯ＋ＰｂＯ＋ＣｄＯ，Ｂ_２Ｏ_３＋ＧｅＯ_２＋Ｐ_２Ｏ_５＋Ｓｂ_２Ｏ_３＋Ｎｂ_２Ｏ_５＋Ｔａ_２Ｏ_５＋Ｖ_２Ｏ_５＋ＺｎＯ＋ＰｂＯ＋ＣｄＯ≦５％，０％≦Ａｌ_２Ｏ_３＋ＴｉＯ_２＋ＭｇＯ＋Ｆｅ_２Ｏ_３＋ＮｉＯ＋ＭｎＯ_２＋ＣｏＯ＋ＣｕＯ≦５％，他の酸化物：≦１．５％である平均量の化学組成を有する焼結製品に関する。特に、ガラス炉に使用される。 （もっと読む）

【課題】
スパッタ法の量産性，大面積化対応性を維持しつつ、透明導電膜としての電気特性を向上させる。
【解決手段】
酸化亜鉛を主成分とする酸化亜鉛薄膜形成用スパッタターゲットにおいて、元素種として亜鉛（Ｚｎ）及び酸素（Ｏ）以外の少なくとも１種類以上の元素種を有する添加元素Ｘを含み、その添加元素Ｘが薄膜中で酸素を含まない化合物であり、ここでいう添加元素Ｘの化合物とは、常温常圧で固体であって、Ｘ＝Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｃ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｓｃ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔｃ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ａｇ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ，Ｃｓ，Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｎ，Ｐ，Ａｓ，Ｓｂ，Ｓ，Ｓｅ，Ｔｅ，Ｆ，Ｃｌ，Ｂｒ，Ｉの中から、１種類以上選ばれた化合物である。 （もっと読む）

【課題】高電界印加時の電界誘起歪が大きい（Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ）（Ｎｂ，Ｔａ）Ｏ₃系の圧電／電歪磁器組成物を提供する。
【解決手段】Ａサイト元素としてＬｉ（リチウム），Ｎａ（ナトリウム）及びＫ（カリウム）を含み、Ｂサイト元素としてＮｂ（ニオブ）及びＴａ（タンタル）のうちの少なくともＮｂを含み、Ｂサイト元素の総原子数に対するＡサイト元素の総原子数の比が１より大きいペロブスカイト型酸化物を合成した後にＢｉ（ビスマス）化合物を添加して反応させる。ペロブスカイト型酸化物１００モル部に対するＢｉ化合物の添加量は、Ｂｉ原子換算で０．０１モル部以上０．１モル部以下であることが望ましい。 （もっと読む）

【課題】簡単かつ低コストで作製することができ、結晶配向セラミックスの作製時のテンプレートとして用いることができる異方形状粉末及びこれを用いた結晶配向セラミックスの製造方法を提供すること。
【解決手段】等方性ペロブスカイト型化合物を主相とする多結晶体からなり、該多結晶体を構成する擬立方｛１００｝面が配向する結晶配向セラミックスを製造するためのテンプレートとして用いられる異方形状粉末及びこれを用いた結晶配向セラミックスの製造方法である。異方形状粉末は、｛０１０｝面が発達して配向面を形成する異方形状の配向粒子からなる。配向粒子は、一般式（１）Ａ₄Ｂ₆Ｏ₁₇又は一般式（２）ＡＢ₃Ｏ₈で表される層状化合物（但し一般式（１）及び（２）においてＡサイト元素は少なくともＫを主成分とし、Ｂサイト元素は少なくともＮｂを主成分とする）からなる。 （もっと読む）

【課題】静電容量の容量変化率（ΔＣ／Ｃ）が広い温度域において小さく、比誘電率が大きく、誘電損失が小さい、鉛を含有しないニオブ酸系の誘電体磁器組成物、その製造方法、及びその誘電体磁器組成物を用いたコンデンサを提供する。
【解決手段】一般式［Ｎａ_１−ｘＫ_ｘ］_１−ｙＬｉ_ｙ［Ｎｂ_１−ｚＴａ_ｚ］Ｏ_３(但し、ｘ、ｙ、ｚは、０≦ｘ≦１．０、０≦ｙ≦０．３０、０≦ｚ≦０．４０)で示される主成分と、副成分として、主成分に対するモル％で１．０〜８．０モル％のＮｂ_２Ｏ_５、１．０〜８．０モル％のＭｇＯ、３．０〜１６．０％のＲＯ（但しＲはＣａ、Ｓｒ、Ｂａの内、少なくとも１種）を含む誘電体磁器組成物である。また、同様の組成の粉末を焼成することによる誘電体磁器組成物の製造方法であり、その誘電体磁器組成物よりなる誘電体を有する誘電体磁器コンデンサである。 （もっと読む）

【課題】酸化物の融点以下の焼結温度でも３次元的に連結された高結晶性を有する金属酸化物多孔質膜の製造方法と、該金属酸化物多孔質膜を半導体電極に用いた色素増感型太陽電池を提供する。
【解決手段】金属酸化物粒子とアルカリ金属化合物を含むフラックスからなる金属酸化物層を基板上に形成する第一の工程と、金属酸化物粒子の融点以下の温度で加熱して焼結させる第二の工程と、得られた焼結体からフラックスを除去する第三の工程とを有することを特徴とする金属酸化物多孔質膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】鉛の含有量が十分に低減されるとともに、圧電特性に十分優れた圧電磁器及び当該圧電磁器を備える圧電素子を提供すること。
【解決手段】圧電素子２０は圧電磁器１を備えている。この圧電磁器１は構成元素として鉛とは異なる金属元素を有する一種以上の複合酸化物からなる組成物を主成分として含有する。複合酸化物の少なくとも一種は、構成元素としてアルカリ金属及びＮｂを有している。そして、上記組成物の結晶粒の粒界には、Ｍｎ及びＣｕの少なくとも一方の元素が偏在している。 （もっと読む）

【課題】結晶配向セラミックスの配向度を向上できる結晶配向セラミックスの製造方法を提供すること。
【解決手段】混合工程と成形工程と焼成工程とを行って結晶配向セラミックスを製造する方法である。混合工程においては、異方形状粉末と、これと反応して等方性ペロブスカイト型化合物を生成する反応原料粉末とを混合する。成形工程においては、異方形状粉末の結晶面が略同一の方向に配向するように、原料混合物を成形する。焼成工程においては、成形体を加熱することにより結晶配向セラミックスを得る。混合工程においては、一般式（１）{Ｌｉ_x(Ｋ_1-yＮａ_y)_1-x}_a(Ｎｂ_1-z-wＴａ_zＳｂ_w)Ｏ₃で表される等方性ペロブスカイト型化合物が生成する化学量論比にて異方形状粉末と反応原料粉末とを混合し、等方性ペロブスカイト型化合物１ｍｏｌに対する添加量が０．００５〜０．０２ｍｏｌとなるようにＮｂ₂Ｏ₅粉末を混合する。 （もっと読む）

【課題】鉛の含有量が十分に低減されるとともに、圧電特性に十分優れた圧電磁器及び当該圧電磁器を備える圧電素子を提供すること。
【解決手段】圧電磁器１は下記一般式（１）で表される主成分と、Cr,Mn,Fe,Co,CuまたはNiを構成元素とする少なくとも一種の副成分とを含有し、主成分に対する副成分の合計の含有量が酸化物に換算して0.05〜1.0質量％である焼結体を備えている。焼結体は、酸素分圧が0.21atm未満の雰囲気中で焼成されたものであり、結晶粒の平均粒径が0.9μｍ以上である。
a(Na_xK_yLi_z）[Nb_(1-α)Ta_α］O₃−bBa[Nb_(1-α）Ta_α)₂O₆−cABO₃・・・・（１）
［式中、a,b,c,x,y,z,αは、それぞれ、a+b+c=1、0≦b≦0.0１、0≦c≦0.１、0.35≦x≦0.65、0.35≦y≦0.55、0≦z≦0.1、及び0≦α≦0.2を満足する数値であり、ABO₃は、前記ペロブスカイト型酸化物を示す。］
（もっと読む）

【課題】ガラスフリットの侵食に対して強い耐性を持ち、ガラスフリット接触した状態で焼成しても電気抵抗が増加することのない透明導電膜およびその製造方法の提供。
【解決手段】酸化スズを主成分とする透明導電膜であって、前記透明導電膜は、タングステン、タンタル、ニオブ、モリブデンおよびビスマスからなる群から選択される少なくとも一つ以上の元素をドーパントとして含み、アンチモンおよびインジウムを実質的に含まず、 前記透明導電膜中にドーパントとして含まれる前記元素の総量をＭ_A、前記透明導電膜に含まれるスズ元素の量をＳｎとした場合に、下記式（１），（２）を満たすことを特徴とする透明導電膜。
０．８ ＜ （Ｓｎ）／（Ｓｎ＋Ｍ_A） ＜ １．０ ・・・（１）
０．０１ ＜ （Ｍ_A）／（Ｓｎ＋Ｍ_A） ＜ ０．２ ・・・（２） （もっと読む）