【課題】実用に耐えうる導電性を保ちながら、かつ耐候性を備え、パターニングの際に適当なエッチングレートを有する透明導電膜を成膜するためのターゲットに用いることができる酸化亜鉛系透明導電膜形成材料、その製造方法、それを用いたターゲット、および酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法を提供する。
【解決手段】本発明の酸化亜鉛系透明導電膜形成材料は、実質的に亜鉛、ニオブおよび／またはタンタルおよび酸素からなる酸化物焼結体であって、ニオブおよび／またはタンタルが原子数比でＸ／（Ｚｎ＋Ｘ）＝０．０２以上０．１以下（式中、Ｘはニオブおよび／またはタンタル）となるよう含有されている。 （もっと読む）

【課題】磁気記録媒体の信号雑音比が向上され及び面記録密度が増強された記録層を得る為のスパッタリングターゲット、及び該スパッタリングターゲットから形成された磁気記録媒体の記録材料を提供する。
【解決手段】ＣｏＰｔ又はＣｏＣｒＰｔ又はＣｏＣｒＰｔＢに基づく合金及び酸化物組合せを含み、前記酸化物組合せが、酸化銅（ＣｕＯ）と、二酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化クロム（Ｃｒ２Ｏ３）、酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）、酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、及び酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）からなる群から選択される少なくとも１つの酸化物とを含むスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】ガラスを原料として、可視光応答性と優れた光触媒活性を有し、使用性や耐久性にも優れた光触媒機能性素材を提供する。
【解決手段】 酸化物換算組成の全物質量に対して、モル％で、Ｂｉ_２Ｏ_３成分を５〜９５％の範囲内で含有するガラスセラミックスが提供される。このガラスセラミックスは、Ｂｉ_２Ｏ_３結晶、Ｂｉ_２ＷＯ_６結晶、Ｂｉ_２Ｗ_２Ｏ_９結晶、Ｂｉ_２Ｗ_３Ｏ_１２結晶、Ｂｉ_２ＭｏＯ_６結晶、Ｂｉ_２Ｍｏ_２Ｏ_９結晶、Ｂｉ_２Ｍｏ_３Ｏ_１２結晶、Ｂｉ_２Ｔｉ_２Ｏ_７結晶、Ｂｉ_２Ｔｉ_４Ｏ_１１結晶、Ｂｉ_４Ｔｉ_３Ｏ_１２結晶、Ｂｉ_１２ＴｉＯ_２０結晶、ＢｉＮｂＯ_４結晶、Ｂｉ_２Ｆｅ_４Ｏ_９結晶、ＢｉＶＯ_４結晶、ＬｉＢｉＯ_３結晶、及びこれらの固溶体からなる群より選択される１種以上を含有していてもよい。 （もっと読む）

【課題】表示装置用酸化物半導体膜の成膜に好適に用いられる酸化物焼結体およびスパッタリングターゲットであって、高い導電性と相対密度を兼ね備えた酸化物焼結体およびスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と；酸化スズと；Ａｌ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｍｇ、Ｇａおよび希土類元素よりなる群から選択される少なくとも一種の金属（Ｍ金属）の酸化物の各粉末と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、酸化物焼結体をＸ線回折したとき、Ｚｎ₂ＳｎＯ₄化合物は検出されるが、スピネル型化合物であるＺｎＭ_XＯ_y相およびＭ_XＯ_y相（ｘ、ｙは任意の整数である）は検出されないものである。 （もっと読む）

【課題】イオン伝導度を有する、新規な結晶構造を有する物質を開発する。
【解決手段】（ａ）ないし（ｃ）の条件を満足する新規な結晶構造を有する金属複合酸化物であって、（ａ）空間群がＦｄ−３ｍに属し、（ｂ）格子定数が１７．０±１．０Åの範囲にあり、（ｃ）単位格子内の結晶学的配置が、陽イオンにより下記表のサイト占有率で占有されている金属複合酸化物。好ましくは、バリウム−タングステン複合酸化物および／またはその誘導体。
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【課題】Ｌｉ_ｘＫ_ｙＮａ_{（１−ｘ−ｙ）}Ｎｂ_ａＴａ_ｂＳｂ_{（１−ａ−ｂ）}Ｏ_３を母材として、環境に優しく、圧電特性に優れるとともに、緻密性と耐湿性を向上させて、高い信頼性を有する圧電材料を提供する。
【解決手段】焼結体からなる圧電材料１ｂであって、一般式Ｌｉ_ｘＫ_ｙＮａ_{（１−ｘ−ｙ）}Ｎｂ_ａＴａ_ｂＳｂ_{（１−ａ−ｂ）}Ｏ_３で表される母材と、ガラスとを基本成分として含み、前記一般式において、０≦ｘ≦０．３、０．１≦ｙ≦０．７、０．３≦ａ≦０．９、０≦ｂ≦０．２であり、前記母材の成分におけるＫ、Ｎａ、Ｎｂを含んで一般式Ｋ_ｙＮａ_{（１−ｘ−ｙ）}Ｎｂ_ａＯ_３で表される化合物を核体１０ｂとして、当該核体が、前記基本成分のうち、前記ＫＮＮ化合物を構成する成分以外の成分からなる被膜体１２ｂによって覆われている構造を有している。 （もっと読む）

【課題】高電界印加時における歪特性に優れた圧電／電歪セラミックス焼結体を提供する。
【解決手段】圧電／電歪セラミックス焼結体は、非鉛圧電／電歪材料から構成されてなり、前記非鉛圧電／電歪材料を構成する金属成分のうちの少なくとも一種の金属成分の比率が化学量論組成からモル換算で１％以上ずれた欠陥を生じたものであるとともに、ロットゲーリング法により測定されるＣ軸の配向度が３０％以上である。また、鉛を含まない非鉛圧電／電歪材料から構成されたものであるため、焼結体からの鉛の溶出がなく、環境汚染の問題を生じることもない。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法による透明導電膜の製膜時のノジュールの発生を抑止して安定性よく製膜することのできるスパッタリングターゲットおよびその製造法を提供する。
【解決手段】酸化インジウムと酸化ガリウムおよび酸化亜鉛からなる金属酸化物の焼結体であって、該金属酸化物がＩｎ_２Ｏ_３（ＺｎＯ）_ｍ〔ただし、ｍは２〜１０の整数である。〕、Ｉｎ_２Ｇａ_２ＺｎＯ_７、ＩｎＧａＺｎＯ_４、ＩｎＧａＺｎ_２Ｏ_５、ＩｎＧａＺｎ_３Ｏ_６、ＩｎＧａＺｎ_４Ｏ_７、ＩｎＧａＺｎ_５Ｏ_８、ＩｎＧａＺｎ_６Ｏ_９およびＩｎＧａＺｎ_７Ｏ_１０の群から選択される１種または２種以上の六方晶層状化合物を含有し、かつ、酸化インジウム９０〜９９質量％、酸化ガリウムと酸化亜鉛の合計１〜１０質量％の組成を有する焼結体からなるスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】常圧焼結法により安定して一定の圧電特性を持ち緻密化した焼結体となる、アルカリ金属含有ニオブ酸化物からなる圧電セラミックスおよび製造方法を提供すること。
【解決手段】アルカリ金属含有ニオブ酸化物を含む主成分に酸化ビスマスおよび酸化亜鉛からなる焼結助剤を添加した圧電セラミックスであって、仮焼工程、主成分の仮焼粉と焼結助剤とを混合する混合工程、混合工程で得られた混合紛を焼成して焼結体とする焼成工程を経ることで常圧焼結法により緻密化したアルカリ金属含有ニオブ酸化物からなる圧電セラミックスが得られる。 （もっと読む）

【課題】低熱膨張性に優れ、高い機械的強度を有し、且つ、耐熱性及び耐熱衝撃性に優れた低熱膨張性リン酸ジルコニウム焼結体を提供する。
【解決手段】直接結晶析出法より調製されたＮＨ_４Ｚｒ_２（ＰＯ_４）_３を出発原料として合成されたＲＺｒ_４（ＰＯ_４）_６（Ｒ＝Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ）を主成分とし、焼結助剤的目的としてＴｉＯ_２、ＺｒＯ_２、ＨｆＯ_２、Ｎｂ_２Ｏ_５、Ｔａ_２Ｏ_５、ＷＯ_３及びＭｏＯ_３よりなる群から選ばれる１種又は２種以上の金属酸化物を含むことを特徴とする低熱膨張性リン酸ジルコニウム焼結体及びその製造方法に係わる。 （もっと読む）

【課題】低電界のみならず高電界印加時にも高い歪率を呈する非鉛系の圧電／電歪焼結体を提供する。
【解決手段】一般式(1){Li_y(Na_1-xK_x)_1-y}_a(Nb_1-z-wTa_zSb_w)O₃で表される第１ペロブスカイト型酸化物、Ba、Sr、Ca、La、Ce、Nd、Sm、Dy、Ho及びYbからなる群より選択される一種以上の選択元素の化合物、並びにMnの化合物を含む第１成分、一般式(2){Ba_t(K_pNa_1-p)_1-t}(Zr_tNb_1-t)O₃で表される第２ペロブスカイト型酸化物である第２成分、並びにZnを主成分として含む第３成分、を含む組成物を焼成して得られる圧電／電歪焼結体であって、前記焼結体における前記第３成分の含有量がZn由来の異相を生じない範囲にあり、かつ前記焼結体において前記a、x、y、z、w、p、及びtが所定の条件を満たす、圧電／電歪焼結体１。 （もっと読む）

【課題】耐久性に優れ且つ環境への負荷が小さい圧電素子を有する液体噴射ヘッド及びこれを用いた液体噴射装置並びに圧電素子を提供する。
【解決手段】液滴を噴射するノズル開口に連通した圧力発生室と、圧電体層および前記圧電体層に電圧を印加する電極を有する圧電素子と、を具備し、前記圧電体層は、ナトリウム、カリウム、リチウム、ニオブ及びタンタルを含有するペロブスカイト型酸化物及びマンガン酸ビスマスを含む固溶体からなる液体噴射ヘッドとする。 （もっと読む）

【課題】可視光透過率及び導電性に優れ、安価な透明導電膜を提供する。
【解決手段】一般式Ｍ_ＥＡ_ＧＷ_{（１−Ｇ）}Ｏ_Ｊ（但し、Ｍ元素は、Ｈ、Ｈｅ、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類元素、Ｆｅ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｎ、のうちから選択される１種類以上の元素、Ａ元素は、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｔａ、のうちから選択される１種類以上の元素、Ｗはタングステン、Ｏは酸素、０＜Ｅ≦１.２、０＜Ｇ≦１、２≦Ｊ≦３）で表記される複合酸化物を含み、波長４００ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の領域で透過率の最大値が１０％以上９２％未満であり、膜の表面抵抗が１．０×１０^１０Ω／□以下である透明導電膜を提供する。 （もっと読む）

【課題】ターゲットの導電性酸化物の熱伝導率を向上させることによって、そのターゲットの厚さの増大を可能にして寿命を増大させ、またそのターゲットを用いることによって、スパッタリング堆積された酸化物半導体膜のエッチング速度の向上を可能にする。
【解決手段】導電性酸化物は、結晶質Ｉｎ_２Ｇａ_{２（１−ｍ）}Ｚｎ_１−ｑＯ_７−ｐ（０≦ｍ＜１、０≦ｑ＜１、０≦ｐ≦３ｍ＋ｑ）と結晶質Ｇａ_２ＺｎＯ_４とを含み、粉末Ｘ線回折法を適用したときに、最大の回折強度を有するａピークの回折角２θが２９．００°以上３０．７５°以下の範囲内にあり、かつ第２位の回折強度を有するｂピークの回折角２θが３３．００°以上３６．００°以下の範囲内にあり、そしてａピークに対するｂピークの回折強度比Ｉｂ／Ｉａが０．１以上１．０以下であることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】高周波領域で使用するための誘電体、特に誘電体共振器、電子周波数フィルタ素子、またはアンテナ素子として特に適するガラスセラミックを提供する。
【解決手段】ガラスセラミックは、酸化物基準のモル％で、少なくとも、５〜５０％のＳｉＯ_２と、０〜２０％のＡｌ_２Ｏ_３と、０〜２５％のＢ_２Ｏ_３と、０〜２５％のＢａＯと、１０〜６０％のＴｉＯ_２と、５〜３５％のＲＥ_２Ｏ_３とを構成成分として有する。ここで、Ｂａは部分的にＳｒ、Ｃａ、Ｍｇで置換でき、ＲＥはランタニドまたはイットリウムであり、Ｔｉは部分的にＺｒ、Ｈｆ、Ｙ、Ｎｂ、Ｖ、Ｔａで置換できる。 （もっと読む）

【課題】Ｌｉ_ｘＫ_ｙＮａ_{（１−ｘ−ｙ）}Ｎｂ_ａＴａ_ｂＳｂ_{（１−ａ−ｂ）}Ｏ_３でを母材として、環境に優しく、圧電特性に優れるとともに、緻密性と耐湿性を向上させて、高い信頼性を有する圧電材料を提供する。
【解決手段】一般式Ｌｉ_ｘＫ_ｙＮａ_{（１−ｘ−ｙ）}Ｎｂ_ａＴａ_ｂＳｂ_{（１−ａ−ｂ）}Ｏ_３で表される基本化合物を主成分とした母材にガラス１２が添加されてなり、０≦ｘ≦０．３、０．１≦ｙ≦０．７、０．３≦ａ≦０．９、０≦ｂ≦０．２であるとともに、ガラス１２が前記化合物の結晶粒１０の粒界１１に存在してなる構造を有していることを特徴とする。また、前記母材は、基本化合物にＣｕ化合物が添加されてなり、当該Ｃｕ化合部の添加量が０ｍｏｌ％よりも多く、１０ｍｏｌ％以下であればより好ましい。 （もっと読む）

【課題】配向性の良好な配向性酸化物セラミックスの製造方法を提供する。
【解決手段】酸化物結晶Ｂを含むスラリーを得る工程と、前記酸化物結晶Ｂに磁場を印加するとともに前記酸化物結晶Ｂの成形体を得る工程と、前記成形体を酸化処理して、前記酸化物結晶Ｂの一部もしくは全体とは異なる結晶系を有する酸化物結晶Ｃからなる配向性酸化物セラミックスを得る工程を有する配向性酸化物セラミックスの製造方法。（１）原料を反応、（２）酸化物結晶Ａを還元、または（３）酸化物結晶Ａを高温に保持、急冷することで得られた酸化物結晶Ｂを含むスラリーを用いることができる。 （もっと読む）

【課題】ｐ型の導電膜及びｐ型の透明導電膜としての酸化物膜の高性能化を図る。
【解決手段】
本発明の１つの酸化物膜は、ニオブ（Ｎｂ）、及びタンタル（Ｔａ）からなる群から選択される１種類の遷移元素と、銅（Ｃｕ）とを含む酸化物の膜（不可避不純物を含み得る）である。また、この酸化物膜は、図５の第１酸化物膜及び第２酸化物膜のＸＲＤ（Ｘ線回折）分析結果を示すチャートに示すように、ＸＲＤ分析では明確な回折ピークを示さない微結晶の集合体、微結晶を含むアモルファス状、又はアモルファス状であるとともに、ｐ型の導電性を有している。この酸化物膜によれば、従来と比してｐ型の高い導電性が得られる。また、この酸化物膜は、上述のとおり微結晶の集合体、微結晶を含むアモルファス状、又はアモルファス状であるため、大型基板上への膜の形成が容易になることから、工業生産にも適している。 （もっと読む）

【課題】高電界印加時の電界誘起歪を増加させたニオブ酸アルカリ系の圧電／電歪セラミックス焼結体を提供する。
【解決手段】圧電／電歪セラミックス焼結体は、組成が異なる母相と添加材相とが共存し母相の中に添加材相が分散した微構造を有する。母相単体の残留歪率よりも添加材相単体の残留歪率が大きい。母相及び添加材相は、一般式｛Ｌｉ_y（Ｎａ_1-xＫ_x）_1-y｝_a（Ｎｂ_1-z-wＴａ_zＳｂ_w）Ｏ₃であらわされ、０．９≦ａ≦１．２，０．２≦ｘ≦０．８，０．０≦ｙ≦０．２，０≦ｚ≦０．５及び０≦ｗ≦０．１を満たす１００モル部の組成物に、０モル部以上３モル部以下のＭｎ原子を含有するＭｎ化合物と、０モル部以上１モル部以下のＢａ原子を含有するＢａ化合物と、を含有させた組成を有する。母相の構成元素と添加材相の構成元素とを比較した場合に共通しない元素が０種類又は１種類である。 （もっと読む）

【課題】高電界印加時の電界誘起歪を増加させたニオブ酸アルカリ系の圧電／電歪セラミックス焼結体を提供する。
【解決手段】圧電／電歪セラミックス焼結体は、組成が異なる母相と添加材相とが共存し母相の中に添加材相が分散した微構造を有する。母相単体の残留歪率よりも添加材相単体の残留歪率が大きい。母相及び添加材相は、一般式｛Ｌｉ_y（Ｎａ_1-xＫ_x）_1-y｝_a（Ｎｂ_1-z-wＴａ_zＳｂ_w）Ｏ₃であらわされ、０．９≦ａ≦１．２，０．２≦ｘ≦０．８，０．０≦ｙ≦０．２，０≦ｚ≦０．５及び０≦ｗ≦０．１を満たす１００モル部の組成物に、０モル部以上３モル部以下のＭｎ原子を含有するＭｎ化合物と、０モル部以上１モル部以下のＣａ原子を含有するＣａ化合物と、を含有させた組成を有する。母相の構成元素と添加材相の構成元素とを比較した場合に共通しない元素が０種類又は１種類である。 （もっと読む）