【課題】 従来よりも低温で焼成でき且つ高い特性を有する非鉛系の圧電セラミックスを提供する。
【解決手段】 圧電セラミック素子は、ペロブスカイト化合物のＡサイトの元素(K_xNa_1-x)よりもＢサイトの元素(Nb_1-zTa_z)が過剰となるように調合されると共に、その調合時にCuOが添加されることによって、焼成温度がアルカリ成分の揮発やKNbO₃の溶融等の不都合が抑制され延いては焼結性を高めた組成において、更に、MnOおよび希土類酸化物がそれぞれ2.0(mol％)以下の範囲で仮焼粉末に混合されることから、従来に比較して圧電定数等の電気的特性が向上させられる。しかも、希土類が含まれることによって電気的特性の経時的な低下が抑制されるので、実用上の電気的特性が一層高いものとなる。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＳとＳｉＯ_２を含まないＺｎＯベースのスパッタリングターゲットであり、スパッタリングによって膜を形成する際に、基板への加熱等の影響を少なくし、高速成膜ができ、膜厚を薄く調整でき、またスパッタ時に発生するパーティクル（発塵）やノジュールを低減し、品質のばらつきが少なく量産性を向上させることができ、かつ結晶粒が微細であり８０％以上、特に９０％以上の高密度を備えたスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ａ、Ｂは其々異なる３価以上の陽性元素であり、その価数を其々Ｋａ、Ｋｂとしたとき、Ａ_ＸＢ_ＹＯ_{（ＫａＸ＋ＫｂＹ）/2}(ＺｎＯ)_ｍ、１＜ｍ、Ｘ≦ｍ、０＜Ｙ≦０．９、Ｘ＋Ｙ＝２を満たす酸化亜鉛を主成分とした化合物を含有し、かつ相対密度が８０％以上であることを特徴とするスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】結晶の配向度がより高いセラミックスシートを提供する。
【解決手段】セラミックスシートは、自立した平板状のシートであり、シート厚さが１０μｍ以下に形成され、シート面に特定の結晶面を含み、アスペクト比が３以上である結晶粒子をシート厚さ方向に１個有し、シートの配向度がロットゲーリング法で３０％以上であるものである。結晶粒子は、等方的な結晶粒子に成長するペロブスカイト構造を有する酸化物により構成されており、一般式ＡＢＯ₃で表される酸化物のＡサイトがＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｂｉ及びＡｇから選ばれる１種以上を含み、ＢサイトがＮｂ，Ｔａ及びＴｉから選ばれる１種以上を含む粒子である。このシートでは、焼成時に等方的且つ多面形状に粒成長する酸化物を含んでいても、シート厚さ方向への粒成長が限られており、シート面の方向に粒成長がより促されるため、アスペクト比が大きく配向度の高いものとなる。 （もっと読む）

【課題】ドメインの分極方向が電場下において可逆的変換を示し、歪率が増大した圧電／電歪体、その製造方法、及び圧電／電歪素子を提供する。
【解決手段】組成式ＡＢＯ_３で表される母相と、その母相に少なくとも正方晶の結晶構造を有する組成式ＡＢＯ_３で表される母相とは異なる添加材相を含んだ圧電／電歪体である。例えば、ニオブ酸アルカリ系の母相を形成する母材に、添加材相を形成する添加材として正方晶のニオブ酸アルカリ系のものやＢａＴｉＯ_３、ＰＺＴ、ＰｂＴｉＯ_３、（Ｂｉ_０．５，Ｎａ_０．５）ＴｉＯ_３を添加して形成する。添加材の添加量は、母材に対する体積比で５Ｖｏｌ％以上３０Ｖｏｌ％以下（Ｍｎが添加された組成を有する添加材を用いる場合、５Ｖｏｌ％以上４５Ｖｏｌ％以下）である。 （もっと読む）

【課題】粒径やアスペクト比を容易に調整することができる板状多結晶粒子を提供する。
【解決手段】板状多結晶粒子１０は、無機粒子を所定厚さ（１５μｍ）以下の自立したシート状の成形体に成形しこれを焼成し、所定サイズのメッシュの開口部を通過させることにより焼成後の成形体を解砕及び分級して得られる。無機粒子は、等方的且つ多面体形状の結晶粒子（例えば立方体）に成長するペロブスカイト構造を有する酸化物により構成されているが、厚さ方向への粒成長が限られており、シートの面方向に粒成長がより促されるため、アスペクト比が大きく配向度の高い結晶粒子１２を得ることができる。このため、板状多結晶粒子１０は、その大部分が厚さ方向に結晶粒子１２が１個であり、アスペクト比が大きく配向度が高いものである。また、この板状多結晶粒子１０は、粒界部１４で結晶粒子１２同士が結合された構造であり、この粒界部１４で解砕しやすい。 （もっと読む）

【課題】より簡便な方法で結晶配向性を高める。
【解決手段】第１温度以上で粒成長する第１無機材料を含む厚さが１０μｍ以下の第１シート２１と、第１温度よりも高い第２温度で粒成長する第２無機材料を含む第２シート２２とを成形し、成形した第１シート２１と第２シート２２とを１以上積層した積層体２０を得て、この積層体２０を第１温度以上第２温度未満の温度で焼成することにより第１無機材料を粒成長させる。このとき、第１シート２１は、厚さが１０μｍ以下であるため、第１無機材料は、第２シート２２との接触面に沿って粒成長がより促される。その後、第２温度以上で焼成することにより第２シート２２に含まれる第２無機材料を粒成長させる。このとき、第２無機材料は、接触面に沿って粒成長した第１無機材料の粒子方向に沿って粒成長する。このように、全体として一定の方向へ粒成長するのである。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ技術にも応用可能で、高い環境温度においても良好な圧電性を発現し、環境に対してもクリーンな圧電材料を提供する。
【解決手段】互いに異なる結晶相を持つ二つのペロブスカイト酸化物のＡ（１）Ｂ（１）Ｏ_３とＡ（２）Ｂ（２）Ｏ_３とを固溶させることによって得られる、下記一般式（１）で表わされる酸化物からなる圧電材料。


（式中、Ａ（１）およびＡ（２）はアルカリ土類金属からなる元素であり、Ａ（１）とＡ（２）は同一または異なっていてもよい。Ｂ（１）およびＢ（２）は２種以上の金属の元素からなり、Ｂ（１）およびＢ（２）のいずれか一方にはＣｕを３ａｔｍ％以上含有する。Ｘは０＜Ｘ＜１である。） （もっと読む）

【課題】 透光性セラミックスにおいて、紫外線照射により生じた着色を簡単に改善する方法を提供する。
【解決手段】 バンドギャップの大きさがＥｇ（ｅＶ）である透光性セラミックに対し、波長が１２４０／Ｅｇ+１２０ｎｍ〜７００ｎｍの光を照射する工程を備える。 （もっと読む）

【課題】簡易な工程で信頼性の高い熱電素子を得る。
【解決手段】この熱電素子１においては、Ｎ型半導体１１、Ｐ型半導体１２とこれらの間の絶縁層１３が一体化されている。更に、Ｎ型半導体１１とＰ型半導体１２とは電極１４により一端が接続されている。特に、Ｎ型半導体１１とＰ型半導体１２、及び絶縁層１３とが一体化されて形成されている点に特徴を有する。Ｎ型半導体１１におけるＭｎ組成をＰ型半導体１２におけるＭｎ組成よりも小さくすることにより、本焼成工程において高抵抗層が形成され、この高抵抗層が絶縁層１３となる。 （もっと読む）

【課題】オプトセラミックス、それから製造された光学エレメント、それらの用途、およびイメージング光学素子を提供する。
【解決手段】オプトセラミックス、それから製造された屈折率、透過性、回折光学素子、その用途、及びイメージング光学素子システムに関する。これらのオプトセラミックスと光学エレメントは、可視光線及び／又は赤外放射に透明である。オプトセラミックスは、結晶マトリックス、すなわち、多結晶質材料からなる、ここで、少なくとも９５質量の単一クリスタライトは立方晶黄緑石または蛍石構造（図１）を有する。 （もっと読む）

【課題】出力因子（α²×σ）の値が大きく、さらには性能指数（Ｚ）の値が大きい熱電変換材料とその製造方法を提供する。
【解決手段】元素Ｍ¹（Ｍ¹はＶ、ＮｂおよびＴａからなる群より選ばれる１種以上）およびＯを含有する酸化物からなる熱電変換材料であって、前記酸化物が以下の式（１）で表される熱電変換材料。 Ｍ¹Ｏ_y （１）元素Ｍ¹（Ｍ¹は前記）、元素Ｍ²（Ｍ²はＴｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｈｆ、ＭｏおよびＷからなる群より選ばれる１種以上）およびＯを含有する酸化物からなる熱電変換材料であって、前記酸化物が以下の式（２）で表される熱電変換材料。 Ｍ¹_1-xＭ²_xＯ_y （２）上記式（１）および（２）において、ｙは１．９０以上２．１０以下であり、上記式（２）において、ｘは０を超え０．５未満である。 （もっと読む）

【課題】高電界印加時の電界誘起歪が大きい(Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ）（Ｎｂ，Ｔａ）Ｏ₃系の圧電／電歪磁器組成物を実現する。
【解決手段】混合した素原料の粉末を大気雰囲気中において最高温度が６００℃以上８００℃以下の仮焼プロファイルを用いて仮焼する第１の工程と、第１の工程により得られ粉末をＢＥＴ比表面積が５ｍ²／ｇ以上１５ｍ²／ｇ以下となるように粉砕する第２の工程と、第２の工程により得られた粉末を最高温度が６５０℃以上９００℃以下の仮焼プロファイルを用いて仮焼する第３の工程と、第３の工程により得られた粉末をＢＥＴ比表面積が１０ｍ²／ｇ以下となるように粉砕する第４の工程とを経て、(Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ）（Ｎｂ，Ｔａ）Ｏ₃系の圧電／電歪磁器組成物の原料粉末を製造する。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング中の異常放電を低減しながら、加熱処理無しでも低い膜比抵抗を有し、なおかつその後の加熱処理による比抵抗変化が小さい、耐熱性に優れたスパッタ膜を得ることができる、抗折強度に優れ、なおかつ凝集相が実質的に無いＳｎＯ_２系スパッタリングターゲットの提供。
【解決手段】本発明のＳｎＯ_２系スパッタリングターゲットは、１．５〜３．５質量％のＴａ_２Ｏ_５と、０．２５〜２質量％のＮｂ_２Ｏ_５と、残部としてのＳｎＯ_２および不可避不純物とを含んでなる焼結体からなる。 （もっと読む）

【課題】分極処理が容易でありながら、高電界印加時の電界誘起歪が大きい(Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ）（Ｎｂ，Ｔａ）Ｏ₃系の圧電／電歪磁器組成物を実現する。
【解決手段】本発明の圧電／電歪磁器組成物は、Ａサイト元素としてＬｉ，ＮａおよびＫを含み、Ｂサイト元素としてＮｂおよびＴａのうちの少なくともＮｂを含み、Ｂサイト元素の総原子数に対するＡサイト元素の総原子数の比が１より大きいペロブスカイト型酸化物に、微量のＭｎ化合物を添加したものである。主成分であるペロブスカイト型酸化物の組成は、一般式｛Ｌｉ_y（Ｎａ_1-xＫ_x）_1-y｝_a（Ｎｂ_1-zＴａ_z）Ｏ₃で表される。Ａ／Ｂ比ａは、１＜ａ≦１．０５を満たすことが好ましい。副成分であるＭｎ化合物は、ペロブスカイト型酸化物１００モル部に対するＭｎ原子換算の添加量が３モル部以下となるように添加することが望ましい。 （もっと読む）

【課題】高密度のメモリデバイスとして有用な強誘電体メソ結晶を基板表面に配向して規則正しく並んだ構造の強誘電体薄膜およびその製造方法の提供。
【解決手段】各種基板上へスピンコーティングにより原料溶液を塗布（１段目、２０００回転、１０秒、２段目、４０００回転、３０秒）し、その後、大気中で熱処理して規則的に配列されたナノサイズの細孔からなる珪酸塩メソ多孔体薄膜を作製する。次に強誘電体前駆体溶液を合成し、この溶液中に珪酸塩メソ多孔体薄膜の形成された基板をつけ込み、1日静置し、取り出した後、空気中で焼成することにより珪酸塩ナノ多孔質薄膜の細孔内に強誘電体メソ結晶が充填されてなる強誘電体担持薄膜を作製する。 （もっと読む）

【課題】ＩＧＺＯスパッタリングターゲットをＤＣスパッタリングで使用しても、異常放電の発生を抑制できるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】ＩｎＧａＺｎＯ_４で表される化合物を主成分とし、正四価以上の金属元素を含むことを特徴とするスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】 良好なプロトン伝導性を有するプロトン伝導性電解質およびそれを備えた電気化学セルを提供する。
【解決手段】 プロトン伝導性電解質は、ＡＢＯ_３型ペロブスカイト構造を有するプロトン伝導性電解質であって、Ｂサイトは、Ｂサイトの平均原子価より小さい価数を有する第１金属元素とＢサイトの平均原子価より＋１以上大きい価数を有する第２金属元素とを含む。プロトン伝導性電解質においては、ホールが形成される。それにより、良好なプロトン伝導性が得られる。 （もっと読む）

【課題】高い結晶配向度が得られる結晶配向セラミックスの製造方法を提供する。
【解決手段】強磁場を印加してＢｉ₄Ｔｉ₃Ｏ₁₂粒子を配向させた後にＳｒＴｉＯ₃粒子からＢｉ₄Ｔｉ₃Ｏ₁₂粒子へのＳｒ₂⁺拡散によりＢｉ₄Ｔｉ₃Ｏ₁₂粒子とＳｒＴｉＯ₃粒子を反応焼結させているので、配向後のＢｉ₄Ｔｉ₃Ｏ₁₂粒子の結晶方位は反応によって変化せず、ＳｒＢｉ₄Ｔｉ₄Ｏ₁₅粒子は配向後のＢｉ₄Ｔｉ₃Ｏ₁₂粒子の結晶方位に沿って成長する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、従来焼結に比べ低温での焼結が可能になり、電気特性を損なうことなく緻密化した圧電磁器組成物を得ることができる圧電磁器組成物の製造方法を提供すること。
【解決手段】アルカリ金属含有ニオブ酸化物を含む主成分と、焼結助剤とを有する圧電磁器組成物の製造方法であって、前記主成分を仮焼する仮焼工程と、前記仮焼工程を経て得られた前記主成分の仮焼粉と、アルカリ金属を含む化合物を有する焼結助剤とを混合する混合工程と、前記混合工程で得られた混合紛を焼成して焼結体とする焼成工程とを含むことを特徴とする圧電磁器組成物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】特に非鉛系に有効な圧電性能に優れたペロブスカイト型酸化物を提供する。
【解決手段】下記一般式（ＰＸ）で表される組成を有するペロブスカイト型酸化物の製造方法において、下記式（１）〜（３）の関係を充足する条件で、組成を決定する。
（Ａ，Ｂ）ＣＯ_３・・・（ＰＸ）
（式（ＰＸ）中、Ａ，Ｂ：Ａサイト元素であり、各々１種又は複数種の金属元素、Ｃ：Ｂサイト元素であり、Ｔａを７０モル％以上含む少なくとも１種の金属元素、Ｏは酸素原子。Ａ及びＢは互いに異なる組成である。）、
０．９８≦ＴＦ（ＰＸ）≦１．０１・・・（１）、
ＴＦ（ＡＣＯ_３）＞１．０・・・（２）、
ＴＦ（ＢＣＯ_３）＜１．０・・・（３）
（式（１）〜（３）中、ＴＦ（ＰＸ）は上記一般式（ＰＸ）で表される酸化物の許容因子、ＴＦ（ＡＣＯ_３）及びＴＦ（ＢＣＯ_３）はそれぞれ（）内に記載の酸化物の許容因子である。） （もっと読む）