【課題】 ＡＤ法を用いて、高温プロセスを経ることなく結晶性の良い膜を作製できるセラミックス膜の製造方法等を提供する。
【解決手段】 この製造方法は、エアロゾルを利用したセラミックス膜の製造方法であって、非結晶性の成分を含有するセラミックス原料粉をガスに分散させることによってエアロゾルを生成する工程（ａ）と、工程（ａ）において生成されたエアロゾルを基板が配置されたチャンバ内に供給して、上記セラミックス原料粉を基板に堆積させることにより膜を形成する工程（ｂ）とを含む。 （もっと読む）

低温度での焼成でも優れた特性の強誘電体薄膜を作製可能な薄膜形成用液状組成物、及びそれを用いた強誘電体薄膜の製造方法を提供することを目的とする。液状媒体中に、一般式ＡＢＯ_３（Ａは、Ｂａ^２＋、Ｓｒ^２＋、Ｃａ^２＋、Ｐｂ^２＋、Ｌａ^２＋、Ｋ^＋およびＮａ^＋からなる群から選ばれる少なくとも１種であり、Ｂは、Ｔｉ^４＋、Ｚｒ^４＋、Ｎｂ^５＋、Ｔａ^５＋およびＦｅ^３＋からなる群から選ばれる少なくとも１種）で表される、ペロブスカイト構造を有し、平均一次粒子径が１００ｎｍ以下であり、かつアスペクト比が２以上の板状もしくは針状の結晶である強誘電体酸化物粒子が分散し、加熱により強誘電体酸化物を形成する可溶性金属化合物が溶解したことを特徴とする強誘電体薄膜形成用液状組成物を用いることにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

簡便な操作で、汎用性があり、かつ様々な誘電率を有し、精密な膜厚制御及び組成、構造、厚さ等の制御が可能な誘電体絶縁薄膜の製造方法を提供する。
表面に水酸基を有するか又は表面に水酸基を導入した基材に、水酸基と縮合反応し、かつ加水分解により水酸基を生成し得る官能基を有する金属化合物を吸着させる工程Ａと、基材表面から過剰な金属化合物を除去する工程Ｂと、金属化合物を加水分解して金属酸化物層を形成する工程Ｃと、金属酸化物層を酸素プラズマ処理、オゾン酸化処理、焼成処理及び急熱酸化処理からなる群から選ばれる少なくとも一種の処理方法で前記層を処理することにより誘電体絶縁薄膜を得る工程Ｄとを有する。 （もっと読む）

【課題】 従来よりも低温で焼成して緻密化できるセラミック膜形成方法を提供する。
【解決手段】 助剤層２０中の焼結助剤は、第１セラミック材料層１８および第２セラミック材料層２２内に拡散する。そのため、それらの焼結がその焼結助剤によって促進される。助剤層２０は、その全体が第２セラミック材料層２２に覆われており、表層部に位置しないことから、焼結助剤の揮散が好適に抑制され、延いては焼結が一層促進される。第１セラミック材料層１８および第２セラミック材料層２２は、何れも膜厚が薄いことから、この助剤層２０からの拡散だけで十分に焼結が促進される。しかも、第１セラミック材料層１８および第２セラミック材料層２２内には、焼結助剤が含まれていないことから、焼結助剤の揮散に起因する気孔は生じない。 （もっと読む）

【課題】緻密性に優れた多結晶体の製造方法を提供すること。
【解決手段】準備工程と混合工程と成形工程と熱処理工程とを行う。準備工程においては、セラミックスからなる粗大粒子粉末と、その平均粒径の１／３以下の平均粒径を有する微細粒子粉末とを準備する。混合工程においては、粗大粒子粉末と微細粒子粉末とを混合して原料混合物を作製する。成形工程においては、原料混合物を成形する。熱処理工程においては、成形体を加熱し、焼結させて多結晶体を作製する。また、熱処理工程においては、昇温過程と第１保持過程とを行うと共に、第２保持過程及び／又は冷却過程を行う。昇温過程においては、加熱を開始して温度を上昇させ、第１保持過程においては、温度Ｔ１℃で保持する。第２保持過程においては、温度Ｔ１℃よりも低温の温度Ｔ２℃で保持する。冷却過程においては、温度Ｔ１℃から降温速度６０℃／ｈ以下で冷却する。 （もっと読む）

【課題】薄膜ＥＬ素子の誘電体層形成用のスパッタリングターゲット材を高密度化し、高品質の誘電体層膜を安定してスパッタリング成膜できるタンタル酸バリウム系ターゲット材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】タンタル酸バリウム系の組成物にＣｕＯ、ＧｅＯ_２のうち１種あるいは２種の焼結助剤を加えることによって、スパッタリングターゲットの密度を７０％以上に高めることができる。該ターゲットの製造方法は、ホットプレス、大気焼成その他の焼結法による。 （もっと読む）

組成式：（Ｂｉ_２Ｏ_２）^２＋（Ａ_ｍ−１Ｂ_ｍＯ_３ｍ＋１）^２−、またはＢｉ_２Ａ_ｍ−１Ｂ_ｍＯ_３ｍ＋３で表され、前記組成式中の記号ｍが正数、記号ＡがＮａ、Ｋ、Ｐｂ、Ｂａ、Ｓｒ、ＣａおよびＢｉから選ばれる少なくとも１つの元素、記号ＢがＦｅ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｇａ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｂ、Ｖ、ＭｏおよびＷから選ばれる少なくとも１つの元素である第１ビスマス層状化合物層８ａを有する誘電体薄膜８である。この第１ビスマス層状化合物層８ａと下部電極６との間には、第１ビスマス層状化合物層８ａの組成式よりもビスマスが過剰に含有してある第２ビスマス層状化合物層８ｂが形成してある。
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【課題】 低温で焼成することができ、且つ十分な誘電特性を有する誘電体磁器組成物及びそれを用いたセラミック電子部品を提供する。
【解決手段】 本発明の誘電体磁器組成物は、ａＢｉ_２（Ｚｎ_１／３Ｔａ_２／３）_２Ｏ_７−ｂＢｉ_２（Ｚｎ_１／３Ｎｂ_２／３）_２Ｏ_７−ｃＢｉ_２Ｓｎ_２Ｏ_７（ａ、ｂ及びｃはモル％であり、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００モル％である。）により表し、且つａ、ｂ及びｃの各々の相関を三角図を用いて表した場合に、ａ、ｂ及びｃは、各々に対応する値が、図１における特定の領域内にあることを特徴とする。また、本発明のセラミック電子部品は、上記の誘電体磁器組成物からなる未焼成セラミック基体が焼成されてなるセラミック基体と、その内部及び／又は表面に設けられた未焼成導体層が未焼成セラミック基体と同時焼成されてなる導体層（Ａｇ等を主成分とする。）と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 点欠陥導入による圧電材料についてさらに大きな電歪効果を発現させる。
【解決手段】 ＡＢＯ₃型強誘電体材料において、ホスト原子ＡおよびＢの少くともいず
れかよりも価数の小さいイオン価を有するアクセプターとともに、価数の大きいドナーが添加されている圧電材料とする。 （もっと読む）

【課題】鉛（Ｐｂ）を含有しなくとも、優れた圧電／電歪特性を示す圧電／電歪体や圧電／電歪部を製造し得る圧電／電歪磁器組成物を提供する。
【解決手段】一般式（１）（（１−ｎ）（Ａｇ_1-a-b-cＬｉ_aＮａ_bＫ_c）（Ｎｂ_1-x-y-zＴａ_xＳｂ_yＶ_z）Ｏ₃＋ｎＭ¹Ｍ²Ｏ₃（但し、０≦ａ≦０．２、０≦ｂ≦０．９５、０≦ｃ≦０．９５、０＜（１−ａ−ｂ−ｃ）≦１、０≦ｘ≦０．５、０≦ｙ≦０．２、０≦ｚ≦０．２、０≦（ｙ＋ｚ）≦０．３、０≦ｎ≦０．２である））で表される二元系固溶体を主成分とする圧電／電歪磁器組成物であり、この一般式（１）中、Ｍ¹とＭ²は、所定の条件を満たす金属元素の組み合わせである。 （もっと読む）

【課題】結晶配向セラミックスの圧電特性や誘電特性を簡単に制御することができる結晶配向セラミックスの製造方法を提供すること。
【解決手段】等方性ペロブスカイト型化合物を主相とし、多結晶体を構成する結晶粒の特定の結晶面Ａが配向する結晶配向セラミックスの製造方法である。該製造方法においては、準備工程と粉砕工程と混合工程と成形工程と焼成工程とを行う。準備工程においては、結晶面Ａと格子整合性を有する配向面を有する第１異方形状粉末を準備する。粉砕工程においては、第１異方形状粉末を粉砕する。混合工程においては、第１異方形状粉末と共に焼結することにより等方性ペロブスカイト型化合物を生成する微細粉末と、第１異方形状粉末とを混合する。成形工程においては、第１異方形状粉末の配向面が略同一の方向に配向するように成形する。焼成工程においては、第１異方形状粉末と微細粉末とを焼結させる。 （もっと読む）

【課題】 ３０〜５０程度のε_ｒを発現しつつ、大きなＱｕが得られる誘電体磁器組成物及びこれを用いた電子部品を提供する。
【解決手段】 Ｃａ及びＳｒの少なくとも一方と、Ｔｉと、Ａｌと、Ｎｂ及びＴａの少なくとも一方と、Ｏとの各元素を含有し、これらの元素について、組成式［ａＭ^１Ｏ−ｂＴｉＯ_２−（１／２）ｃＡｌ_２Ｏ_３−（１／２）ｄＭ^２_２Ｏ_５］（但し、Ｍ^１はＣａ及び／又はＳｒであり、Ｍ^２はＮｂ及び／又はＴａであり、ａ、ｂ、ｃ及びｄは各々モル比を表わし、且つ、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１である）と表した場合に下記条件を満たす。０．４３６≦ａ≦０．５００、０．０９３≦ｂ<０．１２４、０．０９３<ｃ≦０．１５０且つ０．２５１≦ｄ<０．３６２。本電子部品は、本組成物からなる誘電体部を備える。 （もっと読む）

【課題】 粒度分布が狭小で、且つ、平均粒径が小さなセラミック粉末を製造できる方法を提供する。
【解決手段】 炭酸バリウム（ＢａＣＯ₃ ）粉末と酸化チタン（ＴｉＯ₂ ）粉末を秤量してこれを混合粉砕装置を用いて乾式または湿式にて混合粉砕し、混合粉砕物を等速昇温し所定の焼成温度で所定時間保持して仮焼してチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ₃ ）粉末を得る過程において、アミド化合物、アミノ酸またはペプチドから成る助剤を、混合粉砕の開始前，混合粉砕の途中，または仮焼の開始前のタイミングで添加する。 （もっと読む）

化学式ｓ[L]−ｘ[P]ｙ[M]ｚ[N]ｐ[T]の組成を有する強誘電体セラミック化合物およびその製造方法並びに強誘電体単結晶およびその製造方法を提供する。本発明による強誘電体セラミック及びその単結晶は、圧電性が大きく、電気機械結合係数が高く、かつ、電気光学係数の大きい緩和型強誘電体であり、無線通信用可変素子、光通信用素子、弾性表面波素子やＦＢＡＲ素子、超音波探触子デバイス、微細変位制御用アクチュエータ、不揮発性メモリ素子、小型蓄電池などの製造に有用であり、特に、本発明による単結晶製造方法は、直径５ｃｍ以上の単結晶とその組成が非常に均一なウエハの製造を可能にし、商用化及び大量生産が図られる。
上記の化学式中、[Ｐ]は酸化鉛、[Ｍ]は酸化マグネシウムまたは酸化亜鉛、[Ｎ]は酸化ニオビウム、[Ｔ]は酸化チタンであり、[Ｌ]は、タンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウム、リチウム、リチウム酸化物、白金、インジウム、パラジウム、ロジウム、ニッケル、コバルト、鉄、ストロンチウム、スカンジウム、ルテニウム、銅、イットリウム、イッテルビウムからなる群から選ばれた単一物質またはその混合物であり、ｘ、ｙ、ｚ、ｐ及びｓはそれぞれ、０．５５＜ｘ＜０．６０、０．０９＜ｙ＜０．２０、０．０９＜ｚ＜０．２０、０．０１＜ｐ＜０．２７、０．０１＜ｓ＜０．１を満足する範囲である。
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【課題】蒸着材料中の酸素含有量を増やすことが非吸収性の層の形成に有利であるが、酸素含有量が過度に高い場合は望ましくない圧力の上昇をもたらすことになる。本発明の課題は、現実の蒸発工程を変更する必要なくこの矛盾を克服することのできる蒸着材料を提供することである。
【解決手段】本発明は、Ｔａ₂Ｏ_x（ｘ＝４．８１〜４．８８）を含む蒸着材料の提供、その蒸着材料の調製方法の提供、および高屈折率層を製造するためのその蒸着材料の使用に関する。 （もっと読む）

【課題】広い温度範囲で圧電センサの感度のばらつきを抑制することができる圧電センサを提供すること。
【解決手段】 圧電セラミックスの表面に一対の電極を形成してなる圧電素子と、該上記圧電素子を保持する保持部材とを有する圧電センサである。圧電セラミックスは、下記の要件（ａ）又は／及び要件（ｂ）を満足する。
（ａ）−３０〜１６０℃という特定温度範囲において、熱膨張係数が３．０ｐｐｍ／℃ｐｐｍ／℃以上であること
（ｂ）−３０〜１６０℃という特定温度範囲において、焦電係数が４００μＣｍ^-2Ｋ^-1以下であること （もっと読む）

【課題】
可視光透過率及び導電性に優れ、安価な透明導電膜を提供する。
【解決手段】
メタタングステン酸アンモニウム水溶液と、塩化ルビジウム（ＲｂＣｌ）の水溶液とを、ＷとＲｂの原子比がＲｂ/Ｗ＝０．３３となるように混合し、さらに界面活性剤を添加して成膜用溶液を得、当該成膜用溶液を透明石英基板へ塗布した後、熱処理して当該基板上に透明導電膜を得た。 （もっと読む）

基材と抵抗率調節剤から形成される焼結組成物を含むＥＳＤ保護用セラミック部材が提供される。基材は一次成分と二次成分を含み、一次成分はＡｌ₂Ｏ₃を含み、二次成分は正方晶ＺｒＯ₂を含む。
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【課題】有害物であるＰｂを含まず、ビスマス層状化合物に比べ電気機械結合係数が大きな圧電磁器組成物およびそれを用いた圧電セラミック素子を提供する。
【解決手段】この圧電磁器組成物は、一般式：（Ａｇ_1-x Ｌｉ_x ）ＮｂＯ₃ で表される組成を主成分とし、０．０７５≦ｘ＜０．４０であることを特徴とし、Ｍｎ酸化物、Ｓｉ酸化物のうち少なくとも１つを副成分として含有する、圧電磁器組成物である。 （もっと読む）

【課題】ｐ型熱電変換材料として優れた性能を有する新規な材料を提供する。
【解決手段】組成式：Ｂｉ_aＰｂ_bＭ¹_cＣｏ_dＭ²_eＯ_f（式中、Ｍ¹はＮａ、Ｋ、Ｌｉ、Ｔｉ
、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ａｌ、Ｙおよびランタノイドからなる群から選択される一種又は二種以上の元素であり、Ｍ²は、Ｔｉ、
Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｂ、Ｔａ及びＡｇからなる群から選択される一種又は二種以上の元素であり、１．８≦ａ≦２．５；０≦ｂ≦０．５；１．８≦ｃ≦２．５；１．６≦ｄ≦２．５；０≦ｅ≦０．５；８≦ｆ≦１０である。）で表される層状構造を有する複合酸化物の層間に、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＨｇＦ₂、ＨｇＣｌ₂、ＨｇＢｒ₂、ＨｇＩ₂、ＴｌＦ₃、ＴｌＣｌ₃、ＴｌＢｒ₃、ＴｌＩ₃、ＢｉＦ₃、ＢｉＣｌ₃、ＢｉＢｒ₃、ＢｉＩ₃、ＰｂＦ₂、ＰｂＣｌ₂、ＰｂＢｒ₂及びＰｂＩ₂からなる群から選択される少なくとも一種の成分が存在する複合酸化物。 （もっと読む）