【課題】高配向度及び高密度を兼ね備え、優れた圧電特性を発揮することができる結晶配向セラミックスの製造方法、及び該結晶配向セラミックスを製造するための異方形状粉末を提供すること。
【解決手段】前駆体１を酸処理し加熱して得られ、結晶面｛１００｝面が配向する配向粒子からなる異方形状粉末、及びこの異方形状粉末を用いて得られる結晶配向セラミックスである。異方形状粉末は、次のようにして得られる。まず、所定の組成のビスマス層状ペロブスカイト型化合物を前駆体１の目的組成とし、この目的組成とは異なる配合割合で原料を混合して原料混合物を作製する。次いで、原料混合物を加熱することにより、前駆体１を合成する。前駆体１を３時間以上酸処理して酸処理体を得る酸処理体に、Ｋ源及び／又はＮａ源を添加し、フラックス中で加熱することにより、異方形状粉末を得る。 （もっと読む）

【課題】電気的導通性に優れた電極部と、高密度の圧電セラミック層とを兼ね備える積層型圧電素子及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】圧電セラミック層２と、Ａｇ又はＡｇ合金からなる電極部３１を含む電極層３とを一体焼成してなり、圧電セラミック層２と電極層３とが交互に積層された積層型圧電素子１及びその製造方法である。圧電セラミック層２は、一般式（１）[Ａｇ_h{Ｌｉ_x(Ｋ_1-yＮａ_y)_1-x}_1-h]_j(Ｎｂ_1-z-wＴａ_zＳｂ_w)Ｏ_3-kで表される等方性ペロブスカイト型化合物からなる。積層型圧電素子１の積層方向の断面に露出する内部電極３２の全長に対する電極部３１の長さの合計の割合は６０％以上である。圧電セラミック層２の断面積に対する空隙の面積の割合が１０％以下である。 （もっと読む）

【課題】誘電特性及び圧電特性の良好な圧電体又は誘電体磁器組成物を得ることで、多岐に渡る圧電体デバイス及び誘電体デバイス開発の要望に答え、延いてはＰＺＴを主成分とする圧電体又は誘電体磁器組成物を代替し、環境負荷を低減する。
【解決手段】主成分が組成式（１−ｘ）ＫＮｂＯ_３＋ｘＫＭｅＯ_３で表される圧電体又は誘電体磁器組成物あって、０＜ｘ≦０．０５であり、Ｍｅが、４価のＴｉ、３価のＭｎ、２価のＭｎ及び２価のＺｎから選ばれるいずれかの金属元素と、６価のＷとの組み合わせであり、組み合わせたときの総価数が５価であることを特徴とする。前記主成分を１００ｍｏｌとしたときに、副成分としてＭｎをＭｎＯ換算で１．０〜２．０ｍｏｌ含有していることが好ましい。また、前記圧電体磁器組成物を用いた圧電体デバイス及び前記誘電体磁器組成物を用いた誘電体デバイスである。 （もっと読む）

【課題】電気絶縁抵抗に優れた結晶配向セラミックス、その製造方法、積層型圧電素子及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】等方性ペロブスカイト型化合物を主相とする多結晶体からなる圧電セラミックス２及びこれを圧電セラミック層とする積層型圧電素子である。圧電セラミックス２を構成する結晶粒２０は、コア相２１とシェル相２２とを有する。コア相２１及びシェル相２２の結晶格子欠陥量をそれぞれｄｃ、ｄｓとするとｄｓ／ｄｃ＜１．２の関係式を満たす。結晶配向セラミックス及び積層型圧電素子の製造にあたっては、原料混合時に、等方性ペロブスカイト型化合物１ｍｏｌに対する添加量が０．０５ｍｏｌ以下となるようにさらにＫ原料粉末及び／又はＬｉ原料粉末を混合する。また、焼成時に、雰囲気酸素分圧Ｐ_O2が５０％以上かつ温度９００℃以上の加熱を２時間以上行う。 （もっと読む）

【課題】乾式法により複合タングステン酸化物薄膜を形成するために用いられる、複合タングステン酸化物ターゲット材とその製造方法を提供する
【解決手段】一般式：Ｍ_xＷ_yＯ_z（ただし、Ｍは、Ｈ、Ｈｅ、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類元素、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｂ、Ｆ、Ｐ、Ｓ、Ｓｅ、Ｂｒ、Ｔｅ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｖ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｒｅ、Ｂｅ、Ｈｆ、Ｏｓ、Ｂｉ、およびＩの内から選択される１種以上の元素、０．００１≦ｘ／ｙ≦１、２．０＜ｚ／ｙ≦３．０）からなる組成を有する複合タングステン酸化物の粉末に、真空もしくは不活性ガス雰囲気下、９００℃以上１１００℃未満の温度、１９．６ＭＰａ以上の圧力の条件で、ホットプレスまたは熱間静水圧プレスを施すことにより、前記複合タングステン酸化物以外の相を含まず、かつ、密度が７ｇ／ｃｍ³以上である、上記組成の複合タングステン酸化物の焼結体からなるターゲット材を得る。 （もっと読む）

【課題】配向度の高い結晶配向セラミックスの製造方法を提供すること。
【解決手段】結晶粒の特定の結晶面Ａが配向する結晶配向セラミックスの製造方法である。製造にあたっては、まず結晶面Ａと格子整合性を有する結晶面が配向して配向面を形成している異方形状の配向粒子からなる異方形状粉末と成形助剤と溶媒とを混合して異方形状粉末スラリーを作製する。また、異方形状粉末と共に焼結させることにより目的組成を生成する微細粉末と成形助剤と溶媒とを混合して微細粉末スラリーを作製する。次いで、異方形状粉末２１の配向面２２が略同一の方向に配向するように異方形状粉末スラリーを所定の厚みで成形し乾燥させることにより、異方形状粉末成形体２を形成する。異方形状粉末成形体２上に、微細粉末スラリーを乾燥させてなる微細粉末成形体３を所定の厚み比で積層形成し、積層成形体４を作製する。積層成形体４を加熱し、結晶配向セラミックスを得る。 （もっと読む）

【課題】優れた絶縁特性を有するの結晶配向セラミックスの製造方法及び積層型圧電素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】等方性ペロブスカイト型化合物を主相とする多結晶体からなり、該多結晶体を構成する結晶粒の結晶面｛１００｝面が配向する結晶配向セラミックスの製造方法、及び結晶配向セラミックスを圧電セラミック層とする積層型圧電素子の製造方法である。その製造にあたっては、異方形状粉末１と反応原料粉末２とを混合して原料混合物３を作製し、これを成形して焼成することにより、結晶配向セラミックスを形成させる。このとき、反応原料粉末２としては、擬立方｛００２｝面の半値幅が０．４°〜０．８°の粉末を採用する。 （もっと読む）

【課題】作製時のエネルギ消費量をより低減させると共に、密度を高め、シートに含まれる結晶の配向度をより高める。
【解決手段】セラミックスシート２０は、一般式ＡＢＯ₃で表され揮発成分を含む酸化物を主成分とする無機粒子をＡ／Ｂ値が１．０５以上となるように配合し、シート厚さが１０μｍ以下の自立した平板状の成形体に成形し、この成形体を該成形体と実質的に反応しない不活性層に隣接させ又は、この成形体のまま揮発成分が揮発する温度以上において３０℃／分以上の昇温速度で焼成して作製されている。このセラミックスシート２０は、シート厚さが１０μｍ以下に形成され、シート面に特定の結晶面を含んだ結晶粒子をシート厚さ方向に実質的に１個有し、全体の面積に占める結晶粒子の面積の割合を密度（％）としたときに、この密度が８５％以上であり、シートのロットゲーリング法の配向度が４０％以上である。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ系酸化物を含む材料を採用するとともに、隣接する反射層、記録層の劣化が生じ難く、密着性が良好で、尚且つ高速成膜可能であるスパッタリングターゲット及びその製造方法並びに光情報記録媒体用薄膜（特に保護膜としての使用）及びその製造方法を提供し、これによって、光情報記録媒体の特性の向上及び生産性を大幅に改善する。
【解決手段】ZnOを主成分とするホモロガス構造を有する酸化物に、Ta、Yの何れか１種又は２種の元素の酸化物を含有する材料から成ることを特徴とするスパッタリングターゲット。(In₂O₃)(ZnO)_m、m≧1のホモロガス構造を有し、これにTa、Yの何れか１種又は２種の元素の酸化物を含有する材料から成ることを特徴とするスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】圧電特性をより向上する。
【解決手段】圧電素子２０は、一般式ＡＢＯ₃で表される酸化物を主成分とした配向結晶３２となる、無機粒子と配向した結晶粒子とを、Ａ／Ｂが１．００５以上１．０４以下となる配合比で混合する工程と、Ａｇ／Ｐｄ合金を主成分としＡｇ及びＰｄの全体に対するＰｄの割合が５重量％以上３０重量％以下となる組成の第１電極２２を基板１２上に形成する工程と、混合した原料を所定方向に配向させ所定の成形体に第１電極２２上へ成形する工程と、成形体を１０００℃以上１０７５℃以下の温度で焼成する工程と、によって作製されている。 （もっと読む）

【課題】(Na,K)NbO₃が主体をなし、優れた特性を有する環境に優しい新規なセラミックス組成物およびこのものから得られる圧電セラミックス、並びに当該セラミックスを用いた圧電・誘電素子を提供することにある。
【解決手段】一般式{M1_aLi_bNa_cK_dM2_e}{Ti_1-u-v-q-s-tZr_uHf_vNb_sTa_tW_q}O₃で表される組成物を主成分とする圧電固溶体組成物。
（式中、M1はBa、 Sr、 Ca、Mg、(Bi_0.5K_0.5)、(Bi_0．5Na_0.5)及び(Bi_0．5Li_0.5)からなる群から選ばれる少なくとも一種の2価或いは2価相当の元素を示す；M2はBi,Yおよびランタノイド元素（La, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu）からなる群から選ばれる少なくとも一種の3価の元素を示す。a,b,c,d,e,q,s,t,u,vの範囲がそれぞれ0＜a＜0.3、0≦b≦0.2、0.1≦c≦0.9, 0.1≦d≦0.9、0＜e≦0.10、0.06＜u≦0.3、0≦u≦0.3、0≦v≦0.3、0≦t≦0.2、0＜s≦1、0≦q≦0.10、0.06≦u+v≦0.3、a+b+c+d+e＜1、2a+b+c+d+3e+s+t+2q=2である。） （もっと読む）

【課題】 低温域における電気伝導性が良好なｎ型熱電素子を得ることができるｎ型熱電素子用組成物を提供する。
【解決手段】 ｎ型熱電素子３の材料となるｎ型熱電素子用組成物は、金属元素比率でＣａとＭｎとの合計が１００ｍｏｌ％になるようにＣａ：４０〜６０ｍｏｌ％、Ｍｎ：４０〜６０ｍｏｌ％を含有したＣａＭｎＯ_３に、Ｎｂを添加してなるものである。このとき、Ｎｂは、Ｃａ及びＭｎを上記の比率で含有するＣａＭｎＯ_３に、ＣａとＭｎとの合計１００ｍｏｌ％に対して元素換算で１０〜３０ｍｏｌ％だけ添加されている。これにより、低温域における比抵抗ρを小さくすることができる。 （もっと読む）

【課題】直流スパッタリング法が使用できる程度にバルク抵抗値が低いスパッタリングターゲットを効果的に製造することのできる方法を提供する。
【解決手段】Ｚｎ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｇａ及びＴｉから選択される１又は２以上の金属元素を含有し、金属元素の一部が、金属元素の価数よりも高い金属元素で置換固溶されている酸化物を含む原料粉末を、加圧下で直流パルス電流を通電して通電焼結させることを特徴とする酸化物焼結体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】低抵抗な耐薬品性に優れた非晶質酸化錫系透明導電膜を提供する。
【解決手段】（ａ）原料化合物粉末を混合して混合物を調製する工程；（ｂ）前記混合物を成形して成形体を調製する工程；及び（ｃ）前記成形体を１１００℃以上１３８０℃以下で２時間以上焼成する工程を含む、酸化物焼結体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】特性向上の要因となりうる新たな指標ないし項目を見出し、それらに基づいて、電気的特性を向上させた圧電／電歪セラミックス焼結体を提供する。
【解決手段】マトリックスとフィラーがコンポジット化した構造を有する焼結体であり、マトリックスが、Ｌｉ、Ｎａ及びＫからなる群より選択される少なくとも一種の元素をＡサイト構成元素として含むとともに、ＮｂをＢサイト構成元素として含むペロブスカイト型酸化物を主結晶相とする、多数の粒子が相互に結合したニオブ酸アルカリ系圧電／電歪材料で構成されており、フィラーが、ニオブ酸アルカリ系圧電／電歪材料よりも熱膨張係数が低い材料（但し、ニオブ酸アルカリ系の酸化物材料を除く）で構成されており、マトリックスとフィラーの合計に対する、フィラーの体積分率が、０．５体積％以上、１０体積％未満である圧電／電歪セラミックス焼結体である。 （もっと読む）

【課題】バンドギャップ等の電気特性を任意の値に制御できる酸化物及び電気特性を任意の値に制御する方法を提供する。
【解決手段】下記式（１）で表され、式（１）中のＲの一部が正二価以下の元素又は正四価以上の元素により固溶置換されている酸化物。
（ＲＭ_２Ｏ_４）_ｍ（ＲＭＯ_３）_ｎ （１）
（式中、Ｒは、Ｓｃ、Ｙ、Ｄｙ、Ｌｕ、Ｅｒ、Ｙｂ、Ｔｍ、Ｈｏ及びＩｎからなる群より選択される１又は２以上の元素であり、Ｍは、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｍｇ及びＧａからなる群より選択される１又は２以上の元素であり、ｍは１又は２であり、ｎは０以上の整数である。） （もっと読む）

【課題】鉛とアルカリ金属を含まない化合物からなる、圧電性の良い圧電材料を提供する。
【解決手段】鉛とアルカリ金属を含まないＡ_ｘＢ_１０Ｏ_３０とＡ’_ｘ’Ｂ’_１０Ｏ_３０で表されるタングステンブロンズ構造酸化物を組み合わせて、組成相境界を形成した、圧電性の良い圧電材料。前記Ａ_ｘＢ_１０Ｏ_３０はＢａ_４Ｂｉ_２／３Ｎｂ_１０Ｏ_３０で、前記Ａ’_ｘ’Ｂ’_１０Ｏ_３０はＳｒ_３Ｂａ_２Ｎｂ_１０Ｏ_３０であるタングステンブロンズ構造酸化物からなる圧電材料。 （もっと読む）

【課題】高電界印加時の電界誘起歪が大きいニオブ酸アルカリ系の圧電／電歪セラミックス焼結体を提供する。
【解決手段】圧電／電歪セラミックス焼結体は、Ｌｉ，Ｎａ及びＫからなる群より選択される少なくとも１種類の元素をＡサイト構成元素として含み、Ｎｂ及びＴａからなる群より選択される少なくとも１種類の元素をＢサイト構成元素として含むペロブスカイト型酸化物を主結晶相とする。圧電／電歪セラミックス焼結体においては、格子歪層１１２が少ないことが望ましく、第１の格子面のＸ線回折の強度と結晶学的な対称性の低下により第１の格子面とは面間隔が異なる第２の格子面のＸ線回折の強度との合計に対するドメイン壁の近傍に存在する格子歪層による散漫散乱の強度の比である散漫散乱強度比が０．５以下であることが望ましい。 （もっと読む）

【課題】鉛を含有しないアルカリ含有ニオブ酸系ペロブスカイト構造を有する圧電セラミックスにおいて、高圧下における焼成、特殊な雰囲気化における焼成、精緻な焼成条件の制御をすることなく、緻密且つ、内部の多結晶構造が微細且つ均一な圧電セラミックス、その製造方法、及びその圧電セラミックスを用いた圧電デバイスを提供する。
【解決手段】圧電セラミックスにおいて、［Ｋ_１−ｘＮａ_ｘ］_１−ｙＬｉ_ｙ［Ｎｂ_{１−ｚ−ｗ}Ｔａ_ｚＳｂ_ｗ］Ｏ_３（ｘ、ｙ、ｚ、ｗはモル比を示し、それぞれ０≦ｘ＜１、０≦ｙ＜１、０≦ｚ＜１、０≦ｗ＜１である。）を主相とし、副相としてＫ_３Ｎｂ_３Ｏ_６Ｓｉ_２Ｏ_７を含有していることを特徴とする。また、圧電セラミックスの製造方法において、上記主相となる組成物を得るステップと、上記副相となる組成物を得るステップと、両者を混合するステップと、両者の混合物を、成形し、焼成するステップと、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】強誘電性能に優れた新規組成のペロブスカイト型酸化物を提供する。
【解決手段】ペロブスカイト型酸化物は、下記一般式で表されるものである。（Ａ_ａ，Ｂ_ｂ）（Ｃ_ｃ，Ｄ_ｄ，Ｘ_ｘ）Ｏ_３（Ａ：Ａサイト元素である。Ａ＝Ｂｉ、０＜ａ。Ｂ：１種又は複数種のＡサイト元素である。０≦ｂ＜１．０。Ｃ：Ｂサイト元素である。Ｃ＝Ｆｅ、０＜ｃ＜１．０。Ｄ：１種又は複数種のＢサイト元素である。０≦ｄ＜１．０。０＜ｂ＋ｄ。Ｘ：１種又は複数種のＢサイト元素である。ＣとＤの化学式上の平均価数よりも化学式上の平均価数が大きい元素である。０＜ｘ＜１．０。（Ａサイトの化学式上の平均価数）＋（Ｂサイトの化学式上の平均価数）＞６．０。Ｏ：酸素。Ａサイト元素とＢサイト元素と酸素のモル比は１：１：３が標準であるが、これらのモル比はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で基準モル比からずれてもよい。） （もっと読む）