【課題】圧電体膜等に応用することができるように、高い電気抵抗率を維持しつつ極性分布割合を容易に制御可能であって、低コストで大面積の基材上に成膜されたウルツ鉱型結晶膜、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基材面に対して垂直方向に二つ以上の粒子が充填および堆積し、上記粒子が互いに結合してなる結合層を含む膜構造を有するウルツ鉱型結晶膜であって、上記粒子は、アルカリ金属元素およびアルカリ土類金属元素からなる元素群のうちの少なくとも一つの元素がドープされているウルツ鉱型結晶構造を有する化合物を含んでいる。ウルツ鉱型結晶膜の製造方法は、ウルツ鉱型結晶を構成する元素種およびドープする金属種を含有する化学溶液を基材上に塗布する工程を含む方法である。 （もっと読む）

【解決手段】ＰｂおよびＣｄの少なくとも一方を含有することを特徴とする酸化ガリウム−酸化亜鉛系スパッタリングターゲットまたは酸化アルミニウム−酸化亜鉛系スパッタリングターゲット。
【効果】本発明の酸化ガリウム−酸化亜鉛系スパッタリングターゲットおよび酸化アルミニウム−酸化亜鉛系スパッタリングターゲットは、焼結温度が低温、たとえば１３００℃程度であっても高い焼結密度となることができる。このため高い焼結密度を得るために原料粉末を高温で焼結する必要がないので、焼結炉にかかる負担が小さく、焼結炉の早期劣化を避けることができ、また、原料粉末からの亜鉛等の成分の揮発を抑制することができ、予定していた組成を有する膜を容易に形成することができる。また、本発明のスパッタリングターゲットは、比抵抗が小さい。さらに本発明のスパッタリングターゲットは、スパッタレート減少率が小さい。 （もっと読む）

【課題】高い電圧が印加された場合であっても、過大電流が発生し難いセラミックス体を提供する。
【解決手段】ＡｌおよびＯを含むセラミックス体であって、第３遷移元素（Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ）および第４遷移元素（Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ）から選ばれた少なくとも１種以上の特定遷移元素の酸化物を含有し、体積固有抵抗値が１．０×１０^１３〜１．０×１０^１５Ω・ｃｍであり、かつ、表面の少なくとも一部において、表面抵抗率が１０^１０〜１０^１５Ωであるセラミックス体。 （もっと読む）

本発明の対象は、カッティングテンプレート又はソーブロック、好ましくは医療技術において使用するためのカッティングテンプレート又はソーブロックである。 （もっと読む）

【課題】乾式法により複合タングステン酸化物薄膜を形成するために用いられる、複合タングステン酸化物ターゲット材とその製造方法を提供する
【解決手段】一般式：Ｍ_xＷ_yＯ_z（ただし、Ｍは、Ｈ、Ｈｅ、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類元素、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｂ、Ｆ、Ｐ、Ｓ、Ｓｅ、Ｂｒ、Ｔｅ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｖ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｒｅ、Ｂｅ、Ｈｆ、Ｏｓ、Ｂｉ、およびＩの内から選択される１種以上の元素、０．００１≦ｘ／ｙ≦１、２．０＜ｚ／ｙ≦３．０）からなる組成を有する複合タングステン酸化物の粉末に、真空もしくは不活性ガス雰囲気下、９００℃以上１１００℃未満の温度、１９．６ＭＰａ以上の圧力の条件で、ホットプレスまたは熱間静水圧プレスを施すことにより、前記複合タングステン酸化物以外の相を含まず、かつ、密度が７ｇ／ｃｍ³以上である、上記組成の複合タングステン酸化物の焼結体からなるターゲット材を得る。 （もっと読む）

本発明は材料組成物、それらの材料の製造方法、およびｐ型透明導電膜の物理気相堆積技術におけるターゲットとして使用するためのセラミック体の製造方法に関する。ペレット化された酸化物材料Ｍ_xＳｒ_1-xＣｕ_2+aＯ_2+b［式中、−０．２≦ａ≦０．２、−０．２≦ｂ≦０．２、且つ、Ｍは、Ｂａ、Ｒａ、Ｍｇ、Ｂｅ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｄ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒからなる二価の元素の群の１つまたはそれより多くであり、０≦ｘ≦０．２］の製造方法であって、以下の工程 ・ 特定の粒径分布を有し、且つ化学量論組成量Ｃｕ₂Ｏ、Ｓｒ（ＯＨ）₂・８Ｈ₂Ｏを含み、の０＜ｘ≦０．２の場合、Ｍ−水酸化物を含む前駆体混合物を提供する工程、 ・ 前記の前駆体混合物を密接に混合して均質な混合物を得る工程、および ・ 前記の均質な混合物を８５０℃より高い温度で焼結する工程、を含む方法が開示される。酸化物材料ＳｒＣｕ_2+aＯ_2+bは、４００ｐｐｍ未満の残留炭素含有率を有し、且つ、それを用いて、少なくとも５．３０ｇ／ｍｌの密度を有するターゲットを製造できる。 （もっと読む）

【課題】 簡単な構造で、クーリングタワーの、スケール障害、スライム障害を抑制し得る装置を提供すること。
【解決手段】 鉄、アルミニウム、珪素、チタン、ジルコニウム、コバルト、カリウム、マグネシウムの酸化物と、モリブデン、マンガン、ニッケル、銅、亜鉛、カドミウムの酸化物から選ばれる少なくとも１種を含む多孔質セラミック球体３を、内径側に担持したコイル４を、フロート２の周囲に巻き付け固定してなる構成単位１を、フロートの体積のほぼ５０％以上が、クーリングタワー内の水に浸漬されるように、バネ定数と長さを調整したバネを用いてクーリングタワー内部吊り下げ、一定量の次亜塩素酸塩を加えながら用いる。また、前記構成単位１を複数箇用いることも可能である。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】本発明は、下記化学式で表される新規な化合物半導体を提供する：Ｂｉ_1-xＭ_xＣｕ_wＯ_a-yＱ１_yＴｅ_b-zＱ２_z。化学式において、ＭはＢａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｃｓ、Ｋ、Ｎａ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｅｕ、Ｓｍ、Ｍｎ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ａｓ及びＳｂからなる群より選択されたいずれか１つまたはそのうちの２種以上の元素であり、Ｑ１及びＱ２はＳ、Ｓｅ、Ａｓ及びＳｂからなる群より選択されたいずれか１つまたはそのうちの２種以上の元素であり、０≦ｘ＜１、０＜ｗ≦１、０．２＜ａ＜４、０≦ｙ＜４、０．２＜ｂ＜４及び０≦ｚ＜４である。前記化合物半導体は従来の化合物半導体に代替するか又は従来の化合物半導体に加え、太陽電池、熱電変換素子など多様な用途に用いられ得る。 （もっと読む）

【課題】煩雑および高コストなプロセスを必要とせずに作製可能な結晶配向性構造体と、その製造方法を提供する。
【解決手段】２価の金属イオンを含む層状金属水酸化物、あるいは２価および３価の金属イオンを含む層状金属水酸化物の板状粒子を配向処理し、さらに加熱処理することにより得られる多結晶性の結晶配向性構造体。この結晶配向性構造体は、高い熱電変換能を示す材料として利用できる。 （もっと読む）

本発明は、酸化物基準の質量パーセントで７５−９９％のジルコンを含む開始チャージ材から構成され、酸化物基準の質量パーセントで、合計１００％に対して、６０％≦ＺｒＯ_２≦７２．８％，２７％≦ＳｉＯ_２≦３６％，０．１％≦Ｂ_２Ｏ_３＋ＧｅＯ_２＋Ｐ_２Ｏ_５＋Ｓｂ_２Ｏ_３＋Ｎｂ_２Ｏ_５＋Ｔａ_２Ｏ_５＋Ｖ_２Ｏ_５，０．１％≦ＺｎＯ＋ＰｂＯ＋ＣｄＯ，Ｂ_２Ｏ_３＋ＧｅＯ_２＋Ｐ_２Ｏ_５＋Ｓｂ_２Ｏ_３＋Ｎｂ_２Ｏ_５＋Ｔａ_２Ｏ_５＋Ｖ_２Ｏ_５＋ＺｎＯ＋ＰｂＯ＋ＣｄＯ≦５％，０％≦Ａｌ_２Ｏ_３＋ＴｉＯ_２＋ＭｇＯ＋Ｆｅ_２Ｏ_３＋ＮｉＯ＋ＭｎＯ_２＋ＣｏＯ＋ＣｕＯ≦５％，他の酸化物：≦１．５％である平均量の化学組成を有する焼結製品に関する。特に、ガラス炉に使用される。 （もっと読む）

【課題】非常に高い緻密化度と１００％またはそれに近い反応収率とを有するヨードアパタイトを得ることができる技術を提供すること。
【解決手段】本発明は、ヨードアパタイトを合成および緻密化するための、フラッシュ焼結として知られる技術の使用に関する。好ましくは、本発明は、ａ）ヨード化合物と下記式（Ｉ）の化合物とを混合すること、次いで、ｂ）得られた混合物をフラッシュ焼結技術により反応性焼結することを含む：
Ｍ_３（ＸＯ_４）_２−２ｘ（ＰＯ_４）_２ｘ （Ｉ）
ここで、Ｍは、鉛またはカドミウムから選択され；Ｘは、バナジウムまたはヒ素から選択され；ｘは、０に等しいか、０より大きくて１より小さく；ヨード化合物および式（Ｉ）の化合物は粉末形態である。 （もっと読む）

【課題】 焼成物の形状や寸法の制限が少ない固体電解質体の焼成用支持具および固体電解質体の製造方法を提供する。
【解決手段】 焼成用セッターが高純度マグネシアで構成されることから、ペロブスカイト構造酸化物から成る固体電解質との反応が十分に抑制される。また、高純度マグネシアは、1400〜1600(℃)程度の高温でも変形や収縮が無く安定性が高いため、従来のような目砂などを用いる必要もなく、焼成物がセッターに直に接する状態で焼成処理を施すことができる。この結果、焼成物の形状や寸法の制限が緩和されると共に、その変形が抑制され、更に表面粗さの低下も抑制される。更に、マグネシアは酸化物の中でも比較的安価であるから、製造コストが低減される利点もある。すなわち、容易且つ安価に特性の優れた固体電解質体が得られる。 （もっと読む）

純粋な成分Ａ及びＢの２つの相の混合物を含むセラミックの混合システムが、提案される。相Ａは、Ｂｉ_３ＮｂＯ_７の立方晶−正方晶変態をベースとし、相Ｂは、Ｂｉ_２（Ｚｎ_２／３Ｎｂ_４／３）Ｏ_７の単斜晶パイロクロア変態をベースとする。これからなるセラミック体の電気的特性は、コンデンサ及びインダクタが集積化された多層構造を有する部品に適した材料をなす。これは、データ処理又は信号処理に使用され得る。 （もっと読む）

【課題】 半導体封止材用のフィラー、或いは機械部品や電子部品製造のための焼結用原料等に有用な、高純度で単分散の球状セラミックス微粒子とその製造方法を提供する。
【解決手段】 平均粒径が５０〜１００，０００ｎｍの範囲で、且つ真球度が０．９〜１．０の範囲にある球状セラミックス微粒子。粒子径変動係数（ＣＶ値）が２０％以下である球状セラミックス微粒子。（ａ）該球状セラミックス微粒子を構成する金属元素及び／又は半金属元素を含む前駆体高分子を製造する工程と、（ｂ）前記前駆体高分子を貧溶媒と混合し加熱することで溶解させた後、該溶液を冷却することで前記前駆体高分子を析出させ、該析出物を濾別することで前記球状前駆体高分子の微粒子を得る工程と、（ｃ）前記球状前駆体高分子の微粒子を不活性ガス中或いは酸素を含む雰囲気中で焼成する工程とを有することを特徴とする球状セラミックス微粒子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 酸素イオン伝導性が高く且つ還元耐久性の優れた酸化物イオン伝導体、および高効率で耐久性に優れた酸素分離膜エレメントを提供する。
【解決手段】 La_0.6Sr_0.4Ti_0.1Fe_0.9O₃の結晶粒界または粒内に副成分としてＬＳＭまたはＬＳＣが存在すると、酸素イオン伝導性を維持したまま、そのLa_0.6Sr_0.4Ti_0.1Fe_0.9O₃の還元膨張が抑制され、延いては酸素分離膜の還元膨張が抑制される。そのため、酸素イオン伝導性が高く且つ還元耐久性の優れた酸素分離膜が得られ、延いては、高効率で耐久性に優れた酸素分離膜エレメントが得られる。 （もっと読む）

【課題】 反応硬化型の樹脂を含有し、塗料の状態におけるゲル化を防止しつつ、しかも、シート強度が高く、適度な可撓性を有するグリーンシートを得るのに適し、いわゆるシートアタック現象が発生を有効に防止できるセラミック塗料、およびこのような塗料を用いて製造され、ショート不良率の低減された積層型電子部品を提供すること。
【解決手段】 セラミック原料と、酸価が２〜１０ｍｇ・ＫＯＨ／ｇの範囲にある硬化性アクリル樹脂と、溶媒とを、含有するグリーンシート形成用のセラミック塗料、およびこのセラミック塗料を用いた積層型電子部品の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 硬化に要する時間が比較的に短く、しかも、シート強度が高く、適度な可撓性を有するグリーンシートを得るのに適したセラミック塗料と、グリーンシートの表面に電極パターン層を形成する際にいわゆるシートアタック現象が発生せず、結果として、得られる電子部品のショート不良率が少ない積層型電子部品の製造方法とを、提供すること。
【解決手段】 セラミック原料と、熱硬化型アクリル樹脂と、熱重合開始剤と、溶媒と、を含有し、前記熱重合開始剤が第１級アミンおよび第２級アミンから選択される１種以上であるグリーンシート形成用のセラミック塗料、およびこのセラミック塗料を用いた積層型電子部品の製造方法。 （もっと読む）

【課題】稠密で高い硬度を有し、優れた電磁気的特性を備えたフェライト／二酸化珪素複合体を製造するための方法を提供する。
【解決手段】（ａ）ボールミル装置を準備するステップと、（ｂ）ボールミル装置のポットに、フェライト微粒子の所定量と、平均粒径がフェライト微粒子よりも小さい二酸化珪素微粒子の所定量をボールとともに封入し、ポットを自転運動、または公転運動および自転運動させてフェライト微粒子および二酸化珪素微粒子を混合することにより、フェライト微粒子のそれぞれが、その表面を被覆する二酸化珪素微粒子によって互いに分離した状態にするステップと、（ｃ）ステップ（ｂ）で得られた混合物を加圧成形するステップと、（ｄ）ステップ（ｃ）で得られた成形体を焼成することにより、フェライト／二酸化珪素複合体を形成するステップを有する。 （もっと読む）

【課題】 多くの種類の金属化合物を安定かつ均一に溶解することができる混合液体を提供すること。また、当該混合液体を用い、従来よりも微粒子であり、かつ有機物の残渣が少ないセラミックス微粒子の製造方法を提供すること。
【解決手段】 少なくとも１種のカルボン酸と少なくとも１種の尿素又は尿素誘導体とを含み、かつ、実質的に水分を含まないことを特徴とする混合液体。当該混合液体に金属化合物を加え、これを熱分解する工程を有することを特徴とするセラミックス微粒子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】鉛（Ｐｂ）を含有しなくとも、優れた圧電／電歪特性を示す圧電／電歪体や圧電／電歪部を製造し得る圧電／電歪磁器組成物を提供する。
【解決手段】一般式（１）（（１−ｎ）（Ａｇ_1-a-b-cＬｉ_aＮａ_bＫ_c）（Ｎｂ_1-x-y-zＴａ_xＳｂ_yＶ_z）Ｏ₃＋ｎＭ¹Ｍ²Ｏ₃（但し、０≦ａ≦０．２、０≦ｂ≦０．９５、０≦ｃ≦０．９５、０＜（１−ａ−ｂ−ｃ）≦１、０≦ｘ≦０．５、０≦ｙ≦０．２、０≦ｚ≦０．２、０≦（ｙ＋ｚ）≦０．３、０≦ｎ≦０．２である））で表される二元系固溶体を主成分とする圧電／電歪磁器組成物であり、この一般式（１）中、Ｍ¹とＭ²は、所定の条件を満たす金属元素の組み合わせである。 （もっと読む）