【課題】本発明は、短い時間で結晶成長可能とし、捕捉磁場特性の優れた酸化物超電導バルク体を製造する技術の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、種結晶の結晶構造を基に半溶融状態の前駆体を結晶化して酸化物超電導バルク体とする方法であって、前駆体を包晶温度よりも低く、結晶化開始温度よりも低い温度域において、複数段のステップで徐々に温度降下させ、各ステップにおいては等温保持する予備的段階降温等温処理を施し、次いで、前駆体を包晶温度以上の温度に加熱し、結晶成長のための処理として複数段のステップで徐々に温度降下させ、各ステップにおいては等温保持する主体的段階降温等温処理を施して前駆体を結晶化することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 Ｂを含むブロッキングユニットからなる、新規なＰｂ系銅酸化物超伝導体とその製造方法を提供する。
【解決手段】 （Ｐｂ，Ｍ）ブロッキングユニット２のＭサイトの全てが、Ｂ（３＋）、ＢＯ₃ ^3-、又はその両方で占有された（Ｐｂ，Ｂ）（１２０１）構造を有しており、組成比がＰｂ_0.5 Ｂ_0.5 となるようにＰｂ原料の一部をＢ原料で置き換えて混合し、焼成することで（Ｐｂ，Ｂ）系銅酸化物高温超伝導体を作製する。（Ｐｂ，Ｂ）系銅酸化物高温超伝導体は、組成式：（Ｐｂ_0.5 Ｂ_0.5 ）（Ｓｒ_0.5 Ｌａ_0.5 ）₂ ＣｕＯ_z ，ｚ＝５＋δ（但し、δは１未満の微少量）、又は組成式：（Ｐｂ_0.5 Ｂ_0.5 ）（Ｓｒ_1-x Ｂａ_x ）₂ （Ｙ_1-y Ｃａ_y ）Ｃｕ₂ Ｏ_z ，０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１，ｚ＝７＋δ（但し、δは１未満の微少量）、
で表される。 （もっと読む）

【課題】 従来よりも超伝導転移温度が高いＢｉ系銅酸化物高温超伝導体と、その製造方法を提供する。
【解決手段】 組成式（Ｂｉ_2-x Ｂ_x ）Ｓｒ₂ ＣｕＯ_z で表され、Ｂで置換したＢｉ系銅酸化物高温超伝導体１であって、、Ｂｉブロッキング層２のＢｉの一部をＢ、ＢＯ₃ ^3-、又はその両方で置換したＢｉ（Ｂ）（２２０１）構造を有している。Ｂ置換・Ｂｉ系銅酸化物高温超伝導体は、上記組成式において組成比ｘが零の場合のＢｉ系銅酸化物高温超伝導体に較べて超伝導転移温度Ｔｃが高く、且つ、ｘを選択することによって超伝導転移温度を調節できることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 着磁性能に優れた酸化物超伝導磁石材料及び良好に着磁された酸化物超伝導磁石システムを提供する。
【解決手段】 補強リング１００の内周面の突起部１０１まで超伝導体２００をはめ込むことにより固定するとともに、沸騰した冷媒を速やかに超伝導体間の隙間から外へ放出するためには、補強リング１００の側面に円形の開口部(穴)１０２をギャップに対応する位置に多数設ける。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、トップシード溶融凝固法においてファセットの成長が失敗した試料を再度処理し、最終的にファセットを成長させた高品質の酸化物超電導バルク体を製造することができる方法の提供を目的とする。
【解決手段】 本発明は、トップシード溶融凝固法によってファセットが生成しないか、ファセットが生成したとしても前駆体中心部で生成停止した状態の未発達ファセット状態の試料に対し、結晶成長のための処理を複数段のステップで徐々に温度降下させるとともに、各ステップにおいては等温保持する段階降温等温処理を施すことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】複数のＬｎ系超電導体の原料溶液を混合することによって得られる混合超電導体膜の格子定数を調整することができ、基板上に厚膜を形成したときにｃ軸配向粒子を高い比率で含み、高い特性を示す酸化物超電導体を提供することにある。
【解決手段】主成分が一般式ＬｎＢａ₂Ｃｕ₃Ｏ_7-x（ここで、ＬｎはＧｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，ＴｍおよびＹからなる群より選択される２種以上であり、各々の元素の含有率は１０〜９０モル％である）で表され、モル比で銅の１０^-2〜１０^-6のフッ素を含む酸化物超電導体。 （もっと読む）

【課題】 有効なピンニングセンターの導入により、臨界電流密度が高い酸化物バルク超電導体を提供する。
【解決手段】 ＲＥ_1+xＢａ_2-xＣｕ₃Ｏ_y（０≦ｘ≦０．１、６．５≦ｙ≦７．２、ＲＥはＹ、Ｌａ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂの群から選ばれた少なくとも一つの元素）結晶中に、ピンニングセンターとしてＢａＣｅＯ₃あるいはＢａ（Ｃｅ_1-aＭ_a）Ｏ_3-b（０＜ａ＜０．５、０≦ｂ≦０．５、ＭはＺｒ、Ｈｆ、Ｓｎ等の金属元素）相の粒子が分散しており、且つ、Ｐｔ又はＲｈの一方又は双方が添加されていることを特徴とする酸化物超電導材料。 （もっと読む）

【課題】 材料の組織を工夫することにより、臨界電流密度が高く、且つ、材料内における超電導特性のばらつきが小さい、酸化物バルク超電導体とその製造方法を提供する。
【解決手段】 ＲＥ_1+xＢａ_2-xＣｕ₃Ｏ_y（０≦ｘ≦０．１、６．５≦ｙ≦７．２、ＲＥはＹ、Ｌａ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂの群から選ばれた少なくとも一つの元素）結晶中に、ＲＥ₂ＢａＣｕＯ₅相あるいはＲＥ_4-2zＢａ_2+2zＣｕ_2-zＯ_10-d（０≦ｚ≦０．１、−０．５≦ｄ≦０．５）相の粒子が分散しているＲＥ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系酸化物超電導材料において、比較的大きいＲＥ₂ＢａＣｕＯ₅相あるいはＲＥ_4-2zＢａ_2+2zＣｕ_2-zＯ_10-d相の粒子を含有する領域（Ａ）と、非常に微細なＲＥ₂ＢａＣｕＯ₅相あるいはＲＥ_4-2zＢａ_2+2zＣｕ_2-zＯ_10-d相の粒子を含有する領域（Ｂ）とが混在していることを特徴とする酸化物超電導材料。 （もっと読む）

ドープされたｉＸ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ材料を製造する方法であって、この方法は、
ａ）Ｘ−Ｂａ−Ｌ−Ｏ又はＸ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｌ−Ｏ材料をＸ−１−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ材料と混合するステップと、
ｂ）この混合物を結晶化するステップとを含み、
ただし、１各Ｘは希土類（ＩＩＩＢ族）元素、イットリウム、希土類元素の組み合わせ又はイットリウムと希土類元素との組み合わせから個別に選択され、各ＬはＵ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｒｕ及びＳｎから選択される、ドープされたｉＸ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ材料を製造する方法。本発明はさらに、本発明の方法によって製造されるドープされた材料を提供する。
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