超伝導性の物品は、基板、該基板上の耐エピタキシャル膜、該耐エピタキシャル膜上の２軸結晶テキスチャーを持つバッファー膜、および、前記第２のバッファー膜上の超伝導性の層を含んで与えられる。また、電力ケーブル、および、電力変圧器における超伝導性の物品が、与えられる。
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【課題】基板の配向性に影響を与えることなく高い面内配向性を有する中間層を形成する。
【解決手段】中間層熱処理装置１の送出し装置２のドラム上に巻回されたテープ状線材７は所定の張力で引き出され、熱処理炉５内の炉心管４内を走行し巻取り装置３のドラムに巻き取られる。炉心管４内を走行するテープ状線材７は、熱処理炉５内の急速加熱領域Ａを通過する際に輻射加熱器６ａにより基板上の中間層の仮焼膜が急速加熱され、結晶化温度領域Ｂを通過する際に輻射加熱器６ｂ、６ｃおよび６ｄにより基板上の中間層が結晶化される。急速加熱領域Ａおよび結晶化温度領域Ｂにおいて、基板上の中間層の仮焼膜のみが急速加熱および結晶化温度に保持され、結晶化後の中間層は、結晶化温度領域Ｂ通過後に急速冷却される。 （もっと読む）

【課題】基盤上の表面平滑性に優れた第１中間層の上に第２中間層及び特性の優れたＹＢＣＯ超電導層を形成する。
【解決手段】２軸配向させたＮｉ―Ｗ合金テープ状基板１の表面に、ＭＯＤ法により複数回の塗布および仮焼を繰り返して成膜した5ｎｍ以下の表面平滑性を有するＡ_２Ｚｒ_２Ｏ_７からなる第１中間層２、パルス蒸着法により成膜したＣｅＯ_２膜からなる第２中間層３、ＭＯＤ法により形成されたＹＢＣＯ超電導層４およびこのＹＢＣＯ超電導層の上にＡｇ安定化層５を成膜して１ＭＡ／ｃｍ^２以上の臨界電流密度（Ｊｃ）を有するＹＢＣＯ超電導体１０を製造する。 （もっと読む）

【課題】機械的強度及び配向性に優れた複合基板を用いて特性の優れた希土類系テープ状酸化物超電導体を製造する。
【解決手段】、耐熱性及び耐酸化性を有するハステロイ１とＮｉ―Ｗ合金２とを冷間加工により貼り合わせ、９００〜１３００℃の温度で配向化熱処理を施して複合基板３を製造し、この複合基板３上に、Ｃｅ―Ｚｒ―Ｏ膜からなる中間層４及びＣｅ―Ｇｄ−Ｏ膜からなる中間層５を順次形成した後、その上に酸化物超電導層６を形成して希土類系テープ状酸化物超電導体１０を製造する。 （もっと読む）

【課題】表面平滑性及び配向性に優れた基板を用いて特性の優れた希土類系テープ状酸化物超電導体を製造する。
【解決手段】冷間加工により所定の厚さに成形したＮｉ―Ｗ合金に９００〜１３００℃の温度で配向化熱処理を施して２軸配向させたテープを製造し、このテープに電解研磨を施して表面平滑性を５nm以下としたテープ状基板１の表面に、Ｃｅ―Ｚｒ―Ｏ膜からなる中間層２及びＣｅ―Ｇｄ−Ｏ膜からなる中間層３を順次形成した後、その上に酸化物超電導層４を形成することにより希土類系テープ状酸化物超電導体１０を製造する。 （もっと読む）

超伝導性フィルム構造体に対する臨界電流容量の改良が開示され、個々の耐高温バリウム−銅酸化物層がCeO₂等の如き金属酸化物材料の薄層によって分離された、例えば多層耐高温バリウム−銅酸化物構造体の使用が包含される。
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超伝導材料（２）であって、基板（４）と、基板上の界面層（６）（化学式Ｘ_ｗＢａ_ｘＣｕ_ｙＬ_ｔＯ_ｚの材料を含む）と、界面層上の超伝導層（８）（化学式Ｘ_ａＢａ_ｂＣｕ_ｃＯ_ｄの化合物を含む）と、を含む超伝導材料（２）が提供される。また超伝導材料の製造方法、及びこの方法によって生成される材料も提供される。
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【課題】高いＪｃを発揮する超電導特性と、厚膜と基体との間の強い密着強度とを両立させ得る酸化物超電導体厚膜およびその製造方法、並びに、当該酸化物超電導体厚膜を製造するための酸化物超電導体厚膜製造用ペーストを提供する。
【解決方法】Ｂｉ_２Ｏ_３、ＰｂＯ、ＳｒＣＯ_３、ＣａＣＯ_３、ＣｕＯの各粉末を、所定のモル比となるように混合して混合粉とし、これを仮焼して仮焼粉とし、これを粉砕して超電導合成粉を得た。この超電導合成粉中へ易移動Ｐｂ化合物を添加混合し、さらに、有機バインダー等を添加して本発明に係るＰｂ添加Ｂｉ２２２３ペーストを得た。一方、所定の基体上に、Ｂｉ２２１２組成の超電導ペーストを塗布、焼成してＢｉ２２１２部分熔融層を得、この上へ、本発明に係るＰｂ添加Ｂｉ２２２３ペーストを塗布、焼成し、本発明に係る酸化物超電導体厚膜が成膜された基体を得た。 （もっと読む）

【課題】ミスフィット率を低減させ高品質なＭｇＢ₂薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】基板２が結晶面（００１）のサファイアであり、ＡｌＮバッファ層１６が結晶面（００１）であり、ＭｇＢ₂薄膜１７が結晶面（００１）であることを特徴とするＭｇＢ₂薄膜１７の製造方法であり、カルーセルスパッタリング装置にて高速で回転する基板２上にＭｇＢ₂薄膜１７を形成するにあたり、反応室１内にＮ₂ガスを送入する窒素ガス送入ステップと、反応室１内に備えるＡｌターゲット１５に電圧を印加して基板２上にＡｌＮバッファ層１６を形成するバッファ層形成ステップと、反応室１内に備えるＭｇターゲット３およびＢターゲット４に電圧を印加してＡｌＮバッファ層１６上にＭｇＢ₂薄膜１７を形成するＭｇＢ₂薄膜形成ステップとを備える。 （もっと読む）