【課題】原料ガスの消費効率がよく、経済性に優れた多結晶シリコンの製造方法を提供する。
【解決手段】シランガスの熱分解および水素還元によって多結晶シリコンを製造する方法において、複数の加熱反応炉を直列に接続し、前工程の反応炉から排出された未反応シランガスを含む排ガスを次工程の反応炉に導入して反応させることによって、未反応シランガスを順次利用して多結晶シリコンを析出させることを特徴とする多結晶シリコンの製造方法。 （もっと読む）

本発明は、担体における材料の蒸着に対する製造装置、及び該製造装置に使用される電極に係る。典型的には担体は、互いから離間された第１の端部及び第２の端部を備える。ソケットは、担体の端部の各々において配置される。製造装置は、チャンバを画定するハウジングを有する。少なくとも１つの電極は、ハウジングを通って配置され、該電極はソケットに結合するよう少なくとも部分的にチャンバ内において配置される。電極は、ソケットに接触するよう適合される接触領域を備える外部表面を備える。接触領域コーティングは、電極の外部表面の接触領域において配置される。接触領域コーティングは、少なくとも９×１０^６ジーメンス／メートルの導電率、及び電解質としての室温の海水に基づいて電位列において銀より高い耐食性を備える。 （もっと読む）

本発明は、担体における材料の蒸着に対する製造装置、及び該製造装置に使用される電極に係る。典型的には担体は、互いから離間された第１の端部及び第２の端部を備える。ソケットは、担体の端部の各々において配置される。製造装置は、チャンバを画定するハウジングを有する。少なくとも１つの電極は、ハウジングを通って配置される。該電極は、チャネルを画定する内部表面を有する。電極は、担体に対する電流の直接通過によって必要な蒸着温度まで担体を加熱する。冷却剤は、電極の温度を低下させるよう電極のチャネルと流体連通する。チャネルコーティングは、冷却剤と内部表面との間における熱伝達の損失をセグメントよう、電極の内部表面において配置される。 （もっと読む）

【課題】反応器壁面等へのシリコン析出を回避し、反応器から排出するガスとともに排出されて回収されないシリコンの量及び未反応の原料ガス損失量を最小化して、一定品質、一定形状の固体シリコンを連続的に量産できるシリコン製造装置を提供する。
【解決手段】第１反応器１と、第１反応器の下流において連絡した第２反応器２と、を備え、第１反応器は、珪素化合物を亜鉛で還元して固体シリコンを生成し、第２反応器は、前記第１反応器で生成された固体シリコンのうち、相対的に小さな結晶サイズの固体シリコンを種結晶としながら、珪素化合物を亜鉛で還元して固体シリコンを生成する。 （もっと読む）

複数の低次元構造体を有する構造体を製造する方法であって、２つ以上の低次元構造体を基板に接続させるフレキシブル素子（１ｂ、１４）を設けるステップを含む。フレキシブル素子によって、低次元構造体は、例えば、基板に対して略平行になるように再配向する。それに加えて、またはそれの代わりに、フレキシブル素子によって、互いに並んでいない低次元構造体は、同じ方向に配列する。
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【課題】本発明の目的は、ナノ粒子蛍光体（ナノメートルサイズの半導体物質の蛍光体粒子）として、公知例では得られない、好適な、高輝度、単分散のシリコンナノ粒子、それを含有するシリコンナノ粒子含有酸化ケイ素膜、シリコンナノ粒子溶液、およびシリコンナノ粒子を標識材とした分子観察方法を提供することにある。
【解決手段】半導体基板上に成膜された、シリコンナノ粒子を含有するシリコンナノ粒子含有酸化ケイ素膜において、該シリコンナノ粒子含有酸化ケイ素膜の表面粗さＲｙが１０．０ｎｍ以上１００．０ｎｍ以下であることを特徴とするシリコンナノ粒子含有酸化ケイ素膜。 （もっと読む）

【課題】シリコン芯棒と連結部材との接続を簡便にすることで、シリコン芯棒と連結部材との接触面積を確保し、その結果、シリコン芯棒および連結部材の組立ての際の接触状態を改善し、シリコン芯棒組立体への通電時に接触不良により発生する溶断をなくし、シリコン析出反応のスタート作業の中断をなくすことで、反応の生産性を向上する。
【解決手段】気相成長法による多結晶シリコンの製造に用いられるシリコン芯棒組立体１であって、前記シリコン芯棒組立体１は、二本の棒状のシリコン芯棒２と、これらシリコン芯棒２間に架設される連結部材３とを備えており、前記連結部材３には、この連結部材３を貫通しない有底穴で形成される挿入口４が設けられており、前記挿入口４の底面４ａに、前記シリコン芯棒２の先端面２ａが当接されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】塩化工程から分離したポリマー、あるいは多結晶シリコン製造工程の排ガスから分離したポリマーを分解してトリクロロシランに転換する製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】多結晶シリコン製造プロセスにおいて発生される高沸点クロロシラン類含有物（ポリマー）を、塩化水素と混合して分解炉に導入し、４５０℃以上、好ましくは４５０℃以上〜７００℃以下の加熱下でポリマーと塩化水素を反応させてトリクロロシランを製造することを特徴とし、好ましくは、ポリマーに対して塩化水素を１０〜３０質量％混合した混合物を分解炉に導入して分解するトリクロロシランの製造方法および製造装置。 （もっと読む）

【課題】水素ガスを循環しながらトリクロロシランを反応器に供給して反応器内にシリコンを生成させるシリコン製造プロセスにおいて、排出される水素ガス中に含まれるトリクロロシランなどの凝縮による漏洩や、ガスの組成変動による温度上昇による不都合が有効に解消され、シリコンの製造を連続して安定に行う。
【解決手段】水素ガスを反応器に循環して連続供給すると同時にトリクロロシランを該反応器に供給し、該反応器内での反応によりシリコンを生成せしめるシリコン製造プロセスにおいて、水素ガスの循環供給を、コンプレッサーを用いて行い、循環される水素ガスに含まれる塩化水素ガスを吸着処理により除去すると共に、水素ガスに含まれる他のガス成分を、コンプレッサーの上流側での低圧深冷及びコンプレッサーの下流側での高圧深冷により除去する。 （もっと読む）

【課題】 少なくとも１つのシリコン棒（３）に給電し、それで、その接続されたシリコン棒においてより均一な温度分布と電流密度分布が達成できるようにする。
【解決手段】 少なくとも１つのシリコン棒が接続できる少なくとも１つの出力部（Ｅ）を具備し、前記少なくとも１つの出力部（Ａ）に接続された前記少なくとも１つのシリコン棒（３）に前記エネルギ供給系統（Ｎ）からの電流を供給するよう構成されてなる少なくとも１つの交流コントローラ（１）を具備し、かつ、少なくとも１つの出力部（Ａ）に接続された少なくとも１つのシリコン棒（３）にエネルギ供給系統（Ｎ）からの電流を供給するように構成されてなる少なくとも１つの周波数変換器（２）を具備する、シーメンス法によるシリコン分離の間に少なくとも１つのシリコン棒（３）に給電する装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】ハロゲン化物による反応容器の腐食を抑制できると共に、十分な機械的強度を有するシリコンの製造装置を提供する。
【解決手段】ハロゲン化物耐食材料又はシリコン材料のうち少なくともいずれかからなる内筒４と、内筒４を囲み、金属からなる外筒６と、を備え、内筒４の内側において、溶融させた還元性金属でハロゲン化シランを還元してシリコンを得る、シリコンの製造装置。 （もっと読む）

ＢＥＴ表面積１７５±１５ｍ²／ｇ、および該ＢＥＴ表面積に基づく１８ｍＰａｓ・ｇ／ｍ²よりも大きい増粘効果を有する凝集した一次粒子形態でのフュームド二酸化ケイ素粉末がポリジメチルシロキサンで疎水化される。この疎水性フュームドシリカはＢＥＴ表面積１１０±２５ｍ²／ｇを有する。それをエポキシ樹脂中で使用できる。それらのエポキシ樹脂は接着剤として使用できる。 （もっと読む）

【課題】半導体、太陽電池、液晶などの薄膜を形成するターゲット材について、酸素濃度を低減することによってパーティクルの発生を抑制し、加工性および成膜の膜質を高めたターゲット材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】優先的に一定範囲の方向Ａに配向した結晶組織を有し、酸素濃度が３.０×１０¹⁸atom/cm³以下であり、好ましくは、酸素濃度１.０×１０¹⁸atom/cm³以下であって、スパッタ面の平均結晶粒径が１〜２０mm、酸素濃度と炭素濃度の比（酸素濃度/炭素濃度）が２０以下であるターゲット材、およびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】新規火炎加水分解により製造した珪素−アルミニウム−混合酸化物粉末の提供。
【解決手段】Ａｌ_２Ｏ_３ １〜９９.９９９質量％、ＳｉＯ_２ 残分からなる組成を有する火炎加水分解により製造した珪素−アルミニウム−混合酸化物粉末において、該粉末がＸ線回折図形において非晶質構造を有し、一体に成長した１次粒子からなり、この１次粒子中に微結晶が存在し、この微結晶が１〜２００ナノメータの寸法を有し、かつこの粉末の比表面積が５〜３００ｍ^２／ｇであることを特徴とする火炎加水分解により製造した珪素−アルミニウム−混合酸化物粉末およびその製法並びにその使用。 （もっと読む）

【課題】装置構成の複雑化を排しながら、シリコンの収率を向上させるための還元反応の効率を向上し、同時に生成シリコンと生成ガスとの分離回収効率をも向上することのできるシリコン製造装置を提供する。
【解決手段】珪素化合物ガスを反応容器１０に連絡し、亜鉛ガスを、第１の亜鉛供給口４０ａから反応容器内に第２の吐出方向に吐出しながら供給する亜鉛供給管と、反応容器内に設けられ、第１の亜鉛供給口から第２の吐出方向に吐出される亜鉛ガスを偏向しながら、珪素化合物供給口から第１の吐出方向に吐出される珪素化合物ガスが反応容器における上流側から下流側に向かって流れることを許容する整流部材２０と、反応容器において整流部材の下流側に設けられ、シリコンを含む反応生成ガスを反応容器外に排出する排出管１０ｂと、を備える。 （もっと読む）

【課題】高純度のシリコンナノワイヤーを低温で製造する方法を提供する。
【解決手段】〔１〕四塩化珪素ガスと不活性ガスとの混合ガスまたは四塩化珪素ガス５を、高温領域３を通って、前記高温領域よりも温度の低い領域（低温領域４）へ流通し、該高温領域３にアルミニウムを供給し、前記高温領域よりも温度の低い領域４においてシリコンナノワイヤーを析出させるシリコンナノワイヤーの製造方法。
〔２〕前記高温領域における温度が７００℃以上１１００℃以下であることを特徴とする請求項１記載の方法。
〔３〕前記高温領域よりも温度の低い領域における温度が６００℃以上９００℃以下であることを特徴とする〔１〕または〔２〕記載の方法。 （もっと読む）

【課題】反応容器内で析出されたシリコンが回収容器内で蟻塚状に固化することのないシリコン製造装置を提供すること。
【解決手段】シリコン製造装置は、反応容器本体２において、回収容器１４に回収容器１４の底壁１４ｂを支持する支持軸１８と、支持軸１８を昇降させる駆動部１７とを備えた昇降手段を設け、シリコンの回収容器１４への回収時に支持軸１８を昇降させて回収容器１４の底壁１４ｂと支持床壁１６とを離間させるようにした。 （もっと読む）

【課題】ロッド表面の凹凸や径の不均一等の形状不良の発生を有効に防止して、高品質の多結晶シリコンを生産する。
【解決手段】反応炉内に立設した複数のシリコン芯棒を加熱し、反応炉の内底部のガス噴出口から噴出した原料ガスによってシリコン芯棒の表面に多結晶シリコンを析出させる多結晶シリコンの製造方法において、ガス噴出口からの原料ガスの噴出速度を漸次上昇させる運転初期の安定化段階と、その後前記噴出速度を前記安定化段階より大きい上昇度で一旦上昇させた後に、それより小さい上昇度で漸次上昇させる形状段階と、この形状段階を経た後、終了までにおいて前記噴出速度を前記形状段階の終了時より小さくする成長段階とを有する。 （もっと読む）

【課題】シェル内不純物濃度、コア／シェル間の格子不整合等の観点からコア／シェル型半導体ナノ粒子を改善することにより、ブリンキング現象を抑制し、発光強度を向上させたコア／シェル型半導体ナノ粒子とその製造方法を提供する。
【解決手段】コア部とシェル層を有するコア／シェル型半導体ナノ粒子であって、当該シェル層内の不純物濃度が５．０原子％以下であり、かつコア／シェル間の格子不整合率が１５％以下であることを特徴とするコア／シェル型半導体ナノ粒子。 （もっと読む）

【課題】反応炉の外周部においても他のシリコン芯棒と同じ仕様の電源で品質の高いシリコンロッドの製造を可能にし、コストの削減を図る。
【解決手段】反応炉１の内底部に配設された複数の電極５に、上下方向に延びるシリコン芯棒４をそれぞれ立設しておき、反応炉１内に原料ガスを供給するとともに、シリコン芯棒４に電極５から通電することによりシリコン芯棒４を発熱させて、シリコン芯棒４の表面に原料ガスによって多結晶シリコンを析出させる多結晶シリコンの製造方法において、複数本のシリコン芯棒４のうち、長さが小さいシリコン芯棒４を反応炉１の外周部に近い位置の電極５に立設し、残りのシリコン芯棒４を他の電極５に立設した状態として、多結晶シリコンを析出させる。 （もっと読む）