【課題】マイクロ電子デバイスの実現。
【解決手段】そのための方法であって、マイクロ電子デバイスは、支持体に基礎を置き、支持体の主平面に平行な方向において、ゲルマニウム濃度勾配をみせる少なくとも１種の半導体帯域を含み、方法は、
ａ）支持体上への、１種またはそれよりも多い穴を含む少なくとも１種の酸化マスキング層の形成であり、穴は、傾斜のある側面を含み、およびＳｉに基づく少なくとも１種の第１の半導体帯域を現わし、
ｂ）Ｓｉに基づく前記第１の半導体帯域上のＳｉ_１−ｘＧｅ_ｘ（式中０＜ｘ）に基づく少なくとも１種の第２の半導体帯域の形成、
ｃ）前記マスキング層を通じた前記第１の半導体帯域および第２の半導体帯域の熱酸化を具える。 （もっと読む）

【課題】高温、高圧条件下においても安定的に使用でき、炭化水素の分離、特にオレフィン／パラフィン混合物の分離を行うことが出来る固体シリカ膜、それを用いた炭化水素分離膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
固体シリカ膜は、不飽和炭化水素を選択的に透過させる多孔質であり、一価の炭化水素基を表面に有し、赤外吸収スペクトル測定で得られるシラノール基（Ｓｉ−ＯＨ）の３０００ｃｍ^−１のピーク強度が、シロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ）の１５００ｃｍ^−１のピーク強度の１／１０以下である。炭化水素分離膜は、多孔性セラミックス支持体の表面に、上記固体シリカ膜が形成されている。本発明の炭化水素分離膜の製造方法は、酸素及び／又はオゾンと不活性ガスを含む混合ガスと、気化したシリカ源とを用いたＣＶＤ法によって、上記多孔性セラミックス支持体表面の細孔を閉塞するように上記固体シリカ膜を製膜する。 （もっと読む）

【課題】リチウムイオン電池の性能を改善する複合ケイ素／炭素物質が得られる調製プロセスを提供すること。
【解決手段】炭素コーティングされたケイ素粒子を含む複合ケイ素／炭素物質を調製するためのプロセスであって、次の連続工程が行われる、プロセス：ケイ素粒子を溶媒中にて酸素フリーのポリマーの溶液と混合し、それによってポリマー溶液中のケイ素粒子分散液を得る工程；工程ａ）にて得られた分散液をスプレー乾燥操作に供し、それによってポリマーでコーティングされたケイ素粒子からなる複合ケイ素／ポリマー材料を得る工程；工程ａ）にて得られた物質を熱分解し、それによって炭素コーティングされたケイ素粒子を含む複合ケイ素／炭素物質を得る工程。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコン製造プロセスやトリクロロシラン製造プロセス、又は転換プロセスから分離されたポリマーを分解してトリクロロシランに転換する。
【解決手段】分解炉２に、分解炉２の内部を加熱する加熱手段８と、ポリマーと塩化水素とを分解炉２の上下方向に沿って内底部まで案内し下端開口部３ａから分解炉２内に供給する原料供給管３と、原料供給管３の外周面と分解炉２の内周面との間に形成される反応室１３の上部から反応ガスを導出させるガス導出管４とが設けられ、原料供給管３の外周面又は分解炉２の内周面の少なくともいずれかに、原料供給管３の下端開口部３ａから供給されるポリマーと塩化水素との混合流体を反応室１３内で攪拌しながら上昇させるように案内するフィン１４が一体に形成されている。 （もっと読む）

本発明は、クロロシランを主にエネルギー自立型に連続的に製造するための、特に高純度シリコンの獲得のための中間生成物としてのトリクロロシランを製造するための装置、その使用及び方法に関する。
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【課題】多結晶シリコン製造プロセスやトリクロロシラン製造プロセス、又は転換プロセスから分離されたポリマーを分解してトリクロロシランに転換する。
【解決手段】分解炉２に、分解炉２の内部を加熱する加熱手段１１と、分解炉２の内部に形成される反応室４と、反応室４内に分解炉２の上方から上下方向に沿って挿入され下端開口部３ａが分解炉２の内底面８ｂに対向する中心管体３と、中心管体３の外側に筒状に形成される反応室４の上部にポリマーと塩化水素とを供給する原料供給管５，６と、中心管体３の上端部から反応ガスを導出させるガス導出管７とが設けられ、中心管体３の外周面又は分解炉２の内周面の少なくともいずれかに、ポリマーと塩化水素とを反応室４内で混合しながら中心管体３の下端開口部３ａまで案内するフィン１４が一体に形成されている。 （もっと読む）

本発明は、凝集体サイズを表面積に関連付ける特定の式を満たす凝集体サイズ及び表面積を有する凝集体を含むヒュームドシリカ、並びに液体媒質中に分散された際に特定の粘度、べき法則指数、及び／又は弾性率特徴を示す凝集体を含むヒュームドシリカ提供する。本発明は、シリカ前駆物質を可燃性ガス流と混合し、該流動を燃焼させ、燃焼ガス流及びヒュームドシリカ粒子を生成することによりそのようなヒュームドシリカを調製するプロセスも提供し、該プロセスでは、ドーパントが導入され、燃焼ガス流及びヒュームドシリカ粒子の時間／温度プロファイル又は履歴が、急冷後凝集体成長を可能にするように調整され、及び／又は追加的シリカ前駆物質が、燃焼ガス流に導入される。
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【課題】工業的にかつ安価に生産可能な、高純度のシリコンの製造方法が求められている。
【解決手段】ＳｉＯ_２またはＳｉＯを含有する物質の粒子と、Ｃを含有する物質の粒子からなる混合粒子を、酸素燃焼炎を形成する燃焼炎ノズル中央部に供給することで、ＳｉＯ_２またはＳｉＯを還元することを特徴とするシリコンの製造方法。微細混合粒子の径が５０〜５００μｍであり、粒子を瞬間的に酸素燃焼することで、不純物を蒸発させる特徴も持つ。 （もっと読む）

【課題】 平均粒子径が１００ｎｍ程度のシリカ粉末は付着性が強く、製造装置内へ容易に付着堆積してしまうため、連続的な合成運転が困難となる。従って、付着性が強く連続的な製造運転が困難なシリカ粉末の製造方法を提供する。
【解決手段】 ヘキサメチルシクロトリシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン等の含ケイ素化合物を火炎中で燃焼させて熱分解し、ついで生じたシリカ粒子を捕集して燃焼排ガスから分離する際に、燃焼排ガス温が３００〜６００℃の範囲で分離することで、シリカ粒子の製造装置内への付着が低減できる。 （もっと読む）

【課題】 移送中に多結晶シリコン棒が汚染されるリスクを低減し、多結晶シリコン棒を移送するのに必要な時間を減少させ、多結晶シリコンの生産周期を低減し、同時に作業者が多結晶シリコンにより容易に怪我を受ける恐れを解決する。
【解決手段】一種の多結晶シリコン棒の取出し方法及びその方法に使用される取出し装置と取出し装置の組合せ品の中で、その方法には下記の手順が含まれる。同じ軸の幾つかの円周上に分布される複数の多結晶シリコン（７）棒に対して、先ず、一度に一番外周に分布される多結晶シリコン棒（７）を取出し、次に次外周の多結晶シリコン棒（７）を取出し、順番に外から中まで一層ずつ全ての多結晶シリコン棒（７）を取出す。 （もっと読む）

【課題】焼成量を増大させたとしても、シリカ粒子の不具合を抑制することのできるシリカ粒子の製造方法を提供する。
【解決手段】シリカ粒子は、ポリオルガノシロキサン粒子を焼成する工程を通じて製造される。焼成炉内にて焼成される焼成炭素量を５．０以上の範囲とし、かつ、焼成炉内の雰囲気を７．０体積％〜１７．０体積％の酸素濃度範囲にする。焼成炭素量は、焼成炉内の容積ａ（Ｌ）と、ポリオルガノシロキサン粒子集合体に含まれる含有炭素量ｂ（ｇ）とにより、焼成炭素量（ｇ／Ｌ）＝含有炭素量ｂ／容積ａで表される。 （もっと読む）

【課題】シリコン芯棒を保持する電極に原料ガスが付着して電極表面に多結晶シリコンが析出するのを抑制するとともに、多結晶シリコン反応炉内に反応ガスを均等に拡散させて、シリコン芯棒表面に安定して原料ガスを供給することができる多結晶シリコン反応炉を提供する。
【解決手段】炉内に設けたシリコン芯棒を通電加熱し、炉内に供給した原料ガスを反応させて、シリコン芯棒表面に多結晶シリコンを生成させる多結晶シリコン反応炉において、炉底に設けられた原料ガス供給口６に、上方に向かって延びる原料ガス供給ノズル１０を連通状態に取り付け、該原料ガス供給ノズル１０の上端を、シリコン芯棒を保持する電極の上端を基準として、−１０ｃｍ〜＋５ｃｍの範囲の高さに設定する （もっと読む）

【課題】亜鉛ガス中での四塩化珪素との反応により生成するシリコンの純度の向上と共に生産規模の向上とともに収率の向上が可能な高能率の反応装置を得ることを課題とした。
【解決手段】本発明は高温中で亜鉛ガス中に四塩化珪素を供給してシリコンと塩化亜鉛の生成を行う水平型反応塔とその後端に設けられた垂直反応塔部を有する反応装置において、水平型反応塔の内部に反応部から長さ方向についてランダムな間隔及び方向性を有する邪魔板を置くことによって反応塔内部を流れるガス又はガス及び生成固体を十分に乱流化させ相互に衝突させて混合すると共に外部からの熱を能率良く均一に取り込むようにした、高純度シリコンの製造装置並びに、本製造装置を含み連続的シリコン製造を行う様にした高純度シリコンの製造装置である。 （もっと読む）

【課題】反応炉の底板部と電極との間を電気絶縁する絶縁材を反応時の熱から保護し、熱膨張差を吸収できるとともに、良好な絶縁性を維持する。
【解決手段】原料ガスが供給された反応炉１内でシリコン芯棒４を加熱することによりシリコン芯棒４の表面に多結晶シリコンを析出させる多結晶シリコン製造装置において、シリコン芯棒４を上下方向に延設保持する電極２３と、冷却媒体を流通させる冷却流路２７が内部に形成され、反応炉１の底板部２に形成された貫通孔２１内に挿入されて、電極２３を保持する電極ホルダ２２と、貫通孔２１の内周面と電極ホルダ２２の外周面との間に配置され、底板部２と電極ホルダ２２との間を電気的に絶縁させる環状絶縁材３４とを有し、電極ホルダ２２の外周面に、環状絶縁材３４の上端部の上面の少なくとも一部に接触し、その内部に冷却流路２７の一部が形成された拡径部２５が設けられている。 （もっと読む）

発明は、一般に、式Ｓｉ_xＨ_y，ここでｘ及びｙは≧１の整数である、を有する、シランのような、一またはそれ以上の分子を生成するための方法に関連し、方法は、シリコン含有材料を供する工程、シリコン含有材料はシリコン含有材料の総重量を基準として少なくとも２０重量パーセントのシリコン原子を含む；シリコン原子を気化可能か、シリコン原子をスパッタリング可能か、あるいはその両者が可能なプラズマを、プラズマ発生装置を用いて発生させる工程；雰囲気中の原子の総モル数を基準にして少なくとも約０．５モルパーセントの水素原子を含む雰囲気を持つチャンバー内でシリコン含有材料にプラズマを接触させる工程；を含み、それにより、式Ｓｉ_xＨ_y（例えばシラン）が生成される。方法は、清浄なＳｉ_xＨ_y（例えばシラン）を形成するため、Ｓｉ_xＨ_y（例えばシラン）から一またはそれ以上の不純物を除去する工程を好ましくは含む。方法は、電子機器グレード金属シリコン、光起電グレード金属シリコンあるいはその双方のような高純度シリコン含有材料を生成するため、Ｓｉ_xＨ_y（例えばシラン）を反応させる工程を含んでいても良い。 （もっと読む）

【課題】金属ケイ素から非金属不純物を除去する方法を提供する。
【解決手段】ハロゲン元素を含むケイ素を金属ケイ素に混合し、この混合物を融解させて、金属ケイ素中に含まれる非金属不純物を、ハロゲン化物の形で融解液から気化させ、除去する。 （もっと読む）

本発明は、キャリヤー材料として使用するための新種の沈降シリカ、その製造および用途に関する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、原料粉末をバーナーを用いて火炎中で球状化する球状金属酸化物粒子の製造方法において、高溶融率かつ高球形度の球状金属酸化物粉末を高効率で製造する製造方法を提供する。
【解決手段】 金属酸化物粉末及び金属水酸化物粉末からなる群より選ばれる１種以上の原料粉末を、バーナーを用いて火炎中で球状化する球状金属酸化物粒子の製造方法において、バーナーは燃料ガス供給手段、助燃ガス供給手段及び原料粉末供給手段を備えた複数本で１群を構成し、且つバーナーを複数群設置することを特徴とする球状金属酸化物粉末の製造方法。バーナーの複数群が２群から６群であり、隣り合う各バーナー群の最近接バーナーの中心間の設置距離が、原料の平均粒径が３〜１５μｍの場合、バーナー半径の２．５倍〜５．６倍、原料の平均粒径が１５μｍを超え５０μｍ以下の場合、バーナー半径の２．５倍〜３．７倍であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ハロゲン化シランの還元反応において反応率を向上させることができるシリコンの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明のシリコンの製造方法は、下記式（１）で示されるハロゲン化シランと還元剤とを反応させてシリコンを製造する方法であって、シリコンの融点以上でハロゲン化シランと還元剤とを反応させて、液状のシリコンを生成させる工程を備える。
ＳｉＨ_ｎＸ_４−ｎ （１）
［式中、ｎは０〜３の整数；Ｘは、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩからなる群より選択された原子をそれぞれ示す。ｎが０〜２のとき、Ｘは互いに同一でも異なっていてもよい。］ （もっと読む）

【課題】分散性に優れ、発光強度が安定した半導体ナノ粒子を提供すること。
【解決手段】半導体基板上に成膜された半導体ナノ粒子含有膜において、成膜された膜の化学的処理の前後におけるｎｄ値（半導体ナノ粒子含有膜の膜厚をｄ、屈折率をｎ）の変化率が０．３〜２０．０％であることを特徴とする半導体ナノ粒子含有膜。 （もっと読む）