本発明は、トリクロロシランの合成システム及び方法に向けられる。開示されたシステム及び方法は、気化された金属塩を回収又は分離し、トリクロロシラン合成中の下流操作で金属塩の凝固によって生じる閉塞を削減するために、スラリー中の固形物濃度を増大することを含みうる。加熱して温度を上げてクロロシラン化合物を気化し、その後気化クロロシラン化合物を凝縮するのではなく、本発明は、水素などの非凝縮性ガスを利用してクロロシラン成分を気化することによって、スラリーストリーム中の固形分濃度を増大させることを含みうる。この方法は、結果的に、スラリー温度を低下できる蒸発条件を促進できる。低いスラリー温度によって金属塩は気化しにくくなり、このことが下流のユニット操作へのキャリーオーバーの可能性を削減する。 （もっと読む）

【課題】短時間でシリコン芯線と芯線ホルダの接合強度を十分なものとし、その結果、反応初期の成長速度抑制期間を短縮することを可能とする多結晶シリコンの製造手法を提供すること。
【解決手段】本発明の芯線ホルダ２０は、一方端側が円錐台状の斜面を有する形状とされ、当該端部には開口部２２が設けられ、シリコン芯線５を挿入して保持するための空洞２１が形成されている。シリコン芯線５の表面にはシーメンス法により多結晶シリコン６が気相成長し、多結晶シリコン棒の製造が行われる。開口部２２近傍の円錐台状斜面には、断熱層として、開口部近傍の外周面から空洞２１に向かって環状スリット２３ａ〜ｃが形成されている。この環状スリットは、断熱部（断熱層）として作用し、シリコン芯線５あるいは多結晶シリコン６からの伝導熱および輻射熱の金属電極への逃げを抑制し芯線ホルダ２０の一方端側を加熱する。 （もっと読む）

【課題】リチウムイオン二次電池の負極活物質として用いた場合に優れたサイクル特性を有し、バリアフィルムの蒸着材料として用いた場合にガスバリア性に優れた蒸着膜を形成できるＳｉＯ_x（ｘ＜１）の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＯガスが発生する原料をプラズマ加熱により気化させてＳｉＯガスとした後、珪素酸化物として析出させることを特徴とするＳｉＯ_x（ｘ＜１）の製造方法である。ＳｉＯガスを析出する際は、析出基体を用いる、またはＳｉＯガスに非酸化性ガスを混合することにより、冷却して行うのが好ましい。原料は、Ｓｉ粉末とＳｉＯ₂粉末および／またはＳｉＯ粉末とを混合して得られたものを用いるのが好ましい。得られた珪素酸化物は、Ｘ線回折測定において金属珪素および二酸化珪素に由来する回折ピークを示さない、非結晶質のＳｉＯ_x（ｘ＜１）となる。 （もっと読む）

キャリア体上に材料を蒸着するための製造装置、および当該製造装置と共に使用される電極。製造装置はチャンバを画定するハウジングを備える。ハウジングは、気体をチャンバ内に導入するための入口、および気体をチャンバから排出するための出口を画定する。少なくとも１つの電極がハウジングを貫通して配設され、該電極は少なくとも部分的にハウジング内に配設される。電極は外面を有する。外面は、ソケットと接触するように適合されたコンタクト領域を有する。電極のコンタクト領域上には、電極とソケットとの間の導電性を維持するためのコンタクト領域コーティングが配設される。コンタクト領域コーティングは、室温下で少なくとも７×１０^６ジーメンス／メートルの導電率を有し、ニッケルより大きい耐摩耗性（測定単位：ｍｍ^３／Ｎ・ｍ）を有する。
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【課題】 ウェット洗浄工程を増加させることなく、かつ、より低温でシリサイドを形成することが可能なシリサイドの形成方法を提供すること。
【解決手段】 表面にシリコンとシリコン酸化物とが露出している基板１０１上にシリサイドを形成するシリサイドの形成方法であって、基板１０１の温度を４００℃以上として、シリコンとシリコン酸化物とが露出している基板１０１の表面上にマンガン有機化合物ガスを供給し、基板１０１の表面に露出したシリコンを選択的にマンガンシリサイド化する。 （もっと読む）

【課題】高圧かつ原料大量供給の条件で、シリコンロッドの溶断を防ぎつつ高い成長速度と収率でシリコンロッドを太く成長させる。
【解決手段】反応炉１内のシリコン芯棒４に通電してシリコン芯棒４を発熱させ、シリコン芯棒４にクロロシラン類を含む原料ガスを供給することにより、シリコン芯棒４の表面に多結晶シリコンを析出させシリコンロッドＲとして成長させる多結晶シリコンの製造方法において、反応炉１内の圧力を０．４ＭＰａ以上０．９ＭＰａ以下、シリコンロッドＲの表面温度を１０００℃以上１１００℃以下に維持しながら、原料ガスを１５０℃以上６００℃以下に予熱した後に反応炉１に供給するとともに、シリコンロッドＲの径の増加に合わせて単位表面積当たりのクロロシラン類供給量を２．０×１０^-7ｍｏｌ／ｓｅｃ／ｍｍ²以上３．０×１０^-7以下ｍｏｌ／ｓｅｃ／ｍｍ²の範囲内に維持しながら原料ガスを供給する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、太陽電池用シリコンを安定かつ安価に提供する。
【解決手段】太陽電池用シリコンの製造方法のある態様は、ゼオライトを含有した珪素含有物質を炭素含有物質の存在下で塩素化することで四塩化珪素を得る工程（１）と、前記工程（１）によって得られた四塩化珪素を分離精製する工程（２）と、前記工程（２）において精製された四塩化珪素と亜鉛ガスを反応させることで多結晶シリコンを得る工程（３）とを備える。 （もっと読む）

【課題】太陽電池用シリコンの原料である四塩化珪素を安定かつ安価に提供することを目的とする。
【解決手段】四塩化珪素の製造方法のある態様は、ゼオライト、好ましくは廃ゼオライトを含有した珪素含有物質を用い、炭素含有物質の存在下で塩素化する工程を備える。 （もっと読む）

【課題】絶縁性不純物粒子が混入している石英ガラス原料粉から当該絶縁性不純物粒子を分離し取り除くことができる、石英ガラス原料粉の精製方法を提供する。
【解決手段】石英ガラス原料粉の精製方法であって、石英粉に絶縁性不純物粒子が混入している石英ガラス原料粉を加熱し、その絶縁性不純物粒子を炭化させ、炭化不純物粒子となすステップ（Ｓ１）と、炭化不純物粒子が混入した石英ガラス原料粉を帯電させるステップ（Ｓ２）と、相対向して配置された正負一対の電極の間に、帯電させた石英ガラス原料粉を通過させ、石英粉と炭化不純物粒子とを分離させるステップ（Ｓ３）とを有する。 （もっと読む）

【課題】太陽電池用シリコンの原料である四塩化珪素を安定かつ安価に提供する。
【解決手段】四塩化珪素の製造方法のある態様は、珪素質含有物質、好ましくは珪酸バイオマス含んでいる珪素質含有物質を、工業プロセスから生じた灰、好ましくは有機物を燃焼させることで燃焼エネルギーを電力に変換する発電設備から生じた灰を含有している炭素含有物質の存在下で塩素化する。 （もっと読む）

【課題】単結晶シリコンの品質低下を招く重金属不純物であるクロム、鉄、ニッケル、銅、コバルトの含有量の総計が低い清浄な高純度の多結晶シリコン塊を提供すること。
【解決手段】シーメンス法で得られたシリコン多結晶棒の電極側端近傍では、クロム、鉄、ニッケル、銅、コバルトの合計濃度が高い。そこで、多結晶シリコン棒１００の破砕工程に先立ち、反応炉外に取り出した多結晶シリコン棒１００の電極側端から少なくとも７０ｍｍまでの多結晶シリコン部分を除去する足切工程を設ける。これにより、バルク中のクロム、鉄、ニッケル、銅、コバルトの合計濃度が１５０ｐｐｔａ以上の多結晶シリコン部分を除去することができる。より低不純物濃度の多結晶シリコン塊を得るためには、少なくとも１５５ｍｍまでの多結晶シリコン部分を除去すればよい。 （もっと読む）

【課題】高純度の多結晶シリコンを得ると共に、多結晶シリコンの製造により発生した熱を価値の高い状態で回収するための技術を提供すること。
【解決手段】反応炉１０の内壁１１は、２層構造を有し、腐食性のプロセスガスに接する炉内側には、耐食性の高い合金材料からなる耐食層１１ａが設けられ、炉外側（外壁側）には、反応炉１０内の熱を内壁面から冷却媒体流路１３へと効率的に伝導させるための熱伝導層１１ｂが設けられている。また、冷却媒体流路は標準沸点以上の熱水を循環可能な耐圧性を備える。耐食層１１ａは、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、およびシリコン（Ｓｉ）の含有質量％をそれぞれ［Ｃｒ］、［Ｎｉ］、および［Ｓｉ］としたときに、Ｒ＝［Ｃｒ］＋［Ｎｉ］−１．５［Ｓｉ］で定義付けられるＲ値が４０％以上となる組成の合金材料からなる。反応炉内壁の炉内側表面温度を３７０℃以下に制御した状態で多結晶シリコンの析出反応を行なう。 （もっと読む）

【課題】反応炉の冷却に用いた冷媒から効果的に熱回収を行なうとともに、反応炉内で多結晶シリコンを析出させる際の反応炉内壁からのドーパント不純物の混入を低減して高純度の多結晶シリコンを製造し得る技術を提供すること。
【解決手段】反応炉１０に供給される冷却媒体として標準沸点よりも高い温度の熱水１５を用い反応器内壁温度を３７０℃以下に保ち、且つ、冷媒タンク２０に設けられた圧力制御部により、回収される熱水１５を減圧してスチームを発生させてその一部をスチームとして外部に取り出して別用途の加熱源として再利用することとした。また、反応炉１０の内壁の炉内側に設けられる耐食層１１ａの材料として、Ｒ＝［Ｃｒ］＋［Ｎｉ］−１．５［Ｓｉ］で定義付けられるＲ値が４０％以上となる組成の合金材料を用いることとした。 （もっと読む）

【課題】任意の箇所に折離用凹部を形成することにより、破壊荷重を掛けた際に該凹部において応力集中を起こし、従来よりも小さな負荷で折ることを可能にする。また、該凹部に沿って割れを伝播させることにより、意図せぬシード保持部材の箇所に割れが伝播することの防止を図り、シード保持部材と多結晶シリコンの分離作業の手間の軽減を図ることができるシード保持部材及びそのシード保持部材を用いた多結晶シリコン製造方法を提供する。
【解決手段】シーメンス法で多結晶シリコンを製造する炉の底部に設置され、種棒となるシード４の下端部を保持する黒鉛製シード保持部材６の外周面に、折離用溝１６が形成されている。シード保持部材６は、電極部５が差し込まれる第１の嵌合孔１０を有する円柱状台座部６ａ、台座部６ａよりも小径な円柱状胴部６ｂ、胴部６ｂに連なりシード４の下端部が差し込まれる第２の嵌合孔１３を有する截頭円錐台状先端部６ｃを有する。 （もっと読む）

【課題】製紙スラッジを主原料とする再生粒子を利用して、高い吸油量と紙の不透明度を向上できるシリカ複合再生粒子を製造する。
【解決手段】製紙スラッジを主原料とし、再生粒子を得て、この再生粒子を珪酸アルカリ水溶液中に懸濁するとともに鉱酸を添加し、再生粒子の周囲をシリカで複合してシリカ複合再生粒子を得る。 （もっと読む）

【課題】太陽電池用シリコンを粗金属シリコンから精製する亜鉛還元法において、副生する塩化亜鉛を効率的に処理することにより太陽電池用シリコンを生産性良く、かつ安価に生産する亜鉛還元法を提供する。
【解決手段】金属シリコンを塩化処理した四塩化シリコンから不純物を分離して精製した四塩化シリコンと金属亜鉛とを接触させることにより四塩化シリコンを還元してシリコンを得る方法において、四塩化シリコンを金属亜鉛と接触させて還元する際に副生する塩化亜鉛は、その塩化亜鉛が含有する酸素品位により区分されて、電解処理により金属亜鉛と塩素とを得る工程と粗酸化亜鉛を得る工程とに分けて処理される太陽電池用シリコンの精製方法。 （もっと読む）

【課題】硼素不純物や燐不純物を含有するクロロシラン類から高純度のクロロシラン類を得るための方法を提供すること。
【解決手段】芳香族アルデヒドを添加してクロロシラン類の精製を行う際の固形分の副生原因が鉄イオンあるいは錆び状の鉄による触媒反応であるとの知見に基づき、マスク効果のあるルイス塩基をクロロシラン類に加えることとした。ルイス塩基としては、２価のイオウ含有化合物やアルコキシシラン類が例示される。前者はＲ−Ｓ−Ｒ´（Ｒ：炭素数１〜２０の脂肪族又は芳香族骨格を含む炭化水素基、Ｒ´：炭素数１〜２０の脂肪族又は芳香族骨格を含む炭化水素基あるいは炭素数１〜２０の脂肪族又は芳香族骨格を含む炭化水素基が置換されたカルボニル基、Ｒ及びＲ´が有する炭素数の合計は７以上）が好ましく、後者はＲ_ｘＳｉ（ＯＲ´）_４−ｘ(Ｒ及びＲ´は炭素数１〜２０のアルキル基、ｘ＝０、１、２、又は３）が好ましい。 （もっと読む）

一般式Ｒ_nＣｌ_4-nＳｉのクロロシランを、金属酸化物をベースとする担体上の、亜鉛および／または亜鉛を含有する合金の触媒量の触媒（Ｋ）の存在下に水素ガスと反応させることにより、一般式Ｒ_nＣｌ_3-nＳｉＨのハイドロジェンシランを製造する方法［上記式中でＲは両方の式において、同時に、かつ相互に無関係に水素を表すか、１〜１８個の炭素原子を有する置換されているか、もしくは非置換であってよい炭化水素基を表し、かつｎは１〜３の値をとることができる］。 （もっと読む）

【課題】高圧かつ原料大量供給の条件で、ロッドの溶断を防ぎつつ高い成長速度と収率でシリコンロッドを大径に成長させる。
【解決手段】反応炉内のシリコン芯棒に通電してシリコン芯棒を発熱させ、シリコン芯棒にクロロシラン類を含む原料ガスを供給することにより、シリコン芯棒の表面に多結晶シリコンを析出させロッドとして成長させる多結晶シリコンの製造方法において、高圧で原料ガスを大量に供給する条件で、シリコン芯棒への電流の調整により表面温度を所定の範囲に維持すると共に、ロッドの中心温度がシリコンの融点未満の所定温度に達するまで単位表面積当たりのクロロシラン類供給量を所定範囲内に維持しながら原料ガスを供給する前半工程と、ロッド径に応じて予め定めておいた電流値に設定するとともに単位表面積当たりの原料ガス供給量を低下させることで、ロッドの表面温度と中心温度を所定温度に維持する後半工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】所定のシリコン純度を維持しながら、製造コストが低く、安定運転を確保することができて生産性の高い高純度シリコンの製造方法等を提供する。
【解決手段】精製したシリカＲＳに、溶融炉３においてバーナ４より噴射した酸水素ＯＨを燃焼させて生じた火炎を接触させ、シリカＲＳを溶融させながら、還元剤を添加して溶融物ＭＳを還元し、高純度シリコンＰＳを製造する。炭素材料からの不純物の流入がないため、不純物としての炭素を除去する工程を簡略化することができ、ガス反応を生じさせないため、装置構成がコンパクトになり、設備コストを低く抑えることなどが可能となる。高純度シリコンＰＳの溶融物を仕上炉９の底部９ａから徐々に排出しながら鉛直下方に一方向凝固させ、製品として固体状態の高純度シリコンＰＳが得られる。前記還元を行うにあたって水素Ｈ₂を還元剤として添加することができる。 （もっと読む）