【課題】高い熱効率で供給ガスを加熱するとともに、熱効率を損なうことなく装置の大型化を図ることができ、大量生産を可能にする。
【解決手段】略筒状の壁体１１、壁体１１の上端を閉じる天板１２および下端を閉じる底板１３を備え、壁体１１の下部に設けられたガス導入流路１１ｂを通じてテトラクロロシランと水素とを含む原料ガスを供給されてトリクロロシランと塩化水素とを含む反応ガスを生成する反応容器１０と、反応容器１０内に設置され、原料ガスを加熱する複数のヒータ２０とを備え、ヒータ２０は、電気を供給されて発熱する発熱体２１と、発熱体２１の下端を支持する受台２２とを有し、発熱体２１に、その高さ方向の途中位置かつガス導入流路１１ｂの上方に配置されるフランジ２３が水平方向に沿って設けられており、隣接するヒータ２０間にフランジ２３により狭められた原料ガスの流路１０２が形成されているトリクロロシラン製造装置１００。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置から排出される排ガスを処理するシステムを小型化する技術を提供する。
【解決手段】排ガス処理システム１００は、半導体製造装置１から排出される少なくとも水素およびモノシランを含む混合ガスを処理する。この排ガス処理システム１００は、半導体製造装置から排出された混合ガスを排気するポンプ部２と、ポンプ部２により排気された混合ガスを圧縮して後段へ送る圧縮機１１と、圧縮された混合ガスを集めて収容するガス収容部３と、ガス収容部３から供給された混合ガスの流量を制御する流量制御部４と、水素を選択的に透過させ、混合ガスからモノシランと水素を分離する膜分離部６と、を備える。これにより、半導体製造装置１から排出された混合ガスの圧力変動を緩和し、安定して排ガス処理システムを運転することができる。 （もっと読む）

【課題】溶融析出法による多結晶シリコンの製造において、原料ガスの反応管として用いられる筒状体の部材について、該部材組成に起因する生成シリコン中の炭素濃度の低減化を図ることができる多結晶シリコン製造用部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】炭素からなる筒状体基材１の内表面に保護膜２を形成し、前記保護膜２を、前記筒状体基材１の内表面上に形成された炭化珪素層２ａと、前記炭化珪素層２ａ上に形成されたＳｉＯ_ｘＮ_ｙ（ｘ＞０、ｙ＞０）組成を有する酸窒化珪素層２ｃとにより構成する。 （もっと読む）

【課題】反応原料である金属粉体などの影響を受けにくい熱制御を実現した反応器を提供する。
【解決手段】筒状の内部を一方から他方へ流動させることで少なくとも反応性ガスと金属粉体または無機化合物粉体とを反応させる反応炉を有する反応器であって、温度制御手段を、反応炉の内壁面に沿って、径内方向へ少なくとも二重に設ける。 （もっと読む）

【課題】亜鉛還元法により四塩化珪素から多結晶シリコンを製造する際に、塩化亜鉛を安定して再生しながら、太陽電池品質の多結晶シリコンを製造する方法の提供。
【解決手段】粗金属シリコンを塩化した四塩化珪素を蒸留して不純物を分離した精製四塩化珪素に、金属亜鉛を接触させて還元し、塩化亜鉛と高純度金属シリコンを生成する多結晶シリコンの精製方法において、（１）生成した前記塩化亜鉛に水酸化ナトリウム水溶液を添加し、水酸化亜鉛及び塩化ナトリウム水溶液を得る湿式反応工程、（２）前記（１）の工程で得た塩化ナトリウム水溶液を電気分解して陽極表面から発生する塩素ガスと、陰極表面から発生する水素ガスと、残置の水酸化ナトリウム水溶液とに分離する電解工程、（３）前記（２）の工程の陰極から発生した水素ガスを用いて、前記（１）の工程で得られた水酸化亜鉛を還元して金属亜鉛を生成する還元工程を有する多結晶シリコンの精製方法。 （もっと読む）

光ルミネセンスシリコンナノ粒子を調製するための方法および独特な特長を有するそのようなシリコンナノ粒子の組成物を提供する。調製方法には、低圧高周波数パルス反応機および反応機において形成されるナノ粒子の直接的流体捕捉の使用が含まれる。 （もっと読む）

【課題】高い熱効率で供給ガスを加熱するとともに、熱効率を損なうことなく装置の大型化を図ることができ、大量生産を可能にする。
【解決手段】テトラクロロシランと水素とを含む原料ガスを供給されてトリクロロシランと塩化水素とを含む反応ガスを生成する反応室１１を有する反応容器２０と、反応室１１内に備えられて原料ガスを加熱するヒータ３０と、反応容器２０の周囲を覆うように設けられた断熱容器４０と、断熱容器４０と反応容器２０との間にこの反応容器２０を囲むように設けられ、反応室１１に原料ガスを供給するガス供給流路１５とを備えるトリクロロシラン製造装置。 （もっと読む）

トリクロロシラン等の熱分解性を有したケイ素化合物から多結晶シリコンを生成する流動床リアクター・システムおよび分配器並びに方法が開示されている。この方法は、概して四ハロゲン化ケイ素を使用することによって、多結晶シリコンの生成の間リアクター壁上のケイ素付着物の低減を含んで成る。 （もっと読む）

本発明は、触媒を含む水素化脱塩素反応器内での、水素を用いた四塩化ケイ素の変換のための改善された方法に関する。本発明は、さらに、かかる水素化脱塩素反応器のための触媒系に関する。 （もっと読む）

本発明は、四塩化ケイ素を水素と水素化脱塩素反応器中で反応させてトリクロロシランを得るための方法に関し、その際、水素化脱塩素反応器は、加圧下で運転され、かつ、セラミック材料から成る１つ以上の反応器管を包含する。さらに、本発明は、係る水素化脱塩素反応器を、金属シリコンからトリクロロシランを製造するための装置に一体化された要素として使用することに関する。 （もっと読む）

本発明は、トリクロロシラン及び四塩化ケイ素を金属シリコンから製造するための多段階の方法に関し、その際、第一の段階において、トリクロロシラン及び四塩化ケイ素を金属シリコンから製造し、かつ、第二の段階において、四塩化ケイ素を最終生成物のトリクロロシランへとさらに処理する。そのうえまた、本発明は、係る方法が組み込まれて実施されることができる装置に関する。 （もっと読む）

【課題】水素とトリクロロシランとを反応させてポリシリコンを製造する工程から排出される副生塩化水素含有排ガス中の塩化水素を回収するために使用するパージガスとしての水素ガスを、処理して水素源として利用する方法を提供する。
【解決手段】（１）ポリシリコンの製造工程から排出された排ガスを活性炭層に通すことにより塩化水素を吸着し、（２）塩化水素が吸着保持された活性炭層にパージガスとしての水素ガスを通して吸着された塩化水素を脱着し、（３）脱着された塩化水素及び水素を含むパージ排ガスを、例えばＰｄ／ＳｉＯ_２触媒などの塩素化触媒を充填した塩素化塔に通ぜしめて含有する水素化クロロシランを四塩化ケイ素に転化し、（４）転化された四塩化ケイ素を含むパージ排ガスを水酸化ナトリウム水溶液などの塩化水素吸収液と接触せしめて塩化水素並びに四塩化ケイ素を除去する。この処理方法で得られたパージ排ガスは、ヒュームドシリカ製造などの他の製造工程のための水素源としての利用することが可能である。 （もっと読む）

本発明は、水素の存在下で四塩化ケイ素をトリクロロシランへと接触水素化脱ハロゲン処理する方法の必須の要素としてのセラミック熱交換器の使用に関し、その際、生成物ガス及び出発材料ガスを、加圧下にある流として、該熱交換器に導き、かつ、該熱交換器が、セラミック材料より成る熱交換器エレメントを包含する。 （もっと読む）

【解決課題】亜鉛還元法により多結晶シリコンを製造する際、反応炉の排出管にシリコンが析出して排出管を閉塞することを防止すること。
【解決手段】四塩化珪素蒸気及び亜鉛蒸気を反応炉に供給し、該反応炉から排出ガスを排出して、該反応炉内で四塩化珪素蒸気と亜鉛蒸気の反応を行い、該反応炉内で生成する多結晶シリコンを析出させる多結晶シリコンの製造方法において、該反応炉内の圧力が、多結晶シリコンの製造開始時の圧力に比べ、１〜１５ｋＰａ上昇したときに、析出物除去部材で、反応炉の排出管内に析出した析出物を、該排出管外に掻き出す析出物除去操作を行うことを特徴とする多結晶シリコン製造用の反応炉の排出管の閉塞防止方法。 （もっと読む）

【解決課題】亜鉛蒸気を用いる装置に一定の供給速度で亜鉛蒸気を供給することができる亜鉛蒸気の供給方法及び亜鉛蒸気の供給装置を提供すること。
【解決手段】亜鉛蒸発器に溶融亜鉛を供給しつつ、蒸発させた亜鉛蒸気を該亜鉛蒸発器から排出して後段の装置へ供給する亜鉛蒸気の供給方法において、一定の供給速度で該亜鉛蒸発器に該溶融亜鉛を供給しつつ、且つ、該亜鉛蒸発器内の亜鉛の液面の高さを測定し、該亜鉛の液面の高さが一定になるように、該亜鉛蒸発器内の亜鉛を蒸発させることを特徴とする亜鉛蒸気の供給方法。 （もっと読む）

【解決課題】反応炉の炉壁への多結晶シリコンの析出を防ぐことが可能な亜鉛還元法による多結晶シリコンの製造方法及び反応炉を提供すること。
【解決手段】四塩化珪素と亜鉛を反応させて多結晶シリコンを生成させる多結晶シリコンの製造方法であって、四塩化珪素蒸気及び亜鉛蒸気を反応炉内に設置されている内挿容器の上部から該内挿容器内に供給し、該内挿容器の下部から排出ガスを排出して、該内挿容器内で四塩化珪素蒸気と亜鉛蒸気の反応を行うことを特徴とする多結晶シリコンの製造方法。 （もっと読む）

【解決課題】簡便且つ反応炉の炉壁を傷つけることなく、反応炉内に残留しているシリコン及び亜鉛を除去することが可能な亜鉛還元法による多結晶シリコン製造用の反応炉の洗浄方法を提供すること。
【解決手段】四塩化珪素と亜鉛を反応させて多結晶シリコンを生成させる反応炉の洗浄方法であって、該反応炉内を２００〜１，０００℃に加熱しつつ、塩素ガスを、四塩化珪素蒸気の供給管から供給し、排出ガスの排出管から排出して、該反応炉内に残留しているシリコン及び亜鉛と塩素ガスとを反応させ、残留物を除去することを特徴とする多結晶シリコン製造用の反応炉の洗浄方法。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコン棒の気相成長工程中にあらゆる方位に伸縮しうるＵロッドのひびや割れの発生に対する抑制効果の高い技術を提供すること。
【解決手段】炭素電極３０の上部電極３１の上面側には、シリコン芯線５ａを保持する芯線ホルダ２０の固定部が設けられている。上部電極３１には、上面３３から下面３４に貫通する孔部（貫通孔）３５が設けられており、棒状の締結部材であるボルト３６がワッシャ３７を介して上部電極３１の上面３３から該孔部３５に挿入され、下部電極３２でネジ止めされて固定されている。孔部３５内におけるボルト３６の直胴部との間の間隙５１は、上部電極３１が下部電極３２の上面との接触面である載置面（図２では上部電極３１の下面３４と接する下部電極３２の上面）の面内での全方位の摺動を可能とするため、気相成長工程中にあらゆる方位に伸縮しうるＵロッドのひびや割れの発生に対する抑制効果を奏することとなる。 （もっと読む）

反応器ボリュームを備える、シリコンの生産のための反応器であって、反応器は、化学蒸着（ＣＶＤ）用のシリコン含有反応ガスを反応器ボリュームの内側に回転状態で設定するための少なくとも１つの手段を備えるか、または当該少なくとも１つの手段が有効に配置されることを特徴とする。シリコンの生産のための方法。 （もっと読む）

【課題】成膜時にスプラッシュの発生を抑えてガスバリア性に優れた蒸着膜の形成が可能な蒸着材として、また、初期効率を高く維持できるリチウムイオン二次電池用負極活物質として好適なＳｉＯ_xを提供する。
【解決手段】昇温脱離ガス分析において、２００〜８００℃の温度範囲で検出されるＨ₂Ｏガス発生量が６８０ｐｐｍ以下であることを特徴とするＳｉＯ_x。Ｈ₂Ｏガス発生量は４２０ｐｐｍ以下であることが望ましい。また、Ｘ線回折により得られたグラフにおいて、２θ＝２８°付近に発生するＳｉピーク点におけるピーク強度Ｐ１と、ピーク点前後の平均勾配から想定したピーク点におけるベース強度Ｐ２が、（Ｐ１−Ｐ２）／Ｐ２≦０．２を満足することが望ましい。 （もっと読む）