【課題】薄膜トランジスタの半導体層に酸化物半導体を用いたとき、薄膜トランジスタのスイッチング特性およびストレス耐性が良好な薄膜トランジスタの半導体層用酸化物を提供する。
【解決手段】本発明に係る薄膜トランジスタの半導体層用酸化物は、薄膜トランジスタの半導体層に用いられる酸化物であって、前記酸化物は、Ｉｎ、Ｇａ、およびＺｎよりなる群から選択される少なくとも一種の元素と；Ａｌ、Ｓｉ、Ｎｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｈｆ、Ｔａ、およびＷよりなるＸ群から選択される少なくとも一種の元素と、を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】粒径がマイクロメートルサイズであり長期間の蛍光特性を有するシリコン粒子、およびこれを調製する方法を提供する。
【解決手段】ハロゲン化ケイ素を原料として高温で亜鉛蒸気と気相反応させることで、数十マイクロメートル程度の多結晶シリコンマイクロ粒子が得られ、得られた粒子をエッチングすることで、粒子の内側から放射状に伸びた多数の突起を有するイガグリ状又は花弁状の形状とし、安定な蛍光特性と超撥水性の発現を可能とする。 （もっと読む）

【課題】塩化水素を用いてシラン中のMueller-Rochowによる直接合成の高沸点残留物を熱分解する方法。
【解決手段】二酸化ケイ素を含有し、アルミニウムを含まない粒子の流動層中で熱分解する。 （もっと読む）

【課題】高純度を有しながら微細で粒状がそろったシリコンを最小のエネルギーで高効率に、更に、多量に得ることの出来るシリコン製造装置を提供することを課題とした。
【解決手段】本発明は高純度シリコン微細粒子の製造装置において（１）金属亜鉛を亜鉛の沸点以上で加熱蒸発すると共に生成ガスを加熱して１０００℃以上の亜鉛ガスを供給する機構と（２）該亜鉛ガス中に液状の四塩化ケイ素を供給する機構と、（３）前記亜鉛ガスと前記四塩化ケイ素を混合攪拌して反応させシリコン粒子を含む反応ガスを生成する機構と、（４）前記反応ガスの温度を１０００℃以下に下げてガス中に生成したシリコン粒を凝集し成長させる機構と（５）前記成長したシリコン粒を反応ガス中に含むガス物質を塩化亜鉛水溶液と接触させ水溶液中にシリコンを沈殿・回収する沈殿回収機構を含んでなることを特徴とする高純度シリコン微細粒子の製造装置である。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコンの製造に用いられる反応容器（ベルジャー）の内面の付着物及び汚染物質を確実に除去する方法を提供すること。
【解決手段】多結晶シリコンの製造に用いられる反応容器（ベルジャー）１は、ゴムパッキン３を介して受け皿２上に載置される。受け皿２に載置された状態のベルジャー１内部には、氷の細粒をベルジャー１の内面に一定の距離と角度を保ちつつ衝突させるためのノズル４と、このノズル４に氷の細粒および純水を送るためのホース５と、ノズル４の位置を移動させるための回転機能を有するシャフト６が設けられている。製氷機１０により氷の細粒が造粒される。氷の細粒は、最大径が０．３〜３．０ｍｍ程度のものが好ましい。氷の細粒は、例えば、０．５ＭＰａ〜１ＭＰａの圧力の圧縮空気８によりノズル４へと送られる。氷の細粒をノズル４からベルジャー１の内面に衝突させる角度は、３０〜６０°が好適である。 （もっと読む）

【課題】超高純度を有しながら微細で粒状がそろったシリコンを最小のエネルギーで高効率に更に多量に得ることの出来るシリコン製造装置を提供することを課題とした。
【解決手段】本発明は高純度シリコン微粉末の製造装置において（１）金属亜鉛を亜鉛の沸点以上に加熱蒸発して亜鉛ガスを供給する機構と（２）該亜鉛ガス中に液状の四塩化ケイ素を供給する機構と、（３）前記亜鉛ガスと前記四塩化ケイ素を混合攪拌して反応させシリコン粒子を含む反応ガスを生成する機構と、（４）前記反応ガスの温度を３００℃〜８００℃に下げて生成したシリコン粒子を成長させると共にガス成分の一部と共に沈殿する機構と（５）前記沈殿物を保持すると共に、該沈殿物を９５０℃以上に加温し、蒸発物を揮散して、固体シリコンを得る機構（６）と、前記蒸発物を含み、未反応ガス等を含む排ガスを系外に排出する排ガス機構を含んでなることを特徴とする高純度シリコン微粉末の製造装置である。 （もっと読む）

【課題】吸着塔内における吸着剤の動作寿命を検出する装置および方法を提供する。
【解決手段】本発明は、圧力スイング吸着処理による精製水素ガスの製造装置および方法であって、当該装置においては、未精製水素ガスに不活性ガスを添加するガス供給部３と、吸着塔１から排出される精製水素ガス中の不活性ガスを測定する検出器５を備える。不活性ガスはＡｒガスであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置から排出されるシラン類をリサイクルすることを目的とする。
【解決手段】半導体製造装置２０から排出される混合ガスに含まれるシラン類が除害装置３０によってシリカとして無害化される。除害装置３０で生成したシリカはシリカ回収手段４０によって回収される。炭素含有物質混合手段５０は、シリカ回収手段４０で回収されたシリカに炭素含有物質を混合する。塩素化手段６０は、炭素含有物質混合手段５０で得られた混合物に塩素含有物質を反応させて四塩化珪素を形成する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、平均粒径がサブミクロン以下の金属酸化物超微粉末をエポキシ樹脂に充填した際、極めて流動性の高いスラリー組成物を提供する。
【解決手段】 体積平均粒径（Ａ）が０．０４〜０．４０μｍ、粒径分布標準偏差（Ｂ）が下記式（１）で表され、粉末の孤立シラノール（孤立ＯＨ）基の濃度が１．５〜４．０個／ｎｍ２である金属酸化物超微粉末である。

Ｂ≦Ａ×１／２ ・・・・・式（１）
［測定方法］
水分気化装置／ＶＡ‐１２２型に金属酸化物超微粉末を０．３ｇ入れ、加熱昇温し、発生した水分をカールフィッシャー電量滴定法にて測定したときに、温度２００℃までに発生した水分を「物理吸着水分」、２００℃をこえ５５０℃までに発生した水分を「水素結合ＯＨ基由来の水分」、５５０℃をこえ９００℃にまでに発生した水分を「孤立ＯＨ基由来の水分」、と定義し、測定された水分量とＢＥＴ比表面積値から、単位面積当たりの孤立ＯＨ基量を算出した。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコン析出後の回収に於いて、電極ユニットなどの材質からの汚染を防ぎ、回収するシリコンの収量を十分に確保できる多結晶シリコン製造方法を提供する。
【解決手段】反応炉内で加熱された上下方向に沿うシリコン芯棒に原料ガスを接触させることにより前記シリコン芯棒の表面に多結晶シリコンを析出させる多結晶シリコン製造方法であって、導電材からなる芯棒保持部の上端部に形成された保持孔に、前記シリコン芯棒の下端部を挿入し、挿入された前記シリコン芯棒を前記保持孔の内面に対して押圧して固定する固定手段を、その一部が前記芯棒保持部の前記外面から突出するように設けておき、前記シリコン芯棒の表面に前記多結晶シリコンを析出させ、前記固定手段の形状に応じて形成される前記多結晶シリコンの凸部よりも上方で、前記シリコン芯棒とともに前記多結晶シリコンを切断する。 （もっと読む）

【課題】 温度が６０℃で湿度が９０％（ＲＨ）という様な過酷な湿熱環境下でもバリア性が劣化せずに表示デバイス内部に水が浸入しないという良好なバリア性を有すると共に、端面からの酸素及び水蒸気の浸入をも防ぐことができるガスバリア性フィルム積層体を提供することを目的とする。
【解決手段】 プラスチック材料からなる基材フィルムの一方の面に、第１の耐候性コート層、蒸着層、及び、第２の耐候性コート層を、この順に設けたガスバリア性フィルム積層体において、該第１の耐候性コート層、及び又は、第２の耐候性コート層が、架橋性基を有するフッ素含有共重合体と該架橋性基と反応する硬化剤とにより形成されたフッ素系樹脂からなることを特徴とするガスバリア性フィルム積層体を提供することにより上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】トリクロロシラン（ＴＣＳ）からホウ素化合物を除去するとともに、再利用可能な化合物をＴＣＳに変換して、ジクロロシラン（ＤＣＳ）およびその他の化合物を効果的に再利用する。
【解決手段】本発明は、ホウ素化合物の量を減じたＴＣＳ製造方法に関し、（Ａ）ＴＣＳ含有反応ガスを生成するために、流動床反応器１において冶金級シリコン１１と塩化水素ガス１９とを反応させ、（Ｂ）第１蒸気留分１６と第１蒸留残渣１５とを分離するために、第１蒸留塔３頂部の蒸留温度をＴＣＳの沸点とテトラクロロシランの沸点との間に設定することにより、反応ガスの第１蒸留を実施し、第１蒸気留分を第２蒸留塔４へ供給し、（Ｃ）ＴＣＳ１７と、ホウ素化合物を含有する第２蒸気留分１８とを分離するために、第２蒸留塔頂部の蒸留温度をＤＣＳの沸点とＴＣＳの沸点との間に設定することにより、第２蒸留を実施し、（Ｄ）第２蒸気留分を流動床反応器に再供給する。 （もっと読む）

【課題】 多結晶シリコンの大量生産が可能であり、組み立て、設置及びメンテナンスが容易で、また、第１ボディ部と第２ボディ部とが互いに分離及び組み立て可能な流動層反応器を提供する。
【解決手段】 ヘッドと、前記ヘッドの下に位置して前記ヘッドと連結され、前記ヘッドの直径より小さな直径を有する第１反応管がその内部に位置する第１ボディ部と、前記第１ボディ部の下に位置して前記第１ボディ部と連結され、前記第１反応管の直径と実質的に同一の直径を有する第２反応管がその内部に位置する第２ボディ部と、前記第２ボディ部と連結された底面部と、を含む。 （もっと読む）

【課題】空隙の発生を抑制しつつ、迅速に開口を埋め込むことができる半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】Siからなる金属膜２０２上に絶縁膜２０４が形成されたウエハ１２であって、絶縁膜２０４の一部に開口部２０６が形成されこの開口部２０６に金属膜２０２が露出したウエハ１２を処理室１０６内へ搬送し処理室１０６内へ少なくともDCSとCl₂とを供給してウエハ１２の金属膜２０２上に選択的に第１のSi膜２５２を形成し、処理室１０６内へ少なくともDCSを供給してウエハ１２の絶縁膜２０４及び第１のSi膜２５２上に第２のSi膜２５４を形成する。 （もっと読む）

【課題】 亜鉛還元法によって四塩化珪素から多結晶シリコンを製造する際に、容器内壁へのシリコンの付着による回収量低下並びに、容器材質からのシリコンへの汚染を防止する、供給ノズルに二流体ノズルを用いて反応させることで効率的かつ高純度のシリコンの製造方法と、このシリコンの製造法に適した精製装置を提供する。
【解決手段】 反応容器内で四塩化珪素と亜鉛の気相反応によって、前記四塩化珪素を還元して多結晶シリコンを精製する太陽電池用シリコンの製造方法において、反応容器内に原料であるガス状の四塩化珪素および亜鉛を個別に送り込む噴射口を各々有する内管と外管で構成される二重管構造の二流体ノズルを用いて、原料の四塩化珪素と亜鉛を異なる線風速で二流体ノズルから反応容器内に送り込み、反応させることを特徴とする太陽電池用シリコンの製造方法。 （もっと読む）

【課題】シリコンを含有する成分と水素とを含有する反応ガスを、１つ又はそれ以上のノズルを用いて少なくとも１本の加熱されたフィラメントロッドを有するリアクター中へ導通し、前記フィラメントロッド上にシリコンを析出させることを含む多結晶シリコンの製造方法。
【解決手段】リアクター中の流動条件を説明するアルキメデス数Ａｒ_nが、リアクターの空間容積に対するロッド体積の比［単位：パーセント］で示される充填度ＦＧに依存して、５％までの充填度ＦＧについては下方へは関数Ａｒ＝２０００×ＦＧ^-0.6によりかつ上方へは関数Ａｒ＝１７０００×ＦＧ^-0.9により区切られた範囲内にあり、かつ５％よりも大きい充填度の場合には少なくとも７５０から多くとも４０００までの範囲内にある。 （もっと読む）

【課題】製造バッチ間において安定したデバイス特性を有するシリコンエピタキシャルウエーハ製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶基板上にシリコンエピタキシャル層をシリコン原料ガスから気相成長させる工程を有するシリコンエピタキシャルウエーハの製造方法であって、複数のシリコン原料ガスのロットを用いてシリコンエピタキシャルウエーハが製造される場合において、前記シリコン原料ガスのロットに含まれる炭素含有化合物濃度のうち最大となる濃度を最小濃度値とし、１０００ｐｐｍｗを最大濃度値とし、該最小濃度値以上該最大濃度値以下の炭素含有化合物を、前記シリコン原料ガスに混入し、又は前記シリコン原料ガスと供に気相成長装置内に供給することにより、前記シリコンエピタキシャル層を気相成長させる。 （もっと読む）

【課題】粒子径のそろった珪素微粒子を効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明は、不活性雰囲気下において、珪素源と炭素源とを含む混合物を焼成する焼成工程と、混合物を焼成することにより生成した気体を急冷し、珪素微粒子と酸化珪素とを含んだ複合粉体を得る急冷工程と、酸化雰囲気下において、複合粉体を加熱する加熱工程と、加熱された複合粉体から一酸化珪素及び二酸化珪素を除去する除去工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】例えば、太陽電池の光起電力の電力素子をはじめ、充放電による膨張と収縮を繰り返し受けた場合であっても粉末化しがたいことからリチウム電池の負極材料などに有用である、アルミニウムの混入がない高純度を有するシリコンナノワイヤーを低温で製造することができるシリコンナノワイヤーの製造方法を提供すること。
【解決手段】不活性ガス雰囲気中で亜鉛の存在下で四塩化ケイ素を４５０〜６００℃の温度に加熱することを特徴とするシリコンナノワイヤーの製造方法。 （もっと読む）

【課題】保温装置の外枠の溶損等を防止して、金属不純物による汚染のない、太陽電池の基板材として好適な多結晶シリコンを製造することができるシリコンの電磁鋳造装置を提供する。
【解決手段】無底冷却モールドと、加熱用誘導コイルと、前記モールドの下方に配置され、凝固したシリコンを徐冷する保温装置を有し、前記誘導コイルによる電磁誘導加熱により溶融したシリコンを下方に引き下げ凝固させるシリコンの電磁鋳造装置であって、前記保温装置１３の外枠１６の構成部材として非導電性部材が使用されている電磁鋳造装置。前記非導電性部材を、特に溶損の大きい外枠の特定の面のみ、または外枠全面の上部のみに使用することもできる。非導電性部材としては、アルミナ、炭化珪素が望ましい。 （もっと読む）