本発明は、ウィルス性ノイラミニダーゼの強力な阻害剤であるリン酸オセルタミビルの多形相、特に（３Ｒ，４Ｒ，５Ｓ）−５−アミノ−４−アセチルアミノ−３−（１−エチル−プロポキシ）−シクロヘキサ−１−エン−カルボン酸エチルエステルホスファートに関する。 （もっと読む）

【課題】 不純物の影響を全く受けない、固有の特性を反映した高輝度短波長紫外線発光する六方晶窒化ホウ素単結晶を提供し、前記単結晶を使用することによって、高輝度紫外線発光する素子を提供しようというものである。
【解決手段】 本発明の六方晶窒化ホウ素単結晶は、少なくとも室温において波長２１５ｎｍに最大発光強度を有する紫外線発光を有してなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高濃度の不純物を含む尖頭部がないことから、光電変換効率が高く、高性能の光電変換装置に用いるのに適し、また、多数個の結晶シリコン粒子を導電性基板上に効率的に配置して均一の接合力や接合深さで接合することができることから、高信頼性の光電変換装置に用いるのに適した結晶シリコン粒子の製造方法を提供する。
【解決手段】結晶シリコン粒子１０１の製造方法は、坩堝のノズル部からシリコン融液を粒状に排出し、この粒状のシリコン融液を冷却して固化させることによって、不純物が偏析した尖頭部１０５を有する擬似単結晶化された結晶シリコン粒子１０１を製造し、次に結晶シリコン粒子１０１の尖頭部１０５を除去する。 （もっと読む）

【課題】 結晶シリコン粒子に対して、ｐｎ接合を形成するための不純物を含むシリコン層を均一に形成することができ、表面に不純物を含むシリコン層が形成された結晶シリコン粒子を容易に回収できる製造装置を提供すること。
【解決手段】 回転式拡散装置は、内部に第１導電型の結晶シリコン粒子１２を入れて回転して攪拌させながら酸素及び第２導電型の不純物を含む不純物ガスを導入することによって、結晶シリコン粒子１２の表面に第２導電型の不純物を拡散させて第２導電型のシリコン層を形成する横置き型の拡散管１１と、拡散管１１を傾斜させることによって第２導電型のシリコン層が表面に形成された結晶シリコン粒子１２を拡散管１１の一端部の開口から取り出す傾斜機構とを具備している。 （もっと読む）

【課題】液滴と背景との輝度差が小さい場合であっても、液滴部分の画像の抽出を容易とし、また、液滴の拡大画像を効率的に取得し得る結晶観察装置を提供する。
【解決手段】この結晶観察装置は、結晶化プレート１２のウェル１３内の液滴の表面を照らす照明装置１４と結晶化プレート１２との間に遮光板２０を配している。そして、この遮光板２０は、液滴の表面に明るい部分およびそれよりも暗い部分をつくるように配置される。ここで、液滴は、その中央部が周縁部よりも厚い平凸のレンズをなしている。そのため、遮光板２０によって、液滴表面の照度の低い部分に、液滴のレンズ効果で屈折してできた照度の高い部分を投影させ、これにより、液滴の輪郭を明瞭にする。 （もっと読む）

【課題】十分なガス吸着性能を有する新規な多孔性金属錯体の提供。
【解決手段】亜鉛原子と下記一般式（１）及び（１）に類する配位子との配位結合によって構成されている金属錯体を含み、該金属錯体の複数が集積して形成された細孔構造を有する多孔性金属錯体。


［上記一般式（１）中、ｎは１又は２を示す。］ （もっと読む）

【課題】 従来よりもより一層、欠陥密度が低減された、実用的な大きさの大型，大面積の高品質なＩＩＩ族窒化物結晶を作製する。
【解決手段】 反応容器１１３内で、フラックスと少なくともＩＩＩ族金属を含む物質とが混合融液１０３を形成し、該混合融液１０３と少なくとも窒素を含む物質とから、ＩＩＩ族金属と窒素とから構成されるＩＩＩ族窒化物を結晶成長させるフラックス法によるＩＩＩ族窒化物の結晶成長方法において、混合融液１０３中の窒素溶解量を制御して、所望の成長モードでＩＩＩ族窒化物結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】非鉄製錬中間産物等に含まれる砒素を結晶質のスコロダイト型鉄砒素化合物として固定する反応に、種晶を使用するプロセスにおいて、その種晶の生成工程を短縮すると共に、このプロセスで発生する洗浄液量を削減する合理的な方法を提供する。
【解決手段】 工程Ａ；５価の砒素と２価の鉄が溶解している水溶液に酸化剤を加え、予め得られているスコロダイト型鉄砒素化合物を種晶として鉄砒素化合物を合成し、スコロダイト含有スラリーを得る工程、工程Ｂ；前記スラリーを固液分離して、スコロダイト含有残渣を回収する工程、工程Ｃ；前記スコロダイト含有残渣を洗浄する工程を実施する際に、工程Ｂで回収されたスコロダイト含有残渣の一部、または工程Ａで得られたスコロダイト含有スラリーの一部を、その後に行われる工程Ａの種晶として利用する、鉄砒素化合物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】プラスチック基板上へのＺｎＯ単結晶の堆積方法を提供する。
【解決手段】ポリイミドからなるプラスチック性の基板１３を４００〜５００℃で加熱するとともに、酸素とジエチル亜鉛ガスとを供給する。このとき、所定の圧力に調整されたチャンバ１１内に基板１３を載置し、チャンバ１１内に対する酸素とジエチル亜鉛ガスとの供給流量比率が１００：１〜５０としてもよいし、また基板１３に対して波長２００〜６８０ｎｍの光を照射し、基板１３を２００〜５００℃で加熱するようにしてもよい。 （もっと読む）

本発明は、多結晶ダイヤモンド複合材料において、相互成長ダイヤモンド粒子と、金属の溶媒／触媒と共に形成されたスズベース金属間化合物又は三元炭化物化合物を含有する結合材相とを含有する、上記複合材料に関する。本発明は、前記複合材料を含有する多結晶ダイヤモンド研磨用成形体、及び、前記ダイヤモンド研磨用成形体を含有する工具インサートに及ぶ。
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【課題】有毒ガス、特殊反応容器および特殊技術を使用することなく、また煩雑な操作を施すことなく、安全、かつ簡便にダイヤモンド材料表面上に硫黄官能基を導入したダイヤモンド材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】硫黄を含む官能基がダイヤモンド材料表面に結合したダイヤモンド材料。該硫黄官能基を介して金属微粒子が結合した金属微粒子修飾ダイヤモンド材料。硫黄官能基を介して金属膜に結合した金属膜修飾ダイヤモンド材料。紫外線照射下、ダイヤモンド材料と単体硫黄を反応させ硫黄官能基をダイヤモンド材料の表面に結合させることにより硫黄を含む官能基が表面に結合したダイヤモンド材料を得る。 （もっと読む）

本発明は、ダイヤモンド相及び結合材相を含み、前記結合材相が下記一般式の三元炭化物を含む超硬質複合材料に対しての発明である：一般式Ｍ_ｘＭ’_ｙＣ_ｚ（式中、Ｍは遷移金属及び希土類金属からなる群から選ばれた少なくとも１種の金属であり、Ｍ’は主族金属又は半金属（メタロイド）元素及び遷移金属のＺｎ及びＣｄからなる群から選ばれた金属であり、ｘは２．５〜５．０であり、ｙは０．５〜３．０であり、そしてｚは０．１〜１である）。本発明はそのような超硬質複合材料を含むダイヤモンド研磨材成形体にまで及び、そしてそのようなダイヤモンド研磨材成形体を含む工具にまで及ぶ。
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【課題】薄い厚みと大きな粒径とを有するので縦横比が大きく、光沢性に優れた薄片状酸化アルミニウムを製造可能な薄片状酸化アルミニウムの製造方法を提供する。
【解決手段】出発物質を粉砕した後、適切な大きさの粒子を分類し、前処理するステップ、前処理した出発物質を加熱して熱処理する遷移アルミナ製造ステップ、遷移アルミナに溶融塩及び添加剤を混合した後、分散及び粉砕するステップ、マイクロ波加熱源を用いて薄片状の酸化アルミニウムを溶融合成するステップ、合成完了した酸化アルミニウムから溶融塩及び添加剤を析出するステップ、及び、析出回収した薄片状酸化アルミニウム結晶の粒子表面から異物を除去する後処理ステップを経てなるマイクロ波を用いた薄片状酸化アルミニウムの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】有機金属気相成長法を用いた液滴エピタキシー法によるガスフローシーケンスの変更により、量子ドット中に所望の元素成分を確実に固溶させる。
【解決手段】基材１上に下地層２を形成した後、反応室をＰ成分雰囲気にした状態で、基材１の温度を下地層形成温度からドット形成温度まで降温する。そして、基材１の温度をドット形成温度に維持したまま、反応室をＡｓ成分及びＰ成分を含む雰囲気にして所定時間保持する。これにより、下地層２上にＡｓ成分及びＰ成分５を存在させる。その後、反応室を、Ｉｎ成分を含む雰囲気にして、Ｉｎ成分よりなりＡｓ成分及びＰ成分が固溶した液滴を形成するとともに、この液滴を結晶化して、ＩｎＡｓＰよりなる量子ドットを形成する。 （もっと読む）

【課題】例えば直径１ｍｍの非常に小さな球状の半導体デバイスを製造するためのシステム及び方法を提供する。
【解決手段】システムは、原料２０を融解するために使用されるチャンバ４０内へ原料２０の所定量を供給する供給システムを備える。その後、融解した原料４４は、所定量の融解した原料（液滴）を計量し、それらが冷却され球状のシリコンデバイスに凝固するドロップチューブへ液滴を放出する滴下装置５０に供給される。システムは、ドロップチューブから凝固した球状のデバイスを収容するシリコンパウダーの容器であって、シリコンパウダーを撹拌する攪拌機構を含むシリコンパウダーの容器を備える。システムはまた、デバイスが容器内へ収容された後に凝固した球状のデバイスからパウダーを分離する分離器を備える。 （もっと読む）

【課題】 溶融落下法によって結晶シリコン粒子を製造する際に、高い生産性及び安全性でもって、高品質の結晶シリコン粒子を製造できる結晶シリコン粒子の製造方法を提供すること。
【解決手段】 結晶シリコン粒子の製造方法は、グラファイトから成る本体部１ａと本体部１ａの表面に形成された炭化珪素から成る被覆層１ｂとを有しているとともに外表面に被覆層１ｂの非形成部１ｄが設けられた坩堝１の内部でシリコンを溶融し、坩堝１から排出された粒状のシリコン融液を落下中に冷却して固化させることによって結晶シリコン粒子４を製造する。 （もっと読む）

【課題】従来に望むことの出来ない高密度で、かつサイズ揺らぎの少ない均一な量子ドットの作成が可能な方法を提供する。
【解決手段】従来のＧａＡｓ（１００）基板でなく、ＧａＡｓ（３１１）Ａ基板上にガリウムのみを供給して液状のガリウム金属微粒子を作製し、その液滴に砒素分子線を照射してガリウム砒素に結晶化することにより、サイズ揺らぎの少ない量子ドットを作製する。 （もっと読む）

【課題】球状結晶の製造において、単一サイズの球状結晶を効率良く生産すると同時に、結晶性の高い球状結晶を作製する方法を提供する。
【解決手段】球状結晶９を作製するための原料を溶融坩堝１において加熱して溶融し、所定の圧力を溶融坩堝１内の融液８上面にかけながら、原料の融液８の液流を坩堝１の底部に設けたノズル１２の穴より吐出させ、落下管５中を落下させながら冷却させ凝固させる球状結晶の製造方法において、ノズル１２の穴の下の落下管５中で不活性ガスを一定の周期で間歇的に噴出して、吐出された溶融液流８１を細断して、単一サイズの球状結晶９とする。 （もっと読む）

本発明は、ダイヤモンド基材と、炭化物形成元素の第１の炭化層と、第１の層からの炭化物形成元素を実質的に含まないである、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔａ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、又はその任意の組合せ若しくは合金から選択される高融点金属の第２の層と、第２の層の金属が、オーバーコーティングの金属と異なる、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｒｅ、その任意の組合せ又は合金のオーバーコーティングとを含むコーティングされたダイヤモンドに関する。本発明は、さらに、このようなコーティングされたダイヤモンド及びこのようなコーティングされたダイヤモンドを含む研磨材含有工具の製造方法に関する。
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高温高圧プロセスによって成長させた、窒素で置換され、窒素が孤立して存在しているダイヤモンドから、窒素空孔中心を含むダイヤモンドを製造する方法であって、
−照射線量が１ｃｍ^２当たり１０^１７個から１０^１９個の電子になるように、前記ダイヤモンドに電子ビームを照射するステップ（１２）と、
−電子ビームを照射したダイヤモンドを、真空中または不活性雰囲気中で、７００℃を超える温度で少なくとも１時間アニールするステップ（１４）とを含み、
前記電子ビームが、７ＭｅＶを超える加速エネルギーを有することを特徴とする方法。
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