【課題】中性子回折法に使用できる程度の大型の良質なタンパク質結晶を再現性よく成長（形成）させることが可能なタンパク質結晶成長装置、及びその方法を提案する。
【解決手段】タンパク質結晶成長装置１は、制御部２と、制御部２に接続され、不活性ガスで密閉されたチャンバー部３と、を備える。制御部２は、タンパク質の原液及び結晶化剤を混合した混合水溶液１５にタンパク質の種結晶１６が入れられたチャンバー部３を減圧する手段と、タンパク質の結晶が形成することにより、チャンバー部３における減圧を停止する手段と、タンパク質の結晶表面が溶解することにより、タンパク質の原液を混合水溶液１５に注入する手段と、を有することとした。 （もっと読む）

【課題】所定量の半導体粉末からなる小塊を溶融して球状溶融体を形成し、これを冷却凝固させて半導体粒子を製造する方法において、質量バラツキが小さい多数の小塊を相互に確実に離間させた状態で加熱用基板上に形成する。これにより、半導体粒子の高品質化と生産性向上が可能となる。
【解決手段】相互に間隔を設けて型板の表側に形成された所定形状の多数の凹部内に半導体粉末を充填し、その型板の表側に加熱用基板の平面部を重ね合わせる。その状態を維持しつつ表裏を反転させる。次いで、加熱用基板上に配置されている型板を上方に引きあげて、凹部に充填された半導体粉末を加熱用基板上に転写する。上記の凹部の横断面積は開口部に近いほど大きいことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 常圧窒素環境下で新規の薄膜成長技術を確立し、該技術に基づいて高純度な窒化アルミニウム材料を製造する新規の製造方法を提供する。
【解決手段】 窒化アルミニウム製造方法は、常圧窒素雰囲気下で、窒化リチウムおよびアルミニウムから成る原料混合物を、第１図（a）に示す窒化リチウムおよびアルミニウムに関する二元系状態図における斜線領域内の組成および温度で少なくとも２時間保持する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】太陽電池セルの逆方向漏れ電流を低減することができ、太陽電池セルおよび太陽電池モジュールの歩留まりを向上して、製造コストを低減することができるシリコンリボン、球状シリコン、およびこれらの製造方法、ならびにこれらを用いた太陽電池セルおよび太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】融液から直接作製されるシリコンリボン、球状シリコンであって、シリコンリボン、球状シリコンの窒素濃度が５×１０¹⁵ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以上５×１０¹⁷ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以下であるシリコンリボン、球状シリコン、およびこれらの製造方法、ならびにこれらを用いた太陽電池セルおよび太陽電池モジュールである。 （もっと読む）

【課題】第１３族金属窒化物結晶の生成速度を大幅に向上させることができ、かつ高品質な結晶を製造することができる第１３族金属窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】原料１００を溶媒１０１に溶解して溶液を作成する工程と、溶液中で第１３族金属窒化物の結晶を成長させる工程、とを備える第１３族金属窒化物結晶の製造方法であって、溶液中に第１７族元素を含み、かつ結晶成長工程において反応容器１０２内の圧力が１．０ａｔｍ未満である。 （もっと読む）

【課題】電磁波（フォトン）と表面プラズモンおよび表面マグノンとの間でのエネルギ交換を効率よく、かつ高い頻度で行うことができ、表面プラズモン共振や表面マグノン共振によって吸収、蓄積されるフォトンのエネルギを多くすることができるナノドットを有する構造体を提供する。
【解決手段】支持体１０と、支持体１０の上に形成された、複数の導電性セラミクスの単結晶２２が集合してなる導電性セラミクス層２０とを有し、導電性セラミクス層２０の表面には、導電性セラミクスの単結晶２２の一部からなり、高さ方向に直交する断面の面積が底部から頂部に向かってしだいに減少する形状を有するナノドット２４が複数形成された、ナノドットを有する構造体１。 （もっと読む）

【課題】各種のシリコン加工プロセスで発生し、かつ高濃度に金属汚染されたシリコンスラッジおよびシリコン塊を再利用し、シリコン系太陽電池を得る溶融原料を製造可能なシリコン系太陽電池用原料の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン加工プロセスからの１×１０^１５ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上の金属不純物を含むシリコンスラッジを原料としたスラッジ成形物と、同レベルの金属不純物を含むシリコン塊とをルツボに投入して溶融し、チョクラルスキー法でシリコンインゴットを引き上げる。その際、不純物の偏析現象によりシリコンが精製される。これにより、高濃度に金属汚染されたシリコンスラッジおよびシリコン塊を再利用し、シリコン系太陽電池を得る溶融原料を製造できる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、Ｄ−プシコース結晶を製造する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、過飽和を利用することによってＤ−プシコース溶液からＤ−プシコース結晶を製造する方法に関する。 （もっと読む）

【課題】高速なリチウムイオン伝導性を有し、平均構造として立方晶系に属したガーネット関連型リチウムイオン伝導性酸化物の単結晶及びその製造方法、並びにそれを部材として使用した電気化学デバイスを提供する。
【解決手段】ガーネット型リチウムランタンジルコニウム酸化物多結晶体を原料として用い、１１００℃〜１３００℃の温度で部分溶融させ結晶化させる高温での部分溶融法、前記原料を１３０１℃〜１５００℃の温度で溶融させ冷却によって結晶化させる融液成長法、あるいは、リチウム、ランタン、ジルコニウムの各原料化合物の混合物を出発原料とし、リチウム塩をフラックスとして、６００℃〜１３００℃の温度において結晶化させるフラックス法を適用することにより、縦、横、奥行きのうちの少なくとも１辺の長さが１０マイクロメートル以上、１ミリメートル以下である立方晶ガーネット関連型リチウムランタンジルコニウム酸化物の単結晶を得る。 （もっと読む）

【課題】良好なサーモクロミック特性を有する二酸化バナジウム（ＶＯ_２）の単結晶微粒子、及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】サーモクロミック特性を有する二酸化バナジウム（ＶＯ_２）の単結晶微粒子の製造方法であって、バナジウム（Ｖ）を含む物質Ａと、ヒドラジン（Ｎ_２Ｈ_４）またはその水和物（Ｎ_２Ｈ_４・ｎＨ_２Ｏ）と、水とを含み、二酸化チタン（ＴｉＯ_２）の粒子を実質的に含まない溶液を水熱反応させることにより単結晶微粒子を得ることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】速い育成速度と高い結晶品質とを両立することができる、アモノサーマル法による窒化物単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】耐腐食性オートクレーブ３内で、超臨界又は亜臨界状態にあるアンモニアの存在下、少なくとも1種類の窒化物多結晶を原料６として用い、かつ、少なくとも1種類の酸性鉱化剤をアンモニアに添加して、アモノサーマル法により窒化物多結晶から窒化物単結晶を製造する方法において、オートクレーブ３内には、窒化物多結晶を配置する部位９と、種結晶７を用いて窒化物単結晶を育成する部位１０とが存在しており、種結晶７を用いて窒化物単結晶を育成する部位１０の温度Ｔ１は、６５０℃〜８５０℃であり、かつ、窒化物多結晶を配置する部位９の温度Ｔ２よりも、平均温度で、高く保持され、そして耐腐食性オートクレーブ３内の圧力は、４０MPa〜２５０MPaに保持されている。 （もっと読む）

【課題】ＭｎＳｉ相の含有量が少ないＭｎＳｉ_x粉末及びその製造方法、並びに、ＭｎＳｉ_x粉末製造用ＣａＳｉ_y粉末及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】ＭｎＳｉ_2-z相を主成分とし、ＭｎＳｉ相の含有量が７％以下、Ｓｉ／Ｍｎ比（ｘ）が１．５≦ｘ＜２．０、一次粒子のアスペクト比が５以下、比表面積が２．５ｍ²／ｇ以上であるＭｎＳｉ_x粉末。ＣａＳｉ₂相を主成分とし、ＣａＳｉ相の含有量が１０％以下、Ｓｉ／Ｃａ比（ｙ）が１．５≦ｙ≦２．０であるＭｎＳｉ_x粉末製造用ＣａＳｉ_y粉末。Ｃａ源とＳｉ源とを、Ｓｉ／Ｃａ比（モル比）が１．５〜２．０となるように配合し、原料を溶解させ、溶湯を凝固させるＭｎＳｉ_x粉末製造用ＣａＳｉ_y粉末の製造方法。ＭｎＳｉ_x粉末製造用ＣａＳｉ_y粉末と塩化Ｍｎとを、Ｍｎ／Ｃａ比（モル比）が１以上となるように混合し、混合物を加熱し、反応物を溶媒で洗浄するＭｎＳｉ_x粉末の製造方法。 （もっと読む）

【課題】低圧または常圧で、工業的に安価な方法で良質の第１３族金属窒化物結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】周期表第１３族金属元素および周期表第１３族以外の金属元素を含有する複合窒化物８を、イオン性溶媒６に溶解した溶液または融液中で第１３族金属窒化物結晶１の成長を行う。溶液または融液は下記式（１）で表される窒素濃度Ｘ_Nを有する。式（１）Ｘ_N＝Ｋ・Ｐ^１／２［上式において、Ｘ_Nは溶液または融液中の窒素濃度（ｍｏｌ％）、Ｋは下記式（２）で表される比例定数、Ｐは溶液または融液を含む結晶成長装置内の圧力（ＭＰａ）である。］式（２）Ｋ≧０．００１Ｔ−０．８５［上式において、Ｔは溶液または融液の温度（Ｋ）である。］ （もっと読む）

【課題】 有機高分子溶液と結晶化誘発液とを互いに離隔して貯留し、蒸気拡散により有機高分子溶液中において有機高分子を生成させる従来の蒸気拡散による有機高分子結晶装置では溶媒の濃度条件等の設定が難しく、装置の扱いに熟練が必要だった。
【解決手段】 透過膜貼付孔に透過膜を貼付けた保持具を、結晶化誘発液が貯留可能な結晶化誘発液貯留具に懸吊することによって構成される有機高分子結晶装置を提供する。保持具に有機高分子結晶を溶解させたゲル体を収納して本発明に係る有機高分子結晶装置を使用することで、ゲル体中において簡便に有機高分子結晶を生成することができ、また、生成後の結晶の取扱いも簡易に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】針状及び棒状のいずれかの形状を有する酸化亜鉛構造体、並びに酸化亜鉛粒子及びその製造方法の提供。
【解決手段】一定方位への規則的な結晶配向構造を有する、ｃ軸方向に垂直であり、金属含有材料を含む結晶面を有する基板を酸化亜鉛が析出可能な反応溶液中に前記金属含有材料を含む結晶面が下向となるように基板を配置して浸漬させて該金属含有材料を含む結晶面に酸化亜鉛結晶を析出させ、前記金属含有材料を含む結晶面が、単結晶材料及びエピタキシャル結晶材料の少なくともいずれかから形成され、該結晶面を有する基板の面方位と同じ結晶面である酸化亜鉛構造体の製造方法により製造された酸化亜鉛構造体であって、アスペクト比が１以上であり、底面の半径が２５０ｎｍ〜４５０ｎｍである酸化亜鉛結晶を基板上に有する酸化亜鉛構造体である。 （もっと読む）

【課題】大がかりな設備を用いずに、不純物汚染の少ない球状シリコン粒子を製造する。
【解決手段】発散コーン部１１、収束コーン部１２、発散コーン部１１と収束コーン部１２との接続部に形成されたスロート部１３、および収束コーン部１２から発散コーン部１１へと浮遊ガスを供給するガス供給部１４を備えるガス浮遊装置を用いて、浮遊ガスが供給されている発散コーン部１１に、スロート部１３の内径よりも小さい球状の熔解シリコン粒が形成される量のアスペクト比が１：１〜１：４である原料３０を供給する原料供給工程と、浮遊状態の原料３０を非接触加熱装置４１により加熱して熔解する熔解工程と、熔解された原料３０が浮遊状態のまま非接触加熱装置４１の熱出力を下げ原料３０を凝固させる凝固工程とを行って、シリコンまたはシリコン系半導体材料の球状シリコン粒子３２を製造する。 （もっと読む）

本発明は、有機不純物又は有機膜を実質的に含まない表面を有する新規の金ナノ結晶及びナノ結晶形状分布に関する。具体的には、これらの表面は、溶液中の金イオンから金ナノ粒子を成長させるために有機還元剤及び／又は界面活性剤を必要とする化学的還元プロセスを用いて形成された金ナノ粒子の表面と比較して「クリーン」である。本発明は、金系ナノ結晶を製造するための新規の電気化学的製造装置及び技術を含む。本発明はさらにその医薬組成物を含み、また、金ナノ結晶又はその懸濁液又はコロイドを、対応する金療法がすでに知られている疾患又は状態の治療又は予防のために使用すること、そしてより一般的に言えば、病理学的細胞活性から生じる状態、例えば炎症（慢性炎症を含む）状態、自己免疫状態、過敏反応及び／又は癌疾患又は状態のために使用することを含む。１実施態様の場合、この状態はＭＩＦ（マクロファージ遊走阻止因子）によって媒介される。
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本発明は、｛［（２Ｓ，５Ｒ，８Ｓ，１１Ｓ）−５−ベンジル−１１−（３−グアニジノ−プロピル）−８−イソプロピル−７−メチル−３，６，９，１２，１５−ペンタオキソ−１，４，７，１０，１３−ペンタアザ−シクロペンタデカ−２−イル］−酢酸｝の新規な固体物質、それらを生成するための方法、および医薬品における前記固体物質の使用に関する。 （もっと読む）

本開示は、概して、制御された量子ドットを成長させる技法、および量子ドットの構造に関する。いくつかの例では、基板を用意することと、基板上に欠陥を形成することと、基板上に層を堆積することと、欠陥に沿って量子ドットを形成することとのうちの１つまたは複数を含む方法が記載されている。
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【課題】高純度の塩酸カモスタットを製造できる方法の提供。
【解決手段】アセトニトリル、またはアセトニトリルと酢酸エチルとの混合溶媒中で、塩基の存在下、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイルメチルｐ−ヒドロキシフェニルアセテートと、ｐ−グアニジノ安息香酸クロリドとを反応させることを特徴とするＮ，Ｎ−ジメチルカルバモイルメチルｐ−（ｐ−グアニジノベンゾイルオキシ）フェニルアセテート・塩酸塩の製造方法。 （もっと読む）