【課題】大型で良質なＩＩＩ族窒化物半導体結晶を製造することができる方法を提供する。
【解決手段】Ｖ族原料およびＩＩＩ族原料の存在下でＣ面以外を主面とするＩＩＩ族窒化物シード１上にＩＩＩ族窒化物半導体結晶層３を成長させる際に、成長温度を１０２０℃未満にして行う低温成長工程２を実施する。 （もっと読む）

【課題】ニューロピリン１（Ｎｒｐ１）およびニューロピリン２（Ｎｒｐ２）のフラグメント単独の結晶構造、ならびに抗ニューロピリン抗体との複合体での結晶構造、そしてそれらの使用を提供する。
【解決手段】本発明は、一つの局面では、Ｎｒｐ２_{ａ１ａ２ｂ１ｂ２}フラグメントと、Ｎｒｐ２へのセマフォリンの結合を阻害する抗ｐａｎＮｒｐ^Ａ抗体のＦａｂフラグメントとの間で形成される複合体の結晶を提供し、前記結晶は、Ｘ線放射線を回折して、前記複合体の３次元構造を表す、以下のおおよそのセル定数ａ＝１４８Å、ｂ＝１０６Å、ｃ＝９２．４ÅおよびＣ２という空間群を有する回折パターンを生成する。 （もっと読む）

【課題】高品質で大型のＴＧＧ結晶を、安価に且つ容易に製造できるようにする。
【解決手段】ＧＧＧ結晶又はＳＧＧＧ結晶からなる基板上に、ＬＰＥ法で育成したＴＧＧ結晶である。前記ＴＧＧ結晶は、組成Ｔｂ₃ Ｍ_x Ｇａ_5-x Ｏ₁₂で表され、ＭがＳｃ、Ｉｎから選ばれる少なくとも１種の３価元素であって、基板がＧＧＧの場合には０．１≦ｘ≦０．５を満たし、基板がＳＧＧＧの場合は０．９≦ｘ≦１．６５を満たしており、且つ前記基板と育成したＴＧＧ結晶の垂直方向の格子定数差を±０．０２Å以下とする。必要なガーネット原料と、ＰｂＯ及びＢ₂ Ｏ₃ をフラックスとする融液の表面に、基板の片面を接触させ、８５０〜９８０℃でＴＧＧ結晶をＬＰＥ成長させる。融液中に、ＳｉＯ₂ 、ＧｅＯ₂ 、ＴｉＯ₂ から選ばれる１種以上の酸化物、あるいはＣｅＯ₂ が含まれていてもよい。必要に応じて、育成したＴＧＧ結晶を還元処理する。 （もっと読む）

【課題】発光のブルーシフトが抑制された発光デバイスの製造に好適なＩＩＩ族窒化物結晶基板、エピ層付ＩＩＩ族窒化物結晶基板、ならびに半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶基板１は、結晶基板の表面層の均一歪みが１．９×１０^-3以下であり、結晶基板の表面層の不均一歪みが１３０ａｒｃｓｅｃ以下であり、均一歪みと不均一歪みとは、それらの一方が小さくなるほど他方が小さくなる関係を有し、結晶基板の主表面１ｓの面方位が、結晶基板の（０００１）面または（０００−１）面１ｃから＜１０−１０＞方向に１０°以上８０°以下で傾斜している。 （もっと読む）

【課題】加工性に優れていて品質が高いIII族窒化物結晶を提供すること。
【解決手段】III族窒化物単結晶を１０００℃以上で熱処理することによりIII族元素を含む化合物からなる被膜を形成し、その被膜を除去することによりIII族窒化物結晶を製造する。 （もっと読む）

【課題】格子定数が下地基板と略等しい乃至同一の単結晶の化合物半導体結晶をエピタキシャル成長させるに当たり、当該化合物半導体結晶をクラックフリーのものとして大面積のエピタキシャル半導体基板を提供すること。
【解決手段】半導体バルク結晶の製造に際し、下地基板と化合物半導体単結晶との間に、下地基板と化合物半導体単結晶とが直接接する態様で空洞を形成したり、下地基板の主面に凹凸を形成し、さらに、化合物半導体単結晶のエピタキシャル成長方向に直交する結晶軸の下地基板の格子定数ａ₁と化合物半導体単結晶の格子定数ａ₂の差の比率である格子不整合度（２｜ａ₁−ａ₂｜／［ａ₁＋ａ₂］）を１×１０^-3以下とした。上記空洞や凹凸によりエピタキシャル成長途中におけるクラックの発生を抑制することができ、大面積のクラックフリーのエピタキシャル半導体バルク結晶を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】歪み吸収III族窒化物中間層モジュールを有する種々の半導体構造を提供する。
【解決手段】基板および当該基板の上方の第一遷移本体を有する。前記第一遷移本体は、第一表面において第一の格子パラメータを有し、前記第一表面とは反対側の第二表面において第二の格子パラメータを有する。前記典型的な実施では、遷移モジュール等の第二遷移本体をさらに有し、この第二遷移本体は前記第一遷移本体の前記第二表面に重層する下表面においてより小さい格子パラメータを有し、前記第二遷移本体の上表面においてより大きい格子パラメータを有し、前記第二遷移本体の上方のIII族窒化物半導体層も同様である。前記第二遷移本体は２以上の遷移モジュールからなっていてもよく、各遷移モジュールは２以上の中間層を有していてもよい。前記第一遷移本体および前記第二遷移本体は前記半導体構造の歪みを減少させる。 （もっと読む）

【課題】生産するのが容易で医療または診断用途のために有利に使用できる受容体およびその用途の提供。
【解決手段】本発明による組換え可溶性Fc受容体は、膜貫通ドメイン、シグナルペプチドおよびグリコシル化の存在しない点に特徴がある。この種のFc受容体は、原核宿主細胞においてそれぞれの核酸を発現させ、得られた封入体を再生することにより容易に取得することができ、この方法からは非常に均質で純粋な産物が得られる。かかる産物は診断および医薬用途のために、さらに結晶構造データの生成のために使用することができる。このような結晶構造データは人工分子のモデリングに使用することができる。さらなる実施形態は、本発明によるFc受容体を、抗体の分離および／または濃縮に使用しうるクロマトグラフィー材料などの固相材料に結合させることを含む。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ半導体自立基板上に形成される電子デバイスの耐電圧、オン抵抗、素子寿命等のばらつきを抑えて歩留まりを向上させることが可能なＳｉＣ半導体自立基板及びＳｉＣ半導体電子デバイスを提供する。
【解決手段】ＳｉＣ半導体自立基板を構成するＳｉＣ半導体結晶３は六方晶系であり、ＳｉＣ半導体結晶３の格子定数のばらつきを、ＳｉＣ半導体自立基板の主面内のａ軸方向の格子定数の標準偏差をａ軸方向の格子定数の平均値で除した値とするとき、格子定数のばらつきが±５５ｐｐｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】発光のブルーシフトが抑制された発光デバイスの製造に好適なＩＩＩ族窒化物結晶基板、エピ層付ＩＩＩ族窒化物結晶基板、ならびに半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶基板１は、ＩＩＩ族窒化物結晶基板１の任意の特定結晶格子面のＸ線回折条件を満たしながら結晶基板の主表面１ｓからのＸ線侵入深さを変化させるＸ線回折測定から得られる特定結晶格子面の面間隔において、０．３μｍのＸ線侵入深さにおける面間隔ｄ₁と５μｍのＸ線侵入深さにおける面間隔ｄ₂とから得られる｜ｄ₁−ｄ₂｜／ｄ₂の値で表される結晶基板の表面層の均一歪みが１．７×１０^-3以下であり、主表面の面方位が、結晶基板のｃ軸を含む面から［０００１］方向に−１０°以上１０°以下の傾斜角を有する。 （もっと読む）

【課題】発光のブルーシフトが抑制された発光デバイスの製造に好適なＩＩＩ族窒化物結晶基板、エピ層付ＩＩＩ族窒化物結晶基板、ならびに半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶基板１は、ＩＩＩ族窒化物結晶基板１の任意の特定結晶格子面のＸ線回折条件を満たしながら結晶基板の主表面１ｓからのＸ線侵入深さを変化させるＸ線回折測定から得られる特定結晶格子面の面間隔において、０．３μｍのＸ線侵入深さにおける面間隔ｄ₁と５μｍのＸ線侵入深さにおける面間隔ｄ₂とから得られる｜ｄ₁−ｄ₂｜／ｄ₂の値で表される結晶基板の表面層の均一歪みが１．７×１０^-3以下であり、主表面の面方位が、結晶基板のｃ軸を含む面から［０００１］方向に−１０°以上１０°以下の傾斜角を有する。 （もっと読む）

本発明は、｛［（２Ｓ，５Ｒ，８Ｓ，１１Ｓ）−５−ベンジル−１１−（３−グアニジノ−プロピル）−８−イソプロピル−７−メチル−３，６，９，１２，１５−ペンタオキソ−１，４，７，１０，１３−ペンタアザ−シクロペンタデカ−２−イル］−酢酸｝の新規な固体物質、それらを生成するための方法、および医薬品における前記固体物質の使用に関する。 （もっと読む）

【課題】治療剤として有効なＧＳＫ−３インヒビターを発見すること。
【解決手段】本発明は、グリコーゲンシンターゼ（グリコーゲン合成酵素）キナーゼ−３（ＧＳＫ−３）、セリン／スレオニンプロテインキナーゼのインヒビター、およびそれらを生成する方法に関する。本発明はまた、本発明のインヒビターを含有する薬学的組成物およびこれらの組成物を種々の疾患状態（例えば、糖尿病およびアルツハイマー病）の治療および予防で使用する方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】大きなファラデー効果が得られ、かつ、優れた結晶性のビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶厚膜にビスマスを多量に固溶することが可能なガーネット単結晶基板、及び、その製造方法を提供する。
【解決手段】サマリウムの酸化物、スカンジウムの酸化物、及び、ガリウムの酸化物を原子比で、Sm:Sc:Ga=3:p:q(ただし、0≦p≦2.0,3.0≦q≦5.0)の量比で混合した混合物を用いて、不活性ガス中に酸素を体積基準で0.5%以上3.0%以下の比率で含む混合ガス雰囲気中で、チョクラルスキー法により、ガーネット単結晶を育成する。結晶育成に用いる原料の純度は99.9%以上であることが好ましい。前記ガーネット単結晶は、ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜を液層エピタキシャル法で形成するための基板として用いられる。 （もっと読む）

【課題】 創薬において重要であるインフルエンザ菌（Ｈａｅｍｏｐｈｉｌｕｓ ｉｎｆｌｕｅｎｚａｅ）ペニシリン結合タンパク質（ＰＢＰ）３トランスペプチダーゼドメインの結晶、及び、立体構造情報を提供することを目的とする。
【解決手段】 インフルエンザ菌（Ｈａｅｍｏｐｈｉｌｕｓ ｉｎｆｌｕｅｎｚａｅ）ペニシリン結合タンパク質（ＰＢＰ）３のトランスペプチダーゼドメインを調製し、高品質の結晶、及び、その製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】ＩＧＦ−１の結晶とその生産方法、さらにＩＧＦ−１間接アゴニストを同定する方法を提供する。
【解決手段】ＩＧＦ−１を含む水溶液を、沈殿剤を含むリザーバ液と混合し、生成した混合物を結晶化、場合によっては再結晶化を行い分離する、ＩＧＦ−１の結晶化方法。さらに、結合タンパク質ＩＧＦＢＰ−１又はＩＧＦＢＰ−３のＩＧＦ−１に対する結合の阻害レベルのスタンダードとして、界面活性剤を使用し、また構造に基づく薬剤設計のため、間接アゴニストの候補が結合するＩＧＦ−１の結合ポケットの座標を使用して、ＩＧＦ−１間接アゴニストを同定する方法。 （もっと読む）

【課題】高品質なIII族窒化物半導体基板を提供する。
【解決手段】III族窒化物単結晶からなり、２５．４ｍｍ以上の直径と１５０μｍ以上の厚みを有する基板の外形寸法の温度変化から算出された線膨張係数αと前記基板の格子定数の温度変化から算出された線膨張係数α_Ｌとの差α―α_ＬをΔαとしたとき、Δα／αが０．１以下であり、主面と前記主面と最も平行度の高い格子面とのなす角度のばらつきが、前記基板の主面内で中心値±０．０３度以下とする。また、刃状成分をもつ転位の密度が２×１０６ｃｍ−２以下であり、電気的に活性な不純物の総量を１×１０１９ｃｍ−３以下とする。 （もっと読む）

硼酸フッ化ベリリウム塩非線形光学結晶であり、分子式は、MBe₂BO₃F₂であり、M＝Rb又はCsであり、フラックス法により製造されている。硼酸フッ化ベリリウム塩と融剤とを比例的に均一に混合させ、750-800℃まで温度上昇させ、恒常温度になってから、飽和温度以上の2-10℃まで冷却させ、硼酸フッ化ベリリウム塩と融剤とを含む高温溶液が得られ、シードロッド上の種結晶を当該高温溶液に入れ、シードロッドを回転させ、飽和温度まで温度降下させてから、次第に温度降下させる。こうして得られた結晶を液面から持ち上げ室温まで降下させ、本発明による非線形光学結晶が得られる。当該結晶は非線形光学効果を有し、光透過波長域は広く、紫外遮断波は150ｎｍに達し、潮解することもなく、希塩酸と希硝酸に溶けることもなく、化学安定性がよく、紫外波長域レーザ周波数変換の需要に適し、非線形光学デバイスの製作に用いられる。Nｄ：YAGレーザの２倍波、３倍波、４倍波、５倍波又は６倍波に変換する調波出力デバイスが実現でき、その他のレーザ波長の調波出力デバイスに使用することができ、266ｎｍ以下の干渉光の出力が生成できる。
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【課題】窒化アルミニウム単結晶上に、様々な組成の機能層を結晶性よく形成する方法を提供する。
【解決手段】種結晶１０上に、Ｓｉ及びＣを固溶させることにより、ａ軸の格子定数が３．０９３５Å以上３．１１１０Å以下の範囲内にある窒化アルミニウム単結晶を成長させる。また、Ｃ及びＯを固溶させる場合は、ａ軸の格子定数が３．１１１５Å以上３．１４１０Å以下の範囲内とする。さらに、少なくともＳｉ，Ｃ，及びＯを固溶させる場合は、ａ軸の格子定数が３．０９４０Å以上３．１４００Å以下の範囲内とする。これにより、形成する機能層の格子定数に合わせて窒化アルミニウム単結晶の格子定数を制御する。 （もっと読む）

【課題】発光デバイス構造を形成した場合に、発光波長、発光出力、素子寿命等のばらつきが小さく、発光デバイスの歩留まりを向上させることが可能な窒化物半導体自立基板及び当該基板を用いた窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】窒化物系化合物半導体結晶の格子定数のばらつきを±１２ｐｐｍ以下として窒化物半導体自立基板を形成する。窒化物系化合物半導体は、ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ＋ｙ≦１）で表される。これを用いて窒化物半導体発光素子を形成する。 （もっと読む）