【課題】結晶成長過程における組成変化を抑制し、均一性の高い単結晶を製造することができる結晶成長方法を提供する
【解決手段】成長結晶１９の組成と同一組成の原料棒２１を、炉内に設置されたるつぼ１１内の原料溶融体１８の表面に接触させ、原料棒２１と原料溶融体１８との熱接触状態を維持する。単位時間あたりの成長結晶１９の成長量に一致する単位時間あたりの供給量で、原料棒２１から補充原料を原料溶融体１８に供給する。原料棒２１は、粒径を調整した結晶粒の集合体であり、原料棒２１から成長結晶１９への原料溶融体内の対流により、結晶粒が成長結晶１９に到達するまでに溶融するように、結晶粒の粒径が決定されている。 （もっと読む）

【課題】結晶成長過程における、結晶回転軸に垂直な方向の成長偏りを抑制し、高効率に単結晶を製造するための結晶成長方法を提供する。
【解決手段】炉内に設置されたるつぼ１１内の原料溶融体に対して鉛直方向に上低下高の温度分布を形成し、種子結晶１７を原料溶融体表面に接触させ、原料溶融体を冷却する事により、種子結晶１７を核として結晶１９を成長させる結晶成長方法であって、結晶回転軸に対する垂直面内で成長速度が異なる方位を有する結晶１９を成長させる結晶成長方法において、種子結晶１７の原料溶融体表面に接触している面は長方形であり、かつ、長方形の長辺を成長速度が早い方位と平行にすることを特徴とする結晶成長方法。 （もっと読む）

【課題】高配向度及び高密度を兼ね備え、優れた圧電特性を発揮することができる結晶配向セラミックスの製造方法、及び該結晶配向セラミックスを製造するための異方形状粉末を提供すること。
【解決手段】前駆体１を酸処理し加熱して得られ、結晶面｛１００｝面が配向する配向粒子からなる異方形状粉末、及びこの異方形状粉末を用いて得られる結晶配向セラミックスである。異方形状粉末は、次のようにして得られる。まず、所定の組成のビスマス層状ペロブスカイト型化合物を前駆体１の目的組成とし、この目的組成とは異なる配合割合で原料を混合して原料混合物を作製する。次いで、原料混合物を加熱することにより、前駆体１を合成する。前駆体１を３時間以上酸処理して酸処理体を得る酸処理体に、Ｋ源及び／又はＮａ源を添加し、フラックス中で加熱することにより、異方形状粉末を得る。 （もっと読む）

【課題】垂直ブリッジマン法による、たとえばＫ（Ｔａ，Ｎｂ）Ｏ３結晶の作製において、種子結晶近傍の温度分布を局所的に制御して、最適な温度条件により、高品質結晶を歩留まりよく成長させる結晶製造装置を提供する。
【解決手段】炉内に保持されたるつぼ１１内に種子結晶１４を配置し、るつぼ１１内に充填された原料溶液を加熱溶解し、るつぼ１１の下方より上方に向かって、原料を除冷することにより結晶成長させる結晶製造装置において、前記種子結晶１４が配置される前記るつぼ１１の外側に取り付けられた中空構造のキャップ１７と、前記中空構造を流れる冷媒の流量調整を行う手段とを含む温度制御手段を備える。前記キャップ１７の代わりに螺旋型のパイプを用いてもよい。前記温度制御手段は、前記種子結晶１４の近傍を局所的に冷却して温度制御するだけでなく、前記キャップ１７にヒータを内包させて、冷却と加熱の両方で温度制御することも可能である。 （もっと読む）

【課題】種子結晶近傍の温度分布を局所的に制御して、最適な温度条件により、高品質結晶を歩留まりよく成長させる結晶製造装置を提供する。
【解決手段】炉内に保持されたるつぼ１１内に種子結晶１４を配置し、るつぼ１１内に充填された原料溶液を加熱溶解し、るつぼ１１の下方より上方に向かって、原料を除冷することにより結晶１３を成長させる結晶製造装置において、種子結晶１４の近傍を局所的に冷却または加熱する温度制御手段を備えた。温度制御手段は、るつぼの外側に取り付けられた中空構造の螺旋型のパイプ２７ａ，２７ｂとし、冷媒の流量調整により温度を制御する。 （もっと読む）

【課題】結晶成長過程における組成変化を防止し、高品質かつ均一性の高い単結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】種子結晶２７を浸して引き上げながら結晶２９を育成する結晶成長装置において、原料溶液２８の表面に析出した浮遊結晶を検出するための可視光を照射する第１レーザと、浮遊結晶を溶融するための加熱用のレーザ光を照射する第２レーザと、第１レーザからの可視光を、第２レーザからのレーザ光の光軸上に照射する手段３２と、可視光が浮遊結晶に照射するように、第１および第２レーザのレーザ照射位置を調整する制御手段３３とを備えた。 （もっと読む）

【課題】原料に含まれる不純物を十分に低減でき、優れた品質の酸化物単結晶を効率的に製造可能な酸化物単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】酸化物単結晶の製造に使用する原料を加熱して融液１８を得る溶融工程と、融液状態を保持することにより融液に含まれる不純物を低減させる不純物除去工程と、この不純物除去工程を経た原料の融液１８から酸化物単結晶１を製造する単結晶育成工程とを備える。前記不純物除去工程において融液状態の保持は、圧力１．０×１０−４〜１．０Ｐａの減圧雰囲気下又はＡｒ、Ｎｅ、Ｋｒ及びＮ２からなる群より選ばれる１種以上のガス種を含有する不活性ガス雰囲気下、あるいはさらに酸素を０．０１〜２０体積％混合した不活性ガス雰囲気下にて行い、保持時間は１〜１０００時間とする。 （もっと読む）

【課題】高い密度及び配向度の結晶配向セラミックスを優れた量産性で製造できる異方形状粉末及びその製造方法、並びに結晶配向セラミックスの製造方法を提供すること。
【解決手段】特定の結晶面｛１００｝面が配向する配向粒子からなる異方形状粉末及びその製造方法、並びに該異方形状粉末を用いた結晶配向セラミックスの製造方法である。異方形状粉末は、一般式（１）(Ｋ_aＮａ_1-a)(Ｎｂ_1-bＴａ_b)Ｏ₃（但し、０≦ａ≦０．８、０．０２≦ｂ≦０．４）で表される等方性ペロブスカイト型の５価金属酸アルカリ化合物を主成分とする。異方形状粉末の作製にあたっては、特定組成のビスマス層状ペロブスカイト型化合物を酸処理し、得られた酸処理体にＫ源等を添加して加熱する。 （もっと読む）

【課題】特に流動性の高い原料融液を用いて酸化物単結晶を育成する場合等であっても、クラックや融液ダレを生じることなく、種結晶方位と同じ方位に単結晶を育成できる単結晶の製造装置等を提供する。
【解決手段】育成炉１内に、原料融解槽11と融液保持槽12と種結晶保持部13と駆動部14とを具え、融液保持槽12が、上下方向に延びる第１貫通孔19をもち、融液を受け止める上板部材16と、この下方に設置され、上板部材16の第１貫通孔19を通して流下する融液を保持する空間構造20をもつ中間部材17と、この空間構造20に保持された融液を、下方に設置された種結晶15に連続供給するため、第２貫通孔22をもつ下板部材18とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ペロブスカイト型構造を有する多結晶セラミック粉末を用いて製造可能であり、組成上の制約条件の少ない配向性セラミックスの製造方法を提供する。
【解決手段】 多結晶セラミック粉末とを含むセラミックスラリーを得る工程と、前記セラミックスラリーを磁場中で成形してセラミック成形体を得る工程と、前記セラミック成形体を焼成する工程と、を有する配向性セラミックスの製造方法であって、前記多結晶セラミック粉末は、ペロブスカイト構造を有する主成分と前記主成分１００ｍｏｌに対して５ｍｏｌ以下（ただし０ｍｏｌを除く）の割合で含有される副成分とを含み、前記副成分は磁気モーメントが０ではない３ｄ遷移金属イオンまたは磁気モーメントが０ではない希土類遷移金属イオンからなる群より選択される少なくとも１種であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】緻密性に優れ、高配向な結晶配向セラミックスの製造方法を提供すること。
【解決手段】準備工程、混合工程、成形工程、及び焼成工程を行うことにより、等方性ペロブスカイト型化合物を主相とする多結晶体からなり、その結晶粒の特定の結晶面Ａが配向する結晶配向セラミックスを製造する方法である。準備工程においては、異方形状の第１配向粒子からなる第１異方形状粉末２と、その１／３以下の粒径を有する微細粉末３として、焼成温度よりも高い融点の第１微細粉末３１と焼成温度よりも低い融点の第２微細粉末３２とを準備する。混合工程においては、微細粉末３と第１異方形状粉末２とを混合する。成形工程においては、原料混合物を成形して成形体を作製する。焼成工程においては、成形体を加熱し、等方性ペロブスカイト型化合物を主相とする多結晶体からなる結晶配向セラミックスを作製する。 （もっと読む）

【課題】１台の結晶製造装置により、複数の単結晶を、１回の結晶製造工程で同時に製造する。
【解決手段】炉内に保持されたるつぼ３１内に種子結晶３４を配置し、るつぼ３１内に充填された原料３２を加熱液化し、るつぼ３１の下方より上方に向かって、液体原料を徐冷することにより結晶成長させる結晶製造装置において、炉内に複数個のるつぼ３１を設置した１または複数のるつぼホルダ３８を備え、１回の製造工程で複数個の結晶を製造する。 （もっと読む）

【課題】原料溶液の温度分布を局所的に制御することにより、高品質結晶を歩留まりよく成長させる。
【解決手段】炉１０内に保持されたるつぼ１内に種子結晶を配置し、るつぼ１内に充填された原料を加熱溶解し、るつぼ１の下方より上方に向かって、原料溶液を徐冷することにより結晶成長させる結晶製造装置において、炉１０内の温度を結晶成長に適した温度に調整する発熱体６と、るつぼ１の底部に接して配置された冷却板７と、冷却板７と熱的に結合され、熱媒体を流すことにより冷却板７を冷却する冷却管８とを備え、熱媒体の流量を制御して、るつぼ１内の原料溶液の温度勾配を制御する。 （もっと読む）

【課題】結晶成長中の結晶成長速度を所望の速度に制御することにより、結晶特性の均一な結晶を製造する。
【解決手段】炉内に保持されたるつぼ１内に種子結晶４を配置し、るつぼ１内に充填された原料を加熱液化し、るつぼ１の下方より上方に向かって、液体原料２を徐冷することにより結晶成長させる結晶製造方法において、液体原料２の構成元素で構成された相図の液相線と、炉内の温度分布５とに基づいて、成長中の結晶成長量と成長速度とを予め算出する第１ステップと、第１ステップで算出された成長速度となるように、るつぼ１の冷却速度を制御する第２ステップとを備えた。 （もっと読む）

【課題】均一性が高く、圧電特性が高く、薄膜であっても強度を有し、密着度が高く、優れた耐久性を有るペロブスカイト型酸化物を得ること。また、ペロブスカイト型酸化物を簡単に大面積として作製すること。
【解決手段】単結晶構造または一軸配向結晶構造のＡＢＯ₃で表されるペロブスカイト型酸化物であって、Ａサイトの主成分にＰｂを含みＢサイトに複数の元素を含み、正方晶、菱面体晶、斜方晶、立方晶、擬似立方晶及び単斜晶から選ばれる複数の結晶相を有し、該複数の結晶相が＜１００＞配向している。 （もっと読む）

【課題】８００℃未満の低温焼成によってもＢｉ系誘電体の結晶化薄膜を得ることができるＢｉ系誘電体薄膜形成用組成物とＢｉ系誘電体薄膜を提供する。
【解決手段】少なくともＳｒ、Ｂｉ、Ｔａおよびランタノイド系元素Ａの各金属または複合金属のアルコキシド、有機塩あるいは錯体を反応させることによって得られる化合物を含有させてＢｉ系誘電体薄膜形成用組成物を構成する。この組成物の塗膜を８００℃未満の低温で焼成することにより、下記一般式（１）
Ｓｒ_1-XＡβＢｉ_2+Y（Ｔａ_2-ZＮｂ_Z）Ｏ₉₊α・・・・・（１）
（式中、Ａは、ランタノイド系元素を表す。Ｘ、Ｙ、αは、それぞれ独立に０以上１未満の数を表し、Ｚは、０以上２未満の数を表し、βは、０．０９以上０．９以下の数を表す。）で表されるＢｉ系誘電体の結晶化薄膜を得る。 （もっと読む）

互いに向かい合う一の面と他の面とを有し、且つ分極方向が一方向に揃った状態で一の面のエッチングレートが他の面のエッチングレートよりも大きい強誘電体結晶を用い、この強誘電体結晶の一の面に対してエッチングを行う。エッチングを行うと同時に、この強誘電体結晶に所定の電圧を印加する。これにより、エッチングが進行して、強誘電体結晶の厚さが目的厚さに達すると、強誘電体結晶の分極方向が反転し、エッチングの進行が自動的に停止する。この結果、きわめて薄く、かつ広い面積において均一な厚さを有する強誘電体結晶薄膜を製造することができる。
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【課題】 ＫＴａ_ｘＮｂ_1-ｘＯ_３を一例とする酸化物結晶であって、利用効率の高い円形結晶を製造する。
【解決手段】 炉５内に設置されたるつぼ１内の原料溶液８に、種子結晶７を浸して結晶を育成しながら引き上げる結晶製造装置において、炉５内の温度を調整するヒータ４と、るつぼ１内部の原料溶液８と接して、原料溶液８の一部を局所的に加熱する内ヒータ１１と、育成された結晶９の形状を検出する光センサ１４と、光センサ１４で検出された結晶の形状に応じて、内ヒータ１１を制御する温度制御器１５とを備えた。 （もっと読む）

【課題】 結晶成長過程における組成変化を防止し、高品質の単結晶を製造する。
【解決手段】 炉１５内に設置されたるつぼ１１内の原料溶液１８に、種子結晶１７を浸して引き上げながら結晶を育成する結晶成長方法において、種子結晶１７を原料溶液１８に接触させ、種子結晶１７を引き上げると同時に、原料溶液１８を一定冷却速度で冷却し、単位時間あたりに成長した結晶の組成と同一組成の補給原料を、単位時間あたりの成長結晶の重量に一致する単位時間あたりの供給量で、原料溶液１８に加熱溶解しながら供給する。 （もっと読む）

【課題】 炉内付着物の成長結晶および原料溶液への落下を防止し、高品質の単結晶を製造する。
【解決手段】 炉５内に設置されたるつぼ１内の原料溶液８に、種子結晶７を浸して引き上げながら結晶を育成する結晶成長装置において、種子結晶７が先端に取り付けられた引き上げ軸６に、るつぼ１の開口面を覆う傘１１を備えた。 （もっと読む）