【課題】化合物単結晶の断面における結晶の面方位を特定することができ、かつ１つの断面から複数個のウェハを切り出す場合でも単結晶のへき開により１つの断面を複数個のウェハ単位に分割することが可能な化合物単結晶の製造方法に用いられる単結晶成長用容器を提供する。
【解決手段】単結晶成長用容器は、下部に種結晶収容部を有し、上部にるつぼ上部１ｃを有し、種結晶収容部は内部に種結晶を収容した場合に種結晶が周方向に回転できないような構成を有し、かつるつぼ上部１ｃの横断面形状が仮想の正四角形Ｐに沿う直線部分を正四角形Ｐの各辺に有するとともにラウンド形状のコーナー部１ｃ₁を有し、るつぼ上部１ｃの横断面形状はコーナー部１ｃ₁以外に仮想の正四角形Ｐに対して内側にラウンド状に窪んだ部分を有する。 （もっと読む）

本発明は、小さい欠陥密度を有しかつ選択された結晶極性をオプションとして有する、ＩＩＩ族窒化物半導体材料からなる実質的に連続的な層を製造するための方法を提供する。この方法は、テンプレート構造上に不規則に配置されたＩＩＩ族窒化物材料からなる複数のピラー／アイランドの上部にエピタキシャル成長の核形成および／または播種することを含む。アイランドの上部は、小さい欠陥密度を有し、また、選択された結晶極性をオプションとして有する。本発明は、また、マスク材料からなる実質的に連続的な層を有するテンプレート構造を含み、ピラー／アイランドの上部は、このマスク材料から突き出る。本発明は、広範囲の元素半導体材料および化合物半導体材料に適用されてもよい。 （もっと読む）

【課題】ポートの数を増やすことなく，還元性ガスを分子線結晶成長装置の成長室内に導入することを可能にする分子線源を提供する。
【解決手段】本発明の分子線源は，結晶成長のための分子線を放出する分子線放出部と，前記分子線放出部に結合され，前記分子線を加熱して分解するクラッキングゾーンとを備え，前記分子線放出部と前記クラッキングゾーンの間に還元性ガスを導入するための還元性ガス導入部を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体結晶の元素の精製、複合化および成長、例えば、高温でシリコン等を溶解する分子線エピタキ法（ＭＢＥ）において用いる一体もの、複数片のるつぼを提供する。
【解決手段】るつぼは、るつぼを作り上げる複数片を固定して接合する外側の被覆層を有する。本発明は、返り勾配を有する熱分解窒化ホウ素からなる構造を含む一体ものを製造する方法も提供し、前記方法により黒鉛マンドレルの複雑な張出し構造の必要がないようにする、または高温で焼成することにより黒鉛マンドレルの取り外しの必要がないようにする。 （もっと読む）

急激な金属−絶縁体遷移を行う基板と、基板上に電気伝導度及び熱伝導性の良好なペーストでコーティングまたは蒸着された金属層と、を備える金属−絶縁体遷移を行うウェーハである。これにより、ヒータや基板ホルダーに直接接着せず、直径の大きいウェーハを量産しうる。
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本発明は半導体材料のドーピング方法に関する。基本的には、該方法は一定量の粒状半導体材料とイオン性塩またはイオン性塩の調製物を混合することを含む。好ましくは、粒状半導体材料は1 nm ないし100 μmの範囲のサイズを有する粒子を含む。特に好ましくは、粒子サイズは50 nmないし500 nmの範囲である。好ましい半導体材料は真性および金属級シリコンである。本発明はバインダーおよび溶媒と同様、ドープした半導体材料を含む印刷可能組成物にまで及ぶ。本発明はさらに、pおよびn型特性を有する印刷可能組成物層から形成される半導体デバイスに及ぶ。
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【課題】ウェハ表面のＭｇ、Ｃａを効果的に除去する半導体ウェハの洗浄方法およびその方法で得られたウェハを提供すること。
【解決手段】半導体ウェハの洗浄方法において、極わずかなエッチング作用を持つ洗浄液である有機アルカリ系洗浄液で洗浄した後、ウェハ表面のＣａ、Ｍｇを除去することを目的として高純度有機溶剤、例えばイソプロピルアルコールで洗浄する。 （もっと読む）

【課題】単結晶原料から単結晶を育成する際に、単結晶原料の表面から浮遊して発生する微結晶を抑制する。
【解決手段】原料を焼成装置を用いて焼成し、焼成体を形成する（焼成工程）。そして、焼成工程において形成した焼成体を、再度、焼成工程より低い温度で焼成して、焼成体を形成する（第２の焼成工程）。次に、焼成工程及び第２の焼成工程において焼成させた焼成体の表面の表面処理を行う（表面処理工程）。ここでいう表面処理は、エッチング溶液を用いた化学的エッチングにより行われる（エッチング手段）。そして、表面処理された焼成体を、分割線Ａに沿って多数個に切断して、複数個の単結晶原料５が作製される。 （もっと読む）

アルカリ土類・カルコゲン化合物、アルカリ・カルコゲン化合物、I-VII族化合物、II-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI₂族化合物、IV-IV族化合物、II-VII₂族化合物の群から選ばれる化合物であって、B、C、N、O、F、Si、Geなどの最外殻に不完全なp電子殻を持つ少なくとも１種の元素を固溶していることで、強磁性転移温度が室温以上であることを特徴とする光を透過しながら高い強磁性特性を有する単結晶の透明強磁性化合物。これらの最外殻に不完全なp電子殻を持つ元素の濃度の調整、アクセプターおよびドナーの添加などにより価電子制御を行いその強磁性特性を調整する。 （もっと読む）