【課題】化合物半導体単結晶の育成に好ましい温度分布を形成することができかつヒータの寿命を伸ばし得る化合物半導体結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】 化合物半導体結晶の製造装置は、少なくとも一方端部に開放端をする反応管１と、その反応管の周囲で大気雰囲気下に配設された第１の加熱手段３と、反応管を密閉するようにその開放端に取付けられるフランジと、反応管内に設置されて半導体結晶の原料を収容するための坩堝２と、反応管の内壁と坩堝との間に第２の加熱手段１１とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】坩堝内の結晶周辺部に発生した転位が結晶内部に蓄積することを低減した単結晶製造方法及び装置を提供する。
【解決手段】坩堝５内の原料を溶融し温度勾配を利用して前記原料の融液６を該融液の一端から順次に固化させて柱状の単結晶を成長させる単結晶製造方法において、前記坩堝５内の融液６中に前記一端の方向に凹面を向けた界面形状成形部材９を配置し、該界面形状成形部材９を結晶８と融液６との境界としての固液界面７に対して所定範囲内の距離ｄに保持しつつ前記界面形状成形部材と前記坩堝とを相対移動させながら単結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】大口径の坩堝であっても低転位密度の結晶を育成することができる結晶育成用坩堝を提供する。
【解決手段】結晶育成用坩堝１は、種結晶を設置するための円筒状の先端部３と、結晶を育成するために先端部の上方に形成されていて先端部の径より大きい径を有する円筒状の直胴部５とを含む窒化ほう素製坩堝であって、先端部の厚みＴ１と直胴部の厚みＴ２とは０．１ｍｍ≦Ｔ２＜Ｔ１≦５ｍｍの条件を満たし、直胴部の内径Ｄ２と直胴部の長さＬ２とは１００ｍｍ＜Ｄ２および２＜Ｌ２／Ｄ２＜５の条件を満たすことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 結晶成長中に発生する転位を抑制し、内部透過率などの光学特性に優れた結晶を製造する。
【解決手段】 坩堝１１０の少なくとも一部のガス透過率を、１×１０^−４ｃｍ^２／ｓ以下とし、該坩堝内において、該坩堝の内壁と結晶との間に形成される空間１８２内の圧力が、融液よりも上方の空間１８０内の圧力よりも高くなるようにする。例えば、坩堝１１０を炭素化膜１１７で被膜する。
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【課題】 大口径で低転位密度の化合物半導体単結晶を高い生産性と高い歩留で提供する。
【解決手段】 縦型の単結晶成長用容器８内に化合物半導体の種結晶１３と原料を収容し、加熱手段によって種結晶の一部と原料を融解して実質的に化学量論組成に調整した原料融液１７を作製し、種結晶の未融解部分から原料融液側に向かって結晶成長させる化合物半導体単結晶の製造方法において、化合物半導体の融点温度においてその結晶に比べて小さな熱伝導率を有する部材１１を単結晶成長用容器の外周に配置し、原料融液の温度を降下させることによって結晶成長を進行させるとを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】組成ずれを防ぐことにより、単結晶育成時の異相やクラックの発生を抑制することができるブリッジマン法によるＬａ_３Ｇａ_５ＳｉＯ_１４単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ブリッジマン法によるＬａ_３Ｇａ_５ＳｉＯ_１４単結晶の製造方法であって、Ｌａ_２Ｏ_３、Ｇａ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２を、添付図面１に示す、点Ａ、点Ｂ、点Ｃ、点Ｄ、点Ｅ、点Ｆ、点Ｇ、点Ｈで囲まれる組成範囲内で秤量して、Ｌａ_３Ｇａ_５ＳｉＯ_１４単結晶を育成する。 （もっと読む）

密封されたアンプルの内側と圧力容器との間において平衡化された圧力が維持された状態で、クローズド・システムにおけるＩＩＩ−Ｖ族単結晶半導体化合物の成長のための装置および方法。密封されたアンプル内部の蒸気圧５は、密封されたアンプル内部の、温度、多結晶投入物の量、およびリンなどの材料の量によって制御されうる。不活性ガスの充填および放出は、圧力容器内の圧力を制御するのに用いられる。
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【課題】このような坩堝底面コーン部における温度勾配の減少を無くし、底面に沿って温度勾配を一定に保ち、融点位置を種子単結晶から周辺方向へ徐々に移動して、大口径で高品質の単結晶を製造できる単結晶製造装置を提供すること。
【解決手段】炉内に高温領域と低温領域とを有し、坩堝内に入れた結晶原料を高温領域で溶融した後、該坩堝を低温領域に移動させることにより下端から徐々に固化させて柱状の単結晶を育成する垂直ブリッジマン法による単結晶製造装置において、高温領域と低温領域との間に開口面積が可変な断熱手段を備える。 （もっと読む）

【課題】 転位密度の低い、高次の屈折率均一性に優れた弗化カルシウム結晶を安定的に製造する。
【解決手段】 種結晶２６に結晶原料２９を接触させて結晶を成長させる結晶成長法（例えば、ブリッジマン法や垂直温度勾配凝固法）を用いた弗化カルシウム結晶の製造方法において、該種結晶に、カルシウムと同族の元素（例えば、ストロンチウム）を含有させる。該元素の含有量は、例えば、１×１０^１９個／ｃｍ^３以上とする。 （もっと読む）

【課題】垂直ブリッジマン法での略（１００）方位の単結晶の製造において、煩雑な設備を要せず、結晶増径部において、双晶が発生することを抑制し、高い歩留りでＧａＡｓ等の閃亜鉛鉱型構造の化合物半導体単結晶を得る。
【解決手段】種結晶収納部１ａと、増径部１ｂと、結晶成長部１ｃとを有する結晶成長容器１を用い、該容器に原料融液を収納し、該容器底部の種結晶収納部１ａに予め配置した種結晶２より結晶成長を開始して、徐々に上方に結晶化を進行せしめ、ついには原料融液全体を結晶化させる化合物半導体単結晶の製造方法において、成長結晶の（１００）面と、前記容器の増径部１ｂの上方方向の面（内壁）とのなす角を１４０°以上１８０°以下として成長する。 （もっと読む）

【課題】 成長結晶内の転位の発生を抑制し、光学素子の材料としての使用にも十分耐え得る低転位単結晶を製造する。
【解決手段】 結晶性物質の原料から単結晶を成長させる結晶製造装置は、種結晶ＳＣが配置される第１室１１４および該原料が配置される第２室１１３を有する坩堝１１０と、該第２室内に配置され、第１室側と第２室側とに開口する貫通孔が形成された第１の部材１１７とを有する。第１の部材は、溶融原料から第１室の方向に受ける第１の力が第２室の方向に受ける第２の力よりも大きくなる形状を有する。 （もっと読む）

【課題】垂直温度勾配法あるいは垂直ブリッジマン法による結晶育成時に、原料結晶の融液が種結晶とルツボとの隙間に入り込まないようにして多結晶化、結晶性悪化を生じさせずにＧａＡｓ、ＩｎＰなどの良質な単結晶を育成できる化合物半導体単結晶の製造方法を提供。
【解決手段】その表面が予め空気中で高温に加熱処理して形成される酸化ホウ素薄膜で被覆された熱分解窒化ホウ素製のルツボを用いて垂直温度勾配法または垂直ブリッジマン法によって化合物半導体単結晶を製造する方法において、ルツボ種結晶保持部に酸化ホウ素封止剤および種結晶を順次設置するとともに、ルツボ直胴部に原料結晶を設置し、かつ、その際、酸化ホウ素封止剤の使用量は、単結晶育成時に溶融する酸化ホウ素封止剤が種結晶を実質的に覆い、原料結晶の融液が種結晶とルツボ種結晶保持部とで形成される隙間に入り込むのを阻止するに十分な量とすることによって提供。 （もっと読む）

【課題】 ルツボ降下法において、結晶成長界面の位置をほぼ一定に維持して単結晶を安定して成長させることにより、高品質な単結晶を安定して得ることが可能な単結晶の製造方法及び装置を提供する。
【解決手段】 高温側炉室４と低温側炉室５とに鉛直方向に２室に分離する仕切り部６に相当する位置に配置されている温度測定手段と、第１及び第２のヒーター８，９とに電気的に接続されている制御手段２を備えており、前記温度測定手段が、前記仕切り部６内の所定の高さ位置におけるルツボ１３の側面温度を測定し、前記制御手段が、得られた測定値に基づいて前記所定の高さ位置におけるルツボ１３の側面温度が一定となるように前記第１及び／又は第２のヒーターを制御することによって、結晶成長界面の高さ方向の位置が一定となるように制御しつつ単結晶２０を得る。 （もっと読む）

【課題】 従来よりも低コストで、高品質，大型のIII族窒化物結晶を作製することの可能なIII族窒化物の結晶成長方法を提供する。
【解決手段】 少なくともアルカリ金属とIII族金属原料と窒素とが溶解した融液２４からIII族窒化物結晶を成長させるIII族窒化物の結晶成長方法において、III族窒化物２６の（０００１）面、あるいは、｛１０−１１｝面、あるいは、（０００１）面と｛１０−１１｝面とが混在した面で概ね覆われた領域から、（０００−１）面を成長面とするIII族窒化物結晶２７を成長させる。 （もっと読む）

【課題】 種結晶上端部に導入される結晶欠陥を低減し、高品質の単結晶を製造できる単結晶製造方法及びその装置を提供する。
【解決手段】 坩堝下端に種結晶を置いて該坩堝内の原料を溶融し、該種結晶を起点として融液を徐々に固化させて柱状の単結晶を育成する垂直ブリッジマン法による単結晶製造方法において、該原料を溶融する前に該種結晶の上端部を溶融しておく。融液が未溶融の種結晶には直接接触せず、熱衝撃が緩和される。また原料に混合したスカベンジャが滴下しても種結晶上端部の融液によって希釈されるため、不純物としての悪影響が軽減される。その結果、種結晶上端部に導入させる結晶欠陥を低減でき、育成結晶中に結晶欠陥が伝播するのを防ぐ。 （もっと読む）

本発明は、フッ化カルシウム結晶より形成した窓板を設けた窓を有する容器内に紫外線発光素子、青色発光素子等の短波長発光素子を配したものである。本発明によれば、信頼性の良い発光素子装置を得ることができる。本発明のフッ化物結晶は、金属またはハロゲン化金属のいずれか一方または双方を含有するものである。本発明のフッ化物結晶の製造方法は、ルツボの空洞部に原料粉体を充填し、このルツボを縦型ブリッジマン炉で加熱するフッ化物結晶の製造方法において、ルツボの空洞部の断面は、最短径が小さいものである。本発明のルツボは、フッ化物結晶を製造するために、その空洞部に原料粉体を充填し、縦型ブリッジマン炉で加熱されるルツボにおいて、空洞部の断面は、最短径が小さいものである。
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【課題】高品質の単結晶を高い成長速度で製造する方法を提供する。
【解決手段】融液の温度を単結晶の長手方向と平行した軸(X)に沿って測定する際、固液界面から単結晶と離れるほど融液の温度が徐々に上昇して最高点(H)に到達してから、融液の底部側に行くほど温度は徐々に下降するとともに、固液界面から最高点(H)までの上昇する融液温度の傾き(ΔTi)が最高点(H)から融液の底部までの下降する融液温度の傾き(ΔTd)より大きい状態、すなわち、ΔTi>ΔTdの条件を維持しながら単結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】垂直ブリッジマン法や垂直温度勾配凝固法により、連通細管を用いることなしに、種付部近傍に発生する転位を少なくして、低転位密度の化合物半導体単結晶を歩留良く育成する。
【解決手段】種結晶載置部３ａ、増径部３ｂ及び定径部３ｃを有する成長容器を支持部材７により支持して加熱装置内に配置し単結晶を成長する垂直ブリッジマン法および垂直温度勾配凝固法による化合物半導体単結晶の成長装置において、成長容器３の種結晶載置部３ａの側面を覆う覆い部材７ａを設置し、該覆い部材７ａの熱伝導率λ（Ｗ／ｍ・Ｋ）と厚さｔ（ｍ）を１．０×１０^-3≦ｔ／λ≦１．０×１０^-2の関係を満たすように設定し、種結晶６の直径を５mm〜２５mmとする。 （もっと読む）

【課題】 熱電素子の製造方法において、異方性の結晶構造を持った熱電素子の結晶方位を所望の方位に制御できるようにする。
【解決手段】 坩堝１が坩堝軸９によって支持された状態で、可動機構により垂直方向に移動可能に構成されている。坩堝１、及び坩堝軸９の垂直方向への移動によって、原料の融液１３と、原料の結晶１５との境界面である成長界面の位置が可変する。垂直ブリッジマン（VB）法結晶成長炉を用いる。所望の方位を持つ種結晶１７を用いて、該種結晶１７から成長させることにより、結晶方位が或る特定の方向、例えば結晶の抵抗が低いC面方向（又はA軸方向）に制御された、異方性の結晶構造を持った熱電素子を得ることが可能になる。 （もっと読む）

【課題】 フレアの発生が問題にならない屈折率均質性などの光学特性に優れたフッ化物単結晶とその結晶製造方法を提供する。
【解決手段】 サブバウンダリーによって区画された複数のサブグレインを有し、隣接する前記サブグレインの結晶面方位の相対傾斜角が０．０２度以内、且つ、前記サブグレインの結晶面方位の最大傾斜角が０．２度以内のフッ化物単結晶を光学素子材料に用いる。屈折率均質性の面内分布をＺｅｒｎｉｋｅ多項式近似で分解し、１項乃至３６項成分を差し引いた残渣ＲＭＳ値が２０ｐｐｂ以下とする。坩堝に収納された結晶性物質の原料から単結晶を製造する製造方法であって、１０℃／ｃｍ以下の温度勾配を形成するステップと、０．５ｍｍ／ｈ以下の速度で前記坩堝を移動させることで溶融した前記原料の結晶を成長させるステップと、前記成長ステップで成長させた結晶を、５℃／ｈ以下の冷却速度で徐冷するステップとを有することを特徴とする結晶製造方法を提供する。 （もっと読む）