本発明は、窒化物結合シリコン窒化物（ＮＢＳＮ）から作られる半導体グレードのシリコンのインゴットの製造用の再利用可能な坩堝に関する。この坩堝は、シリコン窒化物粉末をシリコン粉末と混合し、坩堝のグリーン体を形成し、次いで、窒素を含有する雰囲気において前記グリーン体を加熱し、前記シリコン粉末が窒化されてＮＢＳＮ坩堝を形成することによって形成されてもよい。前記坩堝は、正方形の断面の坩堝の下部（１）及び壁（３、５）であるＮＢＳＮ材料のプレート要素によって組み立てられてもよく、及び、シリコン粉末及び任意にシリコン窒化物粒子を含むペーストを付け、続いて窒素雰囲気で第２の熱処理を行うことによって任意に固定部を密閉することによって組み立てられてもよい。
（もっと読む）

本発明は、半導体グレードのシリコンのインゴットを多結晶化し、シリコン窒化物から作られる坩堝、または、シリコン炭化物及びシリコン窒化物の複合体から作られる坩堝内で供給シリコン材料を溶融することも任意に備えることによって、凝固工程を用いた改善された制御及び前記インゴット内の酸素及び炭素不純物の低下したレベルを可能にする、半導体グレードの多結晶シリコンのインゴットの方向性凝固の方法であって、坩堝の下部の壁厚は、下部を横切る熱抵抗が、坩堝を支持する下にある支持体を横切る熱抵抗と少なくとも同一のオーダーのレベルまたはそれ未満まで低下されるように採寸される。
（もっと読む）

【課題】坩堝内部への水分流入を防止し、光学性能（透過率など）に優れた結晶を製造することができる結晶製造装置を提供する。
【解決手段】坩堝１０の内室ＩＲのガス圧が坩堝１０の外室ＯＲの圧力又は処理炉ＰＦの圧力よりも低い場合には、外蓋１４は内蓋１２に載置された状態を維持するので、坩堝１０の外部から坩堝１０の内室ＩＲへの水分などの流入を防止することができる。一方、坩堝１０の内室ＩＲのガス圧が坩堝１０の外室ＯＲの圧力又は処理炉ＰＦの圧力よりも高い場合には、外蓋１４が内蓋１２から持ち上がり、坩堝１０の内室ＩＲのガスは、開口部１２ａを介して、坩堝１０の外室ＯＲに排出され、更に、開口部１１を介して、坩堝１０の外部に排出される。このように、開口部１２ａを有する内蓋１２と、開口部１２ａを覆う外蓋１４とが、逆止弁の機能を実現する。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線やそれ以外の手段による精密測定を行うことなく、フッ化物単結晶表面の（１１１）面からの方位のずれを十分簡易に把握することができるフッ化物結晶の熱処理方法を提供する。
【解決手段】多孔質部材７を備える基台６Ｃ上に、（１１１）面とのなす角度が−１５〜＋１５°である平滑面を有するフッ化物の単結晶１１を、平滑面と多孔質部材７とが対面接触するように載置した状態で、熱処理炉１０内において最高温度が１０００℃以上となるように単結晶１１に加熱処理を施すフッ化物結晶の熱処理方法。 （もっと読む）

【課題】溶媒の熱対流による原料の舞い上がりを防止し、粉体の原料を用いた場合であっても高品質な結晶を製造でき且つ原料効率の高い結晶製造方法および結晶製造装置を提供する。
【解決手段】反応容器中で、（１）超臨界状態および／または亜臨界状態の溶媒、並びに、（２）原料を用い、結晶を成長させる結晶製造方法であって、前記反応容器は前記原料を充填する原料充填部としてるつぼを備え、且つ、前記るつぼへの原料の充填量がｈ≧Ｄ／２（ｈはるつぼの上端から充填した原料上面までの距離、Ｄはるつぼの内直径）を満たす、或いは、前記るつぼが一つ以上の開口部を有する蓋を有することを特徴とする結晶製造方法およびこれに用いられる結晶製造装置。 （もっと読む）

【課題】クラックが発生することなく均一な組成を有するＬＴＧＡ（Ｌａ−Ｔａ−Ｇａ−Ａｌ酸化物）単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】坩堝３の内部にＬＴＧＡ種結晶５を充填すると共に、ＬＴＧＡ種結晶５上にＬＴＧＡ原料６を積み重ねて充填する充填工程と、坩堝３の垂直方向に温度勾配を有する炉の内部に坩堝３を配置し、ＬＴＧＡ原料６を融解して融液を形成する融解工程と、融液を下方から上方に向けて漸次固化させてＬＴＧＡ単結晶を育成する育成工程とを備え、ＬＴＧＡ原料６は、ＬＴＧＡ種結晶５から最も離間した部分のランタン及びタンタルの含有量が、それぞれＬＴＧＡ種結晶５と接する部分と比較して高い。 （もっと読む）

【課題】原料の溶媒に対する溶解速度を向上させ、十分な結晶の成長速度を安定して維持することができる結晶製造方法および結晶製造装置を提供する。
【解決手段】反応容器中で、（１）超臨界状態および／または亜臨界状態の溶媒、並びに、（２）原料を用い、結晶を成長させる結晶製造方法であって、前記反応容器は前記原料を充填する１以上の原料充填部を備え、且つ、前記原料充填部の各内部水平断面積の最大値の合計が、前記反応容器の内部水平断面積の１．１倍以上であることを特徴とする結晶製造方法およびこれに用いられる結晶製造装置。 （もっと読む）

【課題】縦型ブリッジマン法による単結晶の結晶成長において、結晶径が大きく、かつ、結晶長が長い高品質の単結晶を、効率よく製造する。
【解決手段】縦型ブリッジマン法により単結晶を製造する単結晶製造装置において、原料を配置した筒状の炉芯管と、上記炉芯管の外周側を被覆するように配置されるとともに、該被覆された領域における上記炉芯管内の温度を制御して上記炉芯管内の上記原料を熔解する熔解手段と、上記炉芯管の外周側を被覆するように配置されるとともに、該被覆された領域における上記炉芯管内の温度を制御して上記炉芯管内における上記原料の結晶化後に該結晶を凝固点よりも低い温度で保持する均熱手段とを有し、上記熔解手段と上記均熱手段とを所定の間隙を有するようにして分離して配置し、上記炉芯管の外周面において上記熔解手段と上記均熱手段とにより被覆されていない領域を形成した。 （もっと読む）

【課題】良好なキャリア濃度分布を有するＳｉドープＧａＡｓ単結晶並びにその製造方法及び装置を提供する。
【解決手段】縦型ボート法による結晶育成過程において、液体封止剤層中に含まれるＳｉの濃度が液体封止剤層とＧａＡｓ原料融液層との界面近傍の下部で高く、この界面から離れて上部にいくにしたがって急激に低くなる性質を利用し、結晶育成過程の適正な時期に液体封止剤層を撹拌することにより、ＧａＡｓ原料融液層中のＳｉ濃度を制御し、単結晶中の位置を結晶育成過程における結晶の固化率ｇで表して（１−ｇ）の対数値を横軸にとり、各固化率で特定される位置における単結晶中のキャリア濃度の対数値を縦軸にとったグラフに表される曲線が、固化率ｇが０．１〜０．８の範囲において、勾配が負の値を持ち、かつその勾配の絶対値が０．６より大きい直線と勾配の絶対値が０．６以下の直線とが接続されたものであるＳｉドープＧａＡｓ単結晶を得る。 （もっと読む）

【課題】真空紫外域において、高透過率及び高屈折率を有する光学素子を提供する。
【解決手段】光の吸収端が１９０ｎｍ以下であり、真空紫外光に使用される光学素子であって、スカンジウムを含むフッ化物で構成されることを特徴とする光学素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】固液界面が結晶成長全般に亘り、結晶成長軸方向に垂直の形状、または原料融液側に凸形状となるような固液界面制御を可能とする化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】容器２底部に種結晶Ｓを収納すると共に、その種結晶Ｓの上に原料融液Ｍを収納し、容器２底部から上部に向かって温度が高くなる温度勾配となるように容器２を加熱し、種結晶Ｓより結晶成長を開始して徐々に上方に結晶化を進行させ、原料融液Ｍ全体を結晶化させる化合物半導体単結晶の製造方法において、結晶化の進行に伴い、既結晶化部分の温度勾配を徐々に大きくして結晶化速度を結晶成長の開始から結晶成長の完了にわたって概ね同一にする方法である。 （もっと読む）

【課題】ＧａＡｓウェハの面内転位密度（ＥＰＤ値）及び残留応力を一定範囲に絞り込むことにより、イオン注入後の活性化アニールの如き熱処理においてスリップ転位の発生をなくした半絶縁性ＧａＡｓウェハの提供。
【解決手段】ＬＥＣ法又は縦型融液法（ＶＢ法、ＶＧＦ法）によりＧａＡｓ単結晶１０を成長させる際の結晶中の温度勾配を２０℃／ｃｍ以上１５０℃／ｃｍ以下とすることにより、ウェハ面内の転位密度（ＥＰＤ）を、３０，０００個／ｃｍ^２以上１００，０００個／ｃｍ^２以下とする。ＧａＡｓ単結晶１０を成長させた後、ＧａＡｓ単結晶１０にアニールを実施する際に、アニール時の最高到達温度を９００℃以上１１５０℃以下とし、かつＧａＡｓ単結晶１０中の温度勾配を０℃／ｃｍ以上１２．５℃／ｃｍ以下とすることにより、光弾性測定で得たウェハ面内残留歪値（｜Ｓｒ-Ｓｔ｜）を、１．８×１０^-５以下の範囲とする。 （もっと読む）

【課題】ステッパー用レンズ材料として用いた場合に、十分な解像性能が得られるフッ化物単結晶を提供すること。
【解決手段】結晶育成方向軸に垂直な断面の形状が円形状であり、その短径が５０ｍｍ以上であるフッ化物単結晶であって、当該単結晶を結晶育成方向軸に対して垂直に略三等分し、略三等分された各々の単結晶について、結晶育成方向軸と垂直な面における屈折率均一性のＲＭＳ値を求めた場合に、その最小値ｙを最大値ｘで除した値（ｙ／ｘ）が０．５以上であるフッ化物単結晶。 （もっと読む）

【課題】クラックが発生することなく均一な組成を有するランガテイト単結晶の製造方法を提供すること。
【解決手段】坩堝３の内部にランガテイト種結晶５を充填すると共に、ランガテイト種結晶５上にランガテイト原料６を積み重ねて充填する充填工程と、坩堝３の垂直方向に温度勾配を有する炉の内部に坩堝３を配置し、ランガテイト原料６を融解して融液を形成する融解工程と、融液を下方から上方に向けて漸次固化させてランガテイト単結晶を育成する育成工程とを備え、ランガテイト原料６は、ランガテイト種結晶５から最も離間した部分のランタン及びタンタルの含有量が、それぞれランガテイト種結晶５と接する部分と比較して高い。 （もっと読む）

【課題】短波長で高出力の光を長期間繰り返し照射した場合であっても、透過率特性が劣化し難い蛍石、それよりなる光学部品及び該光学部品を用いたフォトリソグラフィー用の露光装置を提供する。
【解決手段】蛍石は、１３５ｎｍの波長の光に対する内部透過率が７０％以上である。蛍石は、ストロンチウムを含む蛍石であって、ストロンチウムの含有量が１ｐｐｍ以上６００ｐｐｍ以下である。エキシマレーザー用の光学系は、蛍石又はストロンチウムを含む蛍石からなるレンズを有する。フォトリソグラフィー用の露光装置は、蛍石からなるレンズを有する光学系と、露光される基板を保持するステージとを備えている。フォトリソグラフィー用の露光装置は、ストロンチウムを含む蛍石からなるレンズを有する光学系と、露光される基板を保持するステージとを備えている。 （もっと読む）

【解決課題】 ブリッジマンるつぼ等に適用可能であり、長寿命でより高温での使用が可能な薄肉の耐熱容器を提供すること。
【解決手段】 本発明は、イリジウムからなり、厚さ０．３ｍｍ以下の薄肉の耐熱容器であって、イリジウム塩を含む溶融塩の溶融塩電解により形成されるイリジウム製耐熱容器である。この容器の構成材料は、貴金属を除く不純物元素の合計濃度が１００ｐｐｍ以下であり、更に、イリジウムを除く貴金属の合計濃度が１００００ｐｐｍ以下であるものが好ましい。 （もっと読む）

【解決課題】 融点１７００℃以上の高融点の単結晶材料を効率的に製造可能であり、欠陥の少ない高品質のものを製造可能な方法を提供すること。
【解決手段】 本発明は、金属又は金属化合物からなり、融点が１７００℃以上である高融点単結晶材料の製造方法において、単結晶種子が封入されたるつぼを、温度勾配を有する炉内を移動させて単結晶を育成するブリッジマン法を用いて単結晶を製造する方法である。ここで、使用するるつぼとしては、電気鋳造法により製造されたイリジウムよりなる厚さ０．３ｍｍ以下の薄型るつぼガ好ましい。 （もっと読む）

【課題】 半絶縁性ＧａＡｓウエハの研削加工に起因するマイクロクラックを除去し、アニールの際のスリップを防止する。
【解決手段】ＧａＡｓインゴット１０より切り出された半絶縁性ＧａＡｓウエハ１１の外周縁部１３に研削加工により面取り部１２を形成し、この半絶縁性ＧａＡｓウエハ１１にイオンを打ち込んだ後、アニール処理するようにした半絶縁性ＧａＡｓウエハ製造方法において、前記半絶縁性ＧａＡｓウエハの前記面取り部１２を含む外周縁部１３に所定量の鏡面研磨加工を施して前記研削加工によって発生したマイクロクラックを除去することにより、アニールの際のスリップを防止する。 （もっと読む）

【課題】１台の結晶製造装置により、複数の単結晶を、１回の結晶製造工程で同時に製造する。
【解決手段】炉内に保持されたるつぼ３１内に種子結晶３４を配置し、るつぼ３１内に充填された原料３２を加熱液化し、るつぼ３１の下方より上方に向かって、液体原料を徐冷することにより結晶成長させる結晶製造装置において、炉内に複数個のるつぼ３１を設置した１または複数のるつぼホルダ３８を備え、１回の製造工程で複数個の結晶を製造する。 （もっと読む）

【課題】原料溶液の温度分布を局所的に制御することにより、高品質結晶を歩留まりよく成長させる。
【解決手段】炉１０内に保持されたるつぼ１内に種子結晶を配置し、るつぼ１内に充填された原料を加熱溶解し、るつぼ１の下方より上方に向かって、原料溶液を徐冷することにより結晶成長させる結晶製造装置において、炉１０内の温度を結晶成長に適した温度に調整する発熱体６と、るつぼ１の底部に接して配置された冷却板７と、冷却板７と熱的に結合され、熱媒体を流すことにより冷却板７を冷却する冷却管８とを備え、熱媒体の流量を制御して、るつぼ１内の原料溶液の温度勾配を制御する。 （もっと読む）