【課題】特にるつぼ水平方向の温度揺らぎを低減することにより、単結晶化歩留まりの高い、化合物半導体単桔晶の製造装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】高圧容器１内に、少なくとも化合物半導体原料５を入れるるつぼと、該るつぼ内の前記原料５を加熱溶融するヒーター３，４を具備し、加熱溶融した原料融液を融液下部あるいは上部から徐々に冷却し固化させることにより化合物半導体単桔晶を製造する装置において、前記るつぼの内径（ｄ）に対して前記ヒーター３，４の内径（Ｄ）を１．５〜３．０倍（Ｄ／ｄ＝１．５〜３．０）としたヒーター３，４を用いる。 （もっと読む）

【課題】大形で均一組成、歪みの小さな分解溶融型あるいは非調和組成物質の単結晶を高い歩留まりで成長させる方法を提供する。
【解決手段】成長結晶３の形状を規定する容器１内に種子結晶２と成長結晶３の大部分または一部となる組成の初期原料を収納し、るつぼ１を加熱して初期原料の全てと種子結晶２の一部を加熱融解して初期融液４とし、その後未融解種子結晶部２を種子として結晶成長を開始（種子付け）し、融液４を徐々に一方向から凝固させて所望の組成および形状の単結晶３を成長させる結晶成長方法において、初期融液４の組成と異なる組成の追加融液９を結晶成長工程で連続的にまたは間欠的にあるいは一時的に追加する方法と手段を適用して、初期原料融解と種子付け工程、結晶本体成長工程、結晶成長終了工程全ての結晶成長工程で必要かつ最適な融液組成を実現し一方向凝固結晶成長を実現する。 （もっと読む）

【課題】化合物単結晶の断面における結晶の面方位を特定することができ、かつ１つの断面から複数個のウェハを切り出す場合でも単結晶のへき開により１つの断面を複数個のウェハ単位に分割することが可能な化合物単結晶の製造方法に用いられる単結晶成長用容器を提供する。
【解決手段】単結晶成長用容器は、下部に種結晶収容部を有し、上部にるつぼ上部１ｃを有し、種結晶収容部は内部に種結晶を収容した場合に種結晶が周方向に回転できないような構成を有し、かつるつぼ上部１ｃの横断面形状が仮想の正四角形Ｐに沿う直線部分を正四角形Ｐの各辺に有するとともにラウンド形状のコーナー部１ｃ₁を有し、るつぼ上部１ｃの横断面形状はコーナー部１ｃ₁以外に仮想の正四角形Ｐに対して内側にラウンド状に窪んだ部分を有する。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥の少ない高品質な半導体結晶を再現性よく得ることにある。
【解決手段】結晶成長用のルツボ６を加熱するためのヒータ３を有する炉内にルツボ６を設置し、ルツボ６内に収容された半導体融液５をルツボ６の底部に設けられた種結晶１０と接触させ、半導体融液５を種結晶１０側から上方に向けて徐々に固化させて半導体結晶を製造する方法であって、ヒータ３からルツボ６への熱線を遮蔽するための熱線遮蔽治具４を徐々に上方に移動させ、熱線遮蔽治具４の移動に伴って半導体結晶１２の成長を進行させるようにした。 （もっと読む）

複数のシリコン芯を製造する高周波コイル引き孔の配置であって、高周波コイル技術分野に属し、本発明が分流槽の位置配置を変化し、且つ前記「Ｃ」形の分流槽と補助電流引導孔によって補助され、又は２つの引き孔がその間に分流槽によって接続されてバーベル状均部に形成され、分流槽外端の引き孔が放射状に形成され、電流が流れる時に、分流槽又は分流槽と補助電流引導孔の分流作用下で、ほぼ均一に前記各引き孔に回って流れ、分流槽の補助下での電流が更に均一に各引き孔の周囲に分布できるため、電流が引き孔の周囲に均一に分布する目的を達成し、不良品の数も低減する。
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【課題】 ２５０ナノメートル（ｎｍ）より短波長の電磁放射の透過に用いることができるフッ化カルシウム結晶光学素子において、レーザ耐久性を改善する。
【解決手段】 本発明の光学素子は、主成分としてのＣａＦ_２及び、一実施形態において、＞０.３〜１２００ｐｐｍ Ｍｇ，＞０.３〜２００ｐｐｍ Ｓｒ，＞０.３〜２００ｐｐｍ Ｂａから選ばれる少なくとも１つのドーパント／量を含むが、Ｃｅ及びＭｎは＜０.５ｐｐｍである。ドープト結晶及びこの結晶からつくられる光学素子は２.８Ｍｒａｄをこえるγ線照射後に０.３より小さい５１５/３８０ｎｍ透過率減衰比を有する。 （もっと読む）

【課題】垂直ブリッジマン法においても、結晶を成長させる第１容器に、第２容器が保持している融液を供給することができ、かつ融液供給時に第１容器内の融液に振動が生じることを抑制できる結晶成長装置及び結晶成長方法を提供する
【解決手段】第１容器１００は、種結晶５０及び結晶成長用の融液５２を保持する。第２容器２００は、補充用の融液５４を保持する。融液供給部は、第２溶液２００内に保持されている補充用の融液５４を第１容器１００に供給する。融液供給部は、開口部２２０と、案内部を備える。開口部２２０は、第２容器２００の側壁または上面に設けられ、第１容器１００内における融液５２の液面より高く位置する。案内部は、開口部２２０からオーバーフローした補充用の融液５４を伝わせることにより、融液５４を第１容器１００内の融液５２の液面に案内する。 （もっと読む）

【課題】種結晶配置部と種結晶との間にＢ_２Ｏ_３を充填することなく、種結晶配置部と種結晶との間への半導体融液の流入を再現性よく抑制することが可能な半導体結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ルツボ２内の底部に設けられた種結晶配置部２０内に種結晶４を配置し、ルツボ２内における種結晶４より上方を半導体融液３で満たし、半導体融液３を種結晶４側から鉛直方向上方に向けて徐々に固化させる半導体結晶の製造方法において、種結晶配置部２０の内壁面及び種結晶４の外側面に、鉛直方向上方から下方に向けて水平方向の径が徐々に小さくなるような傾斜面をそれぞれ形成する。 （もっと読む）

【課題】垂直グラジェントフリージング（ＶＧＦ）法および垂直ブリッジマン（ＶＢ）法により、結晶成長方向の炭素濃度が一定な半絶縁性ＧａＡｓ単結晶の製造する方法および装置を提供する。
【解決手段】石英アンプル１内に、ＧａＡｓ原料５およびＢ₂Ｏ₃６を入れたるつぼ３と、蒸気圧制御用のＡｓ７と、Ｇａ₂Ｏ₃、Ａｓ₂Ｏ₃よりなる群から選ばれた１または２以上の化合物、あるいは、一酸化炭素、二酸化炭素よりなる群から選ばれた１または２以上の化合物よりなる酸素供給源８を封入し、石英アンプル中のＣＯガス濃度を制御しながら結晶成長を行なう。 （もっと読む）

【課題】低コストで製造することができる大型で良質な半導体結晶を提供する。
【解決手段】化合物からなる半導体結晶５０であって、直径が６インチ以上であり、平均転位密度が１×１０⁴ｃｍ^-2以下である。半導体結晶５０はＧａＡｓであるか、または、ＣｄＴｅ、ＩｎＡｓおよびＧａＳｂからなる群から選ばれるいずれか１つであって、単結晶である。半導体結晶５０のボロン濃度は、３×１０¹⁶ｃｍ^-3以下である。さらに、インゴットの固化率０．１〜０．８の領域にわたるカーボン濃度は、０．５×１０¹⁵ｃｍ^-3〜１．５×１０¹⁵ｃｍ^-3である。 （もっと読む）

砒化ガリウム出発原料を溶融し、次いで砒化ガリウム溶融物を凝固させることによって、ドープされた砒化ガリウム単結を製造する方法であって、前記砒化ガリウム溶融物は、化学量論的組成に対して過剰なガリウムを含み、前記溶融物又は得られる結晶のホウ素濃度は、少なくとも５ｘ１０^１７ｃｍ^−３である方法が開示される。このように得られた結晶は、特に近赤外線の範囲において、低転位密度や高導電性、更に優れた低光吸収性を独自に組み合わせた特徴を有する。
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【課題】インゴットの最終凝固部付近における多結晶化を抑制し、また最終凝固部付近における転位の発生を抑制する方法を提供する。
【解決手段】ルツボ２０内の底部に配置した種結晶３０とルツボ２０内に収容した半導体融液１００とを接触させつつ、半導体融液１００を種結晶３０側から上方に向けて徐々に固化させる半導体結晶の製造方法において、半導体融液１００上に液体封止材１１０と熱線透過抑制材１２０とを設け、液体封止材１１０には半導体融液１００内からの成分の揮発を抑制させ、熱線透過抑制材１２０には液体封止材１１０を介した半導体融液１００からの熱線の透過を抑制させる。 （もっと読む）

【課題】 ＵＶ／ＶＵＶ領域の波長のレーザーに対する強誘電体フッ化物結晶のレーザー耐久性を簡便に評価する評価方法、及び、このレーザー耐久性評価方法による強誘電体フッ化物結晶の選別方法を提供すること
【解決手段】 本発明の評価方法では、強誘電体フッ化物結晶からなる測定結晶に、波長νのエネルギー線を照射して、このエネルギー線が前記測定結晶を透過する初期透過率Ｔ１を測定し、測定結晶に、エネルギー密度５〜１００（ｍＪ／ｃｍ^２・パルス）のＡｒＦエキシマレーザー又はＫｒＦエキシマレーザーを１０^４パルス以上照射し、測定結晶に、上記波長νのエネルギー線を照射して、このエネルギー線が前記測定結晶を透過するレーザー照射後透過率Ｔ２を測定し、これらのＴ１及びＴ２を用いて、下記計算式（１）；
透過率の減少率（％）＝（Ｔ１−Ｔ２）／Ｔ１×１００ ・・・（１）
により測定結晶の透過率の減少率（％）を算出する。そして、この透過率の減少率の値により測定結晶のレーザー耐久性を評価する。 （もっと読む）

【課題】単結晶成長方向におけるチタン酸鉛の組成変動が抑制されたPb(Mg，Nb)O3の組成式をもつリラクサーと、PbTiO3の組成をもつチタン酸鉛とからなる全率固溶型圧電単結晶インゴット及びその製造方法、並びに、該全率固溶型圧電単結晶インゴットから作製される均一な圧電特性を有し、低コストで製造可能な圧電単結晶素子を提供する。
【解決手段】Pb(Mg，Nb)O3の組成式をもつリラクサーと、PbTiO3の組成をもつチタン酸鉛とからなる全率固溶型圧電単結晶インゴット１の製造において、前記リラクサーに対する前記チタン酸鉛の偏析係数を考慮して、前記チタン酸鉛の組成分率が、単結晶成長方向Ａに単調変化することなく、かつ前記組成分率の変動が30mm以上の長さＬにわたって±2.0mol％以下となるように、前記リラクサー原料を、育成ルツボ中に連続的に供給する。 （もっと読む）

【課題】ＵＶ／ＶＵＶ（紫外・真空紫外）領域においてＳＨＧ（第２高調波発生）を得ることができ、しかも、ＵＶ／ＶＵＶ領域の波長のレーザーに対して高い耐久性を有する強誘電体フッ化物結晶を提供する。
【解決手段】Ｂａ１−ｙ（Ｍｇ１−ｘＺｎｘ）１＋ｙＦ４（但し、０≦ｘ≦１且つ−０．２≦ｙ≦０．２）で表されるフッ化物の結晶において、結晶中に含まれるカリウム、ナトリウム、ルテチウムの総量を、重量濃度で３０ｐｐｍ以下とすることにより、エネルギー密度５〜１００（ｍＪ／ｃｍ２・Ｐｕｌｓｅ）のＡｒＦエキシマレーザーを１０４パルス以上照射したときの、波長１９３ｎｍの光に対する透過率低下が厚さ５ｍｍあたり１０％以下である強誘電体フッ化物結晶がえられる。 （もっと読む）

垂直ブリッジマン法を用いて新規な溶融物から成長させた三元系単結晶リラクサ圧電性物質、及び三元系単結晶リラクサ圧電性物質を作成するための方法。該三元系単結晶は、少なくとも１５０℃のキュリー温度Ｔ_ｃ、及び少なくとも約１１０℃の菱面体晶から六方晶への相転移温度Ｔ_ｒｔによって特徴付けられる。該三元系の結晶は、更に、少なくとも約１２００〜２０００ｐＣ／Ｎの範囲における圧電係数ｄ_３３を示す。 （もっと読む）

【課題】不純物の含有量が十分に少ない原料を製造するのに有用な原料蒸留用器具を提供すること。また、この原料蒸留用器具による蒸留処理を経た原料からシンチレータ用結晶を製造する方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係る原料蒸留用器具１０は、シンチレータ用結晶の製造に使用する原料を蒸留するためのものであって、被処理原料を収容する原料収容部１２と、この原料収容部１２の加熱により気化した原料が固体の状態で付着する内壁面１４ａを有する原料固化部１４と、原料収容部１２と原料固化部１４とを連通する屈曲した流路１６ａを有する屈曲部１６とを備える。 （もっと読む）

【課題】種子結晶近傍の温度分布を局所的に制御して、最適な温度条件により、高品質結晶を歩留まりよく成長させる結晶製造装置を提供する。
【解決手段】炉内に保持されたるつぼ１１内に種子結晶１４を配置し、るつぼ１１内に充填された原料溶液を加熱溶解し、るつぼ１１の下方より上方に向かって、原料を除冷することにより結晶１３を成長させる結晶製造装置において、種子結晶１４の近傍を局所的に冷却または加熱する温度制御手段を備えた。温度制御手段は、るつぼの外側に取り付けられた中空構造の螺旋型のパイプ２７ａ，２７ｂとし、冷媒の流量調整により温度を制御する。 （もっと読む）

【課題】垂直ブリッジマン法による、たとえばＫ（Ｔａ，Ｎｂ）Ｏ３結晶の作製において、種子結晶近傍の温度分布を局所的に制御して、最適な温度条件により、高品質結晶を歩留まりよく成長させる結晶製造装置を提供する。
【解決手段】炉内に保持されたるつぼ１１内に種子結晶１４を配置し、るつぼ１１内に充填された原料溶液を加熱溶解し、るつぼ１１の下方より上方に向かって、原料を除冷することにより結晶成長させる結晶製造装置において、前記種子結晶１４が配置される前記るつぼ１１の外側に取り付けられた中空構造のキャップ１７と、前記中空構造を流れる冷媒の流量調整を行う手段とを含む温度制御手段を備える。前記キャップ１７の代わりに螺旋型のパイプを用いてもよい。前記温度制御手段は、前記種子結晶１４の近傍を局所的に冷却して温度制御するだけでなく、前記キャップ１７にヒータを内包させて、冷却と加熱の両方で温度制御することも可能である。 （もっと読む）

【課題】縦型ボート法において、双晶不良の発生を抑制する結晶成長用ルツボを提供する。
【解決手段】一方に円錐台形の肩部５を備えた円筒形の直胴部６と、前記肩部５の先端に設けられ種結晶３を収納する細径部４とを有し、前記肩部５及び前記直胴部６に収容される結晶原料融液を、前記細径部４から前記直胴部６へ向かって結晶成長させる結晶成長用ルツボ１において、前記肩部５の内壁面に、結晶成長方向に対してほぼ垂直に、円周状の凹溝８を所定の間隔を隔てて複数形成するものである。 （もっと読む）