【課題】半導体結晶中のカーボン濃度の再現性が良好で、高濃度の酸化炭素ガスを発生させることが容易で、かつ炉外部から一酸化炭素ガスを供給する必要のないＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】るつぼ１内に、ＧａＡｓ原料４および酸化ホウ素５が充填され、るつぼ１内で蒸発した酸化ホウ素５に起因したガス状物質と反応するように固体カーボン６が配置され、ＧａＡｓ原料４が加熱溶融された後に固化されて、カーボンが添加されたＧａＡｓ単結晶が形成される。ＧａＡｓ原料４にはるつぼ１内に充填される前に予めカーボンが添加されている。 （もっと読む）

【課題】高品質な半導体結晶を再現性よく得ることのできる半導体結晶成長方法を提供することにあり、更には、転位密度の均一な半導体結晶を提供する。
【解決手段】ＶＧＦ法による結晶成長炉１は、ルツボ２０内に収容した融液３４を、ルツボ２０の一端に設置された種結晶３０と接触させた状態で、ルツボの側面側及びルツボの開口部側から加熱することにより、少なくとも結晶成長中は、開口部側から加熱する温度を側面側から加熱する温度よりも高く保持して、種結晶３０側のルツボ２０の一端を、ルツボ２０の他端（ルツボ２０の開口部側）よりも低温に保持しつつ、融液３４の温度を降下させて、種結晶３０側からルツボ２０の他端に向けて融液３４を徐々に固化させ、化合物半導体結晶の単結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】結晶育成方向軸に垂直な断面の直径が７０ｍｍ以上であって、ステッパー用レンズ材料として用いた場合に十分な解像性能が得られるフッ化物単結晶、及び、その育成方法、並びに、かかるフッ化物単結晶からなるレンズを提供する。
【解決手段】結晶育成方向に沿って温度勾配のある結晶成長炉内で育成後、前記結晶成長炉内で単結晶の融点未満の均一な温度に再加熱され、冷却することにより製造されたフッ化物単結晶１０であって、断面が直径７０ｍｍ以上の略円形状を有し、波長２４８ｎｍ、エネルギー密度５０ｍＪ／ｃｍ^２、パルス幅１０^５ｓｈｏｔ、周波数１００ＨｚのＫｒＦレーザーを前記断面の中心部に照射した前後の透過率の変化値が、０．００≦（ΔＴ_２−ΔＴ_１）≦０．２０（ΔＴ_１は前記断面の中心部におけるＫｒＦレーザー照射前後の透過率の変化値、ΔＴ_２は前記断面の外周部におけるＫｒＦレーザー照射前後の透過率の変化値）の条件を満たす。 （もっと読む）

【課題】主表面上に少なくとも１層の３種類以上の元素を含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させても高い特性を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体デバイスが得られるＧａＡｓ半導体基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＡｓ半導体基板１０は、主表面１０ｍが（１００）面１０ａに対して６〜１６°の傾斜角θを有し、主表面１０ｍにおける塩素原子濃度が１×１０¹³ｃｍ^-2以下である。また、ＧａＡｓ半導体基板１０の製造方法は、ＧａＡｓ半導体ウエハを研磨する研磨工程と、研磨されたＧａＡｓ半導体ウエハを洗浄する１次洗浄工程と、１次洗浄後のＧａＡｓ半導体ウエハの厚さおよび主表面１０ｍの粗さを検査する検査工程と、検査後のＧａＡｓ半導体ウエハを塩酸以外の酸およびアルカリのいずれかにより洗浄する２次洗浄工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ブリッジマン法によるフッ化物結晶の新規な製造方法、および新規なルツボを提供する。
【解決手段】縦型ブリッジマン法によるフッ化物結晶の製造方法において、原料粉体を充填するルツボ空洞部２１の断面形状のうち、最も短い距離を最短径と定義したときに、ルツボ２０の空洞部２１の断面は、最短径を例えば２．５ｃｍ以下と小さくする。前記空洞部の形状は鉛直とは限らず、多くの、たとえばカーブを描いたものや、らせん状のものなど、目的とする用途に合った形状を作製することが可能であり、また、ルツボは、いくつかに分割することもできる。このように分割することにより、最短径が非常に小さなフッ化カルシウム結晶を作製することができる。最短径を小さくすることにより、結晶内に残留する光学的ひずみが小さくなり、実際に使用する小型の結晶を大型結晶から切り出すよりも実用上有利であり、また小型の方が成長速度を早く、転位密度が減少する。 （もっと読む）

【課題】シリコン、ゲルマニウム等の結晶質材料のブロックを製造するための、伝導による熱除去を精密に調整可能なブリッジマン型の装置を提供する。
【解決手段】溶融材料１９の槽から結晶質材料２０のブロックを製造するための装置は、底部３を有する坩堝２と、坩堝２の下方に配置された熱除去手段９とを備える。また、装置は、坩堝の底部３と熱除去手段９との間に取り付けられた熱伝導率を調整するための手段７を備える。熱伝導率を調整するための手段７は、低放射率の熱伝導性材料から製造されかつ坩堝の底部３に平行な複数のプレート１０と、プレート１０がお互いに近づきかつ遠ざかるようにプレート１０を移動させるための手段８とを備える。 （もっと読む）

【課題】原料の溶融物から結晶を製造するための構成および単結晶を提供すること。
【解決手段】原料の溶融物（１６）から結晶を製造するための構成（１）は、第１の方向（１８）に指向する勾配温度領域（Ｔ）を発生するように構成される１つ以上の加熱要素を有する加熱装置（２０、２１）を含む炉と、勾配温度領域（Ｔ）に並べて配置され、溶融物（１６）を収容する少なくとも２つの複数のルツボ（１４）と、少なくとも２つのルツボ（１４）内において、第１の方向（１８）に垂直な面内の温度領域（Ｔ）を均一化するための装置（２１ａ、２１ｂ、４６、２６）とを備える。その装置は、ルツボ（１４）間の空間（２３）内に配置される充填材料（２４）を含み、径方向に向けた熱移動を発生させるため、充填材料（２４）に異方性熱伝導率を生じさせる。その構成は、充填材料（２４）に協同する移動磁界を発生させる装置でもよい。 （もっと読む）

【課題】不純化合物析出物または不純化合物介在物、特に太陽電池の電気特性に影響を及ぼす炭化シリコンの形成を防止すること。
【解決手段】本発明の一態様は、結晶シリコン、特にはポリクリスタルシリコンまたはマルチクリスタルシリコンを製造する方法および装置であって、シリコン出発材料の溶融物が形成され続いてシリコン溶融物は方向性凝固により凝固される。シリコン溶融物の上方に気体、液体、または固体の形態で相または材料が提供され、シリコン溶融物中の酸素、炭素、または窒素から選択される外来原子の濃度、すなわち凝固された結晶シリコンが制御可能である、および／または酸素ガス、炭素ガス、および窒素ガス、または酸素、炭素、および窒素から選択された少なくとも１つの元素を含むガス種から選択されるガス成分の分圧が、シリコン溶融物の上方におけるガス相において調整可能および／または制御可能である。 （もっと読む）

【課題】高品質でかつ高収率のコランダム単結晶インゴットの育成方法を、このインゴットから作製された高輝度発光素子用の高品質かつ高収率のコランダム単結晶と共に提供する。
【解決手段】コランダムの単結晶を育成するに際し、原料を容器内に収納した後、該容器を炉内に導く一方、炉内には炉の上部を高温とし、下部に向けて 0.1〜10.0℃／mmの温度勾配を付与した領域を設けておき、該容器を炉の上部から下部に向けてこの温度勾配を付与した領域を移動させることによって、該容器内の原料を一方向に凝固させる。 （もっと読む）

【課題】低コストで製造することができる大型で良質な半導体結晶を提供する。
【解決手段】化合物からなる半導体結晶５０であって、直径が６インチ以上であり、平均転位密度が１×１０⁴ｃｍ^-2以下である。半導体結晶５０においては、平均転位密度が５×１０³ｃｍ^-2以下であることが好ましく、また、直径が８インチ以上であることが好ましい。化合物の材料としては、ＧａＡｓとするか、または、ＣｄＴｅ、ＩｎＡｓおよびＧａＳｂからなる群から選ばれるいずれか１つとする。 （もっと読む）

【課題】良好なキャリア濃度分布を有するＳｉドープＧａＡｓ単結晶並びにその製造方法及び装置を提供する。
【解決手段】液体封止剤を用いた縦型ボート法によるＳｉドープＧａＡｓ単結晶の製造方法による結晶育成過程において、適正な時期に液体封止剤層を撹拌することにより、ＧａＡｓ原料融液層中のＳｉ濃度を制御し、単結晶中の位置を結晶育成過程における結晶の固化率ｇで表して（１−ｇ）の対数値を横軸にとり、各固化率で特定される位置における単結晶中のキャリア濃度の対数値を縦軸にとったグラフに表される曲線が、固化率ｇが０．１〜０．８の範囲において、勾配が負の値を持ち、かつその勾配の絶対値が０．６より大きい直線と勾配の絶対値が０．６以下の直線とが接続されたものであるＳｉドープＧａＡｓ単結晶を得る。 （もっと読む）

【課題】ドープしたＦｅの析出が抑制されたＩｎＰ基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るＩｎＰ基板の製造方法は、ＦｅドープしたＩｎＰ融液２２を封止剤２６で封止しつつＩｎＰインゴットをＶＢ法により作製して、ＩｎＰ基板を作製するＩｎＰ基板の製造方法であって、封止剤２６として、含有水分が２００重量ｐｐｍ以下の酸化ホウ素（Ｂ₂Ｏ₃）を用いることを特徴とする。このＩｎＰ基板の製造方法においては、含有水分量を２００重量ｐｐｍ以下にして、Ｉｎ空孔を占有するＨ原子の数を低減している。そのため、ＩｎＰ基板にドープされたＦｅの原子が、Ｉｎ原子に置換されやすくなるため、Ｆｅの析出が抑制される。 （もっと読む）

【課題】デバイス製造時アニール処理後にスリップが発生しない半絶縁性ＧａＡｓウエハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半絶縁性ＧａＡｓ単結晶を成長させた後に、前記半絶縁性ＧａＡｓ単結晶をスライス加工して得られた半絶縁性ＧａＡｓウエハにおいて、前記半絶縁性ＧａＡｓウエハ面内の転位密度（以下、ＥＰＤと称する）が、
３０，０００個／ｃｍ²≦ＥＰＤ≦１００，０００個／ｃｍ²
であり、かつ、前記半絶縁性ＧａＡｓウエハの半径方向歪をＳｒ、円柱接線方向歪をＳｔとするとき、前記半絶縁性ＧａＡｓウエハ面内の残留応力｜Ｓｒ−Ｓｔ｜が、
｜Ｓｒ−Ｓｔ｜≦１．８×１０^-5
である。 （もっと読む）

【課題】ランガサイト系単結晶を用いて燃焼圧センサ等に用いた際におけるドリフトの発生問題を解消し、検出精度，安定性及び信頼性を飛躍的に高める方法を提供する。
【解決手段】垂直方向に温度勾配を有する加熱環境下における不活性ガス雰囲気中に坩堝部を配し、この坩堝部に種結晶を充填するとともに、この種結晶の上に原料を充填し、種結晶の一部及び原料を加熱融解させた後、坩堝部を少なくとも垂直方向に移動させてランガサイト系単結晶を作製するに際し、加熱環境をカーボン発熱体部を用いて生成し、かつこの加熱環境に不活性ガスを供給して不活性ガスが略１００〔％〕となる不活性ガス雰囲気を生成するとともに、この不活性ガス雰囲気中に坩堝部を配し、１７５〔℃〕の温度環境下における電気抵抗率が１０¹²〔Ωｃｍ〕以上となるランガサイト系単結晶を作製する。 （もっと読む）

【課題】ＶＢ法、ＶＧＦ法によって製造された化合物半導体単結晶基板において、化合物半導体単結晶基板面内のキャリア濃度をより均一化した化合物半導体単結晶基板を提供する。
【解決手段】容器２の底部に予め配置した種結晶Ｓより結晶成長を開始し、徐々に上方に結晶化を進行させ、容器２内に収納した原料融液Ｍ全体を結晶化させ、得られた結晶を切断する方法によって製造された化合物半導体単結晶基板において、
以下の条件Ａ〜条件Ｃのうち、
条件Ａ：基板面内のキャリア濃度の平均値が１．０×１０¹⁸〜５．０×１０¹⁹／ｃｍ³ 条件Ｂ：基板面内のキャリア濃度の最大値、最小値が、基板面内のキャリア濃度の平均値から±５％のばらつきの範囲内
条件Ｃ：基板面内の転位密度の平均値が０〜５０個／ｃｍ² の少なくとも２つの条件を満たすものである。 （もっと読む）

【課題】通常の光学機器や光リソグラフィー用の光学系に適し、さらには高度な光学性能が要求される半導体リソグラフィー用ステッパーの光学系に使用可能な大口径のCaF₂単結晶の製造方法を提供すること。
【解決手段】種子結晶の結晶育成方向軸に垂直な同一面内において、種子結晶の軸中心部と最外周部の温度差を６℃以下に保持すると共に、種子結晶の結晶育成方向の一端(Ａ)をCaF₂原料の溶融開始温度（1380℃〜1420℃）の温度に、もう一端（Ｂ）を（Ａ）の温度の９７％以下に相当する温度に保持して結晶を育成する方法。 （もっと読む）

【課題】結晶面方位の制御とグレインバウンダリーの発生による多結晶化の防止とを両立できる単結晶育成用ルツボを提供すると共に、このルツボにより育成される高品質のフッ化物結晶を提供する。
【解決手段】ルツボ本体２の原料収容部２Ｂ内で融解したフッ化物原料が冷却により結晶化する際、ルツボ本体２の小径周壁部２Ｃ側では、その周囲の放熱空間５及び円筒状支持部材６の複数の放熱窓６Ｃを通して十分に放熱される。その結果、ルツボ本体２の温度勾配は、種結晶を収容した種結晶収容部２Ｄを囲む小径周壁部２Ｃ側が低く、フッ化物原料を収容した原料収容部２Ｂを囲む大径周壁部２Ａ側が高い温度勾配に維持される。このため、原料収容部２Ｂ内で融解したフッ化物原料が結晶化する際の結晶成長は、種結晶収容部２Ｄに収容された種結晶を起点として開始され、種結晶を中心としてその結晶面に沿って放射状に進行する。 （もっと読む）

【課題】坩堝降下法（ブリッジマン法）や単結晶引上げ法（チョクラルスキー法）等の方法を用いて単結晶を製造する際に用いる原材料前処理品を高品質に製造するための原材料前処理用坩堝を提供する。
【解決手段】底部内壁１ａに対して実質的に垂直な第一側部内壁３ａと、その下端位置の高さが、第一側部内壁３ａの上端位置の高さよりも高い位置にあり、実質的に垂直な第二側部内壁２ａと、第一側部内壁３ａの上端から第二側部内壁２ａの下端へと延びる第一傾斜内壁３ｂとを有し、第一側部内壁３ａの上端位置における水平断面積が、第二側部内壁２ａの下端位置における水平断面積よりも小さい内部に段差を有する原材料前処理用坩堝。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛デバイス用基板材料として適した高純度で高品質な酸化亜鉛結晶を得る成長方法を提供する。
【解決手段】長さ方向一端側から他端側に向け温度勾配を有する成長容器11内において酸化亜鉛結晶15の成長を行う酸化亜鉛結晶の成長方法であって、溶媒としての亜鉛インゴット13と原料としての酸化亜鉛多結晶12が充填された成長容器11を、亜鉛の融点以上酸化亜鉛の融点以下の温度に加熱し、かつ成長容器11の高温側に配置された酸化亜鉛原料を、溶融した亜鉛を溶媒として成長容器11の低温側成長部において再析出、成長させて酸化亜鉛結晶15を得る。 （もっと読む）

【課題】単結晶や多結晶を連続的に低コストで容易に良質に製造できる結晶製造装置を提供する。
【解決手段】加熱炉１１内に原料の入った坩堝本体１４を配置してこれを不活性ガス雰囲気中で酸化を防止しつつ原料の融点以上の温度に保ち、攪拌１０２を回転することにより精製した後、坩堝本体１４の底部に形成した通孔１７から坩堝本体１４の下部に配置した貯留槽に精製した原料融液９２を流下させる。流下した原料融液９２を、坩堝本体１４下部において昇降テーブル３１上に搭載した種子結晶板１０１の上面に接触させた状態で、昇降テーブル３１とともに種子結晶板１０１を下降させることによって結晶を成長させる。 （もっと読む）