【課題】垂直ブリッジマン法による単結晶の成長装置において、簡便な方法で、高品質な単結晶を安定して得ることができる構造の結晶製造装置を提供する。
【解決手段】単結晶３を成長させるルツボ１の下部を、支持して引き下げを行うための支持部材１０と、下方に向かって先細りする傾斜部を備え、傾斜部の下方部が支持部材１０に取り付けられ、かつ上方部がルツボ１の底面に取り付けられている傾斜部材２０から構成し、結晶３の中央部が上に凸となるように、ルツボ１の底面の温度分布を最適化する。 （もっと読む）

【課題】結晶方位のずれに起因する結晶欠陥の発生を防止することができるサファイア単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】サファイア単結晶の製造装置１は、支持部材３によって支持されたルツボ２０内に種子結晶および原料を収納し、育成炉１０内の筒状ヒーター１４内に該ルツボ２０を配置して筒状ヒーター１４により加熱して原料および種子結晶の一部を融解して結晶化させるサファイア単結晶の製造装置において、カップ状をなす前記ルツボ２０における所定の外周位置を円環状に冷却する冷却手段を備える。前記冷却手段はルツボ２０の突周部２１と当該突周部２１に対して円環状に面接触して当該ルツボ２０を支持する支持部材３とを備えて構成され、ルツボ２０の下面と支持部３とは離間するように配設される。この構成により、突周部２１から支持部材３へ熱が移動し、ルツボ２０における所定の外周位置を円環状に冷却する。 （もっと読む）

【課題】
光デバイスなどの基板として用いられる単結晶を製造する過程で、結晶成長後のアニールで結晶内の酸素欠損が回復でき、結晶にクラックが発生しない結晶成長装置およびその方法を提供する。
【解決手段】
結晶を成長する雰囲気として、酸素分圧が１０Pa〜１ｋPaとなるようにすることで、結晶成長後の酸素雰囲気でのアニールで回復できる酸素欠損で、クラックの発生がない単結晶が得られる。 （もっと読む）

【課題】生体との適合性に優れると共に、その使用部位、方向に応じた最適な強度、耐食性、耐摩耗性などの諸特性を十分に発揮することができるインプラント部材用Ｃｏ−Ｃｒ系合金を提供する。
【解決手段】ブリッジマン法を用いたインプラント部材用Ｃｏ−Ｃｒ系合金単結晶の製造方法であって、所定の組成のＣｏ−Ｃｒ系合金を１５００〜２０５０℃の温度で溶融し、温度勾配０．５℃／ｍｍ以上の条件の下、成長速度１．０〜５００ｍｍ／ｈで結晶成長を行う。さらに、特定の方向に沿った面欠陥状マルテンサイト相を導入する。 （もっと読む）

【課題】優れた品質のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体単結晶の基板を提供する。
【解決手段】ｎ型ヒ化ガリウム基板であって、１００ｃｍ^-2未満の平均転位密度と、５×１０¹⁶ｃｍ^-3以上で５×１０¹⁷ｃｍ^-3未満のシリコン濃度を有し、半絶縁性ヒ化ガリウム基板は１０００ｃｍ^-2未満の平均転位密度と、５×１０¹⁵ｃｍ^-3未満のシリコン濃度と、１×１０³Ωｃｍ以上の比抵抗を有する。また、ｎ型リン化インジウム基板であって、１００ｃｍ^-2未満の平均転位密度と、１×１０¹⁷ｃｍ^-3以上で３×１０¹⁸ｃｍ^-3未満の硫黄濃度を有し、または１０００ｃｍ^-2未満の平均転位密度と、１×１０¹⁷ｃｍ^-3以上で５×１０¹⁸ｃｍ^-3未満の錫濃度を有し、そして半絶縁性リン化インジウム基板は１０００ｃｍ^-2未満の転位密度と１×１０³Ωｃｍ以上の比抵抗を有して鉄がドープされている。 （もっと読む）

【課題】大口径で低転位密度のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体単結晶を提供する。
【解決手段】ｎ型ヒ化ガリウム基板は平均転位密度が３０ｃｍ^-2未満であってシリコン濃度が５×１０¹⁶ｃｍ^-3以上で５×１０¹⁷ｃｍ^-3未満であり、半絶縁性ヒ化ガリウム基板は平均転位密度が３００ｃｍ^-2未満であってシリコン濃度が５×１０¹⁵ｃｍ^-3未満でありかつ比抵抗が１×１０³Ωｃｍ以上であり、ｎ型リン化インジウム基板は平均転位密度が５０ｃｍ^-2未満であって硫黄濃度が１×１０¹⁷ｃｍ^-3以上で３×１０¹⁸ｃｍ^-3未満であり、ｎ型リン化インジウム基板は平均転位密度が３００ｃｍ^-2未満であって錫濃度が１×１０¹⁷ｃｍ^-3以上で５×１０¹⁸ｃｍ^-3未満であり、半絶縁性リン化インジウム基板は平均転位密度が３００ｃｍ^-2未満であって比抵抗が１×１０³Ωｃｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】
光デバイスなどの基板として用いられる単結晶を製造する過程で、結晶にクラックが発生しない結晶成長装置を提供する。
【解決手段】
箔状白金板を結晶育成用の白金ルツボの内側に挿入した本発明ルツボ構造により、VB法でのLN単結晶成長において白金ルツボとLN単結晶の大きな熱膨脹差があるにもかかわらず、再現性良くクラックの無い単結晶を得ることが可能となる。 （もっと読む）

本発明は、シリコンインゴットの引き出し装置及び方法に関する。本発明は、コールドるつぼ内に形成されたシリコン融液が流入されるチャンバと、前記チャンバに垂直方向に移動可能に設けられ、前記シリコン融液を凝固させてシリコンインゴットを引き出す１次引き出し装置と、前記１次引き出し装置を水平方向に移動させる移動装置と、前記チャンバの下部に垂直方向に移動可能に設けられ、前記１次引き出し装置が側方に移動した状態で前記シリコンインゴットを引き出す２次引き出し装置と、を含む。このような本発明によれば、引き出し装置の高さが減少することによって、設備にかかる製造費用を節減することができ、引き出し装置が設けられる空間をも低減することができる効果がある。
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【課題】 固体レーザー光から、基本波の混在が十分少ない第２高調波を高い変換効率で得ることができる光学素子を提供すること。
【解決手段】 上記課題を解決する光学素子は、１次整合又は３次整合を用いた擬似位相整合により、入射した光を２倍の周波数となるように波長変換して出射する波長変換素子と、該波長変換素子から出射される光の光路に配置された無機光学フィルターと、を備え、波長変換素子が、Ｂａ_１−ｙ（Ｍｇ_１−ｘＺｎ_ｘ）_１＋ｙＦ_４（但し、０≦ｘ≦１であり且つ−０．２≦ｙ≦０．２である。）で表される強誘電体フッ化物単結晶からなるものであり、且つ、無機光学フィルターが、ＮｄＦ_３単結晶からなるものである。 （もっと読む）

【解決手段】 ボディ・リネージュを低減するＶＧＦ結晶成長プロセスおよびＶＢ結晶成長プロセスを用いて結晶成長を行うシステムおよび方法を開示する。一実施形態例によると、原材料を含むアンプルを、加熱源を有する炉の内部に挿入する段階と、結晶化温度勾配を、結晶および／または炉に対して相対的に移動させて、原材料を融解させて単結晶化合物として形成し直す垂直勾配冷却法を用いて結晶を成長させる段階と、アンプル／加熱源を互いに相対的に移動させて、原材料を融解させて単結晶化合物として形成し直す動作を継続して行う垂直ブリッジマン法を用いて結晶を成長させる段階とを備える方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】育成炉内の温度分布の形成に影響を与える断熱部材の形状精度と配置精度の確保を容易にするサファイア単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】ルツボ２０内に種子結晶および原料を収納し、育成炉１０内の筒状ヒーター１４内にルツボ２０を配置して筒状ヒーター１４により加熱して原料および種子結晶の一部を融解して結晶化させるサファイア単結晶の製造装置１において、筒状ヒーター１４を取り囲むように育成炉１０内に断熱部材１６が配設されてホットゾーン１８が形成され、断熱部材１６は、上下方向に積層された複数の筒状部材１６ａ、１６ｂを備え、且つ、複数の筒状部材１６ａ、１６ｂを積層する際の径方向の位置決めを行う位置決め手段１７を有し、複数の筒状部材１６ａ、１６ｂは、カーボンフェルトを成形した部材より成る。 （もっと読む）

【課題】多結晶化を抑制してＩＩＩ−Ｖ族化合物結晶を製造する、ＩＩＩ−Ｖ族化合物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族化合物結晶の製造方法は、以下の工程を備えている。るつぼ６内に、原料９、１０と封止剤１２とドーパント１１とを配置する。原料９、１０を溶融して融液を生成し、融液を固化させることにより、ＩＩＩ−Ｖ族化合物結晶を成長させる。配置する工程では、封止剤１２の軟化点よりも融点の低い元素を含み、かつ封止剤１２の軟化点よりも高い融点を有する化合物をドーパント１１として配置する。 （もっと読む）

【課題】クラックや濁りの発生を十分防止することができ、良好な透過率特性を示すフッ化物結晶を歩留まりよく得ることができるフッ化物結晶の育成方法、係る方法を用いて得られるフッ化物結晶及び光学部材を提供する。
【解決手段】ブリッジマン炉１０を用い、フッ化物原料が配合された結晶原料３をルツボ２に収容し、溶融後、融液を冷却固化してフッ化物結晶を育成する方法であって、フッ化物原料として、鉄及び鉛の合計質量濃度が１．５ｐｐｍ未満であるフッ化物を配合する。なお、結晶中への酸素の凝集を抑制する観点からは、鉄の質量濃度が０．５ｐｐｍ未満且つ鉛の質量濃度が１ｐｐｍ未満であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 添加物を含むことなく、優れた蛍光出力を得ることができるシンチレータ用結晶を提供すること。
【解決手段】 下記一般式（１）で表されるシンチレータ用結晶。
ＣｅＸ_ｙ （１）
（一般式（１）中、ＣｅＸ_ｙは母体材料の化学組成を示し、Ｘはハロゲン元素からなる群より選択される1種以上の元素を示し、ｙは下記式（Ａ）：
２．５≦ｙ＜３．０ （Ａ）
で表される条件を満足する数値を示す。） （もっと読む）

【課題】紫外・真空紫外（ＵＶ／ＶＵＶ）領域における透過率が十分高く且つ耐レーザー性や耐ＵＶ／ＶＵＶ性に優れたフッ化物単結晶、それを実現可能とするフッ化物の熱処理方法及びフッ化物単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】被処理物であるフッ化物５を、脱酸素機能を有するスカベンジャーとともに、気密化可能な加熱炉１００内に収容する収容ステップと、気密化した加熱炉１００内から排気して当該加熱炉内１００の圧力を１×１０^−１Ｐａ以下にしてからスカベンジャーの昇温を開始する昇温開始ステップと、スカベンジャーの温度が当該スカベンジャーの融点よりも２０℃〜５０℃低い温度になったときに加熱炉１００内からの排気を停止する排気停止ステップと、スカベンジャーの温度が当該スカベンジャーの融点よりも２０℃〜５０℃高い温度になったときに加熱炉１００内からの排気を再開する排気再開ステップと、を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体融液を凝固させる過程での急激な温度変化を抑制して、双晶や多結晶の発生を抑止し、単結晶の半導体結晶を歩留り良く製造できる半導体結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】外周にヒータ５が配置されたサセプタ３内にルツボ２を収容し、ルツボ２の底面１３に種結晶１０を配置すると共にルツボ２内に半導体融液１４を収容し、半導体融液１４を種結晶１０と接触させた状態で、ヒータ５とルツボ２を相対的に移動させるか或いはヒータ５に上下方向の温度勾配を持たせると共にその温度勾配を維持したままヒータ５の温度を下降させて、種結晶１０側から上方に向けて徐冷して徐々に固化させる半導体結晶の製造方法において、サセプタ３側に、半導体融液１４の熱伝導率よりも小さい熱伝導率を有する熱流制御部材１５を設ける方法である。 （もっと読む）

【課題】電気特性の悪化を抑制するとともに、ＰＬ特性の悪化を抑制することができるＩｎＰ基板の製造方法、エピタキシャルウエハの製造方法、ＩｎＰ基板およびエピタキシャルウエハを提供する。
【解決手段】ＩｎＰ基板の製造方法は、以下の工程（ステップ）を備えている。ＩｎＰインゴットを準備するＳ１。このインゴットは、ＩｎＰからなっていてもよく、Ｆｅ、Ｓ、Ｓｎ、およびＺｎからなる群より選ばれた少なくとも一種の物質よりなるドーパントを含んでいてもよい。次に、準備したインゴットからＩｎＰ基板をスライス加工した後Ｓ２、ＩｎＰ基板を、研磨剤、化学研磨液などを用いて研磨しＳ３、ＩｎＰ基板を準備する。次に、研磨したＩｎＰ基板を前処理するＳ４。前処理により、研磨剤、化学研磨液などを除去する。続いてＩｎＰ基板を硫酸過水で洗浄しＳ５、この後、ＩｎＰ基板をリン酸で洗浄するＳ６。 （もっと読む）

【課題】成長させるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶のクラックを抑制し、かつ低いコストを維持し、かつチャンバー内の汚染を抑制するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶の製造方法、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板の製造方法およびＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶１３の製造方法は、チャンバー１０１内に配置された坩堝１０３に結晶成長用原料１５と液体封止剤１７とを収容する工程と、結晶成長用原料１５と液体封止剤１７とを加圧溶融し、かつ結晶成長用原料１５を固化させることにより、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶１３を成長させる工程と、チャンバー１０１内を降温する工程とを備えている。降温する工程は、液体封止剤１７の軟化点に達するまでに、チャンバー１０１内を６０ｋＰａを超えて４００ｋＰａ以下に減圧する工程を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】半導体の凝固方法を提供する。
【解決手段】ドーパントを含む第一の半導体チャージ１２０から溶融半導体１０３のバスを形成する段階と、溶融半導体１０３の凝固段階とを含み、更に、ドーパントを含む補充半導体チャージ１２０を溶融半導体１０３のバスに添加する一つ以上の段階を、凝固中に実施することを含む。補充半導体チャージ１２０は固体状または液体状である。また、電子アクセプタードーパントはホウ素原子であり、電子ドナードーパントはリン原子である。 （もっと読む）

【課題】半導体結晶の成長方向における不純物濃度またはキャリア濃度の分布をより均一にした半導体結晶および半導体結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体結晶中における最低不純物濃度Ｃ₁minとＣ₁min≦Ｃ₁≦１．５Ｃ₁minの関係を満たす不純物濃度Ｃ₁である結晶部分が、固化率０．１〜０．８の範囲内における結晶部分の４／７以上を占める半導体結晶とその半導体結晶の製造方法である。 （もっと読む）