【課題】結晶成長時に電場や磁場を印加することにより、酸化物単結晶を容易に製造するための酸化物単結晶の製造方法及び装置を提供する。
【解決手段】非一致溶融組成を有する酸化物単結晶の製造方法において、酸化物単結晶１７の原料である融液５に対し、５０（ｋＶ／ｍ）以上の直流の電場、又は、実効値が５０（ｋＶ／ｍ）以上の交流の電場と、１０００（Ｏｅ）以上の磁場を印加しながら酸化物単結晶１７の結晶化を行う工程を有する。 （もっと読む）

【課題】結晶作製後の加工を最小限にとどめ、かつ切断ロスのないように目的とする製品との形状差が少ない結晶作製方法を提供すること。
【解決手段】製品の仕上がり形状に近い空間を有する坩堝が複数接しており、融液を分離するように少なくとも１つのの坩堝が駆動される。融液を流し込む時は、それぞれの坩堝内の空間がつながっており、すべての坩堝内の空間に融液が満たされる。しかる後、融液が固化する前に少なくとも１つの坩堝が機械的に駆動されることによってそれぞれの空間に満たされた融液が分離される。以上の操作によって分離された融液を固化することによって製品との形状差の少ない結晶を切断工程を経ることなく作製する。 （もっと読む）

【課題】発光の短波長成分の弊害を克服し、青色ＬＥＤの信頼性と性能を飛躍的に向上させることのできるフッ化カルシウム結晶とその製造方法ならびに使用方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、フッ化カルシウム結晶内に局所的電気的分極を持たせるために酸素を添加すること、さらには添加酸素に見合った量のランタン系元素を添加したフッ化カルシウム結晶及びその製造方法、さらに前記フッ化カルシウム結晶を４００ｎｍ以下の波長の光で照射し励起する使用方法、さらに前記フッ化カルシウム結晶中の電子を励起する固体レーザ或いは発光体、さらに前記フッ化カルシウム結晶を４１５〜４５０ｎｍの光波長を含む発光ダイオードの窓又はレンズとして用いる構造、及びその使用方法等に関する。 （もっと読む）

【課題】 バウンダリや泡欠陥を低減し、結晶性及び光学特性に優れた結晶を製造することができる結晶製造装置及び方法を提供する。
【解決手段】 結晶性物質の原料から単結晶を製造する結晶製造装置であって、前記原料を収納して結晶成長させる坩堝であって、前記原料の融液を保持する第１の領域と、前記結晶成長が開始する前記坩堝の下部を含む第２の領域とを区画すると共に、前記第１の領域と前記第２の領域とを接続する接続孔を有する仕切り板と、前記坩堝の下部に設けられ、９０度以下の円錐角度を有する円錐形状のコニカル部とを有する坩堝と、前記坩堝が収納される炉内に所定の温度勾配を形成する形成手段とを有することを特徴とする結晶製造装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】 構造欠陥密度が低減され、真空紫外光照射時の透過率低下が少ないフッ化物単結晶の製造方法であって、結晶成長段階での精密制御を必要としない製造方法の提供を課題とする。
【解決手段】 ルツボに充填したフッ化物を真空炉内で加熱してフッ化物融液とする融解工程と、フッ化物融液から一酸化炭素(ＣＯ)を除去する一酸化炭素除去工程と、一酸化炭素除去工程を経たフッ化物融液を冷却して結晶化する結晶化工程と、を有する製造方法によりフッ化物単結晶を製造する。 （もっと読む）

【課題】 結晶内のサブバウンダリの発生を抑制し、内部透過率などの光学特性に優れた結晶を製造することができる結晶製造方法及び装置を提供する。
【解決手段】 坩堝に収納された結晶性物質の原料から単結晶を製造する結晶製造方法であって、前記坩堝を移動させることで溶融した前記原料の結晶を成長させるステップと、前記成長ステップで成長させた結晶から単結晶を切り出すステップとを有し、前記切り出しステップは、前記原料から所定の結晶方位を有する母結晶を成長させる際に、前記所定の結晶方位とは異なる結晶方位を有するグレインバウンダリから切り出すことを特徴とする結晶製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 内部透過率などの光学特性に優れた結晶を再現性よく製造することができる結晶製造方法を提供する。
【解決手段】 結晶性物質の原料から単結晶を成長させる結晶製造方法であって、前記単結晶の成長の基点となる種結晶に含まれる不純物の濃度を検出するステップと、前記検出ステップで検出された前記不純物の濃度が、前記原料の不純物の濃度以下である前記種結晶を前記坩堝に収納するステップと、前記収納ステップで前記坩堝に収納された前記種結晶を介して前記単結晶を成長させるステップとを有することを特徴とする結晶製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 内部欠陥を低減し、内部透過率などの光学特性に優れた結晶を製造することができる結晶製造方法及び装置を提供する。
【解決手段】 結晶性物質の原料が収納された坩堝を引き下げることで単結晶を成長させる結晶製造方法であって、前記原料を溶融するステップと、前記坩堝を引き下げるにつれて、前記坩堝の底部の温度が高くなる温度分布を形成するステップとを有することを特徴とする結晶製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 多結晶化を防止してフッ化カルシウムの単結晶を確実に育成することができる結晶育成ルツボ、結晶の製造方法及びフッ化カルシウム結晶を提供する。
【解決手段】 フッ化カルシウムを溶融して冷却することによりシードの結晶面に沿って結晶に育成するためのルツボであって、ルツボ内面が窒化ホウ素（BN）により構成されており、ルツボ内面と水滴との接触角が１５０°以下であることを特徴とするフッ化カルシウム結晶育成ルツボ、フッ化カルシウム結晶の製造方法及びフッ化カルシウム結晶。 （もっと読む）

【課題】 多結晶化を防止してフッ化カルシウムの単結晶を確実に育成することができる結晶育成ルツボ、結晶の製造方法及びフッ化カルシウム結晶を提供する。
【解決手段】 フッ化カルシウムを溶融して冷却することによりシードの結晶面に沿って結晶に育成するためのルツボであって、ルツボ内面がニオブカーバイト（NbC）により構成されており、ルツボ内面と水滴との接触角が１５０°以下であることを特徴とするフッ化カルシウム結晶育成ルツボ、フッ化カルシウム結晶の製造方法及びフッ化カルシウム結晶。 （もっと読む）

【課題】 半導体製造時のパターン露光に使用する光リソグラフィー装置（ステッパー）用のレンズ材料や、各種エキシマレーザー装置用窓材などに使用する真空紫外光透過材料を得るためのフッ化物単結晶の製造法を提供する。
【解決手段】 ルツボ内凝固によるフッ化物の単結晶製造において、ルツボ下部に製造目的とする単結晶の成長面形状と同一の形状を有する種結晶を設置し、結晶成長中において成長面形状を変化させることなく、かつ、種結晶の結晶面方位を継承させた単結晶を得る。さらに、ルツボの底面を除く内壁材質がフッ化物よりも熱伝導度が小さい耐熱性断熱材で、ルツボおよび耐熱性断熱材の材質がカーボンである。 （もっと読む）

【課題】 多結晶化を防止してフッ化カルシウムの単結晶を確実に育成することができる結晶育成ルツボ、結晶の製造方法及びフッ化カルシウム結晶を提供する。
【解決手段】 フッ化カルシウムを溶融して冷却することによりシードの結晶面に沿って結晶に育成するためのルツボであって、ルツボ内面がタンタルカーバイト（TaC）により構成されており、ルツボ内面と水滴との接触角が１５０°以下であることを特徴とするフッ化カルシウム結晶育成ルツボ、フッ化カルシウム結晶の製造方法及びフッ化カルシウム結晶。 （もっと読む）

【課題】 るつぼ内で合成したＧａＡｓをるつぼの下部から，浮上させること無く，上部に向って固化させていくことができるＧａＡｓ多結晶の合成方法を提供する。
【解決手段】 略円筒形状のるつぼ内にＧａとＡｓと封止材を入れ，るつぼ内において，上方を封止材で封止した状態で，ＧａとＡｓを融解させてＧａＡｓを合成した後，るつぼ底面の均熱を保持しながら融解させたＧａＡｓをるつぼの下方から上方に向って固化させる。るつぼの下方から上方に向ってＧａＡｓを固化させるに際し，７℃／ｃｍ以上で上方に向って昇温する温度勾配をＧａＡｓの固液界面で形成させ，かつ，ＧａＡｓの固液界面の上昇速度を５ｍｍ／ｈｒ以上とする。 （もっと読む）

【課題】 るつぼ内に酸化ホウ素を充填した場合にも、ヒ化ガリウム結晶にへき開破壊が生じることを防止できるヒ化ガリウム結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 るつぼ１内に、予備合成されたヒ化ガリウム原料４と酸化ホウ素５とが充填され、そのるつぼ１内のヒ化ガリウム原料４が加熱溶融され、ヒ化ガリウム原料４の融液中のガリウムの量をヒ素の量よりも多くした状態でその融液の固化を完了して、カーボンが添加されたヒ化ガリウム結晶を成長させることにより、ヒ化ガリウム結晶が製造される。 （もっと読む）

【課題】
【課題】本発明は、液相（４４）を凝固させることによって、単結晶の固相（４２）を製造する装置に関する。
【解決手段】その装置は、固相（４２）及び液相（４４）を収容するのに適し、その少なくとも一つの壁が液相と接触するように提供され、その固相は間隙（４３）によって分離されるるつぼ（４０）と、液相と固相との間の界面（４６）で温度勾配を作るために、液相を加熱する手段と、加熱手段とは別個であり、前記界面の位置で電磁圧を液相の接合表面（４８）に加えるための手段であって、るつぼを取り囲み、作動中に前記界面が形成されるエリアに向かい合って配置される少なくとも一つのターン（５０）を備える電磁界（５０）を発生させる手段とを含む。 （もっと読む）

本発明は、溶融物（１３）を加熱する抵抗ヒーターと、るつぼ（１１）内で交番磁界を生じさせる電界コイル（導体）とを通常備え、それによって電流を溶融物に通電させる液晶成長ユニットに関するものである。本発明によると、抵抗ヒーターが磁界コイルとして組み込まれ、言い換えると中空円筒体（１）によって形成され、その中に螺旋状で単一層の電流路が周縁スロット（２）によって形成される。本発明はユニットを加熱するために必要な電流を、移動磁界を発生させるためにも使用される。そのために、分離電界コイルまたは磁界用の分離電力供給部が必要である。コイル構成部として組み込まれる電界コイルのようにも作用する抵抗ヒーターは、高温抵抗であり、ユニットの熱コア、すなわち溶融領域を直接囲む。従って磁界を発生させるのに必要な寸法は、最小になる。磁界は結晶成長ユニットの外板壁を越えて広がることはなく、前記外板壁が通常の鉄外板として組み込みできる。

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キャスト法を用いたＳｉ系結晶の成長方法において、前記Ｓｉ系結晶の結晶方位を自在に制御することができ、前記Ｓｉ系結晶から切り出して得たウエハが所定のエッチング操作後において、形状方位の揃ったテクスチャー構造を有するように、前記Ｓｉ系結晶内に形状方位の揃った構造を簡易に形成する。キャスト成長用坩堝１１の底部に、少なくともＳｉを含む結晶片１２を配置する。次いで、キャスト成長用坩堝１１内において、結晶片１２の上方にＳｉ原料１３を配置する。次いで、キャスト成長用坩堝１２を加熱して、結晶片１２の少なくとも一部が残存するようにＳｉ原料１３を溶解して、Ｓｉ融液１４を形成する。次いで、Ｓｉ融液１４を冷却及び凝固させることにより、結晶片１２の残部１２ＡからＳｉ系結晶を一方向成長させる。 （もっと読む）

【課題】量産性に優れるとともに結晶中の転位が少なく均質な単結晶を低コストで得ることができる化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】結晶成長容器１内に投入した化合物半導体原料６の表面と結晶成長容器１の内面との間に液体封止剤２を介在させた状態で、結晶成長容器１を、化合物半導体原料６の融点を含む範囲で温度勾配を設けた加熱炉７内で徐々に移動させて、加熱炉７における化合物半導体原料６の融点以上の温度部分で化合物半導体原料６を溶融させた後、融点以下の温度部分で化合物半導体単結晶５を成長させ、化合物半導体単結晶５の成長終了後、液体封止剤２及び化合物半導体単結晶５を２００℃から化合物半導体単結晶５の融点までの温度で加熱処理する。 （もっと読む）