【課題】窒化ガリウム系化合物半導体をエピタキシャル成長させるための基板等として使用可能な、大型のＺｒＢ_２で代表される二ホウ化物単結晶の成長技術を提供する。
【解決手段】融点が２０００℃以上の溶接可能な金属製の密閉坩堝の中で化学式ＸＢ_２（但し、ＸはＺｒ、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒの少なくとも一種を含む）で表わされる化学量論組成よりも端成分に富む組成からなる結晶原料を加熱融解し冷却することによって結晶化して育成する。 （もっと読む）

本発明は、Ｐｒ_{（１−ｘ−ｙ）}Ｌｎ_ｙＣｅ_ｘＸ_３の化学式の化合物を含む材料、ならびにシンチレーション検知器としての、例えば飛行時間機能を有するＰＥＴスキャナーにおける、使用に関係し、ここで
ＬｎはＬａ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｙまたはこれら（Ｌａ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｙ）の少なくとも二つの混合物から選択され；Ｘはハロゲン原子Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉまたはこれらの群（Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）の少なくとも二つのハロゲン原子の混合物から選択され；ｘは０．０００５より大きく１より小さく；ｙは０から１未満であり；（ｘ＋ｙ）は１未満である。 （もっと読む）

【課題】ドーパントがドーピングされる半導体単結晶の製造方法、特に、製造される半導体単結晶と同一の半導体材料の種結晶を使用し、坩堝内で半導体溶融体を凝固させて製造する製造方法を提供する。
【解決手段】半導体単結晶１１における所望の導電率を調整するために使用されるドーパント７は、種結晶５上に形成される半導体単結晶１１の成長が開始した後、又は坩堝１の一部又は完全に坩堝の円錐な部分３又は先細部において半導体単結晶１１の凝固が終了した後、半導体溶融体９に添加される。又は、ドーパント７の一部が、事前に坩堝１に添加され、その後残りが適宜半導体溶融体９に添加される。 （もっと読む）

【課題】ArFエキシマレーザー光学系用またはF₂レーザー光学系用光学部材として好適な、該レーザー波長において透過率の高いフッ化カルシウム単結晶、または該単結晶製造用前処理品としてのフッ化カルシウム結晶を安定して製造する。
【解決手段】フッ化カルシウムをルツボに充填する工程と、該ルツボを加熱して前記フッ化カルシウムを融解する工程と、融解されたフッ化カルシウムを冷却して結晶化させる工程とを有するフッ化カルシウム結晶の製造方法において、前記ルツボに充填する際におけるフッ化カルシウムのＢＥＴ比表面積を3m²/g以下とする。 （もっと読む）

【課題】 短い処理時間でｐＢＮ坩堝を高度に清浄化して、その清浄化された坩堝を用いて化合物半導体結晶を育成する技術を提供する。
【解決手段】 化合物半導体結晶育成用のｐＢＮ坩堝（１）の清浄化方法において、そのｐＢＮ坩堝の少なくとも内面をオゾン（５）による処理によって清浄化することを特徴としている。このように、オゾンの高い化学的反応性を利用することによって、短い処理時間でｐＢＮ坩堝を高度に清浄化することができ、その清浄化された坩堝を用いて高品質の化合物半導体結晶を育成することができる。 （もっと読む）

【課題】 所定の光透過面を有するレンズを得る際に、歩留まりよく効率的にレンズを量産するための原料となるフッ化カルシウム単結晶を提供する。
【解決手段】 本発明は、ほぼ直柱状の直柱部と、ほぼ円柱状であって直柱部の底面の面積よりも大きな面積の底面を有する円柱部と、テーパ状であって直柱部の底面及び円柱部の底面を結合してそれらと一体不可分に形成されるテーパ状部とを有するフッ化カルシウム単結晶であって、直柱部の両底面における同一の所定配向面のなす角度が０°〜５°であるものである。 （もっと読む）

【課題】キャスト法を用いたＳｉ系結晶の成長方法において、前記Ｓｉ系結晶の結晶方位を自在に制御することができ、前記Ｓｉ系結晶から切り出して得たウエハが所定のエッチング操作後において、形状方位の揃ったテクスチャー構造を有するように、前記Ｓｉ系結晶内に形状方位の揃った構造を簡易に形成する。
【解決手段】キャスト成長用坩堝１１の底部に、少なくともＳｉを含む結晶片を配置する。次いで、キャスト成長用坩堝１１内において、結晶片の上方にＳｉ原料を配置する。次いで、キャスト成長用坩堝1１を加熱して、結晶片の少なくとも一部が残存するようにＳｉ原料を溶解して、Ｓｉ融液１４を形成する。次いで、Ｓｉ融液１４を冷却及び凝固させることにより、結晶片の残部１２ＡからＳｉ系結晶を一方向成長させる。 （もっと読む）

【課題】 要求に応じて種結晶の長さ（種結晶端面の高さ位置）を調節することが可能であり、種結晶の全体が溶融してしまうことを十分に防止でき、単結晶を容易に育成することが可能な単結晶の育成方法を提供する。
【解決手段】 種結晶Ｓを収容するための種結晶収容部と単結晶原料Ｍを収容するための原料収容部とを有するルツボを用い、前記単結晶原料を前記ルツボ中で溶融した後、冷却することで前記種結晶の結晶面に沿って単結晶を育成する単結晶の育成方法であって、 前記種結晶収容部に収容する種結晶を２以上とし、当該種結晶を同一の結晶方位となるように接触させることを特徴とする単結晶の育成方法。 （もっと読む）

【課題】 短波長域においても十分に大きな透過率を示すフッ化物単結晶が得られるフッ化物単結晶の製造方法を提供すること。
【解決手段】 フッ化物にスカベンジャーを混合した混合物を溶融した溶融物を冷却することによりフッ化物単結晶を育成するフッ化物単結晶の製造方法において、スカベンジャーが、圧力−温度曲線において１４００℃以下に１以上の極大点を有する化合物を２種以上含む、フッ化物単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 短波長域においても十分に大きな透過率を示すフッ化物単結晶が得られるフッ化物単結晶の製造方法を提供すること。
【解決手段】 粒子状のフッ化物に粒子状のスカベンジャーを混合した粒子混合物を溶融した溶融物を冷却することによりフッ化物単結晶を育成するフッ化物単結晶の製造方法において、フッ化物の平均粒径ｄｆ及びスカベンジャーの平均粒径ｄｓが下記式：
０．０５≦ｄｓ／ｄｆ≦２０
を満たす、フッ化物単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】光学素子用として好適な、光散乱体を含まない極めて良質な四ほう酸リチウム単結晶を、垂直ブリッジマン法により育成させることができる新規な方法を提供する。
【解決手段】育成炉の内部空間１ａにルツボ５を配置し、垂直ブリッジマン法により、ルツボ内の原料ａから四ほう酸リチウム単結晶を育成する。育成炉の内部空間１ａの雰囲気を５〜１０体積％の酸素を含む雰囲気とし、ルツボ移動速度を０．２５〜０．５０ｍｍ／時間とした。これにより、気泡や光散乱体を含有しない、直径３インチ以上の大口径型の四ほう酸リチウム単結晶を得た。 （もっと読む）

【課題】ＧａＡｓ等の化合物半導体単結晶の縦型結晶成長法において、結晶の種付け部から結晶成長最終部まで全域単結晶（Ａｌｌ Ｓｉｎｇｌｅ）となる確率を高め、かつ転位等の結晶欠陥の少ない良質な化合物半導体単結晶の収率を大幅に向上させるための、より簡便に製造でき、煩雑な設備を要さずに固液界面の形状制御を可能とするＰＢＮ製の化合物半導体単結晶成長用容器、およびその容器を使用した化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】種結晶収容部１ａと増径部（断面積増大部）１ｂと結晶成長部１ｃとを有し、その構成材料であるＰＢＮ板の厚さ方向に垂直な面で測定した（１００）面と（００２）面のＸ線回折積分強度比｛Ｉ_（002）／Ｉ_（100）}の値が、容器全体に渡り５０を超える熱分解窒化ホウ素（ＰＢＮ）製化合物半導体単結晶成長用容器を使用する。 （もっと読む）

【課題】 金属元素等の不純物を低減し易いとともに、単結晶の歪みを小さく抑えることができ、より高品質な単結晶を製造し易い製造方法を提供する。
【解決手段】 固体バルク原料３０を溶融固化することによりかさ体積を減少させて、中間成形体４０を形成する前処理工程と、中間成形体４０を溶融して単結晶を成長させる育成工程とを備えた単結晶製造方法であり、前処理工程で固化の進行方向を制御して周囲の一部に不純物を偏析させることにより中間成形体４０を形成し、中間成形体４０の不純物濃度の高い部分４０ｂを除去した後、不純物濃度の低い部分４０ａを用いて育成工程を行う。 （もっと読む）

【課題】安定した高い収率で化合物半導体単結晶を製造し得る技術を提供する。
【解決手段】化合物半導体単結晶の製造に用いられる縦型の熱分解窒化硼素（ＰＢＮ）製容器１ｂは、溶融酸化硼素の液滴２ａが８０度以上１４０度未満の範囲内の接触角（θ）を生じる内壁を有する。この容器を使用して縦型ブリッジマン法によってＧａＡｓ単結晶やＩｎＰ単結晶を育成して化合物半導体結晶を製造する。 （もっと読む）

【課題】結晶成長時の不純物偏析効果を利用して、エキシマレーザー光を長時間照射しても透過率が低下しない高品質な蛍石の単結晶を効率よく且つ確実に製造することを可能とする蛍石の単結晶製造装置、並びにそれを用いた蛍石単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】垂直ブリッジマン法による蛍石の単結晶製造装置であって、炉室を形成する炉本体１と、前記炉室を高温側炉室１０ａと低温側炉室１０ｃとに鉛直方向に２室に分離する仕切り部１０ｂに配置されている断熱部材１４ｂと、引き下げ棒１３により前記高温側炉室１０ａと前記低温側炉室１０ｃとの間を前記仕切り部１０ｂを通って移動可能なように設置されたルツボ１１と、前記高温側炉室１０ａ内と前記低温側炉室１０ｃ内とにそれぞれ配置されたヒーターとを備え 前記ルツボの外径Ｒ_２と前記ヒーターの内径Ｒ_１との比（ルツボの外径Ｒ_２／ヒーターの内径Ｒ_１）が０．７６以上である。 （もっと読む）

【課題】結晶育成方向軸に垂直な断面の直径が５０ｍｍ以上であって、ステッパー用レンズ材料として用いた場合に十分な解像性能が得られるフッ化物単結晶、及び、かかるフッ化物単結晶を容易且つ確実に育成することが可能なフッ化物単結晶の育成方法、並びに、かかるフッ化物単結晶からなるレンズを提供する。
【解決手段】結晶育成方向軸Ａに垂直な断面の形状が直径５０ｍｍ以上の略円形状で、前記断面における中心部Ｃの複屈折率をＢ_１、外周部Ｏの複屈折率をＢ_２としたとき、Ｂ_２／Ｂ_１の値が下記式：０．１≦Ｂ_２／Ｂ_１≦１００の条件を満たすフッ化物単結晶であって、結晶育成方向に温度勾配のある結晶成長炉内で単結晶を育成する育成ステップと、 前記結晶成長炉内で前記単結晶をその融点未満の均一な温度に加熱する再加熱ステップと、前記単結晶を冷却する冷却ステップとを含む育成方法により得られる。 （もっと読む）

【課題】 結晶育成方向軸に垂直な断面の直径が５０ｍｍ以上であって、ステッパー用レンズ材料として用いた場合に十分な解像性能が得られるフッ化物単結晶、及び、フッ化物単結晶の育成方法、並びに、フッ化物単結晶からなるレンズを提供する。
【解決手段】 結晶育成方向軸Ａに垂直な断面の形状が直径５０ｍｍ以上の略円形状であるフッ化物単結晶であって、前記断面における中心部Ｃの屈折率均一性をＢ１、外周部Ｏの屈折率均一性をＢ２としたとき、Ｂ２／Ｂ１の値が下記式：
【数１】


の条件を満たしているフッ化物単結晶、結晶育成方向に温度勾配のある結晶生長炉内で単結晶を育成する育成ステップと、前記結晶生長炉内で前記単結晶をその融点未満の均一な温度に加熱する再加熱ステップと、前記単結晶を冷却する冷却ステップと、を含むフッ化物単結晶の育成方法及び前記フッ化物単結晶からなるレンズ。 （もっと読む）

【課題】 結晶育成方向軸に垂直な断面の直径が５０ｍｍ以上であって、ステッパー用レンズ材料として用いた場合に十分な解像性能が得られるフッ化物単結晶、及び、かかるフッ化物単結晶を容易且つ確実に育成することが可能なフッ化物単結晶の育成方法、並びに、かかるフッ化物単結晶からなるレンズを提供する。
【解決手段】 結晶育成方向軸Ａに垂直な断面の形状が直径５０ｍｍ以上の略円形状であるフッ化物単結晶であって、前記断面における中心部Ｃの波長１９３ｎｍにおける透過率をＴ１、外周部Ｏの波長１９３ｎｍにおける透過率をＴ２としたとき、Ｔ２／Ｔ１の値が下記式：
【数１】


の条件を満たしているフッ化物単結晶育成するステップと、再加熱ステップと、冷却ステップと、を含むフッ化物単結晶の育成方法及び前記のフッ化物単結晶からなるレンズ。 （もっと読む）

【課題】 不純物の局在的な分布を規定することにより、結像性能悪化に影響しない光学部材を提供する。
【解決手段】 光学装置の結晶性光学部材であって、その第一面および第二面において、少なくとも中心、外周部及びその中間の３点におけるアルカリ土類金属不純物濃度の最大値及び最小値をＣ_１，Ｃ_２としたときＣ_１／Ｃ_２の値が規定値以下である。上記Ｃ_１／Ｃ_２の値は、１．０５以下であり、結晶性光学部材は、フッ化物、特にフッ化カルシウムである。 （もっと読む）

【課題】縦型温度傾斜法（ＶＧＦ法）や縦型ブリッジマン法（ＶＢ法）等の縦型ボート法を用いてＳｉドープ型ＧａＡｓ単結晶を製造する際に、ＳｉがＧａＡｓ単結晶中に再現性良くドープされ、かつＳｉ濃度が均一であり、高い歩留りで生産できるＳｉドープｎ型単結晶を提供する。
【解決手段】るつぼ収納容器３内に設けたるつぼ４に種結晶５とＧａＡｓ原料を装入し、その上にＳｉ酸化物を予めドープした封止材（Ｂ₂Ｏ₃）８を置き、ヒーター１７で加熱して原料を溶融し、温度制御により原料融液７からＧａＡｓ結晶６を晶出育成させる際、上記封止剤よりもＳｉ濃度が低い第２の封止剤９を結晶成長時の適正な時期にるつぼ内に流入させ、上部ロッド１２を攪拌板１０で攪拌することにより、結晶中のキャリア濃度を制御する。 （もっと読む）