多結晶の供給棒（３）から単結晶の棒（２）を製造する装置（１）を提供する。装置（１）は、供給棒（３）が配置される密閉チャンバ（４）を備え、チャンバ（４）は、供給棒（３）の周りに、単結晶を提供するために棒の一端（２３）を溶融させる環状のエネルギ供給源（５）を備え、装置は、供給棒（３）を軸方向に移動させる第一移動手段（６）と、供給棒（３）と環状エネルギ供給源（５）との間を相対的に回転移動させる第二移動手段（７）とを備える。装置（１）は、供給棒（３）の表面（９）とエネルギ供給源（５）における環状の半径方向内側の基準面との間の距離を記録する監視システム（８）と、この距離を調整する第三移動手段（１０）とを備える。これにより、最適な円筒形以外の形状である不揃いの供給棒も使用でき、かつ凹凸のある表面を有する湾曲した筒状及び楕円状の棒も使用できる装置および方法が達成される。
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【課題】高品質の単結晶を高い成長速度で製造する方法を提供する。
【解決手段】融液の温度を単結晶の長手方向と平行した軸(X)に沿って測定する際、固液界面から単結晶と離れるほど融液の温度が徐々に上昇して最高点(H)に到達してから、融液の底部側に行くほど温度は徐々に下降するとともに、固液界面から最高点(H)までの上昇する融液温度の傾き(ΔTi)が最高点(H)から融液の底部までの下降する融液温度の傾き(ΔTd)より大きい状態、すなわち、ΔTi>ΔTdの条件を維持しながら単結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】 サイズが大きく、かつ、品質が極めて高い電気光学的単結晶薄膜を得ることが可能な電気光学的単結晶薄膜成長用基板の提供。
【解決手段】 Ｓｉ（００１）基板２上にＢＴＯ単結晶薄膜６等をエピタキシャル成長させるための電気光学的単結晶薄膜成長用基板１であって、Ｓｉ（００１）基板上にＳｉとＢＴＯとの格子不整合を緩衝する緩衝層３，４，５が２層以上形成されている。 （もっと読む）

本発明は、ファラデー効果が大きく、可視光領域においても光透過率が高いという特性を有するテルビウム系常磁性ガーネット単結晶であって、ヴェルデ定数の大きなテルビウム系常磁性ガーネット単結晶、さらにはこの単結晶を用いた磁気光学デバイスである。上記テルビウム系常磁性ガーネット単結晶は少なくともテルビウムを含み、かつアルミニウム及びガリウムの少なくとも一方を含み、前記テルビウムの一部がセリウム及びプラセオジムのうち少なくとも一方で置換されていることを特徴としている。
本発明にかかるテルビウム系常磁性ガーネット単結晶及び磁気光学デバイスは、磁界を光で検知することで状況の変化を検知する必要がある分野、例えば電力、自動車、プラント等や、光を安定的に発信する必要のある光通信分野など幅広い分野で使用される。 （もっと読む）

【課題】 高い蛍光強度を有する放射線検出用Ｌｕ_３Ａｌ_５Ｏ_１２結晶材料の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 一般式Ａ_３Ｂ_２Ｄ_３Ｏ_１２（Ａは希土類元素のいずれか一種であり、Ｂは希土類元素、Ａｌ又はＧａのいずか一種であり、ＤはＡｌ又はＧａである）で表され且つ前記Ｌｕ_３Ａｌ_５Ｏ_１２結晶とは異なるが融点が当該Ｌｕ_３Ａｌ_５Ｏ_１２結晶と同一又はそれよりも１５０℃以内の範囲で低い融点を有するガーネット種結晶を用いて前記Ｌｕ_３Ａｌ_５Ｏ_１２結晶を作製する。 （もっと読む）

イットリウムの一部をガドリニウムに置換したイットリウム・鉄・ガーネットの単結晶が球状に成形されたＹＩＧ結晶体１６と、ＹＩＧ結晶体１６に磁界を印加してＹＩＧ結晶体１６を共振する磁界印加手段２６とを有する共振器を有している。これにより、磁気共鳴半値幅が小さく、共鳴飽和が生じる限界電力が大きいＹＩＧデバイスを提供することができる。 （もっと読む）

【課題】 種結晶を用いることなく、浮遊帯溶融法により、＜１１１＞方位から２°以内に方位制御された磁性ガーネット単結晶を製造することができる、磁性ガーネット単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 磁性ガーネット単結晶の製造方法は、種結晶を用いない、浮遊帯溶融法による磁性ガーネット単結晶の製造方法であり、多結晶の原料棒を準備する工程と、原料棒の一部を長手方向に順次溶融し固化させる工程と、直径が３．０ｍｍ以下の磁性ガーネット単結晶を製造する工程とを含む。磁性ガーネット単結晶の組成は、（Ｙ，Ｒ）₃ （Ｆｅ，Ｍ）₅ Ｏ₁₂系（ただし、ＲはＹおよび原子番号５７〜７１の元素のうちの少なくとも１種で、ＭはＡｌ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｓｃのうちの少なくとも１種）であり、磁性ガーネット単結晶の成長方向は、＜１１１＞方位から２°００′以内の傾きの範囲である。 （もっと読む）