【課題】ホウ化物単結晶の成長工程において不純物を除去し、結晶性に優れたホウ化物単結晶を製造することができるホウ化物単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ホウ化物単結晶の製造方法は、浮遊帯域法により化学式ＸＢ_２（ＸはＺｒ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｈｆ及びＴａから選ばれる少なくとも１種である）で表されるホウ化物単結晶またはホウ化物多結晶から成る棒状体を、酸素濃度が１０ｐｐｂ以下の不活性ガスから成る雰囲気ガス９中で作製し、次に棒状体を原料棒６として用いて浮遊帯域法により化学式ＸＢ_２（ＸはＺｒ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｈｆ及びＴａから選ばれる少なくとも１種である）で表されるホウ化物単結晶を製造する。 （もっと読む）

【課題】ホウ化物単結晶の成長工程において不純物を除去し、結晶性に優れたホウ化物単結晶を製造することができるホウ化物単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】化学式ＸＢ_２（ただし、ＸはＺｒ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｈｆ及びＴａから選ばれる少なくとも１種である。）で表されるホウ化物から成る原料棒６を種結晶８に接触させて浮遊帯域法によって、化学式ＸＢ_２で表されるホウ化物単結晶を成長させるホウ化物単結晶の製造方法において、水素ガスを添加した雰囲気ガス９中でホウ化物単結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】原子レベルで平坦化された主面を有する酸化ガリウム単結晶基板、及び原子レベルで平坦化された主面を有する酸化ガリウム単結晶基板の製造方法を提供する。
【解決手段】面方位が実質的に＜１００＞方向である酸化ガリウム単結晶の（１００）面を研磨して薄型化するラッピング加工と、平滑に研磨するポリッシング加工とを行い、更に化学機械研磨することで、酸化ガリウム単結晶の（１００）面にステップとテラスとを形成して、酸化ガリウム単結晶基板を得る。 （もっと読む）

【課題】ＣＺ法により引き上げられたシリコン結晶を原料素材としても、従来のＦＺ法で得られる製品単結晶と同等の抵抗率分布を有する成長結晶を得ることができるシリコン単結晶の製造方法を提供すること。
【解決手段】ＦＺ法によるシリコン単結晶の製造方法は、ＣＺ法により引き上げられたＰ型又はＮ型のシリコン結晶を原料素材６とし、原料素材６の導電型と同じ導電型の不純物をガスドープ装置４により供給しつつ、誘導加熱コイル３により再結晶化させて製品単結晶８を得る。 （もっと読む）

【課題】 単結晶シリコンの酸素濃度に依存せずに結晶欠陥領域を正確かつ簡便に短時間に分析することができる、金属汚染及び熱処理を利用した単結晶シリコンの結晶欠陥領域の区分方法を提供する。
【解決手段】 単結晶シリコンインゴットの片またはシリコンウェーハで形成されたサンプルを備えた後、サンプルの少なくとも一面に金属を１×１０^１４〜５×１０^１６ａｔｏｍｓ／cm²濃度で汚染させて、その汚染されたサンプルを熱処理し、その熱処理されたサンプルで汚染された面または汚染された面の反対面を観察して結晶欠陥領域を区分する結晶欠陥領域の区分方法。 （もっと読む）

【課題】基礎吸収端が２５０〜２６０ｎｍの範囲にあり、厚さ０．４ｍｍにおける３１０〜６２０ｎｍの波長領域（紫外光領域及び可視光領域）での内部透過率が８０％以上の光透過率に優れたバルクの酸化ガリウム単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＦＺ法（浮遊帯域溶融法）により作製した酸化ガリウム単結晶を原料棒に用いて更にＦＺ法により酸素含有雰囲気下で酸化ガリウム単結晶を得るようにして、多段階的にＦＺ法を適用する酸化ガリウム単結晶の製造方法であって、成長速度を２．５〜２０ｍｍ／ｈの範囲で結晶成長させる。 （もっと読む）

【課題】ＦＺ法で製造されるシリコン単結晶を所定の抵抗率で安定して製造する方法を提供する。
【解決手段】ＦＺ法によるシリコン単結晶の製造方法であって、ＦＺ法で使用する高価な多結晶シリコン原料棒の代わりに高品質で安定した供給が得られる原料であるＣＺ法により製造された抵抗率が５０Ω・ｃｍ以上のＰ型またはＮ型のシリコン結晶棒１をシリコン原料棒１として、シリコン原料棒１にシリコン原料棒１と同一導電型の不純物をガスドープすることにより、シリコン原料棒１を所望の抵抗率のＰ型またはＮ型のシリコン単結晶に再結晶化させる。 （もっと読む）

【課題】ルチル複屈折単結晶より複屈折率が大きいＭｇＴｉＯ_３単結晶体、これを使用したプリズム及びＭｇＴｉＯ_３複屈折単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＭｇＯ、ＴｉＯ_２を化学量論組成（ＭｇＯ：ＴｉＯ_２＝１：１）で混合し焼結して作成したＭｇＴｉＯ_３セラミクス棒を用いて浮遊帯溶融法によりＭｇＴｉＯ_３複屈折単結晶を製造する。 （もっと読む）

【課題】特に、高融点の原料からなる大径の単結晶を、容易に、安定して育成することができる単結晶育成装置を提供する。
【解決手段】育成する単結晶の原料からなる原料棒の、軸方向の、一定長の領域を、誘導加熱によって溶融させるための誘導コイル６に、環の外周から径方向の内方へ向けて凹入した凹部１９を設けると共に、凹部１９内に、誘導コイル６を冷却するための冷媒を、環の径方向の内方へ向けて流入させて、凹部１９の底面２１に当接させた後、凹部１９外へ流出させるための流路を設けた単結晶育成装置である。 （もっと読む）

【課題】窒化物薄膜成長用基板として利用可能な亜粒界のない良質なTiC単結晶の育成方法を提供する。
【解決手段】式Ti_1-xZr_xC（ただし、0.05≦x≦0.35）で示される、炭化チタンTiCに、５モル％から３５モル％の炭化ジルコニウムZrCを固溶させた炭化物単結晶。この炭化物単結晶は、例えば、TiC粉末にZrC粉末を混合した圧粉体等を焼結した焼結棒を原料棒として浮遊帯域溶融法により単結晶を成長させることにより製造することができる。 （もっと読む）

【課題】結晶性及び導電性が共に優れた酸化ガリウム単結晶及びその製造方法、並びに窒化物半導体をエピタキシャル成長させるのに好適な窒化物半導体用基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化ガリウム粉末にＳｎ、Ｇｅ、Ｓｉ又はこれらの酸化物から選ばれた１種以上からなる添加物を添加した粉末材料を圧縮成形し、これを１４００〜１６００℃で焼結して酸化ガリウム焼結体を得て、この酸化ガリウム焼結体を原料棒としてＦＺ法により酸素と不活性ガスとの混合ガス雰囲気下で、成長速度ｖを５mm/h＜ｖ＜１５mm/hとして酸化ガリウム単結晶を育成させる。また、この単結晶の表面を窒化処理して窒化物半導体用基板を得る。 （もっと読む）

【課題】浮遊帯域溶融法（ＦＺ法）による単結晶育成において、結晶のトップ部を所望の形状に最適制御するための単結晶育成方法を提供する。
【解決手段】結晶径検出工程では、結晶側固液界面における結晶径を検出する。結晶径変化率算出工程（ＳＴ３１０）では、結晶径の単位時間当たりの変化量である結晶径変化率を算出する。結晶径変化率比較工程では、予め設定された結晶径変化率の設定範囲に対して前記結晶径変化率を対比する。素材送り速度指令工程では、前記結晶径変化率が設定範囲の上限値を超えていた場合（ＳＴ３１２）には素材送り速度を維持させる（ＳＴ３１３）、前記結晶径変化率が設定範囲の下限値を下回っていた場合（ＳＴ３１４）には素材送り速度を増速させる（ＳＴ３１５）。 （もっと読む）

【課題】 ＦＺ法による半導体結晶の製造方法において、原料半導体棒の破損を防止することができる半導体結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 少なくとも、原料となる半導体棒を保持具で鉛直方向に保持する工程と、前記原料半導体棒の下端部を溶融して種結晶に融着させる工程と、前記種結晶側から順次結晶化させるゾーニング工程とを含むＦＺ法による半導体結晶の製造方法において、前記原料半導体棒として、上端部に上方に向かって直径が拡大するテーパ部分が形成された半導体棒を用い、前記原料半導体棒のテーパ部分を前記保持具に形成されたテーパ面に係止することによって前記原料半導体棒を保持して結晶を製造する半導体結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】融解状態にある結晶化材料におけるマランゴニ対流を定常対流状態に制御し、成長縞を生じない良好な結晶化を可能とする。
【解決手段】融解状態でのプラントル数が５以上の結晶化材料１０を、第１の加熱手段１６により全周加熱して融解領域１０Ｂを形成し、融解状態において第２の加熱手段１８により全周加熱し、加熱領域を結晶化材料１０に対して相対的に結晶化材料の長手方向へ変位させ、第１の加熱手段１６による加熱を、融解領域１０Ｂのマランゴニ数：Ｍａが、振動臨界マランゴニ数：Ｍａｃｒ１、乱流臨界マランゴニ数：Ｍａｃｒ２に対し、Ｍａｃｒ１≦Ｍａ≦Ｍａｃｒ２を満足するように行い、第２の加熱手段１８による加熱の制御により、融解領域１０Ｂにおけるマランゴニ対流を定常対流状態に制御しつつ結晶化を行う。 （もっと読む）

【課題】大径化の要求や、消費電力の低減の要求に十分に対応しながら、クラック等のない、良好な単結晶を育成することができる単結晶育成装置を提供する。
【解決手段】育成する単結晶１３の原料からなる原料棒２の、軸方向の、一定長の領域を、誘導加熱によって溶融させるための誘導コイル６を、前記単結晶１３の原料の融点Ｍ₀に対して、式(1)：
Ｍ₀＜Ｍ₁ (1)
を満足する融点Ｍ₁を有し、かつ抵抗率（２０℃）が１５μΩ・ｃｍ以下の材料によって形成した単結晶育成装置１である。 （もっと読む）

【課題】フローティングゾーン法により、特に高融点の原料からなる大径の単結晶を、容易に、安定して育成することができる単結晶育成装置を提供する。
【解決手段】育成する単結晶の原料からなる原料棒の、軸方向の、一定長の領域を、誘導加熱によって溶融させるための略環状の誘導コイル６が、環の周方向に複数の領域に分割されて、各領域ごとに、それぞれの領域を個別に冷却するための冷却管１６が形成されている単結晶育成装置。 （もっと読む）

【課題】高圧ガス雰囲気下において浮遊溶融帯方式で、新規単結晶を得ることができる単結晶製造装置及びそれを用いた高圧単結晶製造方法を提供する。
【解決手段】１１気圧以上の高圧ガス加圧下において浮遊溶融帯方式の単結晶製造装置で、斜方晶（Ｏｒｔｈｏｒｏｍｂｉｃ; オーソロンビック）のＧａ_2-X Ｆｅ_X Ｏ₃ の単結晶を製造する。 （もっと読む）

【課題】転位密度の小さい、良好なＧａＮ系半導体層を形成することができる、半導体層成長用基板と、それを用いた、特性に優れた半導体装置とを提供する。
【解決手段】半導体層成長用基板は、ＧａＮ系半導体層を成長させるための主面の、Ｘ線反射率法によるＸ線反射率曲線の半値幅を１００秒以下とし、かつ、前記主面に、原子ステップ構造を形成した。半導体装置は、前記半導体層成長用基板と、前記半導体層成長用基板の主面上にエピタキシャル成長させたＧａＮ系半導体層とを備える。 （もっと読む）

【課題】転位密度の小さい、良好なＧａＮ系半導体層を形成することができる、半導体層成長用基板と、それを用いた、特性に優れた半導体装置とを提供する。
【解決手段】半導体層成長用基板は、前記半導体層成長用基板を形成するＺｒＢ₂単結晶の、ａ軸の格子定数を、０．３１６９±０．００１ｎｍとした。半導体装置は、前記半導体層成長用基板と、前記半導体層成長用基板の主面上にエピタキシャル成長させたＧａＮ系半導体層とを備える。 （もっと読む）

【課題】窒素が添加された高抵抗のシリコン単結晶インゴットを原料として用いた場合においても、本来必要とされる中性子照射量を正確に把握し、目標抵抗率を正確に得るための中性子照射シリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、フローティングゾーン法（ＦＺ法）により窒素を添加しながら平均抵抗率が１０００Ω・ｃｍ以上であるシリコン単結晶インゴットを育成する工程と、該シリコン単結晶インゴットに中性子照射する工程と、該中性子照射によって受けた損傷を回復する熱処理を行う工程とを有する中性子照射シリコン単結晶の製造方法において、少なくとも前記シリコン単結晶インゴットに中性子照射する工程の前に、シリコン単結晶にドナー消去熱処理を行い、該ドナー消去熱処理を行ったシリコン単結晶の抵抗率から中性子照射量を算出して中性子照射を行う。 （もっと読む）