【課題】GaNなどの窒化物半導体結晶の(0001)又は(000-1)面との間の格子整合性を高めて、低欠陥の窒化物半導体結晶をエピタキシャル育成可能な岩塩型遷移金属炭化物単結晶基板を提供する。
【解決手段】化学式XC（但し、Xは、Ti, Zr, Nb, Hf, Taのうち、１種類）で表される岩塩型遷移金属炭化物単結晶、または、化学式X_(1-x)Y_xC（但し、X及びYは、Ti, V, Zr, Nb, Hf, Taのうち、１種類であり、XとYは異なる元素で、０＜ｘ＜０．３）で表される岩塩型遷移金属炭化物固溶体単結晶からなり、主面が(111)面である窒化物半導体結晶成長用基板。 （もっと読む）

【課題】三酸化二アルミニウムに添加物を用いることなく、三酸化二アルミニウムを融解させて得られる無色透明なサファイア単結晶の新規な製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】極低酸素分圧の不活性ガス雰囲気に維持されている条件下に、三酸化二アルミニウム微粉末の成形体を焼結処理して得られる三酸化二アルミニウム焼結体３７と種結晶体３９を回転可能な固定手段上に固定維持し、固定手段を回転させて、前記三酸化二アルミニウム焼結体及び種結晶体の表面に赤外線を集光照射して加熱溶融することによりサフャイア単結晶を製造する。 （もっと読む）

【課題】より自由度の高い粒子配列制御を可能とする単結晶育成方法および単結晶育成装置を提供する。
【解決手段】加熱源としてのレーザ源１１，１２，１３と、被加熱部１４、上結晶駆動軸に支持された原料棒、下結晶駆動軸に支持された種結晶棒、石英管２２を有すると共に、被加熱部１４の周囲に、複数の磁場付与手段２３，２４，２５を円周方向等間隔、かつ、レーザ源１１，１２，１３と交互に配置し、レーザ源１１，１２，１３のレーザを被加熱部１４に集中させて、被加熱部１４の原料棒および種結晶棒を加熱溶融すると共に、複数の磁場付与手段２３，２４，２５のコイル２９，３０，３１に３相または多相交流電流を供給して、フローティングゾーンに位相差を有する回転磁場を付与して単結晶を育成する。 （もっと読む）

【課題】浮遊帯溶融法（ＦＺ法）により大直径のシリコン半導体結晶を製造する場合であっても、コーン部における有転位化および放電による無転位化の阻害の両方を防止することができ、高品質のシリコン半導体結晶を高歩留まりで製造することのできるシリコン半導体結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、原料となるシリコン半導体棒を溶融して種結晶に融着させた後、チャンバ内で直径を拡大させながらシリコン半導体結晶のコーン部を育成し、その後、１７０ｍｍ以上の所望の直径に制御しつつ該シリコン半導体結晶の直胴部を育成する浮遊帯溶融法において、シリコン半導体結晶の育成中に前記チャンバ内の圧力を、予め準備したパターンにしたがって、低い状態から高い状態へ変化させる。 （もっと読む）

【課題】ＦＺ法(フローティングゾーン法または浮遊帯溶融法)による半導体結晶の製造方法において、切り離し工程で原料と溶融帯域を切り離し完全に結晶を固化させる際に生じるスリップバックを低減できる半導体結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、原料となる半導体棒を溶融して種結晶に融着させる工程と、晶出側半導体棒を所望の直径まで拡大させながら成長させてコーン部を形成する工程と、晶出側半導体棒を所望の直径に制御しつつ成長させて直胴部を形成する工程と、原料の供給を止め、晶出側半導体棒の直径を縮小させて該晶出側半導体棒を溶出側半導体棒から切り離す工程を含むＦＺ法による半導体結晶の製造方法において、少なくとも、前記直胴部形成工程中、特に、前記直胴部形成工程の最後で、前記晶出側半導体棒切り離し工程前に、原料を供給しつつ、晶出側半導体棒の直径を制御して自動的に縮小する工程を行う。 （もっと読む）

【課題】ＦＺ法により大口径の単結晶を製造する場合であっても、誘導加熱コイルのスリットで生じる放電を効果的に防止でき、高い単結晶化率で安定して高品質の単結晶を製造することのできる単結晶製造装置を提供する。
【解決手段】ＦＺ法による単結晶製造装置であって、少なくとも、原料結晶棒及び育成単結晶棒を収容するチャンバー２０と、前記原料結晶棒と前記育成単結晶棒の間に浮遊帯域を形成する熱源となりスリットを有する誘導加熱コイル７と、該誘導加熱コイルのスリットでの放電を防ぐための前記誘導加熱コイルのスリット部にガスを吹き付けるノズル１１を具備するものであることを特徴とする単結晶製造装置。 （もっと読む）

【課題】従来の磁気光学素子用結晶と比較して高い磁界感度を有する磁気光学素子用結晶を提供すると共に、その磁気光学素子用結晶を用いた磁気光学素子並びに磁界検出装置を提供する。
【解決手段】化学式Ｙ_３−ｘＣｅ_ｘＦｅ_５Ｏ_１２（式中、０＜ｘ＜３である。）又は化学式Ｙ_３−ｘＣｅ_ｘＦｅ_５ーｙＡ_ｙＯ_１２（式中、Ａは３族元素を示し、０＜ｘ＜３、０＜ｙ＜３である。）で表される磁気光学素子用結晶を用いる。 （もっと読む）

【課題】溶融部における試料の円周方向の温度勾配が小さく、その垂直方向の温度勾配が急峻であり、且つ充分に高い最高到達温度を得ることができ、安定した溶融状態を形成可能な赤外線集中加熱式の浮遊帯域溶融装置を提供する。
【解決手段】回転楕円面反射鏡２を直交軸上に対向配置した四楕円鏡型の浮遊帯域溶融装置において、回転楕円面反射鏡２の離心率を０．４〜０．６５とすると共に、回転楕円面反射鏡２の深さの開口部直径に対する比を０．３８〜０．７５とした。さらに、回転楕円面反射鏡２として、ガラス鏡を使用した。また、回転楕円面反射鏡２を、一方の焦点から他方の焦点への直線が下方へ傾斜するように配置し、反射面で反射された赤外線を斜め上方から試料へ照射することにより、大口径の単結晶を育成可能とした。 （もっと読む）

【課題】研磨されない半導体ディスクの表面品質を改善し、その上に製造される素子の、より小さな線幅を可能にする。
【解決手段】研磨されない半導体ディスクを製造する方法が以下のステップ、すなわち：（ａ）半導体材料から単結晶を成長させ、（ｂ）該単結晶を円筒研削し、（ｃ）該単結晶から半導体ディスクを切断し、（ｄ）該半導体ディスクのエッジを丸み付けし、（ｅ）該半導体ディスクの少なくとも片面を表面研削し、（ｆ）該半導体ディスクをエッチング媒体により処理し、（ｇ）該半導体ディスクを最終的にクリーニングするというステップを有しているようにした。 （もっと読む）

【課題】ＦＺ法によって、現状よりも結晶性に優れたホウ化物単結晶を製造することができる新規な製造方法と、前記製造方法によって製造された、特に、ＧａＮ系半導体層等の半導体層をエピタキシャル成長させるのに適した基板とを提供する。
【解決手段】製造方法は、ホウ化物のもとになるホウ素と金属元素とを含む原料粉末によって形成した原料棒６の、長さ方向の一端に、前記ホウ化物の化学量論比組成よりもホウ素過剰の初期溶融領域９を設け、前記初期溶融領域９を、加熱により溶融させて溶融帯を形成し、前記溶融帯を、原料棒６の、長さ方向の他端へ向けて移動させることで、前記原料棒６の、溶融帯が通過した後の領域に、ＦＺ法によってホウ化物単結晶を成長させる。基板は、前記製造方法によって製造されたホウ化物単結晶からなる。 （もっと読む）

【課題】 既存のものよりはるかに結晶性に優れ、光学材料、電極、導電体、ガスセンサ、光記録材料等の種々のデバイスへの応用に有利な酸化ガリウム単結晶を提供する。
【解決手段】 放射光をＸ線源としたＸ線ロッキングカーブ測定により得られるＸ線ロッキングカーブの半値幅が０．０８°以下であることを特徴とする酸化ガリウム（β-Ga₂O₃）単結晶である。 （もっと読む）

【課題】光の非相反性機能を有し、かつ単純なプロセスで、純度の高い強誘電体ペロブスカイト型チタン酸バリウム単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】強誘電体ペロブスカイト型チタン酸バリウム単結晶の製造方法において、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）又はルテチウム（Ｌｕ）からなる３価の希土類元素をチタンサイトに添加する。一例として、希土類元素エルビウム（Ｅｒ）を０．１％添加したペロブスカイト型チタン酸バリウム単結晶〔（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ3 Ｅｒ3+〕からの発光スペクトルを調査した結果、このスペクトルは３価の発光スペクトルでＴｉサイトに置換しており、また、その他からの不純物からの発光がなく、得られた単結晶の純度が高いことが示された。 （もっと読む）

【課題】特に表面近傍の領域において低欠陥密度を有するシリコンウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】ａ）酸素ドーピング濃度が少なくとも４×１０^１７／ｃｍ^３であるシリコン単結晶を融解物質を凝固し冷却することにより製造するが、その際、８５０℃〜１１００℃の温度範囲での冷却中の単結晶の保持時間が８０分未満であり； ｂ）単結晶を加工してシリコンウエハを形成し；そして ｃ）シリコンウエハを少なくとも１０００℃の温度で少なくとも１時間アニーリングする。 （もっと読む）

【課題】 Ｂｉ系超電導体に有効な磁束ピニング領域を導入することにより、臨界電流密度が高いＢｉ系超電導体、超電導線材および超電導機器を提供する。
【解決手段】 Ｂｉ原子、Ｓｒ原子、Ｃａ原子、Ｃｕ原子、Ｏ原子とＦｅ原子またはＹ原子を含むＢｉ系超電導体であって、Ｃｕ原子およびＦｅ原子の合計量に対するＦｅ原子の含有量が０．０１原子％以上１原子％以下、または、Ｃａ原子およびＹ原子の合計に対するＹ原子の含有量が０．０１原子％以上１原子％以下であることを特徴とするＢｉ系超電導体。 （もっと読む）

【課題】高温において十分な組織安定性を有し、これによって十分な高温強度を有して実用に足る（Ｃ４０／Ｃ１１ｂ）複相シリサイドの作製方法、並びにこの（Ｃ４０／Ｃ１１ｂ）複相シリサイドを提供する。
【解決手段】光学式浮遊帯域溶融法により（Ｍｏ_０．８５Ｎｂ_０．１５）Ｓｉ_２なる組成の多結晶状のバルク体１から、２．５ｍｍ／時間以下の結晶化速度で、平衡状態図におけるＣ４０の固相線上における液相濃度（Ｃ_ＬＥ）と固相濃度（Ｃ_Ｂ）との平衡状態が維持されるようにして凝固させ、Ｃ４０単相の結晶３を得る。次いで、この結晶３に対して非酸化性雰囲気で加熱処理を施すことにより、Ｃ４０相からＣ１１ｂ相を晶出させ、Ｃ４０相とＣ１１ｂ相とからなる（Ｃ４０／Ｃ１１ｂ）複相シリサイドを得る。 （もっと読む）

【課題】 高純度で大径の単結晶が得られるIII族酸化物系単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 β−Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶８は、ＦＺ法（フローティングゾーン法）により製造される。β−Ｇａ_２Ｏ_３系種結晶７と、目的のβ−Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶８の外径に応じた量の熱融解性調整用添加物を添加したβ−Ｇａ_２Ｏ_３系多結晶からなる燒結素材９との接触部を加熱融解して融解帯８ｄを形成する。その融解帯８ｄの温度降下により、種結晶７の先端に単結晶８が育成する。 （もっと読む）

ほぼ多角形の横断面を有する単結晶のＳｉウェーハを製造する方法およびほぼ多角形の横断面を有する単結晶性のＳｉウェーハ。著しい材料節約を保証し、大きな直径と大きな育成長さとを有する結晶を可能にしかつ従来公知の方法よりも手間のかからないことが望まれる、ほぼ多角形の横断面と、ゾーン育成されたＳｉ結晶の材料品質とを有する単結晶のＳｉウェーハを製造する方法において、開始段階で、垂下した溶融滴から公知の手段を用いて少なくとも１つのネック部を鉛直方向下方に引き下げ、その後に、結晶回転を０〜＜１ｒ．ｐ．ｍ．の回転数にまで減少させ、引き続き、成長段階で、ほぼ多角形の横断面を有するＳｉ単結晶を鉛直方向下方に引き下げ、この場合、電流分配を成形するための手段を有するインダクタを、育成したい結晶インゴットの横断面の形状に対応する、成長相境界における形状を有する温度分布を発生させるために使用し、次いで、所望の引張長さもしくは育成長さの達成時に結晶インゴットの定常の成長を終了させ、結晶インゴットをスライス切断して、多角形の横断面を有するウェーハを形成する。本発明による解決手段は、ｎ個の辺数のジオメトリを有する多角形のストリエーションパターンを有する、ほぼ多角形の横断面を有する単結晶性のＳｉウェーハをも包含する。
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【課題】部材、特にアルミニウム−酸素網状組織によって結合された状態のレンズシステムなどの光学部材を低温で接合する方法を提供する。
【解決手段】２つの部材を、アルミン酸塩含有溶液を使用して接合し、前記アルミン酸塩溶液の成分を、接合された部材の表面の間で反応させる接合方法であり、好ましくは、水酸化ナトリウム等の塩基によって安定化されたテトラヒドロキシ・アルミン酸含有溶液を使用して、１００℃未満の温度で２つの部材を接合する方法。 （もっと読む）

本発明は、平均抵抗率１０００Ω・ｃｍ以上のシリコン単結晶基板を製造する方法であって、ＦＺ法により窒素を添加しながらシリコン単結晶インゴットを育成し、該育成したインゴットを切断してシリコン単結晶基板を作製し、該作製した基板に、９００〜１２５０℃の温度で１０〜１２０分の熱処理を行うことを特徴とするシリコン単結晶基板の製造方法及び該熱処理を行った後、前記作製した基板の抵抗率及び／又は面内抵抗率分布を測定することを特徴とするシリコン単結晶基板の抵抗特性測定方法及び保証方法である。これにより、窒素を添加した１０００Ω・ｃｍを超える高抵抗率シリコン単結晶基板において、半導体素子製造工程中に熱処理を行っても抵抗率が大きく変化しないシリコン単結晶基板の製造方法及びシリコン単結晶基板製品の正確な抵抗特性保証を行うことを可能にするシリコン単結晶基板の抵抗特性測定方法及び抵抗特性保証方法が提供される。
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本発明は、Ｃｄ_xＺｎ_1-xＴｅ（０≦ｘ≦１）、望ましくは１原子ｐｐｂと１０，０００原子ｐｐｂの間の濃度中の、元素周期律表の第ＩＩＩ族または第ＶＩＩ族の元素、そして、望ましくは１原子ｐｐｂと１０，０００原子ｐｐｂの間の濃度中の、ルテニウム（Ｒｕ）、オスミウム（Ｏｓ）またはＲｕとＯｓの組み合わせから製造される放射線検出器結晶である。 （もっと読む）